JPH04310952A - 半導体デバイス用パターン修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの製造
に用いられるレチクル、ホトマスク又はウエーハ直接描
画パターン等のパターンの修正方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の研究、開発、試作及び
量産の各段階において、設計されたデバイスを製作する
ために、レチクルやフォトマスク等のパターンが使用さ
れる。特に開発段階においては、そのデバイスの特性改
善等のため、回路や条件の設計変更が行われる。この変
更はパターンの変更を伴う。

【０００３】図６は、従来の、レチクルのパターン設計
、製作及び修正の概略フローチャートである。以下、括
弧内の数値は図中のステップ識別番号を示す。

【０００４】（１０）回路設計に基づいて、ＣＡＤでレ
チクルのパターン設計を行う。

【０００５】（１２）設計パターンのＣＡＤデータを、
例えば当業者に周知のＧＤＳ−ＩＩフォーマットのパタ
ーンデータに変換する。これにより、設計パターンが長
方形や直角三角形等の基本図形に分解され、かつ、同一
パターンの繰り返しに対するデータ圧縮等が行われる。

【０００６】図５は、簡単化したパターンを示す。 （Ａ）の実線で示すパターンは、点線で示すように２つ
の長方形（基本図形）のパターンに分解される。各長方
形について図示の基準点座標、幅及び高さを用いると、
このパターンデータは次のように表される。

【０００７】 （Ｘ１，Ｙ１）（Ｗ１，Ｈ１）、（Ｘ２，Ｙ２）（Ｗ２
，Ｈ２）（１４）次に、与えられた規則に従って、図形
論理演算及びサイジングの処理を行う。

【０００８】（１６）ＧＤＳ−ＩＩフォーマットのパタ
ーンデータを、露光／検査装置のためのフォーマットに
変換する。すなわち、露光装置はフィールド単位で露光
を行うため、図５（Ｂ）に示すように例えば３行３列（
行ｉ＝１〜３、列ｊ＝１〜３）のフィールドに分割する
。これにより、図示の基準点座標、幅及び高さを用いる
と、 （１，３）（ｘ１，０）（Ｗ１，ｈ１）（２，３）（ｘ
１，　０）（Ｗ１，ｈ２）（３，１）（Ｘ２，Ｙ１）（
ｗ１，Ｈ２）（３，２）（０，Ｙ１）（ｗ２，Ｈ２）（
３，３）（０，Ｙ１）（ｗ３，　Ｈ２）（３，３）（ｘ
１，Ｙ１）（Ｗ１，ｈ３）で表されるパターンデータに
変換される。図５の（Ａ）は、例えば左下角の点Ｏが座
標原点になるが、（Ｂ）は、分割された各フィールドに
ついて、例えば左下角の点が座標原点になる。

【０００９】このフィールド分割されたパターンデータ
は、露光の検査データとして用いられる。次に、この各
フィールドのパターンデータがショット分割、すなわち
電子ビーム露光装置の照射電子ビームに対応する大きさ
の画素に分割される。

【００１０】このようにして得られた露光／検査データ
は、記録媒体１８、例えば磁気テープに出力される。

【００１１】この記録媒体１８を露光装置２０に供給し
てレジストを露光し、エッチングを行ってレチクル２２
を製作し、レチクル２２を使用してデバイスを製作し、
その評価を行う。評価の結果、改善が必要な場合には、
上記ステップ１０へ戻って処理を繰り返していた。

【００１２】ところが、図６に示すステップ１０〜１６
の処理は大量のデータを対象とするので、長時間を要し
、デバイス開発期間を長期化する原因となっていた。

【００１３】そこで、設計変更が少しの場合には、パタ
ーン修正装置２４、例えばフォーカスイオンビーム装置
（ＦＩＢ）を用いて、レチクル２２に対しパターンの修
正を行っていた。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このパターン
修正を設計パターンに簡単にフィードバックすることが
できず、結局はステップ１０〜１６の処理が必要となり
、前記問題の根本的な解決にはならなかった。しかも、
修正パターンに逆サイジング処理したパターンをフィー
ドバックしなければならなかったので、煩雑であり、ミ
スが生ずる原因となっていた。このような問題は、レチ
クル以外のパターンについても同じである。

【００１５】このパターン修正処理は、デバイス開発段
階においては何回も繰返し行われるため、その短縮化が
要望されていた。

【００１６】本発明の目的は、このような問題点に鑑み
、短時間でパターン修正を行うことができる半導体デバ
イス用パターン修正方法を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段及びその作用】図１は本発
明に係る半導体デバイス用パターン修正方法の原理構成
を示すフローチャートである。

【００１８】この半導体デバイス用パターン修正方法は
、ＣＡＤの設計パターンを基本図形に分割し、サイジン
グ処理を行い、フィールド分割を行って露光データを得
、該露光データを露光装置に供給してレジストを露光し
、その露光パターンに基づいて半導体デバイスを製作し
、該半導体デバイスを評価し、その結果に基づいて該設
計パターン及び露光データを修正する。

【００１９】本発明は、図１（Ａ）に示すように、（１
）修正しようとするフィールドを指定し、（２）該露光
データに基づいて該指定フィールド内のパターンをディ
スプレイ装置に表示させ、（３）該ディスプレイ装置の
画面上でパターンを修正し、（４）次いで修正された該
パターンを露光データに変換することを特徴とする。

【００２０】このようにして露光データを修正すれば、
修正に関連したフィールド内のみについて露光データに
変換すればよいので、短時間で修正することができる。 また、露光データはサイジング処理後のものであるので
、実レチクルのパターンに対応しており、間違いなく露
光データを修正することが可能となる。

【００２１】特に半導体デバイスの開発段階では修正回
数が比較的多いので、処理（１）〜（４）が繰返され、
パターン設計段階からの修正を繰返し行っていた従来法
よりも露光データの修正時間を全体として大幅に短縮す
ることができる。

【００２２】また、このような処理（１）〜（４）によ
り、次のような処理が可能となる。すなわち、本発明の
一態様では、図１（Ｂ）に示すように、上記処理後にさ
らに、（５）修正された上記露光データに対し、上記フ
ィールド分割の逆の処理を行い、（６）上記サイジング
の逆の処理を行い、（７）次いで上記基本図形分割の逆
の処理を行ってＣＡＤの設計パターンを得ることを特徴
とする。

【００２３】このサイジング逆処理により、従来、図６
に示すステップ１０に戻るために、サイジング逆処理を
人が行っていたのを自動化することができ、労力の軽減
及びミスの防止を図ることができる。

【００２４】また、処理（５）〜（７）により設計パタ
ーンが修正されているので、後に大幅な設計変更があっ
た場合、パターン設計段階から容易に処理を開始するこ
とが可能となる。

【００２５】さらに、処理（５）〜（７）は処理（１）
〜（４）を複数回行った後にまとめて行うことができる
ので、効率的である。

【００２６】

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。

【００２７】図２は、レチクルのパターン設計、製作及
び修正の概略フローチャートである。図６と同一構成要
素には、同一符号を付してその説明を省略する。

【００２８】１回目の、パターン設計からレチクル２２
の製作及びデバイス評価後のパターン修正については、
従来と同一である。

【００２９】本実施例の第１の特徴は、パターン修正装
置２４によるパターン修正後又はこれと並行して、露光
／検査データ修正装置２６を用い、記録媒体１８に記録
された露光／検査データを修正することにある。図３は
、露光／検査データ修正装置２６の処理を示すフローチ
ャートであり、次にこれを説明する。

【００３０】（３０）操作者は、修正すべきフィールド
を指定する。修正すべきパターンが複数フィールドにま
たがっている場合には、好ましくはその全フィールドを
指定する。

【００３１】（３２）露光／検査データ修正装置２６は
、指定フィールドの露光／検査データを記録媒体１８か
ら読み出し、そのフィールド内のパターンをディスプレ
イ装置２８に表示させる。修正すべきパターンが複数フ
ィールドにまたがっている場合には、好ましくは、例え
ばディスプレイ装置２８の画面を２分割又は４分割し、
各分割画面に、対応するフィールド内のパターンを表示
して、複数フィールドが連続するように接続する。

【００３２】（３４）操作者は、この表示パターンを見
て、例えばマウスにより、修正パターンを指示する。こ
の修正パターンは、サイジング後のものであるので、実
レクチルのパターンに対応しており、間違いなく露光デ
ータを修正することができる。

【００３３】（３６）露光／検査データ修正装置２６は
、修正後のパターンを露光／検査データに変換する。 修正に関連したフィールド内のみについて、この変換を
行えばよいので、この処理は極めて短時間で完了する。

【００３４】（３８）他の修正が必要であれば、上記ス
テップ３０へ戻る。

【００３５】このようにして、露光／検査データの修正
を短時間で行うことができる。特に半導体デバイスの開
発段階では修正回数が比較的多いので、処理（３０）〜
（３８）が繰返され、パターン設計段階からの修正を繰
返し行っていた従来法よりも露光データの修正時間を全
体として大幅に短縮することができる。

【００３６】本実施例の第２の特徴は、この修正後にお
いて、図２に示すステップ１０〜１６の処理を行う計算
機に対し、修正後の記録媒体１８を供給し、図４に示す
処理を行うことにある。この処理は、図２に示すステッ
プ１２〜１６の処理を逆向きに行うものであって、上記
処理（３０）〜（３８）により可能となるものであり、
次にこれを説明する。

【００３７】（１６Ａ）露光／検査データを、ＧＤＳ−
ＩＩフォーマットのパターンデータに変換する。

【００３８】（１４Ａ）図形論理逆演算及びサイジング
逆処理を行う。図形論理逆演算は、結果の一意性を確保
するために、所定の規則を与えておく。

【００３９】このサイジング逆処理により、従来、図６
に示すステップ１０に戻るために、サイジング逆処理を
人が行っていたのを自動化することができ、労力の軽減
及びミスの防止を図ることができる。

【００４０】（１２Ａ）次に、ＧＤＳ−ＩＩフォーマッ
トのパターンデータを、ＣＡＤデータに変換する。

【００４１】これにより、後に大幅な設計変更があった
場合、図２に示すステップ１０から処理を開始すること
が可能となる。

【００４２】また、処理（１６Ａ）〜（１２Ａ）は、処
理（３０）〜（３８）を複数回行った後にまとめて行う
ことができるので、効率的である。

【００４３】

【発明の効果】以上説明した如く、本発明に係る半導体
デバイス用パターン修正方法では、修正しようとするフ
ィールドを指定し、露光データに基づいて指定フィール
ド内のパターンをディスプレイ装置に表示させ、該ディ
スプレイ装置の画面上でパターンを修正し、次いで修正
された該パターンを露光データに変換するので、修正に
関連したフィールド内のみについて露光データに変換す
ればよく、短時間で露光データを修正することができる
という効果を奏する。また、露光データはサイジング処
理後のものであるので、実レチクルのパターンに対応し
ており、間違いなく露光データを修正することが可能と
なるという効果を奏する。

【００４４】本発明の一態様では、上記処理後にさらに
、修正された露光データに対し、フィールド分割の逆の
処理を行い、サイジングの逆の処理を行い、次いで基本
図形分割の逆の処理を行ってＣＡＤの設計パターンを得
るので、従来、サイジング逆処理を人が行っていたのを
自動化することができ、労力の軽減及びミスの防止を図
ることができるという効果を奏する。また、上記本発明
の処理を複数回行った後にまとめて該一態様の処理を行
うことができるので、効率的であるという効果を奏する
。

【００４５】以上のような優れた効果により、本発明は
特に半導体デバイスの開発期間短縮に寄与するところが
大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体デバイス用パターン修正方
法の原理構成を示すブロック図である。

【図２】本発明の一実施例の、レチクルのパターン設計
、製作及び修正の概略フローチャートである。

【図３】露光／検査データ修正のフローチャートである
。

【図４】露光／検査データをＣＡＤの設計パターンデー
タに逆変換するフローチャートである。

【図５】パターンデータ説明図であり、（Ａ）は設計パ
ターンデータを示し、（Ｂ）は露光／検査データを示す
図である。

【図６】従来の、レチクルのパターン設計、製作及び修
正の概略フローチャートである。

【符号の説明】

１８　　記録媒体 ２０　　露光装置 ２２　　レチクル ２４　　パターン修正装置 ２６　　露光／検査データ修正装置 ２８　　ディスプレイ装置

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　ＣＡＤの設計パターンを基本図形に分
   割し、サイジング処理を行い、フィールド分割を行って
   露光データを得、該露光データを露光装置に供給してレ
   ジストを露光し、その露光パターンに基づいて半導体デ
   バイスを製作し、該半導体デバイスを評価し、その結果
   に基づいてパターンを修正する半導体デバイス用パター
   ン修正方法において、修正しようとするフィールドを指
   定し（１）、該露光データに基づいて該指定フィールド
   内のパターンをディスプレイ装置に表示させ（２）、該
   ディスプレイ装置の画面上でパターンを修正し（３）、
   次いで修正された該パターンを露光データに変換する（
   ４）ことを特徴とする半導体デバイス用パターン修正方
   法。
2. 【請求項２】　　前記修正された露光データに対し、前
   記フィールド分割の逆の処理を行い（５）、前記サイジ
   ングの逆の処理を行い（６）、次いで前記基本図形分割
   の逆の処理を行ってＣＡＤの設計パターンを得る（７）
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス用パタ
   ーン修正方法。