CN101271483A - 根据特征间距进行图案分解的方法 - Google Patents

根据特征间距进行图案分解的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101271483A
CN101271483A CNA2007101999709A CN200710199970A CN101271483A CN 101271483 A CN101271483 A CN 101271483A CN A2007101999709 A CNA2007101999709 A CN A2007101999709A CN 200710199970 A CN200710199970 A CN 200710199970A CN 101271483 A CN101271483 A CN 101271483A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
pixels
pattern
value
nuclear
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007101999709A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101271483B (zh
Inventor
朴正哲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML FRISKET TOOLS BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML FRISKET TOOLS BV filed Critical ASML FRISKET TOOLS BV
Publication of CN101271483A publication Critical patent/CN101271483A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101271483B publication Critical patent/CN101271483B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/70Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G03F7/70441Optical proximity correction [OPC]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

公开了一种分解包含待印刷在晶片上的特征的目标图案的方法,包括步骤:(a)限定表示在内半径中为正值和在外半径中为负值的函数的核;(b)使用多个像素限定所述特征;(c)在多个像素的第一像素上设置所述核;(d)确定所述核在所述多个像素中每个像素的位置处的值,存储所述多个像素中每个像素的所述值,以限定所述多个像素中每个像素的像素值;(e)将与所述多个像素中的指定像素有关的预存储值同步骤(d)中确定的该指定像素的所述像素值相加;(f)在所述多个像素中的另一像素上设置所述核,重复步骤(d)-(f)直至所述多个像素中的每个像素被处理;和(g)根据该指定像素的像素值确定在第一图案或第二图案中所述像素的位置。

Description

根据特征间距进行图案分解的方法
相关申请
本申请要求在2006年9月13日提交的美国专利申请No.60/844,079的优先权,其全部内容合并在此作为参考。
技术领域
本发明的技术领域通常涉及一种用于将目标图案分解成多个图案、以允许在多个照射过程中例如利用多个掩模使目标图案成像的方法、程序产品和装置。
发明背景
例如,在集成电路(ICs)的制造过程中可以使用光刻设备。在这样的情况下,掩模可包含与IC的单个层对应的电路图案,该图案可成像在已经涂覆有照射敏感材料层(抗蚀剂)的衬底(硅晶片)上的目标部分(例如,包括一个或多个管芯)上。通常,单一晶片将包含经由投影系统、一次一个地连续被照射的相邻目标部分的整个网络。在一种类型的光刻投影设备中,通过一次性将整个掩模图案曝光在目标部分上来照射每个目标部分;这种装置一般称作晶片步进器。在一般称作步进-扫描设备的可替代设备中,通过沿指定的参考方向(扫描方向)逐步地扫描投影束下的掩模图案,并同时以平行或反平行该方向的方向扫描衬底台,来照射每个目标部分。通常,因为投影系统具有一个放大因子M(一般<1),因此,扫描衬底台的速度V将是扫描掩模台的速度的M倍因子。关于这里介绍的光刻设备的更多信息例如可以在US6046792中找到,在此引入作为参考。
在使用光刻投影设备的制造工艺中,掩模图案成像在至少部分由照射敏感材料(抗蚀剂)层覆盖的衬底上。在该成像步骤前,衬底可经过多道工序,例如涂底(priming)、抗蚀剂涂覆和软烘烤(soft bake)。曝光后,衬底可能经历其它工序,例如后曝光烘烤(PEB)、显影、硬烘烤(hardbake)和成像特征的测量/检验。这一系列工序可用作图案化诸如IC等器件的单个层的基础。这样的图案化层可接着经过诸如刻蚀、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等多道工序,所有这些都是用来完成一个单个层。如果需要几层,那么全部工序或它们的变形方式将不得不对应每个新层被重复。最终,在衬底(晶片)上将出现器件阵列。然后,通过例如划片或锯技术使这些器件彼此分离,这样这些分立器件就可以安装在承载体上,连接到管脚上等等。为了简化,该投影系统以后称为“透镜”,然而该术语应该广义地解释为包括各种类型的投影系统,例如包括折射型光学装置、反射型光学装置、和反射折射型系统。照射系统也可包括根据用于引导、成形和控制投影束照射的这些设计类型中任何类型而工作的元件,这些元件在下面也可以共同地或各自地称为“透镜”。此外,光刻设备可以是具有两个或多个衬底台(和/或两个或多个掩模台)的类型。在这样的“多台”装置中,可以并行地使用额外的台,或者当使用一个或多个其它台进行曝光时,在一个或多个台上进行准备步骤。例如在US5969441中介绍了双台光刻设备,在此引入作为参考。
上面提及的光刻掩模包括与将被集成在硅晶片上的电路元件相对应的几何图案。用于产生这些掩模的图案通过使用CAD(计算机辅助设计)程序产生,该过程通常称为EDA(电子设计自动化)。为了生成功能性掩模,大部分CAD程序采取一套预定设计规则。这些规则由工艺和设计上的限定来设置。例如,设计规则规定了电路器件(例如门、电容等)之间或者互连线之间的空间公差,以确保电路器件或线在不希望的情形中彼此不影响。设计规则限定典型地称为“临界尺寸”(CD)。电路的临界尺寸可限定为线或孔的最小宽度,或两条线或两个孔之间的最小空间。因此,CD决定被设计电路的总尺寸和密度。
当然,集成电路制造的目标之一是在晶片(经由掩模)上忠实地再现原始的电路设计。随着目标图案的临界尺寸日益变小,在晶片上再现目标图案变得更加艰难。然而,允许减小能够在晶片中被成像或被再现的最小CD的技术是公知的。一种这样的技术是双曝光技术,其中目标图像的特征分两次曝光进行成像。
例如,一种广为人知的双曝光技术被称为双图案成形或DPT。该技术允许指定目标图案的特征分为两个不同的掩模,然后分别成像以形成要得到的图案。当目标特征在一起间隔得太近以至于不可能对单独的特征进行成像时,典型地使用这种技术。这种情况下,将目标特征分离成两个掩模,以便在指定掩模上的所有特征都充分的彼此分开,以使每个特征可以独立地成像。然后,通过以顺序的方式(利用合适的遮蔽)将两个掩模成像,可能获得具有密集间隔的不能利用单个掩模适当成像的特征的目标图案。
因此,通过将目标特征分离成为两个独立掩模,使得指定掩模上的每个特征之间的间距在成像系统的分辨率能力之上,从而可以提高成像性能。确实,上面所述的双曝光技术允许k1<0.25。然而,目前公知的双曝光技术中的问题和限制仍然存在。
例如,当前分解技术包括基于规则的分解技术和基于模式的分解技术。基于规则的方法典型地需要超量的规则来处理如今日益复杂的设计。更具体地,利用一系列预构造的几何规则,可以开始进行间距分离(pitch-split)分解。这需要将奇偶间距特征分为(也称为着色)两个分开的几何图形组或图案。概念上,这是直的正向过程。然而,在实际IC电路设计中,局部的2维几何环境是非常复杂的。因而,经常很难从任意的局部密集图案组中识别“奇”和“偶”间距特征。结果,现有的基于规则的方法引起大量着色冲突,为解决这些冲突需要额外的特殊规则和/或操作员干预。对那些额外规则或操作员干预的需要使目前的基于规则的系统使用起来耗时且存有问题,因为经常要花费大量的时间使这些规则集适应指定的目标设计。基于模式的分解过程也存在各种各样的缺点。例如,基于模式的分解方法会花费超长的时间段来完成分解过程。进一步,基于模式的方法也不是不受没解决的冲突问题的影响的,因此也需要操作员干预,这都是不希望的。
本发明的目的是克服在公知的基于规则和基于模式的图案分解技术中的这些缺陷。
发明内容
鉴于前述,本发明的目的是通过提供简化的分解工艺克服已知的现有技术中的缺陷,该简化的分解工艺不需要产生大量的精细的基于规则组,并且适合使用于基本上任何目标图案。
概言之,本发明提供一种将包含将被印刷在晶片上的特征的目标图案分解为多个图案的方法。该方法包括步骤:(a)限定表示在内半径中为正值和在外半径中为负值的函数的核;(b)限定使用多个像素的特征;(c)在多个像素的第一像素上设置核;(d)在所述多个像素中每个像素的位置处确定该核的值,为多个像素中每个像素存储所述值,以限定对应所述多个像素中每个像素的像素值;(e)将与多个像素中的指定像素有关的在先被存储的值同步骤(d)中确定的指定像素的像素值相加;(f)在多个像素中的另一像素上设置核,重复步骤(d)-(f)直至多个像素中的每个像素都被处理;和(g)根据该指定像素的像素值,确定在第一图案或第二图案中所述像素的位置。
下面进行更具体的解释,本发明的程序提供许多比现有的分解程序更好的优点。最重要地,该程序提供一种快速有效的分解目标图案的方法,不需要产生控制图案分解的复杂的规则组。另外,该程序允许指定特征被分割成多个部分,所述多个部分设置在单独的用于成像的图案中。
通过下面的本发明示范实施例的具体说明,本发明附加的优点对本领域技术人员是显而易见的。
尽管可以具体参考本文来在ICs制造中使用本发明,然而,应该清楚地理解本发明还有许多其他的可能的应用。例如,可以用在集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示面板、薄膜磁头等的制造中。本领域技术人员知道,在这些替代应用的情况中,文中术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”应该理解为被更一般的术语“掩模”、“衬底”和“目标图案”分别所替代。
本发明本身以及其它目的和优点可通过参考下面详细的说明和附图而被更好地理解。
附图简述
图1是说明用于将目标图案分解为多个图案的本发明分解过程的示例流程图。
图2示出可用于图1中所述的基于模式的分解过程中的示例性核。
图3-5e示出相对于示例性目标图案的本发明的分解过程。
图6-8示出相对于线:间隔目标图案的分解过程的应用例子。
图9和10示出应用于目标图案的分解过程的其它例子。
图11是示出根据本发明实施例的能够执行照射优化的计算机系统的框图。
图12示意地示出了适于与借助于公开的概念而被设计的掩模一起使用的示例性的光刻投影设备。
具体实施方式
下面进行具体解释,本发明的分解过程首先需要限定函数或核,其具有相对于核中心和核外半径之间的幅度的不同符号。重要地,核的负幅度应该位于离开核中心、与图案布局时将被避免的间距相对应的距离处。一旦限定了该核,如下具体解释,随后地在目标特征的每个像素(也预限定了每个像素的尺寸)上放置该核,在每次放置核时,在每个像素处的核或函数值与该像素先前的值相加(如果该像素值是负的则相减),以生成与指定像素有关的数值。重复该过程,直至核已经位于将被成像的每个特征的每个像素上。一旦完成该过程,每个像素随之会具有一个相关的正值、负值或零值。如下面例子所示,正值像素和负值像素一起分组。这些正和负值接着用于将目标特征分离/分解为第一图案和第二图案。更具体地,在第一图案中放置具有正值的像素,在第二图案中放置具有负值的像素。在任一图案中都可放置零值像素。
如上所述,核的负幅度应该位于离开核中心、与图案布局时将被避免的间距相对应的距离处。换句话说,具有正值的核中心可视为对应于该特征的最小可印刷CD,从核中心到负值的距离(该距离与将被避免的间距相对应)可以视为小于用于成像该目标图案的指定光刻工艺的最小可接受间距的区域。如此,在第一和第二图案中所得的间距等于或大于该最小可接受间距。应该注意到,用于将被用来成像图案的所述工艺的最小可接受CD和最小可接受间距(和将要避免的间距)可利用经验或模拟过程而被确定,这在本领域中是公知的。
图1是说明本发明第一实施例的示例性流程图。参考图1,过程中的第一步骤(步骤10)限定将被分解为两个或多个图案的原始目标图案。在指定的示例中,该目标图案包括多个如图3所示的L形线。
过程中的下一步骤(步骤12)限定将在分解过程中使用的核或函数。如上所述,核是相对于核中心和核外半径之间的幅度具有不同符号的函数,其中外半径显示了与要避免的间距(即,小于最小可接受间距的间距)相对应的幅度变化。图2显示在过程中可使用的示例性核。参考图2,该核有具有正函数值的中心部21和具有负函数值的外部22。应该注意到,选择核以便在与要避免的间距相对应的距离处放置外部22。还示出,核的值在核的中心处最高,且随着离开中心的距离逐渐增加而降低。应该注意到,核的形状不限于图2中所示的例子。可以使用在核中心和距离中心一设定半径处之间的幅度具有不同符号的任何函数。进一步,可以使核中心具有负幅度,且使与要避免的间距相对应的外半径显示正值。这里重要的标准是在两个位置之间的幅度中符号是变化的。
一旦限定了该核,过程中的下一步骤(步骤14)是根据如图4中所示的数据格式设计(例如,GDSII)将目标图案的特征分成具有合适尺寸的像素。应该注意到,像素尺寸可以在从小到设计网格容许尺寸到最小设计线尺寸(即最小CD)的范围内。然而,因为是在一个像素接一个像素的基础上完成着色,因此,如果像素尺寸太小,则可能会花费较长的时间来完成分解过程。可选地,如果像素尺寸太大,分解过程会导致冲突发生。由此,应该选择像素尺寸以便均匀地分开所述特征。例如,对于32nm的CD目标设计,像素尺寸可以在20nm量级上。一旦完成本步骤,下一步骤(步骤16)需要将目标特征的所有像素值初始化为零。
接下来,在步骤18中,选择第一像素。然后,在第一像素上放置/定位核中心(步骤20),对于核直径内的所有像素,确定在相应像素位置处的核值。如图2所示,核的幅度值随着离开核中心的距离增加而变化。此后(步骤24),对于核直径内的所有像素,将指定像素位置处的核值加至当前的像素强度或值(初始被设定为零),或从当前的像素强度或值中减去指定像素位置处的核值(如果该核值为负)。过程接着进行至步骤25,在此确定是否在每个像素上已经放置核。如果回答是否,过程进行至步骤26,并且选择下一个像素,然后重复步骤20-25直至已经处理完所有像素。应该注意到,像素值是累积的并且在每个重复期间更新。一旦处理完所有的像素,在步骤27中根据指定像素的值是正的还是负的,将像素分为第一图案或第二图案。该第一和第二图案接着用于形成第一和第二掩模,其可在多个照射过程中使用。
图5a-5e显示了在如图3所示的示例性目标图案上应用前述分解过程。首先,在图像上部拐角中的第一像素上放置核,在该目标图案上覆盖该核,且使该核位于第一像素的中心上。更新核函数半径内的所有像素值。具体地,当指定像素位置处的核值是正的时,核值与该像素值相加,当指定像素位置处的核值是负的时,从像素值中减去该核值。一旦完成,该核移动到下一个像素,重复该过程。参考图5a-5e,显示当核在形成目标图案的像素上移动时,部分基于要避免的间距值(该间距值用于限定核),特征开始分解或彼此分离。一旦处理完所有像素,就完全地分解目标图案。虽然不必要以任何特殊的顺序从像素到像素地移动核,但在指定的例子中,以光栅方式移动核。然而,也可以任何其它合适的图案移动核。
应该注意到,像素和核的值两者通过利用x-y坐标系可以得到维持,以允许有准备地对像素和核值进行识别和存储,并且有准备地对像素上的核进行布置。进一步应该注意到,然而,实际上是对所有的像素进行更新,核半径外的像素只是在目前的像素值上简单地加上或减去零值。
图6-8示出应用到线间隔图案的分解过程的应用的另一个例子。当核初始地定位在最左边的线上时,示出了各个线的像素值。参考图6的图表,与第一线有关的像素值是正的,而第二线(紧接着最左边线的右边)的像素值是负的。再次,如上所述,这是由于选择的预定的核强度值,使得以低于最小可接受间距的间隔设置的特征放置在分立的图案中。图7和8是该值如何随着所述核逐个像素的移动而变化的例子。
最后,图9显示应用到转弯图案的分解过程的结果。同样如图5e所示,结果是该图案分解为多个图案,包括特征91的第一图案和包括特征93的第二图案。图10显示应用到具有密集间隔特征101和103以及非密集特征102的线间隔图案的分解过程的结果。如所示,结果是密集间隔特征(即特征101和103)分离为独立图案,而非密集间隔图案不变化。
如上所述,本发明的过程相对于已知分解过程具有许多的优点。最重要地,该过程提供一种快速和有效的分解目标图案的方法,不需要产生控制图案分解的复杂的规则组。
如上所述的示例性过程的变化也是可能的。例如,可以将光学邻近校正处理(optical proximity correction treatment)应用到通过本发明的过程所得到的分解图案。进一步,在分解图案上可以使用基于规则或基于模式的OPC处理。
在另一个变化例中,除了上面公开的函数之外,可以使用不同的函数来表示分解过程中的核。同样,重要的是:对于函数中心和与不希望的间距(要避免的)相对应的半径之间的幅度,该函数具有不同的符号。
图11是显示可以执行上述图案分解过程的计算机系统100的框图。计算机系统100包括总线102或其它用于传送信息的通信机构,和与总线102连接的用于处理信息的处理器104。计算机系统100还包括主存储器106,例如随机存取存储器(RAM)或其它动态存储装置,其连接到总线102,用于存储信息以及将由处理器104执行的指令。主存储器106还可以在将由处理器104执行的指令的执行过程中用于存储临时变量或其它中间信息。
计算机系统100还包括与总线102连接的只读存储器(ROM)108或其它静态存储器,用于存储用于处理器104的静态信息和指令。例如磁盘或光盘之类的存储装置110被提供,并与总线102连接,用于存储信息和指令。
计算机系统100可经由总线102连接至用于显示信息给计算机用户的显示器112,例如阴极射线管(CRT)或平板/触摸面板显示器。包括字母数字和其它键的输入装置114连接至总线102,用于将信息和命令选择传达到处理器104。另一种类型的用户输入装置为光标控制116,例如鼠标、轨迹球或光标方向键,用于将方向信息和命令选择传送到处理器104,并且用于控制光标在显示器12上的移动。所述输入装置典型地在两轴,第一轴(例如,x)和第二轴(例如,y)中具有两个自由度,这使得装置可以在平面中指定位置。触摸面板(屏幕)显示器也可用作输入装置。
根据本发明一实施例,可通过响应执行包含在主存储器106中的一个或多个指令的一个或多个序列的处理器104,由计算机系统100进行着色过程。这样的指令可从另一个计算机可读介质,例如存储装置110,读至主存储器106。包含在主存储器106中的指令序列的执行使得处理器104执行在此介绍的过程步骤。在多过程布置中的一个或多个处理器也可用于执行包含在主存储器106中的指令序列。在替代实施例中,硬接线电路可用于替代或同软件指令组合来进行本发明。因此,本发明的实施例不限于硬件电路和软件的任意特定组合。
这里使用的术语“计算机可读介质”是指参与提供指令给处理器104以便执行的任何介质。这样的介质可以采取多种形式,包括但不限于,非易失性介质、易失性介质、和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘,诸如存储装置110所示的那样。易失性介质包括动态存储器,例如主存储器106。传输介质包括同轴电缆、铜线和光纤,包括构成总线102的线。传输介质也可采取声或光波的形式,例如在射频(RF)和红外(IR)数据通信过程产生的那些波。普通形式的计算机可读介质包括例如软盘、柔性盘、硬盘、磁带、任何其它的磁性介质、CD-ROM、DVD、任何其它的光学介质、穿孔卡、纸带、任何其他的具有孔洞图案的物理介质、RAM、PROM、和EPROM、FLASH-EPROM、任何其它的存储器芯片或编码磁带、下文中介绍的载波,或任何其它的计算机能从中读出数据的介质。
计算机可读介质的各种形式涉及传送一个或多个指令的一个或多个序列给处理器104以执行。例如,指令最初放在远程计算机的磁盘上。该远程计算机可以把指令加载到它的动态存储器上,经过使用调制解调器的电话线发送指令。计算机系统100本地的调制解调器可以接收电话线上的数据,使用红外发射机将该数据转换成红外信号。连接至总线102的红外检测器可接收由红外信号承载的数据,并将该数据放在总线102上。总线102承载数据到主存储器106,由处理器104从主存储器106取回并且执行指令。在处理器104执行前或后,由主存储器106接收的指令随机地存储在存储装置110上。
计算机系统100也优选地包括连接至总线102的通信接口118。通信接口118提供连接至网络链路120的双向数据通信,其中网络链路120连接到本地网122。例如,通信接口118可以是提供数据通信连接到相应类型的电话线的综合业务数字网络(ISDN)卡或调制解调器。另一个例子,通信接口118可以是局域网(LAN)卡,以为兼容LAN提供数据通信连接。也可以实施无线链路。在任何这样的实施过程中,通信接口118发送和接收电、电磁和光信号,这些信号携带着表示各类信息的数字数据流。
网络链路120典型地通过一个和多个网络向其它数据设备提供数据通信。例如,网络链路120可通过本地网122提供到主机124或到由国际互联网接入服务供应商(ISP)126操作的数据装备的连接。反过来,ISP126通过全球数据包通信网络(目前普遍称为“因特网”128)来提供数据通信服务。本地网122和因特网128都使用运载数字数据流的电、电磁和光信号。通过各种网络的信号、在网络链路120上的信号和通过通信接口118的信号是传送信息的载波的典型形式,它们将数字数据传递至计算机系统110或者从计算机系统100传出。
计算机系统100可通过网络、网络链路120、和通信接口118发送信息和接收数据,包括程序代码。在互联网的例子中,服务器130可通过互联网128、ISP126、本地网122和通信接口118传输对应应用程序的请求代码。根据本发明,一个这样的下载应用例如提供实施例的照射优化。当接收时,被接收的代码可由处理器104执行,和/或存储在存储装置110中,或存储在其它非易失性存储器,用于稍后执行。如此,计算机系统100可获得载波形式的应用代码。
图12示意地描述了适合与借助于目前发明设计的掩模一起使用的光刻投影设备。该设备包括:
-辐射系统Ex,IL,用于提供辐射投影束PB。在本特殊实例中,辐射系统也包括辐射源LA;
-第一对象台(掩模台)MT,设置有用于保持掩模MA例如,掩模版)的掩模保持器,并且连接到用以相对于物体PL准确地定位掩模的第一定位装置;
-第二对象台(衬底台)WT,设置有用于保持衬底W(例如,涂覆抗蚀剂的硅晶片)的衬底保持器,并且连接到用以相对于物体PL准确地定位衬底的第二定位装置;
-投影系统(“透镜”)PL(例如,折射、反射或反射折射光学系统),用于将掩模MA的被照射部分成像在衬底W的目标部分C(例如,包括一个或多个管芯)上。
如文中所述,所述设备是透射型的(transmissive type)(即,具有透射掩模)。然而,通常上,例如也可以是反射型的(具有反射掩模)。可选地,所述设备可以采用另一种图案形成装置作为使用掩模的替代;这样的例子包括可编程反射镜阵列或LCD矩阵。
源LA(例如,水银灯或准分子激光器)产生辐射束。该辐射束直接地或在穿过调整装置(conditioning means)(例如,扩束器Ex)后送入到照射系统(照射器)IL。照射器IL可包括用于设定该辐射束中强度分布的外部和/和内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)的调节装置AM。此外,通常包括各种其它元件,例如积分器IN和聚光器CO。这样,照射到掩模MA上的该辐射束PB在横截面上具有希望的均匀性和强度分布。
应该注意到,关于图12,源LA可以在光刻投影设备的外壳内(例如,当源LA是水银灯时一般属于该情况),但是也可以是远离该光刻投影设备,产生的辐射束被引导进入该设备(例如,借助于合适的引导镜);当源LA是准分子激光器(例如,基于KrF、ArF或F2产生激光)时,采用后一种情况。目前的本发明包括这两种的设想情况。
辐射束PB基本上截断掩模MA,该掩模保持在掩模台MT上。穿越掩模MA后,辐射束PB经过透镜PL,该透镜将辐射束PB聚集到衬底W的目标部分C上。例如,为了在辐射束PB的路径中定位不同的目标部分C,借助于第二定位装置(和干涉测试装置IF),衬底台WT可精确地移动。类似地,例如,在来自掩模库的掩模MA的机械修补之后,或在扫描期间,第一定位装置可用于相对于辐射束PB的路径精确地定位掩模MA。一般,对象台MT、WT的移动借助于长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)实现,图12中没有明示出它们。然而,在晶片步进器(与步进-扫描工具相反)的情况下,掩模台MT可仅仅连接至短行程致动器,或可以被固定。
专用的工具可以用在两种不同的模式中:
-在步进模式中,掩模台MT基本保持固定,在一次行进中(即,单“闪”)将整个掩模图像投影到目标部分C。然后,沿x和/或y方向移动衬底台WT,以便不同的目标部分C能由辐射束PB照射到。
-在扫描模式中,除了指定目标部分C不在单“闪”中曝光外,基本上应用相同的方案。替代地,掩模台MT在指定方向(也叫“扫描方向”,例如,y方向)上以速度v移动,以便投影束PB在掩模图像上进行扫描;同时,衬底台WT在相同或相反方向上以速度V=Mv同时移动,其中M是透镜PL的放大率(典型地,M=1/4或1/5)。这样,不用牺牲分辨率,就可以曝光相对较大的目标部分C。此外,软件可以执行或帮助完成公开的概念。涉及包括可执行代码的程序的计算机系统的软件功能,可用于执行上述成像模式。软件代码由通用计算机来执行。运行中,代码和可能的相关联的数据记录存储在通用计算机平台中。然而,其它时候软件可存储在其它的位置和/或被传输用于加载到合适的通用计算机系统中。因此,上面讨论的实施例涉及采用由至少一个机器可读介质携带的一个或多个代码模块形式的一个或多个软件产品。通过计算机系统处理器执行这种代码,可以使得平台实现以大体上在这里讨论过和介绍过的实施例中执行的方式编录和/或软件下载功能。
如这里使用的,例如计算机或机器“可读介质”的术语是指任何参与提供指令到处理器用于执行的介质。这样的介质可采用多种形式,包括但不限于,非易失性介质、易失性介质、和传输介质。非易失性介质包括例如光或磁盘,例如作为上述的服务平台之一工作的任何计算机中的任何存储装置。易失性介质包括动态存储器,例如这种计算机平台的主存储器。物理传输介质包括同轴电缆、铜线和光纤,包括构成计算机系统中总线的线。载波传输介质也可采取电或电磁信号、或声或光波的形式,例如那些产生于射频(RF)和红外(IR)数据通信期间的波。普通形式的计算机可读介质包括,例如,软盘、柔性盘、硬盘、磁带、任何其它的磁性介质、CD-ROM、DVD、任何其它的光学介质、不常使用的介质,例如穿孔卡片、纸带、任何其它的具有孔洞图案的物理介质、RAM、PROM、和EPROM、FLASH-EPROM、任何其它的存储器芯片或编码磁带、传输数据或指令的载波、传输这种载波的电缆或链路,或任何其它计算机能从中读出程序代码和/或数据的介质。许多计算机可读介质的形式可用于将一个或多个指令的一个或多个序列传送到处理器,用于执行。
尽管已经具体的介绍和说明本发明,但是应清楚的理解,这些仅作为说明和例子而不作为限定,本发明的范围仅由所附权利要求进行限定。

Claims (23)

1、一种将包含待印刷在晶片上的特征的目标图案分解成多个图案的方法,包括步骤:
(a)限定表示在内半径中为正值和在外半径中为负值的函数的核;
(b)使用多个像素限定所述特征;
(c)将所述核设置在所述多个像素的第一像素上;
(d)确定所述核在所述多个像素中每个像素的位置处的值,存储对应所述多个像素中每个像素的所述值,以限定对应所述多个像素中每个像素的像素值;
(e)将与所述多个像素中的指定像素有关的预存储值同步骤(d)中确定的该指定像素的所述像素值相加;
(f)在所述多个像素中的另一像素上设置所述核,重复步骤(d)-(f),直至所述多个像素中的每个像素被处理完;和
(g)根据该指定像素的像素值确定在第一图案或第二图案中所述像素的位置。
2、根据权利要求1所述的将包含待印刷在晶片上的特征的目标图案分解的方法,其中,所述外半径与间距值相对应,该间距值小于用于将所述多个图案成像的过程的最小间距。
3、根据权利要求1所述的将包含待印刷在晶片上的特征的目标图案分解的方法,其中,当在指定像素上设置所述核时,该核的中心设置在所述指定像素上。
4、根据权利要求1所述的将包含待印刷在晶片上的特征的目标图案分解的方法,其中,与所述多个像素中每个像素有关的值被初始化为零。
5、根据权利要求1所述的将包含待印刷在晶片上的特征的目标图案分解的方法,其中,具有正值的所述像素分配到所述第一图案,具有负值的像素分配到所述第二图案。
6、根据权利要求1所述的将包含待印刷在晶片上的特征的目标图案分解的方法,其中,指定特征能够分割为多个部分,所述被分割的特征的第一部分被分配到所述第一图案,所述被分割的特征的第二部分被分配到所述第二图案。
7、一种存储用于将包含待印刷在晶片上的特征的目标图案分解成多个图案的计算机程序的计算机可读存储介质,当执行时,使计算机实施以下步骤:
(a)限定表示在内半径中为正值和在外半径中为负值的函数的核;
(b)使用多个像素限定所述特征;
(c)在所述多个像素的第一像素上设置所述核;
(d)确定所述核在所述多个像素中每个像素的位置处的值,存储对应所述多个像素中每个像素的所述值,以限定所述多个像素中每个像素的像素值;
(e)将与所述多个像素中的指定像素有关的预存储值同步骤(d)中确定的该指定像素的所述像素值相加;
(f)在所述多个像素中的另一像素上设置核,重复步骤(d)-(f),直至所述多个像素中的每个像素被处理;和
(g)根据该指定像素的像素值确定在第一图案或第二图案中所述像素的位置。
8、根据权利要求7的计算机可读存储介质,其中,所述外半径对应于间距值,该间距值小于用于将所述多个图案成像的过程的最小间距。
9、根据权利要求7的计算机可读存储介质,其中,当在指定像素上设置所述核时,该核的中心设置在所述指定像素上。
10、根据权利要求7的计算机可读存储介质,其中,与所述多个像素中每个像素有关的值被初始化为零。
11、根据权利要求7的计算机可读存储介质,其中,具有正值的所述像素分配到所述第一图案,具有负值的像素分配到所述第二图案。
12、根据权利要求7的计算机可读存储介质,其中,指定特征能够被分割为多个部分,所述被分割的特征的第一部分被分配到所述第一图案,所述被分割的特征的第二部分被分配到所述第二图案。
13、一种器件制造方法,包括步骤:
(a)限定表示在内半径中为正值和在外半径中为负值的函数的核;
(b)使用多个像素限定所述特征;
(c)在所述多个像素的第一像素上设置所述核;
(d)确定所述核在所述多个像素中每个像素的位置处的值,存储所述多个像素中每个像素的所述值,以限定所述多个像素中每个像素的像素值;
(e)将与所述多个像素中的指定像素有关的预存储值同步骤(d)中确定的该指定像素的所述像素值相加;
(f)在所述多个像素中的另一像素上设置所述核,重复步骤(d)-(f),直至所述多个像素中的每个像素被处理;和
(g)根据该指定像素的像素值确定在第一图案或第二图案中所述像素的位置。
14、根据权利要求13所述的器件制造方法,其中,所述外半径对应于间距值,该间距值小于用于将所述多个图案成像的过程的最小间距。
15、根据权利要求13所述的器件制造方法,其中,当在指定像素上设置所述核时,该核的中心设置在所述指定像素上。
16、根据权利要求13所述的器件制造方法,其中,与所述多个像素中每个像素有关的值被初始化为零。
17、根据权利要求13所述的器件制造方法,其中,具有正值的所述像素分配到所述第一图案,具有负值的像素分配到所述第二图案。
18、根据权利要求13所述的器件制造方法,其中,指定特征可被分割为多个部分,所述被分割的特征的第一部分被分配到所述第一图案,所述被分割的特征的第二部分被分配到所述第二图案。
19、一种产生在光刻过程中使用的掩模的方法,所述方法包括步骤:
(a)限定表示在内半径中为正值和在外半径中为负值的函数的核;
(b)使用多个像素限定所述特征;
(c)在所述多个像素的第一像素上设置所述核;
(d)确定所述核在所述多个像素中每个像素的位置处的值,存储所述多个像素中每个像素的所述值,以限定所述多个像素中每个像素的像素值;
(e)将与所述多个像素中的指定像素有关的预存储值同步骤(d)中确定的该指定像素的所述像素值相加;
(f)在所述多个像素中的另一像素上设置所述核,重复步骤(d)-(f),直至所述多个像素中的每个像素被处理;
(g)根据该指定像素的像素值确定在第一图案或第二图案中所述像素的位置;和
(h)产生对应于所述第一图案的第一掩模,和对应于所述第二图案的第二掩模。
20、根据权利要求19所述的产生掩模的方法,其中,所述外半径对应于间距值,该间距值小于用于将所述多个图案成像的过程的最小间距。
21、根据权利要求19所述的产生掩模的方法,其中,当在指定像素上设置所述核时,该核的中心设置在所述指定像素上。
22、根据权利要求19所述的产生掩模的方法,其中,与所述多个像素中每个像素有关的值被初始化为零。
23、根据权利要求19所述的产生掩模的方法,其中,具有正值的所述像素分配到所述第一图案,具有负值的像素分配到所述第二图案。
CN2007101999709A 2006-09-13 2007-09-13 分解图案的方法、器件制造方法及产生掩模的方法 Expired - Fee Related CN101271483B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US84407906P 2006-09-13 2006-09-13
US60/844,079 2006-09-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101271483A true CN101271483A (zh) 2008-09-24
CN101271483B CN101271483B (zh) 2012-02-22

Family

ID=38870306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101999709A Expired - Fee Related CN101271483B (zh) 2006-09-13 2007-09-13 分解图案的方法、器件制造方法及产生掩模的方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7970198B2 (zh)
EP (1) EP1901121A2 (zh)
JP (1) JP4751866B2 (zh)
KR (1) KR100892748B1 (zh)
CN (1) CN101271483B (zh)
SG (1) SG141355A1 (zh)
TW (1) TWI348591B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104280999A (zh) * 2013-07-01 2015-01-14 格罗方德半导体公司 用于连接装置的层间贯孔的光学邻近校正
CN104051234B (zh) * 2013-03-14 2017-01-18 格罗方德半导体公司 双图案化技术中减少颜色密度差异的针脚嵌入

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101271483B (zh) * 2006-09-13 2012-02-22 Asml蒙片工具有限公司 分解图案的方法、器件制造方法及产生掩模的方法
JP4779003B2 (ja) * 2007-11-13 2011-09-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. フルチップ設計のパターン分解を行うための方法
US7861196B2 (en) * 2008-01-31 2010-12-28 Cadence Design Systems, Inc. System and method for multi-exposure pattern decomposition
US8069423B2 (en) 2008-08-11 2011-11-29 Cadence Design Systems, Inc. System and method for model based multi-patterning optimization
US8209656B1 (en) 2008-10-14 2012-06-26 Cadence Design Systems, Inc. Pattern decomposition method
CN101739469B (zh) * 2008-11-06 2011-08-24 上海华虹Nec电子有限公司 提取mos晶体管应力效应模型参数的方法
WO2010103506A1 (en) * 2009-03-02 2010-09-16 Applied Materials Israel Ltd. Cd metrology system and method of classifying similar structural elements
TWI397828B (zh) * 2009-07-06 2013-06-01 Univ Nat Taiwan 應用於雙圖案微影技術的佈局分解方法
US8516402B1 (en) 2011-08-22 2013-08-20 Cadence Design Systems, Inc. Method and apparatus for automatically fixing double patterning loop violations
US8473874B1 (en) 2011-08-22 2013-06-25 Cadence Design Systems, Inc. Method and apparatus for automatically fixing double patterning loop violations
US8689149B1 (en) * 2013-01-11 2014-04-01 Synopsys, Inc. Multi-patterning for sharp corner printing
JP6598421B2 (ja) 2013-02-22 2019-10-30 キヤノン株式会社 マスクパターンの決定方法、プログラム、情報処理装置
US9747518B2 (en) * 2014-05-06 2017-08-29 Kla-Tencor Corporation Automatic calibration sample selection for die-to-database photomask inspection
US10389996B1 (en) * 2017-01-19 2019-08-20 Facebook Technologies, Llc Real-time multifocal displays with gaze-contingent rendering and optimization

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57178486A (en) * 1981-04-25 1982-11-02 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Smoothing device for binary image signal
US4532650A (en) * 1983-05-12 1985-07-30 Kla Instruments Corporation Photomask inspection apparatus and method using corner comparator defect detection algorithm
US4849679A (en) * 1987-12-31 1989-07-18 Westinghouse Electric Corp. Image processing system for an optical seam tracker
US5113565A (en) * 1990-07-06 1992-05-19 International Business Machines Corp. Apparatus and method for inspection and alignment of semiconductor chips and conductive lead frames
MY117289A (en) 1996-01-17 2004-06-30 Sharp Kk Image data interpolating apparatus
WO1997033205A1 (en) 1996-03-06 1997-09-12 Philips Electronics N.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
US5899999A (en) * 1996-10-16 1999-05-04 Microsoft Corporation Iterative convolution filter particularly suited for use in an image classification and retrieval system
JP2000505958A (ja) * 1996-12-24 2000-05-16 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 2個の物品ホルダを有する二次元バランス位置決め装置及びこの位置決め装置を有するリソグラフ装置
JP3050210B2 (ja) * 1998-09-24 2000-06-12 株式会社ニコン 露光方泡および該方法を用いる素子製造方法
US6738505B1 (en) * 1999-05-04 2004-05-18 Speedline Technologies, Inc. Method and apparatus for detecting solder paste deposits on substrates
JP2002134394A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Mitsubishi Materials Corp 多重露光方法及び多重露光装置
JP2002300386A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Fuji Photo Film Co Ltd 画像処理方法
US7813559B2 (en) * 2001-11-13 2010-10-12 Cyberoptics Corporation Image analysis for pick and place machines with in situ component placement inspection
SE0104238D0 (sv) * 2001-12-14 2001-12-14 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for patterning a workpiece
WO2004049723A1 (en) * 2002-11-27 2004-06-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Video encoding method
JP3952188B2 (ja) * 2003-01-08 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 画像補間装置、画像補間方法および画像補間プログラム
JP2005276852A (ja) * 2004-03-22 2005-10-06 Nec Electronics Corp 微細ホールパターンの形成方法
US7500218B2 (en) * 2004-08-17 2009-03-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method, and computer program product for generating a mask pattern and device manufacturing method using same
CN1300833C (zh) * 2004-09-10 2007-02-14 华中科技大学 集成电路芯片视觉对准方法
KR100723406B1 (ko) * 2005-06-20 2007-05-30 삼성전자주식회사 국부이진패턴 구별 방법을 이용한 얼굴 검증 방법 및 장치
US8111901B2 (en) * 2006-08-14 2012-02-07 Asml Masktools B.V. Apparatus and method for separating a circuit pattern into multiple circuit patterns
JP4922112B2 (ja) * 2006-09-13 2012-04-25 エーエスエムエル マスクツールズ ビー.ブイ. パターン分解フィーチャのためのモデルベースopcを行うための方法および装置
CN101271483B (zh) * 2006-09-13 2012-02-22 Asml蒙片工具有限公司 分解图案的方法、器件制造方法及产生掩模的方法
US7912884B2 (en) * 2006-12-04 2011-03-22 Aloka Co., Ltd. Method and apparatus for implementing finite impulse response filters without the use of multipliers
US8340394B2 (en) * 2008-07-28 2012-12-25 Asml Netherlands B.V. Method, program product and apparatus for performing a model based coloring process for geometry decomposition for use in a multiple exposure process
EP2382617A1 (en) * 2010-01-19 2011-11-02 Pixar Selective diffusion of filtered edges in images

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104051234B (zh) * 2013-03-14 2017-01-18 格罗方德半导体公司 双图案化技术中减少颜色密度差异的针脚嵌入
CN104280999A (zh) * 2013-07-01 2015-01-14 格罗方德半导体公司 用于连接装置的层间贯孔的光学邻近校正

Also Published As

Publication number Publication date
EP1901121A2 (en) 2008-03-19
US20080144969A1 (en) 2008-06-19
KR100892748B1 (ko) 2009-04-15
US20110317908A1 (en) 2011-12-29
KR20080024458A (ko) 2008-03-18
US8615126B2 (en) 2013-12-24
US7970198B2 (en) 2011-06-28
JP4751866B2 (ja) 2011-08-17
CN101271483B (zh) 2012-02-22
TWI348591B (en) 2011-09-11
SG141355A1 (en) 2008-04-28
JP2008103696A (ja) 2008-05-01
TW200830036A (en) 2008-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101271483B (zh) 分解图案的方法、器件制造方法及产生掩模的方法
CN101276141B (zh) 对由图案分成的特征进行基于模式的opc的方法和设备
JP4717153B2 (ja) 相補的マスクを生成する方法、コンピュータ・プログラム製品、デバイス製造方法及びウェハに写像する方法
US7493589B2 (en) Method, program product and apparatus for model based geometry decomposition for use in a multiple exposure process
US8132130B2 (en) Method, program product and apparatus for performing mask feature pitch decomposition for use in a multiple exposure process
CN101470344B (zh) 用于对全芯片图案实施图案分解的方法
KR100920232B1 (ko) Dpt 프로세스에 사용하기 위한 패턴의 분해를 수행하는방법, 프로그램물 및 장치
US7617476B2 (en) Method for performing pattern pitch-split decomposition utilizing anchoring features
JP4700664B2 (ja) アンカーリングフィーチャを利用したパターンピッチ分割分解を行うための方法
KR20080005138A (ko) 개선된 cpl 마스크 및 상기 마스크를 생성하는 방법 및프로그램물

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: ASML HOLLAND CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: ASML FRISKET TOOLS B.V.

Effective date: 20140217

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20140217

Address after: Holland Weide Eindhoven

Patentee after: ASML Holland Co., Ltd.

Address before: Holland Weide Eindhoven

Patentee before: ASML Frisket Tools B.V.

TR01 Transfer of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120222

Termination date: 20160913

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee