JPS5935482A - pinダイオ−ド - Google Patents

pinダイオ−ド

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Publication number
JPS5935482A
JPS5935482A JP14746482A JP14746482A JPS5935482A JP S5935482 A JPS5935482 A JP S5935482A JP 14746482 A JP14746482 A JP 14746482A JP 14746482 A JP14746482 A JP 14746482A JP S5935482 A JPS5935482 A JP S5935482A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
type
region
recess
main surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14746482A
Other languages
English (en)
Inventor
Ideo Maeyama
前山 出男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP14746482A priority Critical patent/JPS5935482A/ja
Publication of JPS5935482A publication Critical patent/JPS5935482A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861Diodes
    • H01L29/868PIN diodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は容量の逆方向バイアス依存性および順方向直
列抵抗が小さく、高周波領域で使用され、特にDHD 
(Double Heatsink Device )
形ダイオード装置に用いられるp1nダイオードに関す
るものである。
第1図は従来のpinダイオードの一例を示す断面図で
ある。
図において、(1)は1000Ω−cm以上の比抵抗と
250μm程度の厚さとを有しn形である1形半導体基
板(以下「1形基板」と呼ぶ) 、(2)は1形基板(
1)の一方の主面部に形成され50〜100μmの拡散
深さを有する?形高不純物濃度領域(以下「n+形領領
域と呼ぶ) 、(3)は1形基板(1)の他方の主面部
の一部に形成されbO〜80μmの深さを有する凹部、
(4ンはi形基板(1)の凹部(3)に面する表面部に
形成きれたp形不純物拡散領域(以下「p影領域」と呼
ぶ)である。なお、p影領域(4)の拡散深さは、1形
基板(1)のn影領域(2)とp影領域(4〕との間の
厚さが30〜50μmになるように設定されている。(
5)はp影領域(4)および1形基板(1)の各表面上
にわたって形成された絶縁膜、(6)は絶縁膜(5)の
表面上に形成されたパンシヘーション膜、(7)ハ絶縁
膜(5)およびバンシペーション膜(6)のp影領域(
4)の表面の一部上の部分に共通に設けられた電極引き
出し用の窓、(8)はアルミニウム(AIりなどの蒸着
金属からなり窓(7)内に主要部が設けられp影領域(
4〕にオーミック接続された蒸着陽極電極、(9)は頭
部がパッシベーション膜(6)の1形基板(1)の主面
上の部分の表面から上に出るようにメッキ法によって蒸
着陽極電極(8)の上部に上積されたメッキ上積み陽極
電極で、これらの電1i (8)、 (9)はp影領域
(4)の外部引き出し電極を構成する。00は17など
の蒸着金属からなりn+形領領域2)にオーミック接続
された蒸着陰極電極である。
一点鎖線で示す(lla)および(llb)はメッキ上
積み陽極電極(9)および蒸着陰極電極αOにそれぞれ
接触させられるヒートシンクである。
このような従来例では、凹部(3)の深さが50〜80
71mであるので、メッキ上積み陽極電極(9)の頭部
がヒートシンク(lla)と接触するためには、メッキ
上積み陽極電極(9)の頭部の蒸着陽極電極(8)から
の高さを凹部(3)の深さの50〜80.4m以上にせ
ねばならず、メッキ上積み陽極電極(9)の形成に多大
の時間を要し、作業性が悪いという欠点があった。この
ような欠点を解消するために、凹部(3)の深さを浅く
して、メッキ上積み陽極電極(9)の頭部の蒸着陽極電
極(8)からの高さを低くすることが考えられるが、凹
部(3)の深さを浅くして所望の電気的特性を得るため
には、1形基板(1)の厚さを薄くしなければならず、
1形基板(1)の厚さを薄くすることによって、1形基
板(1)が破損しやすくなるという別の欠点が生ずる。
この発明は、上述の欠点に鑑みてなされたもので、主面
部に四部が形成された1形基板の上記凹部の周辺部に接
着された外部引き出し電極を設はメを示す断面図である
図において、第1図に示した従来例の符号と同一符号は
同等部分を示す。α鴇は1形基板(1)の凹部(3)の
周辺の主面部および凹部(3)に面する表面部にわたっ
て形成されたp影領域である。p影領域(梗および1形
基板(1)の各表面上にわたって絶縁膜(5)が形成さ
れており、絶縁膜(5)の表面上にノ(ツシペーション
膜(6)が形成されている。αηは絶縁膜(5)および
パッシベーション膜(6)のp影領域α→の周辺部の表
面上の部分に凹部(3)を取り囲んで共通に設けられた
リング状の電極引き出し用の窓、0樽はA/などの蒸着
金属からなり窓αη内に主要部が設けられp影領域αう
にオーミック接続されたリング状の蒸着陽極電極、(1
(Jは頭部がパッシベーション膜α叶の凹部(3)の周
辺部上から所望の高さだけ上に出るようにメッキ法によ
って蒸着陽極電極(至)の上部に上積みされたメッキ上
積み陽極電極で、これらの電極0樽、0すけp影領域a
→の外部引き出し電極を構成する。
この実施例の構成は、p影領域Q→、窓(17) 、蒸
着陽極電極a枠およびメッキ上積み陽極電極αり以外は
第1図に示した従来例の構成と同様である。
このように構成されたこの実施例では、メッキ上積み陽
極電極0呻の頭部の蒸着陽極電極(至)からの高さを、
第1図に示した従来例のメッキ上積み陽極電極(9)の
頭部の蒸着陽極電極(8)からの高さより凹部(3)の
深さに相当する部分だけ低くすることができるので、メ
ッキ上積み陽極電極a匈の形成時間を、第1図に示した
従来例のメッキ上積み陽極電極(9)の形成時間より大
幅に短縮することができる。
なお、この実施例において、n+形領領域2)をp影領
域にし、p影領域a→をn+形領領域したpinダイオ
ードの場合にもこの発明は適用することができる。
以上、説明したように、この発明のpinダイオードで
は、主面部の一部に凹部が形成された1形半導体基板の
上記凹部周辺の主面部および上記凹部に面する表面部に
わたって不純物拡散領域を形成し、この不純物拡散領域
の周辺部分の表面に接着し上記凹部を取り囲むようにリ
ング状の外部引き出し電極を設けたので、上記外部引き
出し電極の頭部の上記不純物拡散領域からの高さを、上
記不純物拡散領域の表面の上記四部の底面の部分に設け
られた従来例の外部引き出し電極の頭部の上記不純物拡
散領域からの高さより上記四部の深さに相当する部分だ
け低くすることができるので、上記外部引き出し電極の
形成時間を従来例のそれより大幅に短縮することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のpinダイオードの一例を示す断面図、
第2図はこの発明の一実施例のpinダイオードを示す
断面図である。 図におりで、(1)は1形半導体基板、(2)はn+形
高不純物濃度領域(第1伝導形の高不純物濃度領域)、
(3)は四部、0→はp形不純物拡散領域(第2伝導形
の不純物拡散領域)、(至)およびα燵はそれぞれ蒸着
陽極電極およびメッキ上積み陽極電極(外部引き出しf
t極)である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。 代理人 葛野信 −(外1名) 第り図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  一方の主面部の一部に凹部が形成され他方の
    主面部に第1伝導形の高不純物濃度領域が形成され第1
    伝導形である1形半導体基板、この1形半導体基板の上
    記凹部周辺の主面部および上記凹部に面する表面部にわ
    たって形成された第2伝導形の不純物拡散領域、および
    この不純物拡散領域の周辺部分の表面に接着し上記凹部
    を取り囲むように設けられたリング状の外部引き出し電
    極を備えたpinダイオード。
JP14746482A 1982-08-23 1982-08-23 pinダイオ−ド Pending JPS5935482A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14746482A JPS5935482A (ja) 1982-08-23 1982-08-23 pinダイオ−ド

Applications Claiming Priority (1)

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JP14746482A JPS5935482A (ja) 1982-08-23 1982-08-23 pinダイオ−ド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5935482A true JPS5935482A (ja) 1984-02-27

Family

ID=15430962

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14746482A Pending JPS5935482A (ja) 1982-08-23 1982-08-23 pinダイオ−ド

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1146567A1 (de) * 2000-04-14 2001-10-17 Infineon Technologies AG Diode und Verfahren zu deren Herstellung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1146567A1 (de) * 2000-04-14 2001-10-17 Infineon Technologies AG Diode und Verfahren zu deren Herstellung
WO2001080320A1 (de) * 2000-04-14 2001-10-25 Infineon Technologies Ag Diode und verfahren zu deren herstellung
US6798042B2 (en) 2000-04-14 2004-09-28 Infineon Technologies Ag Pin diode and method for fabricating the diode

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