JPS594071A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS594071A JPS594071A JP11281282A JP11281282A JPS594071A JP S594071 A JPS594071 A JP S594071A JP 11281282 A JP11281282 A JP 11281282A JP 11281282 A JP11281282 A JP 11281282A JP S594071 A JPS594071 A JP S594071A
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- JP
- Japan
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- layer
- electrode
- semiconductor device
- groove
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 3
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
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- 241000283690 Bos taurus Species 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は受光素子と箱１界効果トランジスタ（以下ＦＥ
Ｔと称す）が同一基板に形成された半導体装置に関する
。
Ｔと称す）が同一基板に形成された半導体装置に関する
。
（２）従来技術と問題点
従来受光素子とＦＥＴはメサエッチングによって素子分
離されていた。このため受光素子のＰ側電極の配線はワ
イヤーボンディングによ−りて行うか、又は深いメサ部
をけうように配線しなければならず断線の原因となって
いた。
離されていた。このため受光素子のＰ側電極の配線はワ
イヤーボンディングによ−りて行うか、又は深いメサ部
をけうように配線しなければならず断線の原因となって
いた。
（３）発明の目的
本発明は、メサ部に半絶縁性又は■〕−型のＡＪＱａＡ
ｓＭをうめ込むことにより紮子群をプレナー化し、Ｐ側
電極の配線を容易にすることを目的とする。
ｓＭをうめ込むことにより紮子群をプレナー化し、Ｐ側
電極の配線を容易にすることを目的とする。
（４）発明の構成
半絶縁性基板と、受光素子が形成された第１の領域とお
よび電界効果トランジスタが形成された第２の領域を有
［２、該半絶縁性基板上に形成された牛募体層と、該第
１および第２の領域間に設けられ、該半絶縁性基板に達
する溝と、該溝内に埋められた化合物層を有することを
特徴とする。
よび電界効果トランジスタが形成された第２の領域を有
［２、該半絶縁性基板上に形成された牛募体層と、該第
１および第２の領域間に設けられ、該半絶縁性基板に達
する溝と、該溝内に埋められた化合物層を有することを
特徴とする。
（５）発明の実施例
以下、図面を用いて本発明の一実施例を説明する。
第１図乃至第３図は本発明による半導体装置の製造工程
を示したものであり、ｒｐ￥に第３図が本発明による半
導体装置の一実施例である。
を示したものであり、ｒｐ￥に第３図が本発明による半
導体装置の一実施例である。
第１図に示すように半絶縁性のＧａＡｓ基板１上にｎ−
型の ＧａＡｓ層２をエピタキシャル成長させ次いでエ
ツチングを行なって幅が５μｍ８度の溝３を設けて第１
の領域４．第２の領域５を形成する。次に躯２図に示す
ように半絶縁性又はＰ−型のＡｌｘＧａ、−ｘＡｓ （
ＱＳＸＳＩ）層６を例えば液相成長させる。
型の ＧａＡｓ層２をエピタキシャル成長させ次いでエ
ツチングを行なって幅が５μｍ８度の溝３を設けて第１
の領域４．第２の領域５を形成する。次に躯２図に示す
ように半絶縁性又はＰ−型のＡｌｘＧａ、−ｘＡｓ （
ＱＳＸＳＩ）層６を例えば液相成長させる。
このような成長方法では、横方向の成長速度が、たて方
向よりも速いので、溝は充分に坩１めることかできる。
向よりも速いので、溝は充分に坩１めることかできる。
次いでＦＥＴの活性層７を成長させる。
との徒、算３図に示すように１ＧａＡｓ層６とＦ’ＥＴ
の活性層７を夫々パターニングした後、第１の領域４
ＫＺｎ ＪｐＣｄ等を拡散してＰ型幀域８を形ｈｌ、Ｐ
（１１１１電極を取す伺け、受光素子が完成するＯ 一方第２の領域２上の活性層７上にゲート、ソース、ド
レイン電極１０，１１．１２を夫々取付けてＦＥＴが完
成する。
の活性層７を夫々パターニングした後、第１の領域４
ＫＺｎ ＪｐＣｄ等を拡散してＰ型幀域８を形ｈｌ、Ｐ
（１１１１電極を取す伺け、受光素子が完成するＯ 一方第２の領域２上の活性層７上にゲート、ソース、ド
レイン電極１０，１１．１２を夫々取付けてＦＥＴが完
成する。
（６〉 発明の詳細
な説明した本発明によれば、半導体装置のプレーナー化
が図られ、受光素子のＰ（ｌｌｌ電極の配線が容易にな
る。
が図られ、受光素子のＰ（ｌｌｌ電極の配線が容易にな
る。
第１図乃至第３図は本発明の一実施例を説明するための
工程順断面図である。 図において、１は半絶縁性基板、３は溝、４は第１の領
域、５は第２の領域、６はＡＪＧａＡｓ層である。
工程順断面図である。 図において、１は半絶縁性基板、３は溝、４は第１の領
域、５は第２の領域、６はＡＪＧａＡｓ層である。
Claims (1)
- 半絶縁性基板と、受光素子が形成された第１の領域〃お
よび電界効果トランジスタが形成された第２の領域を有
し、訪半絶縁性基板上に形成された半導体層と、該第１
および第２の領域間に設けられ、該半絶縁性基板に達す
る溝と、該溝内に埋められた化合物層を翁することを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11281282A JPS594071A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11281282A JPS594071A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS594071A true JPS594071A (ja) | 1984-01-10 |
Family
ID=14596145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11281282A Pending JPS594071A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594071A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107758A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Fujitsu Ltd | ＧａＡｓ集積回路及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11281282A patent/JPS594071A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61107758A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Fujitsu Ltd | ＧａＡｓ集積回路及びその製造方法 |
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