JPS593923A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
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- JPS593923A JPS593923A JP11153482A JP11153482A JPS593923A JP S593923 A JPS593923 A JP S593923A JP 11153482 A JP11153482 A JP 11153482A JP 11153482 A JP11153482 A JP 11153482A JP S593923 A JPS593923 A JP S593923A
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
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- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明は走査形電子ビーム露光装置における電子ビーム
露光方法に関する。
露光方法に関する。
（２）技術の背景
近年、半導体製造技術においては、元によるリソグラフ
ィに代り、より微細パターン加工に有利な電子ビームに
よるリング２フイが実用化されつつある。特に、走査形
電子ビーム露光装置金用いると、ツヤターンの作成を設
計データを用いて直接行う。たとえば５ウエハにパター
ンを露光する際には、マスクを用いずに行うこともでき
、従って。
ィに代り、より微細パターン加工に有利な電子ビームに
よるリング２フイが実用化されつつある。特に、走査形
電子ビーム露光装置金用いると、ツヤターンの作成を設
計データを用いて直接行う。たとえば５ウエハにパター
ンを露光する際には、マスクを用いずに行うこともでき
、従って。
この場合、マスク製造の時間が不要になると共に、マス
クによる誤差や欠陥が減少し、しかもｉＪ？ターンに対
する融通性が高くなる。レチクルやフォトマスクの製造
の場合にも同様の利点がある。
クによる誤差や欠陥が減少し、しかもｉＪ？ターンに対
する融通性が高くなる。レチクルやフォトマスクの製造
の場合にも同様の利点がある。
また、走査形電子ビーム露光装置においては、スルージ
ットの向上のため、矩形ビーム露光が用いられるように
なってきており、また、ノリーン発生の融通性の点から
ビーム形状が変えられる可変矩形ビーム露光方式が採用
されている。
ットの向上のため、矩形ビーム露光が用いられるように
なってきており、また、ノリーン発生の融通性の点から
ビーム形状が変えられる可変矩形ビーム露光方式が採用
されている。
（３）従来技術と問題点
可変矩形ビーム露光装置では、ビーム形状が変えら°れ
名とは言っても、その最大寸法には限度があり、その限
度を最大矩形と足義すると、描画される矩形パターンが
最大矩形以下の場合は問題ないが ゛
、描画される矩形ノぐターンが最大矩形より
太き−場合には、複数回の露光走査が必要となる。従来
、このような大きな矩形ノリーンを描画する際には、こ
のパターンを予め最大矩形毎に分割し、ノリーンを所定
Ｐ−ズで露光し、これらの線光ノぐターンをつなぎ合わ
せていた。
名とは言っても、その最大寸法には限度があり、その限
度を最大矩形と足義すると、描画される矩形パターンが
最大矩形以下の場合は問題ないが ゛
、描画される矩形ノぐターンが最大矩形より
太き−場合には、複数回の露光走査が必要となる。従来
、このような大きな矩形ノリーンを描画する際には、こ
のパターンを予め最大矩形毎に分割し、ノリーンを所定
Ｐ−ズで露光し、これらの線光ノぐターンをつなぎ合わ
せていた。
しかしながら、上述の従来方法によれば、各露光された
ノリーンの境界のずれが生ずるという問題点がある。こ
のノリーン境界のずれの原因ハ種々考えられるが、たと
えば、電子ビーム露光による発生熱が滞留してレジスト
の感度が上昇したり、ビームアライメントの不都合、あ
るいはガンフィラメントの寿命によるショットむら等が
考えられる。特に境界すれはフォトマスクあるいはクエ
へにおけるアナログＩＣの抵抗ノリーン等の形成に重大
な影１１１を及ぼす。
ノリーンの境界のずれが生ずるという問題点がある。こ
のノリーン境界のずれの原因ハ種々考えられるが、たと
えば、電子ビーム露光による発生熱が滞留してレジスト
の感度が上昇したり、ビームアライメントの不都合、あ
るいはガンフィラメントの寿命によるショットむら等が
考えられる。特に境界すれはフォトマスクあるいはクエ
へにおけるアナログＩＣの抵抗ノリーン等の形成に重大
な影１１１を及ぼす。
（４）発明の目的
本発明９目的は、上述の従来方法における問題点に鑑み
、大きな矩形ノリーンを最大矩形で分割する際に、２次
元的にお互いにシフトされｆｃ２っの分割パターンを用
意し、１２０分割パターン全所定ドーズの稀で露光し、
他の分割・！ターンを所足ドーズの１／２で露光して重
ね合わせるという構想にもとづき、・にターンの境界ず
れを解消させることにある。
、大きな矩形ノリーンを最大矩形で分割する際に、２次
元的にお互いにシフトされｆｃ２っの分割パターンを用
意し、１２０分割パターン全所定ドーズの稀で露光し、
他の分割・！ターンを所足ドーズの１／２で露光して重
ね合わせるという構想にもとづき、・にターンの境界ず
れを解消させることにある。
（５）発明の構成
上述の目的金達収するために本発明によれば、試料上の
所望領域を、該所望領域より小さな複数の矩形領域に順
次電子ビームを照射して露光する方法であって、該所望
領域を、第１の矩形パターン領域群に順次電子ビームを
照射した後、該第１の矩形ノＲターン領域群の隣接する
矩形パターン領域にまたがる矩形パターン領域を有する
第２の矩形パターン領域群に順次電子ビーム全照射して
露光することを特徴とする電子ビーム露光方法が提供さ
れる。
所望領域を、該所望領域より小さな複数の矩形領域に順
次電子ビームを照射して露光する方法であって、該所望
領域を、第１の矩形パターン領域群に順次電子ビームを
照射した後、該第１の矩形ノＲターン領域群の隣接する
矩形パターン領域にまたがる矩形パターン領域を有する
第２の矩形パターン領域群に順次電子ビーム全照射して
露光することを特徴とする電子ビーム露光方法が提供さ
れる。
（６）発明の実施例
以下、図面により本発明全説明する。
第１シ１（５）１回は本発明に係る分割された矩形パタ
ーンを示す図である。データメモリに記憶された矩形ノ
９ターンは始点座標（為、Ｙ、）および寸法（ＸＩ、Ｙ
ｌ）で与えられる１、ここで、電子ビームの最大矩形の
大きさ’６ＳＸＳとすれば、第１図＠）に示すように、
矩ｊヒノクターンを、座標（ＸＯ，Ｙｏ）からＸ方向に
配列され友パターン０〜６、座標（Ｘ４゜Ｙ、＋ ｓ
）７）λらＸ方向に配列されたノ９ター７７〜１３゜お
よび座標（Ｘｏ −ｙ、４−２８ ）からＸ方向に配列
されたパターン１４〜２０で分割する。この場合、−ン
會、座標（ＸＯ，ＹｏｌからＸ方向に配列されたパター
ン０′〜６′、座標（Ｘｏ −Ｙｏ＋Ｓ／２ ） タラ
Ｘ 方向に配列されたＡターン７′〜１３−および座標
（Ｘ４゜ｙｏ＋３／２ Ｓ ） ７）−らＸ方向に配列
された・リーン１４′〜２０′で分割する。この場合、
パターン０′〜６′が最大矩形より小さく、他のパター
ンは最大矩形である。すなわち、第１図面に示す分割パ
ターンは第１図（５）に示す分割Ａ’ターンに比べてＸ
方向でｓ／／２且つＹ方向で８／２シフトされている。
ーンを示す図である。データメモリに記憶された矩形ノ
９ターンは始点座標（為、Ｙ、）および寸法（ＸＩ、Ｙ
ｌ）で与えられる１、ここで、電子ビームの最大矩形の
大きさ’６ＳＸＳとすれば、第１図＠）に示すように、
矩ｊヒノクターンを、座標（ＸＯ，Ｙｏ）からＸ方向に
配列され友パターン０〜６、座標（Ｘ４゜Ｙ、＋ ｓ
）７）λらＸ方向に配列されたノ９ター７７〜１３゜お
よび座標（Ｘｏ −ｙ、４−２８ ）からＸ方向に配列
されたパターン１４〜２０で分割する。この場合、−ン
會、座標（ＸＯ，ＹｏｌからＸ方向に配列されたパター
ン０′〜６′、座標（Ｘｏ −Ｙｏ＋Ｓ／２ ） タラ
Ｘ 方向に配列されたＡターン７′〜１３−および座標
（Ｘ４゜ｙｏ＋３／２ Ｓ ） ７）−らＸ方向に配列
された・リーン１４′〜２０′で分割する。この場合、
パターン０′〜６′が最大矩形より小さく、他のパター
ンは最大矩形である。すなわち、第１図面に示す分割パ
ターンは第１図（５）に示す分割Ａ’ターンに比べてＸ
方向でｓ／／２且つＹ方向で８／２シフトされている。
本発明はこのような２つの分割ｉ４ターンを用意し、始
めに、第１ツ１（５）にもとづくノソターン０〜２０を
この順で所定量の１／２ Ｐ−ズを露光し、次に、・第
１図（Ｂ）にもとづ（ｚＦターン９′〜２０′をこの順
でＰ７Ｔ足量の１／２ドーズを露光する。すなわち、第
１図翰の露光）ぐターンと第１図の）の露光パターンを
重ね合わすように露光する。この結果、各・ぐターンＯ
〜２０ 、０’〜２０’の境界のずれは解消される。
めに、第１ツ１（５）にもとづくノソターン０〜２０を
この順で所定量の１／２ Ｐ−ズを露光し、次に、・第
１図（Ｂ）にもとづ（ｚＦターン９′〜２０′をこの順
でＰ７Ｔ足量の１／２ドーズを露光する。すなわち、第
１図翰の露光）ぐターンと第１図の）の露光パターンを
重ね合わすように露光する。この結果、各・ぐターンＯ
〜２０ 、０’〜２０’の境界のずれは解消される。
第２図は本発明に係る電子ビーム露光方法を笑行するた
めの装置を示すブロック回路図である。
めの装置を示すブロック回路図である。
第２図において、２０１は中央処理装置（ＣＰＵ）、２
０２はデータメモリであって、たとえば第１図（５）、
但）に示す矩形パターン全記憶しているものとする。す
なわち、この場合、データメモリ２０２は始点座標（Ｘ
ｏ、 Ｙｏ）ｋヨＵ寸法（Ｘｌ−Ｙｌ） ’に記憶して
いる。２０３Ａ、２０３Ｂは、ノセターン発生器であっ
て、たとえば、ノ４ターン発生器２０３Ａは１．第・１
図（５）にもとづく各分割・そターンを、その始点座標
（ＸＯｎ ’ｌｏ’およ６寸法（Ｓｘ ＋ ５ｙ）ｋ
” ７メータとして駆動部２０４に送出し、また、同様
にノぐターン発生器２０３Ｂは第１図（ハ）にもとづく
各分割ノぐターンを、パラメータＸＯｓ ｙｏｎ Ｓｘ
、Ｂｙとして駆動部２０４に送出する。駆動部２０４は
電子ビーム露光装置のメイン偏向２０５およびスリット
偏向２０６を駆動させ、それぞれビーム位置ｘＯｓ ）
’ｏｈ ビーム寸法ＳＸ、Ｓｙを決め、ステージ駆動制
御部２０７は電子ビーム露光装置のステージ全移動させ
るものである。
０２はデータメモリであって、たとえば第１図（５）、
但）に示す矩形パターン全記憶しているものとする。す
なわち、この場合、データメモリ２０２は始点座標（Ｘ
ｏ、 Ｙｏ）ｋヨＵ寸法（Ｘｌ−Ｙｌ） ’に記憶して
いる。２０３Ａ、２０３Ｂは、ノセターン発生器であっ
て、たとえば、ノ４ターン発生器２０３Ａは１．第・１
図（５）にもとづく各分割・そターンを、その始点座標
（ＸＯｎ ’ｌｏ’およ６寸法（Ｓｘ ＋ ５ｙ）ｋ
” ７メータとして駆動部２０４に送出し、また、同様
にノぐターン発生器２０３Ｂは第１図（ハ）にもとづく
各分割ノぐターンを、パラメータＸＯｓ ｙｏｎ Ｓｘ
、Ｂｙとして駆動部２０４に送出する。駆動部２０４は
電子ビーム露光装置のメイン偏向２０５およびスリット
偏向２０６を駆動させ、それぞれビーム位置ｘＯｓ ）
’ｏｈ ビーム寸法ＳＸ、Ｓｙを決め、ステージ駆動制
御部２０７は電子ビーム露光装置のステージ全移動させ
るものである。
／ｅターン発生器２０３Ａの動作はＣＰＵ２０１のスタ
ート信号ＳＴＩによって開始し、システムクロック信号
ＣＫ １にもとづいて進行する。、第１１ン１（３）に
示すパターンの露光が終了すると、ノンターン発生器２
０３Ａは露光終了信号ＥＤＩをＣＰＵ２０１に送出する
。次に、ＣＰＵ２０１はスタート信号ＳＴ２を送出して
パターン発生器２０３Ｂの動作を開始させ、システムク
ロック信号ＣＫ２によシその動作を進行させる。第１図
（５）に示す・母ターンの露光が終了すると、・９タ一
ン発生器２０３Ｂは露光終了信号ＥＤ２をＣＰＵ２０１
に送出する。
ート信号ＳＴＩによって開始し、システムクロック信号
ＣＫ １にもとづいて進行する。、第１１ン１（３）に
示すパターンの露光が終了すると、ノンターン発生器２
０３Ａは露光終了信号ＥＤＩをＣＰＵ２０１に送出する
。次に、ＣＰＵ２０１はスタート信号ＳＴ２を送出して
パターン発生器２０３Ｂの動作を開始させ、システムク
ロック信号ＣＫ２によシその動作を進行させる。第１図
（５）に示す・母ターンの露光が終了すると、・９タ一
ン発生器２０３Ｂは露光終了信号ＥＤ２をＣＰＵ２０１
に送出する。
これにより、第１図（５）、（ロ）に示す矩形ノ９ター
ンの露光は終了する。従って、ＣＰＵ２０１はデータメ
モリ２０２に記憶されている次の矩形ノやターンの露光
動作に移る。
ンの露光は終了する。従って、ＣＰＵ２０１はデータメ
モリ２０２に記憶されている次の矩形ノやターンの露光
動作に移る。
次に、第２図のパターン発生器２０３Ａ、２０３Ｂにつ
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
第３図は第２図のパターン発生器２０３Ａの詳細な回路
図である。第３図において、分割ｉ＋ターンの始点のＸ
方向座標Ｘｏｅ発生させる几めに、レジスタ３０１およ
び加算器３０２が設けられ、分割パターンの始点のＹ方
向座標Ｙａｋ発生させるために、レジスタ３０３および
加算器３０４が設けられている。また、分割パターンの
Ｘ方向の寸法８ｘｔ”発生させるために、レジスタ３０
５、減算器３０６、比較器３０７およびセレクタ３０８
が設けられ、分割パターンのＹ方向の寸法Ｓｙを発生さ
せるために、レジスタ３０９、減算器３１０、比較器３
１１およびセレクタ３１２が設けられている。
図である。第３図において、分割ｉ＋ターンの始点のＸ
方向座標Ｘｏｅ発生させる几めに、レジスタ３０１およ
び加算器３０２が設けられ、分割パターンの始点のＹ方
向座標Ｙａｋ発生させるために、レジスタ３０３および
加算器３０４が設けられている。また、分割パターンの
Ｘ方向の寸法８ｘｔ”発生させるために、レジスタ３０
５、減算器３０６、比較器３０７およびセレクタ３０８
が設けられ、分割パターンのＹ方向の寸法Ｓｙを発生さ
せるために、レジスタ３０９、減算器３１０、比較器３
１１およびセレクタ３１２が設けられている。
第１図（３）全参照して第３図の回路動作全説明する。
始めに、ＣＰＵ２０１からスタート信号ＳＴ１が供給さ
れると、データメモリ２０２のパラメータ為、 Ｙｏ、
Ｘｌ、 Ｙ、が、それぞれ、レジスタ３０１゜３０３
．３０５，３０９に格納される。ここで、比較器３０７
はＸｌを最大矩形の寸法Ｓと比較し、この結果、Ｘ、＞
Ｓであるので、セレクタ３０８鉱図中の下側の入力８ｉ
選択する。従って、融＝８である。また、比較器３１１
はＹｌと最大矩形の寸法ｓ２比較し、この結果、ｙ、＞
ｓであるので、セレクタ３１２は下側の久方Ｓを選択す
る。従って、〜＝Ｓである。つまり、パターン０のノリ
メータ（気＊ Ｙｏｓ ｓｘ、 ８ｙ）は（Ｘｏ、Ｙｏ
、８．８）である。
れると、データメモリ２０２のパラメータ為、 Ｙｏ、
Ｘｌ、 Ｙ、が、それぞれ、レジスタ３０１゜３０３
．３０５，３０９に格納される。ここで、比較器３０７
はＸｌを最大矩形の寸法Ｓと比較し、この結果、Ｘ、＞
Ｓであるので、セレクタ３０８鉱図中の下側の入力８ｉ
選択する。従って、融＝８である。また、比較器３１１
はＹｌと最大矩形の寸法ｓ２比較し、この結果、ｙ、＞
ｓであるので、セレクタ３１２は下側の久方Ｓを選択す
る。従って、〜＝Ｓである。つまり、パターン０のノリ
メータ（気＊ Ｙｏｓ ｓｘ、 ８ｙ）は（Ｘｏ、Ｙｏ
、８．８）である。
次にシステムクロック信号ＣＫＩの／Ｊ？ルスがＣＰ［
Ｊ２０１７−ら供給さ°れると、／ぐターン発生器２０
３ＡＵ第１図（３）のノやターン１のノ母うメータの発
生動作音°行う。すなわち、レジスタ３０１の値が加算
器３０２によって 為→絢＋８ に変化し、レジスタ３０５の値が減算器３０６によって
。
Ｊ２０１７−ら供給さ°れると、／ぐターン発生器２０
３ＡＵ第１図（３）のノやターン１のノ母うメータの発
生動作音°行う。すなわち、レジスタ３０１の値が加算
器３０２によって 為→絢＋８ に変化し、レジスタ３０５の値が減算器３０６によって
。
Ｙ１→ｙｌ−ｓ
に変化する。この場合にも、比較器３０７．３１１の出
力変化はない。従って、 〜＝Ｓ 〜＝８ である。つまり、パターン１のパラメータ（Ｘｏ＋’１
０・〜・８ｙ）は・ （為＋ｓ、ｙ・、８．Ｓ） である。
力変化はない。従って、 〜＝Ｓ 〜＝８ である。つまり、パターン１のパラメータ（Ｘｏ＋’１
０・〜・８ｙ）は・ （為＋ｓ、ｙ・、８．Ｓ） である。
このようにして％パターン発生器２０３Ａが第１図（８
）のパターン６のパラメータの発生動作を行うと、この
パラメータ（ｘｏｓｙ・、 ８ｘ、 ｓｙ）は、（Ｘｏ
＋ ６８ 、 Ｙｏ 、 Ｘｔ−６８、８）であり、
この場合、Ｘｌ−６８（Ｓである。従って、比較器３０
７の出力変化が発生してセレクタ３０８は図中の上側入
力を選択し、またＸ方向走査終了信号ＥＸが論理１１＃
となっている。このような状態で、次のシステムクロッ
ク信号ＣＫＩの）ｊルスが供給されると、信号ＥＸ’が
論理＠１＃となり、この結果、レジスタ３０１には再び
為がセットされ、レジスタ３０３の値はｙｇ−＋ｙｏ＋
ｓに変化し、レジスタ３０５にはＸｌが再びセットさ
れ、レジスタ３０９の値もｙｌ−＋ｙ１−ｓに変化する
。このとき。
）のパターン６のパラメータの発生動作を行うと、この
パラメータ（ｘｏｓｙ・、 ８ｘ、 ｓｙ）は、（Ｘｏ
＋ ６８ 、 Ｙｏ 、 Ｘｔ−６８、８）であり、
この場合、Ｘｌ−６８（Ｓである。従って、比較器３０
７の出力変化が発生してセレクタ３０８は図中の上側入
力を選択し、またＸ方向走査終了信号ＥＸが論理１１＃
となっている。このような状態で、次のシステムクロッ
ク信号ＣＫＩの）ｊルスが供給されると、信号ＥＸ’が
論理＠１＃となり、この結果、レジスタ３０１には再び
為がセットされ、レジスタ３０３の値はｙｇ−＋ｙｏ＋
ｓに変化し、レジスタ３０５にはＸｌが再びセットさ
れ、レジスタ３０９の値もｙｌ−＋ｙ１−ｓに変化する
。このとき。
Ｙｌ−８＜８であるのｆ、−ＩＬＬ／り／３０８，３１
２は共に図中、下側入力Ｓを選択している。従って。
２は共に図中、下側入力Ｓを選択している。従って。
ノリーン７のパラメータ（ｘＱ ｅ ）’（１ｅ ｓＸ
Ｉ ８ｙ ）は、（為、 Ｙｏ＋８ 、８．Ｓ ） であるう 最後に、パターン発生器２０３Ａが第１図（５）の・リ
ーン２０の・ぐラメータの一生動作を行うと、このパラ
メータ（ｘｏ ＋ Ｙｏ ＊ ８ｘｅ ８ｙ ）は、（
Ｘｏ＋６８ 、 Ｙｏ＋２８ 、 Ｘｌ−６８、Ｙｔ
２８ ）でｈｖ、コノ場合、Ｘｌ−６８＜Ｂ 、
Ｙ、−２８（Ｓである。従って、比較器３０７，３０８
の出方は共に論理＠１＃となり、この結果、終了信号Ｅ
Ｄ１がＣＰＵ２に送出されることになＬこれＶＣよし、
露光動作も終了する。
Ｉ ８ｙ ）は、（為、 Ｙｏ＋８ 、８．Ｓ ） であるう 最後に、パターン発生器２０３Ａが第１図（５）の・リ
ーン２０の・ぐラメータの一生動作を行うと、このパラ
メータ（ｘｏ ＋ Ｙｏ ＊ ８ｘｅ ８ｙ ）は、（
Ｘｏ＋６８ 、 Ｙｏ＋２８ 、 Ｘｌ−６８、Ｙｔ
２８ ）でｈｖ、コノ場合、Ｘｌ−６８＜Ｂ 、
Ｙ、−２８（Ｓである。従って、比較器３０７，３０８
の出方は共に論理＠１＃となり、この結果、終了信号Ｅ
Ｄ１がＣＰＵ２に送出されることになＬこれＶＣよし、
露光動作も終了する。
第４図は第２図のパターン発生器２０３Ｂの詳細な回路
図である。第４図においては、第３図に対して、セレク
タ４０１〜４０４が付加されている。すなわち、各ノク
ラメータｘ０１）’Ｏの始めての変化ｔｆ：ｓではなく
ｓＸ２とするために、セレクタ４０１．４０２が設けら
れている。また、比較器′３．０７．３１１の始めての
比較基準′ｆｒＳでは々くＳ／２とするために、セレク
タ４０’３ 、４０４カ設けられている。
図である。第４図においては、第３図に対して、セレク
タ４０１〜４０４が付加されている。すなわち、各ノク
ラメータｘ０１）’Ｏの始めての変化ｔｆ：ｓではなく
ｓＸ２とするために、セレクタ４０１．４０２が設けら
れている。また、比較器′３．０７．３１１の始めての
比較基準′ｆｒＳでは々くＳ／２とするために、セレク
タ４０’３ 、４０４カ設けられている。
第１図（Ｂ１”ｋ参照して第４図の回路動作全説明する
。始めに、ＣＰＵ２０１からスタートイｇ号８Ｔ２が供
給されると、データメモリ２０２のパラメータＸＯｔ
Ｙ（＋＋ ｘ、、 ｙｌが、それぞれ、レジスタ３０１
゜３０３．３０５，３０９に格納される。また同時に、
セレクタ４０１〜４０１ｊ、ｓＸ２を選択する。
。始めに、ＣＰＵ２０１からスタートイｇ号８Ｔ２が供
給されると、データメモリ２０２のパラメータＸＯｔ
Ｙ（＋＋ ｘ、、 ｙｌが、それぞれ、レジスタ３０１
゜３０３．３０５，３０９に格納される。また同時に、
セレクタ４０１〜４０１ｊ、ｓＸ２を選択する。
従って、比較器３０７はＸｘｔ８／２と比較し、この結
果、Ｘｔ＞８／２であるので、セレクタ３０８４１１中
の下側の入力Ｓ／２ｅ選択する。従って、５Ｘ＝８／２
である。また、比較器３１１はＹ、と８／２を比較し、
この結果、 Ｙｌ＞ ８／２であるので、セレクタ３１
２は下側の入力８／２ ｆｆｉ選択する。従って、〜＝
ｓｙ２である。つまり、７ぐターンθ′のパラメータ
（ｘＱ、 ＶＧ＋ ８ｘ−Ｓｙ）は （Ｘｏ、 ｙｏ、 ８／２ 、８／２ ）である。
果、Ｘｔ＞８／２であるので、セレクタ３０８４１１中
の下側の入力Ｓ／２ｅ選択する。従って、５Ｘ＝８／２
である。また、比較器３１１はＹ、と８／２を比較し、
この結果、 Ｙｌ＞ ８／２であるので、セレクタ３１
２は下側の入力８／２ ｆｆｉ選択する。従って、〜＝
ｓｙ２である。つまり、７ぐターンθ′のパラメータ
（ｘＱ、 ＶＧ＋ ８ｘ−Ｓｙ）は （Ｘｏ、 ｙｏ、 ８／２ 、８／２ ）である。
次に、システムクロック信号ＣＫ２のｔ４ルスがＣＰＵ
２０１から供給されると、・り一ン発生器２０３Ｂは第
１図向のノリーン１′のノリメータの発生動作を行う。
２０１から供給されると、・り一ン発生器２０３Ｂは第
１図向のノリーン１′のノリメータの発生動作を行う。
すなわち、レジスタ３０１の値が加算器３０２によって
為→搗十Ｖ２
に変化し、レジスタ３０５の値が減算器３０６によって
Ｙ！→Ｙ１〜８／２
に変イビする。この場合にも、比較器３０７，３１１の
出力変化はないが、セレクタ４０３は値Ｓを選択してい
る。従って、 ５Ｘ＝８ ８ｙ＝ルｔ である。っまり、Ｉリーン１′の・リメータ（χ０゜’
１０＊ ｓＸ、 ＳＹ）は、 （為＋功、 Ｙｏ、 Ｓ 、 Ｓ／２ ）である。
出力変化はないが、セレクタ４０３は値Ｓを選択してい
る。従って、 ５Ｘ＝８ ８ｙ＝ルｔ である。っまり、Ｉリーン１′の・リメータ（χ０゜’
１０＊ ｓＸ、 ＳＹ）は、 （為＋功、 Ｙｏ、 Ｓ 、 Ｓ／２ ）である。
このようにして、ノリーン発生器２０３Ｂが第１図（ロ
）のノリーン６′のノリメ〜りの発生動作を行うと、こ
のノ七うメータ（Ｘｏ＊ Ｙｏｅｔ８ｘｌＳｙ）は１、
（Ｘｏ＋ １１／２８ 、 Ｙｏ、 Ｘｓ １１
／２８ 、 Ｓ／２）であり、この場合、Ｘｓ １１
／２８ ’（８である。従って、比較器３０７の出力変
化が発生してセレクタ３０８は図中の上側入力を選択し
、またＸ方向走査終了信号ＥＸが論理”１”となってい
る。このような状態で１次のシステムクロック信号ＣＫ
２のパルスが供給されると、信号ＥＸ’が論理″″１＃
となり、この結果、レジスタ３０１には再び為がセット
され、レジスタ３０３の値はＹｏ−＋Ｙｏ＋８／２に変
化し、レジスタ３０５にはＸｌが再びセットされ、レジ
スタ３０９の値もＹｌ−＋ Ｙｌ −Ｓ／２に変化する
。このとき、Ｙｌ ８／２＜８であるので、セレクタ３
０８．３１２は共に図中、下側人力Ｓ／２ ｔ−選択し
ている。従って、）母ターン７′のノ臂うメータ（Ｘｏ
ｅ 、’ｌｏ ａ ＳＸ＃ ｓｙ ）は、。
）のノリーン６′のノリメ〜りの発生動作を行うと、こ
のノ七うメータ（Ｘｏ＊ Ｙｏｅｔ８ｘｌＳｙ）は１、
（Ｘｏ＋ １１／２８ 、 Ｙｏ、 Ｘｓ １１
／２８ 、 Ｓ／２）であり、この場合、Ｘｓ １１
／２８ ’（８である。従って、比較器３０７の出力変
化が発生してセレクタ３０８は図中の上側入力を選択し
、またＸ方向走査終了信号ＥＸが論理”１”となってい
る。このような状態で１次のシステムクロック信号ＣＫ
２のパルスが供給されると、信号ＥＸ’が論理″″１＃
となり、この結果、レジスタ３０１には再び為がセット
され、レジスタ３０３の値はＹｏ−＋Ｙｏ＋８／２に変
化し、レジスタ３０５にはＸｌが再びセットされ、レジ
スタ３０９の値もＹｌ−＋ Ｙｌ −Ｓ／２に変化する
。このとき、Ｙｌ ８／２＜８であるので、セレクタ３
０８．３１２は共に図中、下側人力Ｓ／２ ｔ−選択し
ている。従って、）母ターン７′のノ臂うメータ（Ｘｏ
ｅ 、’ｌｏ ａ ＳＸ＃ ｓｙ ）は、。
（Ｘｏ −ｙｏ−１−８／２ 、８／２ 、 Ｓ ）で
ある。
ある。
最後に、ノ９ターン発生器２０３Ｂが第１図（ハ）のパ
ターン２０′のパラメータの発生動作を行うと。
ターン２０′のパラメータの発生動作を行うと。
このｙｌラメ−メ（ＸＯｎ Ｖｏ＋ ｓｘ、 Ｓｙ）は
。
。
（Ｘｏ ＋ １１／２８ 、ｙ、 ＋３／２８ 、 Ｘ
＋ １１／２８ 、 Ｙｔ ３／２８）であり、この
場合、Ｘｔ−１１／２８ ＜ Ｓ 、 Ｙｔ−３／２８
＜８である。従って、比較器３０７．３０８の出力は共
に論理”１″となり、この結果、終了信号ＥＤ２がＣＰ
Ｕ２に送出されることになり、これにより、露光動作も
終了する。
＋ １１／２８ 、 Ｙｔ ３／２８）であり、この
場合、Ｘｔ−１１／２８ ＜ Ｓ 、 Ｙｔ−３／２８
＜８である。従って、比較器３０７．３０８の出力は共
に論理”１″となり、この結果、終了信号ＥＤ２がＣＰ
Ｕ２に送出されることになり、これにより、露光動作も
終了する。
なお、上述の笑施例においては、２つの分割パターン間
のＸ方向およびＹ方向のシフ） ｉｔ ｋ Ｓ／２とし
たが、Ｘ方向およびＸ方向に共にシフトさせれば、その
シフト量は他の値でもよい。
のＸ方向およびＹ方向のシフ） ｉｔ ｋ Ｓ／２とし
たが、Ｘ方向およびＸ方向に共にシフトさせれば、その
シフト量は他の値でもよい。
（６）発明の詳細
な説明したように本発明によれば、／Ｆターンの境界ず
れが解消される。
れが解消される。
第１図囚、（Ｂ）は本発明に係る分割された矩形パター
ンを示す図、第２図は本発明に係る電子ビーム露光方法
を実行するための装置を示すブロック回路図、第３図は
第２図のパターン発生器２０３Ａの回路図、第４図は第
２図の・七ターン発生器２０３Ｂの回路図１である。 ２０１・・・ＣＰＵ、２０２・−・データメモリ、２０
３Ａ、２０３Ｂ・・パターン発生器、１特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 升理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 手続補正書（自発） 昭和５７年７月３θ日 特許庁長官若杉和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許願 第１１１５３４号２、発明の名
称 電子ビーム露光方法 ３６補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称（５２２）富士通株式会社 ４、代理人 （外６ 名） ５ 補正の対象 図面（弔１図乃至第４図） ６、゛ 補正の内容 正式図面を追完します。（但し内容に変更ありません。 ） Ｚ 添付書類の目鉾 補正図面（第１図乃至第４図） １通手続補正書（
自発） 昭和５８年６月２ 日 特許庁長官 若杉和夫 殿 ２、発明の名称 電子ビーム露光方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （５２２）富士通株式会社 ４、代理人 ５、補正の対象 １）明細書の「発明の詳細な説明」の欄２）図面（第１
図ＣＡ）ｌ （Ｂ）ｌ第３図）６、補正の内容 １）明細書第１１頁第１４行目および第１５頁第６行目
ｒＯＰＵ２Ｊをｒ ０ＰＵ２０１ Ｊと補正する。 ２）Ａ） 鶴 別４６つ乙あ・九 Ｂ）第３図において参照番号ｒ３ｄ７Ｊを朱書きのとと
（Ｉｒ３０７Ｊと補正する。 ７、添付書類の目録 補正図面（第１図（Ａ）ｌ （Ｂ）、第３図） １
通第１図 （△） （Ｂ） 第３図 Ｙ（
ンを示す図、第２図は本発明に係る電子ビーム露光方法
を実行するための装置を示すブロック回路図、第３図は
第２図のパターン発生器２０３Ａの回路図、第４図は第
２図の・七ターン発生器２０３Ｂの回路図１である。 ２０１・・・ＣＰＵ、２０２・−・データメモリ、２０
３Ａ、２０３Ｂ・・パターン発生器、１特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 升理士西舘和之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 手続補正書（自発） 昭和５７年７月３θ日 特許庁長官若杉和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許願 第１１１５３４号２、発明の名
称 電子ビーム露光方法 ３６補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称（５２２）富士通株式会社 ４、代理人 （外６ 名） ５ 補正の対象 図面（弔１図乃至第４図） ６、゛ 補正の内容 正式図面を追完します。（但し内容に変更ありません。 ） Ｚ 添付書類の目鉾 補正図面（第１図乃至第４図） １通手続補正書（
自発） 昭和５８年６月２ 日 特許庁長官 若杉和夫 殿 ２、発明の名称 電子ビーム露光方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （５２２）富士通株式会社 ４、代理人 ５、補正の対象 １）明細書の「発明の詳細な説明」の欄２）図面（第１
図ＣＡ）ｌ （Ｂ）ｌ第３図）６、補正の内容 １）明細書第１１頁第１４行目および第１５頁第６行目
ｒＯＰＵ２Ｊをｒ ０ＰＵ２０１ Ｊと補正する。 ２）Ａ） 鶴 別４６つ乙あ・九 Ｂ）第３図において参照番号ｒ３ｄ７Ｊを朱書きのとと
（Ｉｒ３０７Ｊと補正する。 ７、添付書類の目録 補正図面（第１図（Ａ）ｌ （Ｂ）、第３図） １
通第１図 （△） （Ｂ） 第３図 Ｙ（
Claims (1)
- １、試料上の所望領域を、該所望領域より小さな複数の
矩形領域に順次電子ビームを照射して露光する方法であ
って、該所望領域を、第１の矩形パターン領域群に順次
電子ビームを照射した後、該第１の矩形パターン領域群
の隣接する矩形・母ターン領域′にまたがる矩ｐｉ−＋
ターン領域を有する第２の矩形ノｅターン領域群に順次
電子ビームを照射して露光することを特徴とする電子ビ
ーム露光方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11153482A JPS593923A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 電子ビ−ム露光方法 |
| DE8383303812T DE3379487D1 (en) | 1982-06-30 | 1983-06-30 | Scanning electron-beam exposure system |
| EP19830303812 EP0098177B1 (en) | 1982-06-30 | 1983-06-30 | Scanning electron-beam exposure system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11153482A JPS593923A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593923A true JPS593923A (ja) | 1984-01-10 |
| JPH0341974B2 JPH0341974B2 (ja) | 1991-06-25 |
Family
ID=14563780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11153482A Granted JPS593923A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0098177B1 (ja) |
| JP (1) | JPS593923A (ja) |
| DE (1) | DE3379487D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01286310A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-17 | Nec Corp | 荷電ビーム露光方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4818885A (en) * | 1987-06-30 | 1989-04-04 | International Business Machines Corporation | Electron beam writing method and system using large range deflection in combination with a continuously moving table |
| US4816692A (en) * | 1987-07-08 | 1989-03-28 | International Business Machines Corporation | Pattern splicing system and method for scanning of electron beam system |
| DE69030243T2 (de) * | 1989-12-21 | 1997-07-24 | Fujitsu Ltd | Verfahren und Gerät zur Steuerung von Ladungsträgerstrahlen in einem Belichtungssystem mittels Ladungsträgerstrahlen |
| US5393987A (en) * | 1993-05-28 | 1995-02-28 | Etec Systems, Inc. | Dose modulation and pixel deflection for raster scan lithography |
| US5624774A (en) * | 1994-06-16 | 1997-04-29 | Nikon Corporation | Method for transferring patterns with charged particle beam |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5679432A (en) * | 1979-12-04 | 1981-06-30 | Jeol Ltd | Electron beam exposure process |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4099062A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-04 | International Business Machines Corporation | Electron beam lithography process |
| JPS5493364A (en) * | 1977-12-30 | 1979-07-24 | Fujitsu Ltd | Exposure system for electron beam |
| EP0053225B1 (en) * | 1980-11-28 | 1985-03-13 | International Business Machines Corporation | Electron beam system and method |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11153482A patent/JPS593923A/ja active Granted
-
1983
- 1983-06-30 DE DE8383303812T patent/DE3379487D1/de not_active Expired
- 1983-06-30 EP EP19830303812 patent/EP0098177B1/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5679432A (en) * | 1979-12-04 | 1981-06-30 | Jeol Ltd | Electron beam exposure process |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01286310A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-17 | Nec Corp | 荷電ビーム露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0341974B2 (ja) | 1991-06-25 |
| EP0098177A2 (en) | 1984-01-11 |
| DE3379487D1 (en) | 1989-04-27 |
| EP0098177B1 (en) | 1989-03-22 |
| EP0098177A3 (en) | 1986-06-04 |
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