JPS6042864A - なだれ電圧ブレ−クオ−バ区域内に電界抑制層を持つ電圧ブレ−クオ−バ保護型サイリスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

１１へ１１ 本発明はＩ２極−陸極間順方向電ａ′が順り向ル−クオ
ーバ電圧を越えたとき、電圧ブレークオーバが開始°す
る局部ｆｉｆＩｌｌｉｌｉを半導体本体の中に設けた自
己保護型１〕°イリスタに関Ｊるものである。本発明ノ
ｖＡ３Ｍ！　ヲ用イ”（、米ａｕｉ許ｍ４０７９４０３
ｇに開示された自己保護型半導体装置または米国特許第
４０８７８３４号に開示された自己保護型半導体装置を
改良することができる。 リイリスタは１）導電型の崖埒体祠）ｉｔのＫＣｌとＮ
）９電型の手心体材料の層を交Ｎに重ねたＩＩＩＩＩ体
装置Ｃある。１つの特定の種類のりイリスタがシリ−１
ン制御！！！流器（Ｓ　ＣＲ）、であり、その円板状の
半へ体本体は［）導電型の半廊体材料とＮｌｌ電型専心
体材料交ｎの４つの層を有しＣいｒ　Ｐ　Ｎ　ｌ〕Ｎ　
４ｆ４　Ｎを形成Ｊるのが普通である。ｓ　ｃ　ｒ＜　
’ｒはこれらの層は順に陽極、Ｎベース、１−）ベース
、陰極と呼ばれる。通°帛のＳ　ＣＲで゛は２つの主端
子電極が陽極層と阻４４！層１こイれぞれ接続され、グ
ー１〜端子電極が１〕ペースト−に接続される。 ｌ）Ｎ　ｌ）Ｎ　４Ｍ造のため、装置には少なくとｂ３
′〕の１−）Ｎ接合か含まれる。順方向阻止状態では中
間のｌ）Ｎ接合が逆バイアスされ、これは順方向阻止接
合と呼ぶことができる。従って、中間（即ち順方向１ｉ
ｆｔ庄）１）Ｎ接合の空乏領域層の幅は比較的広い。 リイリスタを９通状態に１−リガーＪるためにはｊ９当
なゲート礪構を用いるのが普通であり、たとえばゲート
電極を介してゲ５−１〜電流をちえる。ｌｊ生スｒツブ
゛ンクＶ［用によりリイリスクは専通し始め、３３つの
１）Ｎ１８合はリベ（順方向にバイアスされる。最初は
ゲート電極接触部近傍の陰極領域の小部分Ｉピ（〕がへ
通し始める。次にこの高疫に導通した領域か必鼓な順り
面電流を供給して隣接領域をターンオン過程、最終的に
陰極の横断面図全体にへ通か拡がる。ターンオン過程の
最初の時点では４・装置の全ｒｕ流が蝕凶の一部分だけ
を通り、局部的な過熱の外しる可能性がある。この装置
は（ＩＩ／ｄｔ限界どして当業者に知られている。、こ
のため１ノイリスタ装槍“１を悄Φに設ａｔ　Ｌ、’Ａ
　ｊｉ”ニアのターンオンを充分に制御し、初期のター
ンオン過程ができる限り人さくろ′るＪ：うにしくいる
。代表的な設計方払の１つは各種のインクディジット形
構成の１つを用いｃ１隘極のどの部分もゲート電極から
一定の最大許容距離以上頭れないようにりる一ｂのであ
る１、もう１つの代表的な、ｉＱ　ｉｉｌ　ｌＪ法はい
わゆる増幅グー１へ形り゛イリスタとして知られ（いる
しので、バイト１ツｌ〜・サイリスタｆｉｔ　ｂ＋Ｉｉ
を設置ＪるＩＪ’　を人である。このパイ［Ｊツ１へ・
１ナイリスタ魚′ｉＭは横方向のＮＪ　７１；が小さい
のｅ、怠速にターンオンし、次いで大きな駆仙電流を肢
ｋＶの主り”イリスタ領域に供給する。 しかしながら周知の如（、順方向ブレークオーバ電圧Ｖ
ＢＦを超えたときにもサイリスタは９通状態に切り替わ
れることがある。順方ＩｔＩｌｊレークオーバ電圧ｖｏ
トに近づくにつれて、装置の逆バイアスされた中間ＰＮ
接合の空乏領域の電解電信が１−４し、鬼さ）がＣキャ
リア（電子および正孔）゛が空乏領域を移動づるとぎか
なり大ぎなキャリアのｌＪ“だれ増倍がｌ］−する点に
達りる。周知のようにこの効果はなだれ増倍係数Ｍによ
って数値的に表わりことがでさる。このようにして１−
じた付加的な°重子Ｊ＞Ｊ、び正孔電流により、順方向
ブレークオーバ電ＩＥＶＬＩＦに達したとき装置は再生
的に順１ノ向ｒＱ通状態に切り勅λられる。装置の順方
向ブレークオーバ電圧Ｖｌ（Ｆを高くするため縁を傾斜
さ「だ（ベベル）荀１ｊΔのような種々の設計法を使う
ことがて゛さるが、どの場合もそれを超えると装置がブ
レークオーバする電圧がある。 特別イＴ対策をム１４じでいない１Ｊイリスタ４１４造
では、どこ（順方向ブレークオーバが起るかを予測する
ことは勤しく、したがってその順り向ブレークオーバに
より始まる制御（５れないターンオン過程から装ｂ′ｑ
を保護りることは勤しい。リイリスタのｉｌｌ／ｄｔ限
界ど通計の制御されたターンオンに関連しＣ前述しｌこ
のと同じ理由で、順方向ブレークオーバ電１”ＥＶｏＦ
４！−超えることによりリイリスタがη通状態に切り換
゛えられると装置の損（Ｕが生しることがある。損傷の
１つの原因は最初にターンオンされる電圧ブレークオー
バ領域の寸法が小さいことである。菰回の１通電部分の
うちターンオンした部分が充分でないうちに電流が急速
に増加しＣ大きな飴になると、かなりの電力損失が生じ
て局部的ｔ１過熱が生じ、これにより装置が破損りる。 このため、リイリスタ内で初ｔｉｌｌ　１ｌｌｉ’ｉｈ
向電１”ｆ　、／　ｌノークオーバ領域を局限するため
に種々の技術が開発されてきた。本発明に特に関連して
いるのは１−記米田特許第４０８７８３４号ｉＪ３　Ｊ
、σ米国特許第１１０７９７ＩＯ３号に開示されている
技術て゛ある。 まず米国特許第４０８７８３４号の自己防護型半導体装
置について考察覆ると、この装置はゲート領域に食刻し
た領域を含んでいる。この食刻領域は凹８１１と考える
こともできる。この食刻領域即ち四部は１〕ベ一ス層の
中まで伸び（、ＰベースとＮベースとの間の中間１）　
Ｎ接合の空乏領域中に達する。その結果として、なだれ
増倍係数Ｍが局８１；的ｔこ大きくなり、局部的ムなだ
れ電圧ブレークオーバ区域が形成される。なだれ電圧ブ
レークオーバ区域で初ＩＩ導通が生じると装置全体の非
破壊的’Ｊ　Ｎｊｊ　Ｏｌｆ　Ｍ　ｈ　ｋ　９ニ＞　ワ
ｌｆｉ　％　Ｌ；　？；ｚ　ヨう竜Ｈ［（０１分に、こ
のなだれ電圧ブ・レークオーバ区域が配置される。この
場所は好ましくは通常のサイリスタのゲート構造の中心
に圃かれる。このゲートＩｄ４ｍは好ましくはパイ１ツ
ト・サイリスタを含む形式の増幅ゲート構造′Ｃ−ある
。 次に−り記米田特１１第４０７９４０３号に開示され！
、：装；ζずを考察りると、装置のゲート領域の中まＩ
こはモの近りＣ１１５＃伏電圧を低く゛りるために接合
を湾曲さ「るｈｄｌを用いている。詳しく８えば、Ｐペ
ースとＮ゛Ｎベースの間の接合を」一方に湾曲させ（こ
の接合が装置の半導体上面′Ｃ終端するように１、るも
のである。実際にはＮベースの一部が装置の中心・Ｃ装
置の上面まで伸び、環状のＰベース拡散ｗ４ｂＩｉがＮ
ベースの上方に伸びた部分を取り囲む。 したがってこの装置は周知のプレーナ法を使って製造り
ることがｅき、凹部形成のためのエツチングを制御して
行う必要はなくなる。 更に別の例として、サイリスタ内に初期順方向ブレーク
オーバ領域を局限する弛め自己保護型サイリスタ構造が
米国特許第４１６５５１７号Ｊｊ　Ｊ、び米国特許第４
３１４２６６号ＣＣＵ１１丞されている。 これらの特許に開示されＣいるように、局部的に少数電
荷キャリアの寺命を伸ばすか、あるいは局部的に低抵抗
率の領域を作ることにより、初期なだれ電圧Ｖレークオ
ーバ領域を局限することが（゛ぎる。更にドイツ特許１
２２３８５６４号に開示され“ＣいるＪ、うに、１’　
！Ａｔ１−１ツブン人を用い゛（局１１１５的に■いベ
ースを設けることができる。 順り向７ｔｉｒｔブレークＡ−バ領域を局限Ｊるための
種々の技術の中Ｃ１上記米国特許第４０８７８３４＋４
に開示されているような１）ベース層の途中まで食刻領
域即ら凹部を設りる′ｈ法および上記米１Ｍ特許第４０
７９４０３号に開示されているような湾曲接合を用いる
方法が製造等の面で優れている。特に米田特ｔｉ’Ｉ　
Ｗｌ　４０７９８３４号に開示されているように新装の
申−エッチングエ稈はｅベース層形成後の処理におい（
都合のよい任息の時点Ｃ実施することがｅきる。米国特
許第４０７９４０３＠に聞ボされている装置はマスキン
グ、ガス鯨を用いた拡散等の従来のプレーナ処理工程を
用いて容易に形成りることができる。 しかし、とららの場合のＩ４造でも電気力柳が半り９体
表面′Ｃ終るという欠点がある。食刻による凹部描込の
接合ｔこ

【よ、電気力線はこの食刻領′域即ら凹部の半
導体内面で終る。湾曲接合４ｈ￥造の場合には、Ｎベー
スの部分が伸びている装置の半導体」−面【・電気力線
が終る。このた、め、望ましくない結果とし“Ｃ１順り
自重１ｆブレークオーバのｗＡｔこ装置め半榔体表ｉＣ
Ｉ口こ電流が流れる。周知の如く、半導体４４ｍ’３１
本体に流れる電流より表ｉ（ｉ電流の方がずっと装置を
損４−シやりい。電気力線が半導体表面で・終るので、
不動態化膜が必要になる。そしｔ過大な表面電流が流れ
ると、半導体表面と不動態化膜との間の結合部が装置の
中で最初に損傷を受ける部分となるのが西通である。 狛に米ＦＩＪ　ＲＭ第４０８７８３４号の四部１４造に
あ（はまるもう１つの欠点は、鴫り向ブレークＡ−バ電
圧が装置毎に広範１１１１にバラつかないように製造中
に１．ツチ深さを慎重にＩＩＩ制御することが若干難し
いということである。 ）６１様に米ｆｉ＋特許第４０７９４０３号の湾曲接合
構造に特にあてはまるもう、１つの欠点は、局限したブ
レークオーバ領域中での降伏電ｆＦに対する制御の程麿
を向上することが望ましいということＣ゛ある。具体的
に云うと、この電圧をできる限りｉｔ）くしで装置全体
の降伏電圧が不当に１ｌｉｌｌ限されないように１６と
ともに、初Ｉｌｌ順方向降伏が所望の局部領域ぐ生じる
ように゛づることが望ましい。 このように、−１−記米口、ｌ特ｔ＋’ｌ第４０３３７
８３４号および同第４０７９’４０３Ｍに１；１１バ＼
されｔこ方法と４ニ造は所ＩＩＩの目的を果しはりるが
、いずれ１こも改良の余地がある。 １吐へ１創 したがって本発明の全体的な目的は、陽極−陽極間電圧
が順方向ブレークオーバ電ローＶ８Ｆを超えたとぎ安全
にターンＡンするリイリスタ構迅を提供Ｊること（゛あ
る。 本発明の１つの史に特定の目的は、サイリスタの初期順
り向電汀ブレークオーバ領域を局限する一般的４Ｔ方法
を使うとともに、電圧ブレーク７１−バ領域の半尋体表
面に電気力線が終端しないようにりること′Ｃある。 本発明のもう１つの目的（よ、装置の順方向ブレークＡ
−への際に半導体表面を流れる電流を減らりＪ、うｌ（
サイリスタ構造を提供づ゛ることである。 本発明の史にｂう１つの目的は、表面不動態化膜か不敗
となるＪ、うなリーイリスタ構造を提供りることＣある
。 本発明のらう１つの更に特定の目的は、食刻領績叩ら四
部を用いるが、ｖｉ＝中のエッチ深さの制し１１がそれ
稈勤しくない一般的な形式の１ナイリスタ構造を提０（
−ｄることＣある。 本発明のし９１つの史に特定の目的は、湾曲接合を用い
Ｃ初１υ１順り向電圧ル−クＡ−バ領域を局限し、か、
）降伏電１［特１１［を容易に制御できるようイ１一般
的な形式のザイリス・り構造を提供することである。 簡略しＣ説′すると、本発明の全体的な棚忠に従え１ま
、前述したような食刻による四部椙造または湾曲接合（
に造においＣ電気力線が終端Ｊる」、う４「半環体表面
中に、本明細書で［電界抑Ｌｌｌ　Ｋｉｉ　（ｒ　ｉ　
ｅ　１ｄ−ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ　１ａｙｅｒ）　Ｊと
呼ぶものが設りられる。 換言ずれば、四部の表面隣接領域また（よＮベースの延
長部の表、面隣接領域中に電界抑制層が設Ｇ）られる。 電界抑制層はＰ導電型ひあるが１〕ベース領域にり高濃
度にドーピングされ、１）ベース領域の電気的延長部を
構成しくいる。車装なことは、電界抑制層のｊソさを、
中間Ｐ　Ｎ接合が逆バイアスされたときの装誼順方向田
止状ｆｍにおいて電界抑制層内の空乏層の幅Ｊ、り人さ
くりることＣある。 更に詳しく（ま、本発明による電圧ブレークオーバ故陽
に対ｆる自己保護型のりイリスタ半導体スイッチング装
置は、−導電型の第１＋端子領域、たと＾ば（１）導電
型に高濃度にドーピングされＩＣ）Ｐ４“陽極領域と、
反対２１″４電型の第１ベース領域順、たとえばＰ’１
ｌＡＪ４４！領域層の土にあっ（１）ｌ陽極イｔ１域層
ど第１のｌ）　Ｎ接合を形成Ｊる〈Ｎ導電型不純物で以
準淵度にドーピングされた）Ｎベース領域とを含む。こ
の装置は史に一導電型の第２ベース雀口或地ｊ、ｌこと
えば第１ベース領域層の」二にあって第１ベース領域層
と第２のＰＮ接合を形成する（１）心電ロ１１４不純物
（基準淵反にドーピングされた）１）／＼−ス領域も含
む。この第２のＰＮＮ接合法装置全体（゛（口゛１ｈ向
阻止接合である。第２ベース筐ｔｌＩＩｌｉの境界の一
部は装置全体の表面まで伸びて（入る。 装置のＬ（本釣な４層構狗を完成Ｊるために、及り・］
栂宙型Ｑ第２主端子領域たとえば（Ｎ導電型に１６１良
に１・−ピングされた）Ｎ４＋エミ・ンタ領１或が第２
ヘース領域層の一部の上に設けられて、第２ベース領域
境界の一部の所で第２ベース領１或と第３のＩ）Ｎ接合
を形成しでいる。この第３のＰ　Ｎ接合（Ｊ一般に装置
内の主導電区域の位置を限定する。 Ａ＼ＩＥ　１１１１によれば、局限したなだれ電圧ブレ
ーへオー八区域が土萼電区域から離れた装置の部分ｔこ
６１：１ｉｆｆされる。１つの形式では、なだれ電圧ブ
レークΔ−バ区１或は第２ベース領域の境界から装置の
中に伸びた四部を含む。四部の表向隣接領域が、第２ベ
ース領域層よりも高１１ｉｌ亀にドーピングされて第２
ベース領域層の電気的延長部を形成りる一導電型、この
例では、１台電型の電界抑制層を４１４成する。この電
界抑制層の１＝ざは第２のＰＮ接合（ＰベースとＮベー
スとの間の接合）が逆バイ）′スされた順方向阻止状態
に於ｔノる電界抑制層内の空乏層の幅より大きい。四部
は、なだれ電ｎブレークオーバ区域中の第２のＰ　Ｎ接
合の降伏電圧を下げるのに充分な深さまで装置内に伸び
Ｃいる。 電界抑制層が存在Ｊるため、中間ＰＮ接合両端間の電圧
によって生じる電界が電圧ブレークオーバ領域において
装置の外表面まで伸びない。 木ｆｆｉ明の一実施例Ｃは、凹部は第２ヘース（１）ベ
ース）領域の外側境界から第２ベース（１）ベース）　
ｆｌｉ域層の一部までしか伸びイｒい。もう１−）の実
施例では、四部は第２ベース領域（）〕ベース）領域の
外側境界から第２ベース（Ｐベース）領域を完全に貴通
しＣ１第１ベース（Ｎベース）領域層中まで伸びる。こ
の実施例はエッチ深さめ精度が厳しくないの′Ｃ製造上
特に有利である。四部がＰベース領域層の一部までしか
伸びない実施例は、］ツブ深（きを専一１（箭にＩＩＩ
Ｉ御し／、【（］ればならないのｅ製造が比較的に翻し
い。し、かし、この精密制御は、そｔ’ｔを（■わ４０
）ればなだれ電圧ブレーノ−状装置の順り向ブレークオ
ーバ電圧ｇＶｓＦが許容できく「い稈低くイ「ってしま
うような場合に必要である。 もう１つの形式では、なだれ電圧ブレーク７１−バ１メ
域はブレーリ状ｅあり、その中に含まれる第１ベース領
域（Ｎベース）顧の一部は第２ベース（１）ベース）領
域層を通り抜けて第２のＩ）Ｎ接合の一部が曲率半径を
持つように延在しこのＮベース延１＜　ｔｆｌ１分にＪ
、っＣ第２ベース（１〕ベース）層の相（Ｌに対向りる
部分間に間隙が形成される。Ｎベース延長ｔルの表ｉ山
隣接領域は、第２ベース領域Ｊ：り箇ぬ痘（、ニド−ピ
ングされて第２ベース領域層の電気的延ｌ★部を形成す
る１）導電型の電界抑制−を構成する。電界抑制−の厚
さは、第２のＰＮ接合を逆バイアス１ノだ順方向Ｎ１止
状態に於ける電界抑ｕｌＶ内の空乏廟の幅より大きい。 どの実施例でもＰ導電型電界抑１ｌＩＩＩ層は任慈適当
な方法によって作ることがぐきる。都合が１ｑいのはイ
オン打込み法を用いる方法ぐあり、この場合適当なマス
クで装置の他の部分をイオン・ど−ｌいから保護する。 そのかわりに、特にブレーノー状装置につい（はガス源
による拡散を用いてもよく、この場合酸化マスク等の適
当なマスクを用いる。 順方向ブレークオーバ電圧状態に於１Ｊるターンオンを
１ｌＩＩ制御し〔容易に行えるようにづるため、装面の
通常の動作に用いられるゲート区域内にイＴだれ電斤ブ
レークＡ−バ区域を配４することか好ましい。ゲート区
域に番よ、第２ベース（１）ベース）領域層と電気的に
接触し、第２ベース（［〕ペース）領域内に１〜リガー
電流を一往入りる役目を宋リグ−Ｉ・電極を設けること
ができる。ゲート電極はリング状の形状にＪることが好
ましく、なだれ電圧ゾレークＡ−バ区域の凹部はほぼリ
ング状のゲート′Ｉｒｉ極の内側に配置される。かわり
に、グー１−１）Ｓ　Ｉｍを光ｒトリガーりることもで
きる。 １ノイリスクは別々の領域または区域にバイロン１〜・
リイリスウと主サイリスタとを含む１１幅グー、１・形
サイリスタにすることが好ましい。増幅グー：・彩りイ
リスタは史に反対導電型、この例ＣはＮｌのバイＩ’ｌ
ツト・１ミツタを含む。パイロット・Ｌミッタはグー１
〜区域を直接囲み、第２ベース（Ｐベース）領域の境界
の別の部分の所で第２ベース（１，）ベース）Ｉｊｌ域
層との間に第４の１）Ｎ接合を形成する。リング状のＮ
″パイ０ツトエミッタのりぐ外側にある第２ベース（１
）ベース）領域層の一部とＮ４パイロツト・エミッタと
はＡ’　ｂ接Ｍ！（きれる。 木ブを明の新規な特徴は特許請求の範囲に記載されてい
るが、本発明の構成と内容ｔよ以下の図面を参照した説
明により一層良く理解されよう。 好ましい実施例の説明 ｊ、ず第１１ｆｉにｊＡい（勺゛イリスタ１０は４頽の
ラニイスク状シリ二］ン半導体木（４１２を右し、半導
体本体１２の全般的に向き合った両面に陽極電極として
金属被￥４に！１４および陰極電極として金属被覆層１
６が設置）られ、また陰極電極１６と１ｒ１じ側にゲー
ト電極として金属被覆層１８が設けられＣいる。Ｖｉ回
のＷＡ極端子２０、陰極端子２２およびグー１へ端子２
４がそれぞれの金属被覆層に電気的に接続され”（いる
。 シリニｌン半導体本体１２には順に（１−）導電型に高
濃庶にドーピングされＩＣ）ＰＥ陽極ｆ／Ｉ域２６、［
）＋陽極領域の上にあつ−（Ｐ“陽極領域と第１の１）
Ｎ接合を形成する（Ｎ導電型、の不純物でＬ４卑濃痕に
ドーピングされた）第１ベース領域層即らＮベース鎮１
ｌｉｌｉ層２８．ならびにＮベース領域層２８の上にあ
つ（Ｎベース領１１１を層２８とＰ　Ｎ接合３４を形成
する（［）導電型不純物１−ＪＪ準濃度にドーピングさ
れＩＣ）第２ベース（Ｐベース）領１１！鍼３２が含ま
れている。第２ベース（Ｐベース）領域層３２は第２の
Ｐ　Ｎ接合３４とは敵対側に境界３６を有する。第１図
に示されているように、境界３６の一部略よ半９体本体
１２の表面とな−）−（おり、境界３６の他の部分は同
心のリング状の（Ｎ８電型に高濃葭にドーピングされた
）Ｎ＋陰極領域３８および４０でＪ３おわれている。Ｎ
十陰極領域３８おＪ、び４０はＪミッタ領域とも呼ばれ
ている。 特にＮ１　］ミック領域３８は装装置１ｏの陰極上端ｆ
領域を椙成し、第２ベース（１〕ベース）領域層３２　
ｆ／）一部の上に市なって第２ベース（Ｐベース）領域
層ご３２と第３のｌ）Ｎ接合４２を形成している。 第３のＰ　Ｎ接合−１２は装置１０の主導電区域４４の
位置を人イ本限頑づる。 従来と同様、陽極電極１４ＧよＰ４陽極領域２６とＡ−
−１い接触して−３つ、また陰極電極１６はＮ”１−ミ
ッタ領域３８とＡ−ム接触している。史に装置１０のｃ
ｌＶ／ｄ＋定格を改良りるために多数の過小゛の陰極９
．０絡部が設ｉノられている。この隙＃４＋短絡部は陰
極宙１４！　１６の延長部４５の形をとり、これ（よＮ
４１ミツタ領域３８の聞［１を通ってＰベース届３３２
に接触しくいる。公知の如く装「ｑの動作中の九人なｆ
ｌＶ／ｄｔにより容量性電流が発生し、この容ｆｆ１ｉ
　ｉ’Ｌ宙流にＪ、す＊＋　ｌｉ向ブレークオーバ電圧
ｖ１３１−よりかムリ低い電圧でサイリスタ装置が舶１
ｉ　＋？＋Ｉ）９通状態１こ切り換えられることがある
。この現象は、陽極−阻極間電圧が順方向ゾレークオー
バ電圧ＶＢＦよりは低い電圧であるが急速に１−シＩり
るような過渡状態（・起りＶ）る。 装置１０１こは一般にゲート電ｍ１８とＮ４丁ミッタ領
域４０を含む増幅ゲート構造も含Ｊ、Ｊ′ｌ（いる。Ｎ
１エミツタ領ＩＪｌｉ４０はバイ１１ツト・コミツタと
呼ぶことも（゛き、第２ベース〈１）ｌ＼−ス）領域層
３２どの１１１１にＮ１４のＰＮ接合４６を形成してい
る。バイ１−１ツＩ・・」ミッタ金属被覆電４ＪＩ４８
はバイ１］ツ１〜・エミッタ４０のリング状構造のづぐ
外側にある第２ベース（Ｐベース）領域層３２の一部と
Ｎ＋パイ１−１ツト・エミッタ４０との間のＡ−ム接触
を行う。グー１−電４４！１８自体もリング状であり、
第２ベース（Ｐベース）領域層３２ど電気的に接触して
いる。パイロット・」−ミッタ金屈被覆電極４８は装置
１０のどの外部端子にも接続されていない。 図示した特定の装置１０は環状形状になって、１りつ、
リング状のバイ１．１ツｉ・・１−ミッタ４０かやはり
環状構造の４土ミツタ３８の内側にある。ゲート電極１
８′はバイ１１ツト・−１−ミッタ４０の内側にｔｌ＋
’、　’ｉｉされ（いるようにしてゲート電極１８どＮ
１バイ「１ツ１〜・］−コミツタ０は人体装置１０のグ
ー１〜［４域５０を限定づる。 これまＣ説明しくきたサイリスタ装置１０の一般的な動
作に於いて、順方向阻止状態の間は、陽極輻：子２０ど
陸棲端子２２に接続された（図示されＣい＜１い）過当
＜、−外部回路により１〕″陽極領域２〔５がＮ１」」
ミッタ領１ｉ＋１３８に対して止にバイアスされている
。装置１０が順方向阻止状態にあるとさ゛、１）＋陽極
領域２６と第１ベース（Ｎベース）領域）Ｎ２８との間
の第１のｌ）　Ｎ接合３０および第２ベース（［）ベー
ス）３２とＮ″主゛ミッタ３８との間の第３のＰＮ接合
４２はともに順方向バイアスされる。しかし、第１ベー
ス（Ｎベース）領域層２Ｆ３と＆′１２ベース（Ｐベー
ス）領域層３２どの間の第２印ら中間のＩ）Ｎ接合３４
は逆パイ、アスされる。従つＣ１第２のＰＮ接合３４は
装置の順り向Ｎ１止接合どして触（。順方向阻止状態で
は、第２のＰＮ接合は第１図”に空乏領域５２と示しで
ある比較的広い幅の空乏層を持つことにイする。順方向
電圧降下の殆んどリベ（は空乏領域ｂ２中（・′生じる
。従って電解は空乏領域５２の中に形成されるが、一般
に空乏領域５２の外側には形成されない。この電界につ
いては後で第２図と？４′Ｘ３図を参照しＣ史に詳しく
説明する。 第１図から明らかなように空乏領域５）２は順り向ｉｌ
ｌ止１〕Ｎ接合３４の両側に伸ひ（いる。したがっＣ１
空乏領域５２は境界５４まＣ伸びたＮベース領域２８中
の部分ど境界５６まｅ伸びた１）ベース領域３２中の部
分とを有する。 境界５４ど境界ｂ６との間の空乏領域ｈ　２の実際の幅
（よ装置１０に印加される電圧の大きさと装置１０の各
層の不純物満１庭に関係り゛る。第１の］）Ｎ接合３０
と第３のＰＮ接合４２にも空乏領域があるが、これらの
接合が順り向バイアスされＣいるときは空乏領域は比較
的狭い。本発明はこれらの特定の空乏領域と直接関係【
ノＣい４ｒいのＣ，説明を明確にＪるためこれらの空乏
領域は図Ｃ゛は省略しである。 周知の如く、正常動作時は端子２４を′介してグー１〜
電極１８にゲート電流を印加°づることによりリイリス
１）１０のようなサイリスタは導通状態にされる。バイ
１１ツ１−・サイリスタとしＣ＠く増幅ゲート構造は横
ノ“Ｊ向の入目人が小さいので急速にターンＡンする。 このときパイ［］ット・］−ミッタ金属被覆電４４Ａ４
ＢによるＡ−ム接触によりＮ＋パイ１］ツト・；ミッタ
４０から比較的人込なパイロット″Ａｉ流が第２ベース
（１〕ベース）領域層３２に流れて、サイリスタ１０の
主埒霜区域４４を導通状態に　１〜．リ　力　−−す　
る　。 本発明にＪ：１１ば、装置Ｉ￥１０の主導電１１或４４
とは別の部分に全体を６０で表わした局限されたなｌ、
：れ゛電ロ〜ブレークＡ−へ区域が設けられる。順方向
電圧ブレークＡ−バ状態における％Ａ置のターンＡンを
充分（二制ａ＋＋できるように、なだれ電圧ブレークＡ
−バ１メ域６０はゲート区域５０の中心に、具体的に云
どグー１〜電極１８のリング状１４造の内側に配置する
のが好ましい。いずれの場合にも正常のターンメン中の
ｄｌ／ｄｔ容晶を増大するために用いられる増幅ゲート
構造の利点は、局限された電圧ブレークオーバ区域６０
の順方向電ｎ−ブレークＡ−バによって導通状態にトリ
ガーされるときにも実現される。 史に詳しく）ホベると、電ＨニブレークＡ−バ１）ＳＩ
Ｉｌｌｉ６０は凹部６２即ら食刻領域を有し、この四部
６２は第２ベース（［）ベース）領ｉ！１１ｉ３２の境
界３６から装置１０の中に伸びている。四部６２の表１
０１隣接領域は、１）導電型であるが第２ベース（１〕
ベース）領域層３２より高淵欧にドーピングされた電界
抑制層６４を構成する。この電界抑ルリ層６４は第２ベ
ース（Ｐベース）領域層３２の電気的延長部を形成づる
。 電界抑ａｌ１層６４１よ説明の便宜上はっきりとしＩＣ
境界を有−４るｂのとしＣまたとえば電界抑ＬｌＩ層６
４と第２ベース〈Ｐベース）層ご３２どの間に境界６６
があるように図示しである。しかし実際には、電界抑制
層６４のドーピング溢痕の分布は、四部６２の内側表面
で不純物ｖＡ磨が最大で、そこから離れるに従って次第
に減少して第２ベース（Ｐベース）領域に６３２のドー
ピング温石となめらかに合うよ−）に変化りる。 次の表は第１図の装置１０の適当な４法と不純物鎧痘の
一例を示したものである。 自己保護型ぐない代表的なサイリスタ装ｄの１装部分の
ＩレークＡ−バ電圧Ｖ８Ｆは理想にはたとえば３２００
ボルトである。安全のための適当な余裕を１１「保する
ためこのような装置は２６００ポルｌ　１Ｌ７−ｔ’イ
レーライング（ｄＱｒａｔ　ｉｎｏ　）される。 凹部６２がイイい場合には装置の順方向１１４４止状態
で（ま約６０　’０ポルｌ−７う金７００ボルトが１）
ベース領域３２の中の空乏領域５２部分によって支えら
れる。第１１＋＋！ｌのＪ、うにＩ〕ベース領域３２の
一部をエツチングするとこの６００ボルト乃至７００ボ
ルトは約２５％低下し、装置のブレークオーバ電斤ＶＲ
Ｆ定格は自己保護型にしＩこ代償どしＣ約２５）Ｏボル
ト低下りる。 電界抑ａ、ＩＩ　Ｖ！４６４を含むＩ’−Ｑ　ＲＩＬ　
６２は、／、Ｋ　７ごｉｔ　宙１１ＴＥブレークＡ−バ
区賊６０丙の第２のＰ　Ｎ接合３４の降伏電し′Ｎ二を
低下さＵるのに充分な深ざまで装ｕ１１０の中に伸びＣ
いる。第１図の実施例では凹部は第２ベース（Ｐベース
）領域−３−２の途中までしか伸びず、空乏ｆｉ［％　
ｉＩ！１１５２の中まで伸びている。 このように四部６２、更に詳しくは凹部６２の電界抑制
層６４は空乏領域５２の境界５６の形状を歪ませる。電
界抑ｔＩｌ１層６４は第２ベース（１）ベース）領域３
２と同じ導電型であ−）（、その電気的延長Ｎ５を形成
しているので、空乏領域５２の−に側境界５６が電界抑
！−１層の中まで伸びて部分的に電界抑制層６４の中に
含まれ゛（いる。したがっ（、第２０ＰＮ接合３４が逆
バイアスされた装置の順方向■止状態におい（は、空乏
層の幅の一部は電界抑制Ｆ−６４の中にある。 電界抑ＩＩＩＪ層６４の〜さは、Ｍ２のＰＮ接合３４か
逆バイノノスされた装置１０の順方向ｍ　＋１状態にｄ
ｉ　ＩＪる電界抑１１１１１層６４中の空乏層の幅より
大ぎいことが重装である。これを達成りるには公知の製
Ｆ、技術を使って電界抑制層６４の厚さとその中の不純
物濃度どの積が　−ＥＥ上」−より大きくなるよ管 うにりればＪ、い。イ目し、εはシリコンの誘電率、１
ＥＢｒはブレークオーバ時の局部尖１１１電界、７は電
（ａｔ　ｔある。 〜えられた舶方自重汁に対して、電圧ル−クΔ−バ区ｌ
Ｉ！１ｉ６０内の尖頭電界は装置１０の他の領域、）こ
とえば二１穫電区域４４内の尖頭電界より人さ“い。こ
のためりえられた印加電圧に幻しく電圧ＩレークＡ−バ
ト域内のなだれ増倍体＃ＩＩＭが人さくなり、電圧ブレ
ークオーバ区域６０の前方＋６ｔブレークＡ−ハ電ＩＴ
ＶｎＦが低くなる。この結果は第２図と第３図の比較か
ら明らかになろう。第２図は第１図の゛出仕ブレークオ
ーバ区域６０の線Ｘ−Ｘに沿った空乏領域の電界を示し
たものである。 ゛第３図は第１図の電■［ル−クオーバメ域６０以外の
装置の領域のねＹ−Ｙに沿った空乏領域の電界を示した
ものである。 第２図に承りように電界はほぼ第１図の空乏層１或５２
中だけに存在しており、＃Ａ′Ｉｌｌの他のリベての部
分では実質的に１口ど児’ｒＫ　”Ｊことができる。 と呂うのは、順方向阻止状態に於いＣは１ル置の順り自
重圧降下のりｈんどＪべてか第２　（７）　ｌ）Ｎ接合
３４の空乏領域５５２の両端間に加えられるから（・あ
る。第２図に於い゛Ｃ１破線５４′は第１図のＮベース
ｆａ域２８内の空乏層１１！！５２の境界５４を表わし
、実線３４′は第１図のＮベー゛ス領域２８と１〕ベー
ス領域３２之の間のＰ　Ｎ接合３４を表わし、実線６６
′は第１図の１ｊベース領域３２ど１））９電型電界終
端層りなわち電界抑制層６４との間の境界６６を表わし
、破線５６′は１）型の電界抑制Ｋｄ６４の中の空乏ｉ
／Ｉ域５２の境界５６を表わしＣいる。折線６８は第１
図の線Ｘ−’Ｘに１（＞っＩこ距−に対して電界Ｆをプ
ロットした乙のである。折線６８が空乏領域５２の境界
５４（Ｊ対応するＦＩ！５７１′と交わる点７０では、
電界は実質的にゼロＣある９゜折線６８がＩ）　Ｎ接合
３４に対応りる線３３４′　と交わる貞７２Ｃは電界は
その最大値に達する。折線６８か境界６６Ｇこ対応Ｊる
線６６′　と交わる点７４では、電界・は中間１ノベル
になる。最後に、折線６８か空乏領域５）２の境界５６
に対応づる線５）６′　ど父わる点７６Ｃ電界ｔよ実質
的に１口となる。点７０より下および貞７６より、１で
も電界は実質的に１１１となる。 第３図の折線７８は装置１０の電圧ブレークオーバ区１
ｔ１１６　’０から蘭れた領域での線Ｙ−Ｙに沿った電
界をノ゛１：１ツ１〜し！、：ものである、第３図（３
二於い−（、点８０は第２図の点７０に対応しており、
第１図のＮベース領域２８内での空乏領域５２の境界を
表ねり線！１４′の土にある。点８２は第２図の魚７２
に対ｌｊ５シＣおり、第１図のＮベース領域２８と１）
ベース領域３２どの間のｌ）Ｎ接合３４を表わづ線３４
′の上にある。しかし第３図の点８２（Ｊ於（〕るＩ＋
Ｊ人電界は第２図の点７２に於ける最大電界Ｊ、り高い
。その理由は後）ホづる。最後に第３図の点８６は第２
図の点７６に対応しており、第１図の１〕ベース領１１
Ｉｉｉ３２に於ける空乏’４１ａ　５２の境界５６を表
わ１線４）６′の−１−にある。ｉ）２図の線６６′は
第３図にはない。と云うのは、負１１図の線Ｙ　−、Ｙ
−が電圧ブレークＡ−ハｌメ域６０の電界抑制層６４を
通ら４１いからである。 拘１２図と第３図を比較づると、折線の下の面ｆ西が第
２図と第３図で同じことがわかる。これは電圧が空乏領
域５２０両端間の電界の（♂４分（ｌｌ′１に比例しＣ
いるからである。第２図の点７０ど７０の間の距１ｉ１
１１　（第１図の電圧ブレークΔ−ハ１メ１載６０に於
りる空乏領域ｂ２の境界５４どｂ６の間の＆′１！シ、
１１に相当）は第３図の白８０と８６の間の距離（第１
図の電圧ブレークオーバ区域６０の夕１測（の空乏領域
５２の境界５４と５６の間の距離に相当）に比べで短い
ので・、第２図の最大電界１ｉ　ｐ　ｘ　ｌ；ｌ第３図
の最大電界ＥＰＹより高くなる。しｌこかつ（電Ｆ［ブ
１ノークオーバ区域６０のなだれ降伏電１Ｆは普通の接
合領域のものより低くなる。 第１図の実施例の１つの欠点は、ｌ’ｉｉｌ！米田ＱＪ
ｆ　ｉ’ｌ第４０８７８３４号に開示された装置にも共
通しているが、凹部６２を製造する際に■ツチ深さを−
汗益深くか−）厳密に制御しなｉノればならないという
ことである。周知の如く、半導体製造プロセスでは装置
の歩留りを向上】るため厳密な加工工程をＣきる限り少
なくすることが望ましい。 第４図は製造１の厳密さを緩和した装置１０′の構造を
示したものである。第４同の装置１０′は多くの点ぐ第
１図の装置１０と類似している。 対応りる要素を表わ１のに同じ参照番号を用いており、
イの説明を繰り返りことはしない。 ｌノかし第４図の四部６２′は第２ベース（Ｐ−ベース
＞　ｆｔｌ　１９！　３２　（１）　ｂＡ　界’３６　
カラ第２　ヘ２　ｆ／ｌ　Ｉａ　ｔｔｌｊ３２を完全に
通り抜ＧＪて、第１ベース（Ｎベース）領域層２８の中
まぐ少し入っている。四部６２′はＰ導電型電界抑ａｉ
ｌ１層６４′を含み、この電界抑４１１層は第２ベース
（１）ベース）領域層３２よりも高１ａ　１ｍ　ｌ、ニ
ド−ピングされており、第２のＰＮ接合３４が逆パイｊ
′スされた装置の順方向■止状態では・電界含有層６４
′内の、空乏層よりも大ぎい厚さを４ｉσる。Ｉ）型電
界抑制に４６４’　とＮベース層２８との間にＰＮ接合
８゛７があり、このＰ’　Ｎ接点８７は第２のＰＮ接合
３４と連続している。Ｎベース領域層２８より」一方の
四部６２′の部分に沿つＵ、Ｐベース領域ｗＪ３２とＰ
型電界抑制層６４′どの間に境界６６がある。第４図で
は第１図と１０１様に四部６２′の表面に於ける電界は
ぜ口Ｃある。。 第４図の装面の電圧ブレークオーバ区域６０内では、順
方向１１８１Ｌ　Ｐ　Ｎ接合３４はＮ、ベース領域層２
８と電、Ｗ抑制層６４′どの間にある。第４図の装置１
０の残りの部分では、順方向阻止ｒ）Ｎ　ＩＸ合３３４
はＮベース領域層２８と］）ベース領域層３２との間に
ある。 第５図は全体的に第２図に対応するものｅあり、第４図
の装置１０′の線ｘ−Ｘに沿った距離に対しく電界をプ
ロットしたものである。第５図の点９０は第４図の第１
ベース（Ｎベース）領域層２８の中の空乏領域５２の境
界５４を表わず線５４′の上にある。点９０では電界は
ゼロである。 点９２は第４図のＮベース領域層２８と１）呑電型電界
抑制層６４′の間のＩ）　Ｎ接、合８７を表わづ°線８
７′の上にある。点９２で電界は最大に＜ｉる。 ＪｊＪ　Ｉ　１５点９６は第４図の１））９電型電界抑
制層６４パの中の空乏領域５２の境界５６を表わづ線５
６’（１）、１にある。 第１図の線Ｙ−Ｙに沿った電界は第１図の線ＹＹに沿っ
た電界と劣質的にｌｒ＋】じであるのτ・、第３し１の
グシノ番、Ｌ第１図だけでなく第４図にもあてはまる。 第５図の繰入電界強度Ｅｐｘは第２図および第ｒ′Ｓ図
の最大電界強酸より大ぎい。したがつ（、第４図の％’
−’Ｖ（１０’のなだれ降伏電圧は第１図の装置１０よ
りも低くなる。 次の表は第４図の装置１０′の適当な＼１法と不ブレー
クＡ−バ電圧Ｖ８Ｆ定格についＣ青えるため゛、再び基
本的な装置構造では理想的にはブレークオーバ電圧Ｖ８
Ｆが３２００ボルトである・と仮定１゛る。第４図のＩ
Ｉｑ部６２′を設けるため１）ベース領域３２を完全に
貫通し°ＣＣラッチングると、［）ベース領ｊｊｉ　３
２の中の空乏領域５２の部分にＪ、　一つ（克えられる
電圧がなくなる。このため、この例でＧ１装置のル−ク
オーバ電ＪｆＶｓＦ定格１ｊ約６００ポル１〜１１１至
７００ボルトだけ減少する。 第４図の実施例は第ｉ’ｔ２！Ｉの実施例に比べて製造
は容易であるが、−特定の装置ｉｏ’の用途にもよるが
、降伏電圧がｖＥ容できない程低くなることがある。そ
の理由は、比較的高ｉｌ：ｉ度にＰ型にドーピングされ
た電界抑制層６４′がＮベース領域２８の中まで伸びて
いる結果、ＰＮ接合３４のＰ型側の空乏領域電１１がほ
ぼゼ［Ｉになるためである。要するに第１図の実施例と
第４図の実施例については、第１図の実施例の特定のエ
ッチ深さを達成Ｊる難しさと第４図の実施例の装置の順
方向降伏電圧の低下とを比較前Ｗしなｔ）ればならない
。 第１図の技防１０あるいは第４図の装置１０′の製造【
よ通常の処理工程を使っＣ行うことができる。Ｎ導電型
シリ二１ン・デツプまたはｒシ■−ハを処即しＣ，：ｆ
の中に上面と底面を介して不純物を拡散し、Ｎ／＼−ス
領域５２をはさむ１〕ベース鎮域３２ど「）１陽極領域
２６を形成する。一番上のＮ＋層が拡散、１ピタキシセ
ル成長、イオン打込み等の適当なｙノ法によって形成さ
れる。代りに、他の１つ以トの区域を１ビタキシヒル成
長によって形成１ノ（もよい。 ４層のｌ）Ｎ　ｌ）　Ｎ半導体本体の製造後、適当なマ
ス、１〜ング］程と１ツチング工程によつ］Ｉ一部のＮ
′肋の一部を取り除くことによってＮ’主ニジツタ領域
３８どＮ＋パイ［１ツト・エミッタ領域４０が形成され
る。 次に四部６２または６２′が一般に］ツチングと考えら
れるような適当な方法によって形成される。例えば化学
」ツチング、プラズマ・エツチング、−ｒオン・じ−１
，・］、ツチング等の種々の工程を使うことが（２Ｓる
が、これらに限定されるものではイｆい。 次に電界抑制ＶｉＪ６４または６４′がぞれぞれ四部６
２または６２′の内向に形成される。１つの適当な方法
はイオン打込みＣある。周知の如くイオン打込みは基板
の特性を変える目的で半導体］。ｌ板の中に強く帯電し
た原子粒子を導入ηるものである。次にウェーハ全体を
加熱づることにより、尋人された不純物を拡散ざＩ！（
最終的な不純物分イｌ＋になるようにづる。イオン打込
みは打込み鍋、深さの）［１フイールおよび面積の一様
牲につぃＣ積置な制御が容易Ｃあるという長所がある。 イオン打込みについ−Ｃは文献に詳細に説明されＣいる
。 たとえばＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｒ　ｔｈｅ　Ｉ　
Ｅ　Ｅ　Ｅ　、　５６８３号、２９５乃至３１９真（１
９６８８１３月）に頂載のジェー・エフ・ギボンズの論
文「半導体へのイオン打込み・・・パート１：レンシ分
イｌ＋の理論ど′実験」並びにＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ
　ｏｌ　ｔｈｅ　ｌ　ｆ＝ヒト、６０巻９　号、　１０
６２ノ’ｒ’ｆ−１０９６真　（１９７２年９月）に所
載のジＩ−・エフ・Ｖボンズの論文［半導体へのイオン
打込み・・・パー１〜２：損傷生成ど焼なまし１を参照
されたい。 電界抑１．ＩＩ層６４または６４′は、代りの方法とし
く、装置の他の部分の」−に酸化物層を設＋）ること＜
ＴどにＪ５り適当なマスクを設け−（ガス諒を用いた拡
散により形成してもよい。 処］１１！の過当＜Ｅ　１１’、’１点Ｃ装置の１白と
底面に金属被頂層が設Ｇ−１られる。鵡通はまず上面と
底面の全体に金屈被舅を段重」た後、−にＩｆｌｌを選
択的に１ツチングして別他１の陰極電＋４ｉ１６、ゲー
ト電極１８、およびパイ［１ツト・Ｊミッタ電極４８を
形成Ｊる。 第１図と第４図の装置は通常のゲートをそなえた増幅グ
ーＩ−形１Ｊイリスタとして説明してきたが、他の手段
たとえば光によってグー１〜をトリガーするＪ、うに出
来ることは明らかであろう。光ノアイバー（回出ｌ〕４
１い）等の手段によって適当な光ヒーｌ＼を宙ＩＩル−
クＡ−バ区域６０に向ｔノるようにりれば、第１図と第
４図の構造は光（可視光に限らない）によってトリガー
されるように変更される。この場合、光電流が逆バイア
スされた接合３４の空間電萄ｆｌｉ域中に発生される電
子−正孔対の形で作られ、イしてこれらの電子−正孔対
は空乏領域５２の中に存在する電界によつＣはばド目１
目的に分離される。充分な光強ｔａがあれば、装置は順
方向導電状態に切り換わる。 １ｉ５］様に本発明の電圧ｌレークＡ−ハ区域６０は増
幅クー］・形ザイリスタに限らず、他の形式のリイリス
今にｂ適用できる。 最後に第６図には、電圧ゾレークＡ−ハト域の降伏電圧
を低くりるための湾曲接合を含む自己イ＾護型装置に電
界抑制届を適用できる方法が示され−Ｃいる。このよう
な形式の装置がト記特ｙ（第４０７９’４０３号に開示
されている。そしく接合の湾曲による効果の詳１１！な
解析が１［トド　４ｒａｎｓ。 Ｅ　Ｉｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ、　Ｅ　Ｄ−２２
巻１０号、９１０１５至９１６貞（’１９７５年１０月
）所載のヴイ・ニー・クー・テンプルおよび］−ム・１
−ス・）ノドラーの論文「高電圧ブレーソＰ　Ｎ接合に
おｔノる１１１１敗湾曲区間連したなだれ降伏の計し）
」に示されＣいる。 便宜上第６図Ｃは、第１図の装置？Ｕ　１０　ａ３　Ｊ
−び第４−１の装置ｉ！７１０　’の装置に相当する競
索は同じ参照番号を用い（表わしており、繰り返して説
明することはしない。第６図の装置１１０が第１図の装
置１０おにσ第４図の装置１０′に比べて全体的に相違
し【いる重要な点は、第６図の装置１１０がフレーフ状
′Ｃ：あって四部がないということである。 １７１６図ＣＩＪ、局限された電圧ブレークオーバ１メ
１我６０には第１ベース（Ｎベース）領１ｉ！！層２８
の一部１１２が含まれている。この部分１１２は第２ヘ
−’Ｊ）、　（ｒ〕ヘース）ｆａｌＩ！ｌ１ｌｉｆ１３
２ヲ通ッテ伸Ｕ、第２のｌ）　Ｎ接合３４の部分１１４
は曲率半径ＲＤをＴｈｖる。添字［Ｄｌは拡散の深さを
表わしでおり、第２ベース（１）ベース）層３２が製造
の際にブレーナ拡散法を使って形成されるからである。 周知の如く、絶縁Ｈの窓を通し′（半導体本体内へ１１
八敗することｔ・二よりＦ）Ｎ接合を形成するとぎ、不
純物は下方と４Ｍ／］向に拡ｓｈする。したがって、こ
の接合は縁がはば円絢状になった平１Ｈな、領域（・構
成され−（いる。はぼ内筒状の縁は半径）＜０で表わ舊
ことができ、この半径１＜ｏは幾何学的にほぼ拡散深さ
に等しい。上記Ｔンノ°ルと７ドラーの論文で詳しく説
明されているように、この円筒形の縁は接合に対し、特
になだれ増１８過程に対しＣ人さく影響Ｊる。＼ 更に１にさ２Ｆ＜１の間隙１１６が、第２ベース（１〕
ベース）層３２のＤいに白い合ったハ１を分１１８と１
２０どの間の延長部１１２によっ°て限定される。図示
し／、：Ｉ費状の装置構造では、間隙１１６は延長Ａｌ
ｌ　１１２の直径に対応している。製品の製造の際に酸
化物マスク等の適当なマスクにより部分１１２が延在す
べきＮベース領域２８の中央部分の表面を覆い、残りの
領域中に気体拡散を用いてＰベース領域３２を形成りる
。 上記米［ｔｉｌ特檜第４０７９４０３号に聞承されてい
るように、順り向ブレークオーバ電ＩＥＶｏ　Ｆをａ＋
＋＋御するために調節できるパラメータが少＜Ｃくとも
２つある。これらのうら第１のパラメータは曲率半径Ｒ
ｏである。順方向Ｉレークオーバ・電圧ＶＢＦは曲率半
径Ｒｏの直接的関数である。したがっｊｌ）ベース層３
２に対゛りる拡散を浅く４ることににつて曲率半径を小
さくりる（湾曲を大きく即ｌう鋭く−する）と、順方向
ブレークオーバ電体・ＶＩＩトが小さくなる。上記米田
特狛第４０７９４０３弓およびランＩルとアドラーの上
ｉｉ論文の両方に小されているようにノ°レーノ接合降
伏電ＩＩ　ＬＬｉｔ規化しｌＪ曲率半半径　ｏの関数と
し−Ｃ正規化しで表わされる。曲率半径Ｒｏの正規化は
、接合湾曲部１１４がその中に突き出しているＮベース
層２８中の理想的な場合の空乏領域の幅（・曲率半径ｌ
＜ｏをＲ１することｒよって行われる。 調節可能な第２のパラメータはＰベース層３２）Ａｌｌ
　分１１　Ｂと１２０を隔てている間隙１１６の距１１
１１１または直径２１１＋′ｒ″ある。ブレークオーバ
電圧に於１〕るＮベース層２８の空乏ｆＩｉ域の幅に比
べて距離°２旧が小ざくなる程、接合湾曲部１１４の影
ｖ３１メ少むくなり、順方内ブレークオーバ電圧ＶＢＦ
が高＜／にる。距１ｋｌｔ　２　Ｒ＋が大きくなるにつ
れて、順り向ブレークオーバ電圧ＶＢ「は接合湾・曲８
１０１４により決定される限界値に向って減少する。 重曹な目的は順り向ｌレークオーバ電「をできる限り＾
く１−ると同時に、最初の順方向電圧ル−クＡ−バが局
限されｊこ電圧ブレークＪ’　−Ｊへ区域６０で必らず
生じるようにしｌこリーイリスタ装置、を提供りること
Ｃある。したがつ°（、製造の際に順方向ブレークオー
バ電圧Ｖ８Ｆを調節ぐきると（八うことか重要である。 パラメータＲＤと２１＜１の制御によつ゛に゛のような
調節を行うことができるが、この調節では理想的な順り
向Ｊ１ノークォーツ＼電圧ＶＢＦの９０％程麿の喰人舶
、方向ブレークオーバ電圧Ｖｅ　Ｆ　Ｌ／か得られない
。このパーヒント値を大きくできれば、装置全体の順方
向ブレークオーバ電圧Ｖ口Ｆ定格を高り４゛ることがで
きる。 以上説明−してきたように、装置１１０はＬ２米１１０
ＩＦ第４０７９４０３号にＩ＋１１示された装置ｉ；ｌ
　４ｉ１ｉ造に対応している。しかし重要な相違点もよ
、本発明による第６図の装置ｆｆ　１１０　′ｃｔ；Ｌ
電界抑Ｌ’ｌ　し！　１２２が延長部１１２°の表向隣
接＠域に含まれ、（（するということである。電界抑１
１ＪＪ層１２２は１）聯電型であるが、第２ベース（１
）ベース〉領域層３２Ｊ、すｂ高ｌｌツ１１こドーピン
グされている。このように電界抑制層１２２　ｔｉ第２
ベース（［）ベース）ｆｉｌｉｌ域層３３２の電気的延
長部を形成している。 以１の実施例について説明しＩこように電界抑制層は４
Ａ詔の１′）９鉢表面にＣ５ける電界をＣ１１に誠ら！
ＩＪ：うに助く。これにＪ、す、ブレークオーバ時に表
面電流による装置の故障の危険性が少なくなり、入面不
動態化の必要がないという■葭な利点が得られる。した
がって、電界抑制層Ｊ１２２の厚さは、第２のＦ’　Ｎ
接合３４が逆パイ）′スされｌｃ順り向阻庄状態にＣ３
ける電界抑制層１２２の中の空乏層の幅Ｊ、り人さくり
る。 第６図の電界抑制層１２２のもう１つの利点は、電圧ブ
レークＡ−−ハＬ！！域に於番ノる順方向ブレークＡ−
ハ電ｆ１ＶＩ１１−をより良く抑制できることである。 特に、順り向ブレークオーバ電圧はＶＢＦは即１４的な
類１ノ向ブレークＡ−バ電圧の９０％よりも高いレベル
よ（人さくなる。 第１図Ｃ３よび第４図の装置１０および１０′とｌｆｆ
１１様に、第６図の装置１ｉ０も光でゲートをトリガー
づることができる。ｌ１ｉ１様に、口の装置４Ｊ、増幅
ゲート形号イリスタである必要は４ｒい。 本発明の特定の実施例を図示し説明してきたか、当業者
が多数の変形や変更をｈえることは明らかで・あろう。 たとえば本発明は相補型の装「１１、即Ｌ）Ｎ型領域を
１）型領域、Ｐ型領域をＮ型領域にした装置にも適用で
きる。しＩこがって特ｉ＋！ｌ請求の範１ｕｌｌは本発
明の趣旨と範囲内に入るＪべての変形と変更を包含づる
ものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例Ｃある増幅ゲート形すイ
リスタの部分断面斜視図（゛（いる。第２図Ｇ、ｌＬ第
１図の装置のなだれ電圧ブレークオーバ［χ域内の空乏
領域を通る線Ｘ　×に沿った距に１に対して電界強度を
ブ［１ツトしたグラフである。第３図は装置のなだれ電
圧ゾレークオーバト域以外のｆｉｌ１分の空乏領域を通
って伸びる第１図の１！ｉｌ　Ｙ、−Ｙ　ｆこ沿っＩＣ
１ｌｌｊ閲１に対しＣ′電界強１ｍをゾ［１ツｌ〜し７
こグラフぐある。第４図は本発明による自己保護型４ノ
イリスクのも１つの実施例の部分断面斜視図である。 第す図は第４図の製画のなだれ電圧プレークオーバト域
内の空乏領域層を通って伸びる第４図の線Ｘ　−Ｘ　Ｉ
Ｃ沿・）た距離に対して電界強度をプ［１ツトし）こグ
ラフである。第６図は本発明によるブレープ構造の自己
保護型サイリスタの部分断面斜視図である。 （土な鈴号の説明） １０．１０’　、１１０・・・サイリスタ；１８・・・
グーｉ−電極；　２６・・・陽極領域；２Ｂ・・・第１
ベース（Ｐベース）領域層：３０・・・第１のｌ）Ｎ接
合； ３２・・・第２ベース（Ｎベース）領域層；３４・・・
第２のｌ）Ｎ接合； ご３６・・・第２ベース領１ｉ１ｉ！層の境界；３８・
・・隘４ｉ領１ｉＪ　：　４０・・・パイ【」ット・］
ミッタ；４２・・・第３のＰ　Ｎ接合：４６・・・第４
のｌ〕Ｎ接合；６２．６２’　・・・凹部； 、６４．６４′、′１２２・・・電界抑制層；１１６・
・・間隙。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　電１〜！ｌレークＡ−バ故陣に対りる自己保Ｌ
   　’Ｉ＝Ｍ　１ｉｔｉをそなえノ、廻ノイリスタ半導体
   スイッチング装圓にｌρい（、 一聯電型の第１＋端子領域、 １記第１４□端子領域の１−にあって上記第１１（端子
   （ｉ′１域と第１のｌ）Ｎ接合を形成する反対導電型の
   第１ベース領域層、 上記第１ベース領Ｉｊｌｉ層の上にあっτ−Ｌｉｉ［ｌ
   ！第１ベース領域に！゛１ど第２のＰＮ接合を形成し、
   １−記第２のＩ）Ｎ接合と１」艮刈側に境界を有する上
   記−等電型の第２ベース領域層、 １−ｉ記第２ベース領域とりの一部の上にあつＣ上記第
   ２ベース領域の境界の−Ｎ１の所で上記第２ベース領域
   層と第３のｌ）Ｎ接合を形成し、この第３のＰＮ接合に
   より上記装買内の主導電区域の位置を人体限定するよう
   な上記反対導電型の第２主端子領域、ならびに 上記主導電区域とは別の土Ｆｉｌ！装置の−６１１にあ
   る局限されたなだれ電圧ブレークＡ−バト域であって、
   当該なだれ電圧ブ１ノークＡ−ハ区域内の１．配給２Ｐ
   Ｎ接合の降伏電圧を下げるのに充分な深さよ（・上記第
   ２ベース領、域の境界から上記装置中に伸びＣいる四部
   を含み、Ｌ記凹部の表面隣接領域には−１−、配給２ベ
   ース領域血より高濃庶にドーピングされＣ１：２第２ベ
   ース領域層の電気的延１ｇ部を形成する上記−導電型の
   電界抑ｉ１＋ｌｌ　）、８’ｉが含まれ、電界抑１１す
   層の厚さは上記第２１〕Ｎ接合が逆バイアスされた装置
   頗ｔｉ　Ｍ　１１１＋ｌ：状態にお（）る上記電界抑８
   １１１層の中の空乏層の幅より大きくしである局限され
   たなだれ電圧ブレーへオー八区域を含むことを特徴どづ
   る１ノイリスタ半尋体スイッチング装置。 （２）　’１４４　ｉ＋Ｑ　請求の範囲第＜　１　）　
   ’ｌ’Ｊ　ｉｌｄ載のリイリスク半導体スイッチング装
   置に於いて、十ｉ１四部が１−２第２ベース領域の境界
   から上記第２べ−ス領１１ｉ層の一部の中まで伸びＣい
   るサイリスク半導体スイッチング装置。 （３）４４許晶求の範囲第（１）項記載の゛サイリスク
   半導体スイッチング装置に於いて、上記四部が上記第２
   ベース領域の境界から上記第２ベース領域層を完全に通
   り抜けて伸びているザイリスタ半淘体スイＣン゛Ｉング
   装置。 （４）　特＋ｉ’Ｆｉｉ＾求の範囲第（１）項記載のサ
   イリスク半導体スイッチング装置に於いて、−Ｌ配電界
   抑制層がイ゛オン打込み領域で構成されているり′イリ
   スタ半称体スイッチング装置。 （５）　特許請求の範囲第（２）項記載のサイリスク半
   導体スイッチング装置に於いて、上記電界抑制層がイオ
   ン打込み領域で構成されているサイリスタ半導体スイッ
   チングＭＩ＆。 （６）　４＃　ｒｌ請求の範囲第（３）項記載の一ナイ
   リスタ半導体スイッチング装置に於いて、上記電界抑１
   １１１層にイオン打込み領域で構成されでいるサイリス
   タ半・・導体スイッチング装置。 （７）　特許請求の範囲第（１）項記載のサイリスク半
   導体スイッチング装置に於いて、上記主゛導電区域とは
   別の位゛醸に配置されたゲート区域が含まれて９おり、
   上記なだれ電圧ブレークＡ−バ区□域が−に記ゲート区
   域の内側配回されているサイリスタ半導体スイッチング
   Ｈｆｆｉ。 （８）　特許請求の範囲第（７）ｌｓ’ｊ記載のりイリ
   スタ半導体スイッチング装置に於いで、上ｇｄゲート区
   域が光ｅ作動されＣ」−記装置を棚通状ｆｉｌにトリガ
   ーできるサイリスク半導体スイッチング装置〇 （９）　特許請求の範囲第〈７・）項記載の号イリスタ
   半唖体スイッヂング装置に於い−Ｃ１上記ゲート区域は
   上記Ｙ１２ベース領域層と電気的に接触したほぼリング
   状のゲート電極を有し、上記なだれ電圧ブレークオーバ
   区域の、［記凹部が上記グーｌ−電極のはばリング状の
   構造の内側に位置しているサイリスク半導体スイッチン
   グ装置。 （１０）　特許請求の範囲第（７）項記載のり一イリス
   タ半導体スイッチングＫＩｉ、７に於いて、上記反対導
   電型のほぼリング状のパイロット・Ｉ−ミッタが、上記
   ゲート区域を取り囲み、かつ上記第２ベース領域の境界
   で第４のＰＮ接合を形成しており、′十記パイロット・
   エミッタのリング状構造のｆぐ外側にある一１記ｗ１２
   ベース領域層の一部と上記パイロット・］、ミッタとが
   オーム接触されているサイリスク半導体スイッチング装
   置。 （１１’）　特許請求の範囲第（８）項記載のナイリス
   タ半尋体スイッチング装随に於いて、ｌ−記反対尋電型
   のはばリング状のパイ［１ツト・１ミツタが、１′記グ
   一１〜区域を取り囲み、かつ上記第２ベースη１域の境
   界ｅ第４のＩ３　Ｎ接合を形成Ｌ／　ｉ（おり、ｌ紀パ
   イ［」ット・エミッタのリング状構造のＪぐ夕１側１こ
   あるＬｆｉ［！第２ベース領域層の一部と上詰バイ１１
   ツト・ｌミッタとがＡ−ム接−されて（・るηイリスタ
   半呑体スイッチング装置。 （１２）　特ム′１請求の範囲第（９）項記載のサイリ
   スタ半導体スイッチング装置に於いて、上記に対導電型
   のほぼリング状のパイロット・＝［ミツ、夕が、１−記
   ゲー１〜区域の上記ゲート電極を取り囲み、かつ［間第
   ２ベース領域の境界で第４のＰＮ接合を形成しており、
   上記パイ０ツ１−・エミッタのリング状構造のすぐ外側
   にある」−配糖２ベース領域層の一部と−Ｆ記バイＯツ
   １〜・二Ｌミッタとがオーム接触されているサイリスク
   半導体スイッチング装置。 （１３）　電几ブレークＡ−バ故障に対重る自己像ｍｖ
   ａ能をそなえた増幅ゲート形すイリスタ半尋体スイッチ
   ング装置に於い°Ｃ１ −聯電型の第１の主端子領域、 上記第１主端子領域の上にあって上記第１主端子領域と
   第１のｌ）Ｎ接合を形成りる陵対導電型の第１ベース領
   域層、 −Ｆ記第１ベース領域層の一部にあって上＾ｄ第１ベー
   ス領域層と第２のＰＮ接合を形成し、そして−Ｆ記第２
   のＰＮ接合とは反対側に境界を有する上記−導電型の第
   ２ベース領域層、 」−配糖２ベース領域層の−８１５の」：にあり、第２
   ベース領域の境界の一部の所で上記第２ベース領域層と
   第３のＰＮ接合を形成し、この第３のＰＮ接合より上記
   装置の主導電区域の位置を大体限定するようなト記反対
   導電型の第２主端子領域、１−記］己萼電区域とは別の
   位置にあるゲート区域、１−記ゲー１用名域を取り囲み
   、かつ−上記第２ペース領域の境界Ｃ第４のＰ　Ｎ接合
   を形成する上記反対へ電型のはぽリング状のパイロット
   令丁−ミツタ（・あって、当該バイ上１ツト・■ミッタ
   のリング状構造のりぐ外側１こある第２ベース領域層の
   一部と当該パイ【］ット・丁ミッタとがオーム接触され
   ている゛バイ１１ツト・１ミツタ、ならびに上記グー１
   〜区域の内側にある局限されたなだれ電圧ブレークオー
   バ区１或であっｌ、当該なだれ電圧ブレークオーバ１区
   域内の上記第２１〕Ｎ接合の降伏電１ｆを下げるの（ご
   充分な深さまで上記第２ベース領域の境界から１−記装
   置内に伸びている四部を含み、１−配回８１１０表面隣
   接領域には上記第２ベース領域層より高濃度にドーピン
   グされて上記第２７＼−ス領域層の電気的延長部を形成
   する上記−尋市」１（の電界抑制病が含まれ（おり、上
   記電界抑制層の１りＩさは、ｌ’、　ｉｉｊ第２１）Ｎ
   接合が逆バイアスされた装置の順方向阻＋１状態におけ
   る上記電界抑制層の中の空乏層の幅より大きくである局
   限されたなだれ電圧ブレークオーバ区域、を含むことを
   特徴とりる増幅ゲート形り“イリスタ半棚体スイップン
   グ装圓。 （１４）　特許請求の範囲第（１３）項記載のサイリス
   タ半導体スイッチング装置に於いて、上記四部が上記第
   ２ベース領域境界から上記第２ベース領域層の一部の中
   まで伸びているリーイリスタ半専体スイッチング装置。 （１５）　特許請求の範囲第（１３）項記載のりイリス
   タ半導体スイッチンハ％　Ｖｉ　＋こ於いＣ１１−配回
   部が上記第２ベース領域境界から上記第２ペース領域層
   を完全に通り抜けて伸（Ｊｒいるサイリスタ半導体スイ
   ッチング装置。 （１６）　特許請求の範囲第（１３）　１１“１記載の
   サイリスタ半導体スイッチング装置に於いて、上記電界
   抑１１１．１１Ｍがイオン打込みＩｉ＃域で構成されて
   いるサイリスタ半導体スイッチング装置。 （１７）　特許請求の崎囲第（ｌｉｌ口記載のサイリス
   タ半導体スイッチング装置に於いて、上記電界抑制層が
   イオン打込み領域で構成されてい′るリイリスタ半へ体
   スイッチング装置。 （１８）　特許請求の範１１１１第（１５）項記載のり
   イリスタ半杓体スイッチング装置に於いＣ１上記電界抑
   制層がイオン打込み領域で構成されているり、イリスタ
   半へ体スイッチング装置。 （１９）　待♂ト請求の＆！囲第＜　１３　）　Ｉｆ！
   記載の１Ｊイリスタ半ｉＱ体スイッチング装凶に於いて
   、上記ゲー１−１８域を光ぐ作動して上記装置を導通状
   態に１〜リガー（・きるサイリスタ半導体スイッチング
   装置。 （２０）　特ＩＦ　請求の範囲第（１３）項記載のりイ
   リスタ半導体スイッチングＨｆｆｉに於いて、上８Ｌケ
   グ−〜区域が１−間第２ベース領域層と電気的に接触し
   ！ζはぼリング状のゲート電極を有し、上記４ｒだれ電
   メ１−ブｌノークＡ−バ区域の上記凹部が十記ゲート電
   極の（よはリング状構造の内側に位置しているサイリス
   タ２１′呑体スイッチング装置。 （２″り　電１１−ル−クオーバ故陣に対する自己保諷
   槻１ｉ１８を・ぞ４にえた１ナイリスタ半導体スイッヂ
   ング装置に於いて、 一聯電型の第１の主端子領域、 ４ト記第１主端子鯉域の上にあって十間第１＋端子領域
   と第１のＰ　Ｎ接合を形成Ｊる反対等電４−°！の第１
   ベース領域層１ 、ｌ：２第１ベース領域層の上にあっ−（上記第１ベー
   スｆｔ１域層と第２のＰＮ接合を形成し、上記第２のＰ
   Ｎ接合とは反対側−に境界を４ｊ　”Ｊる上記−導電型
   の第２ベース領域層、 −に間第２ベース領域層の一部の十にあり、第２ベース
   領域の境界の一部の所ぐ一ト記第２ベース領域層と第３
   の１１　Ｎ接合を形成し、この第３の１）Ｎ接合により
   上記装置の主導電区域の位置を人体限定Ｊるような上記
   反対シ９電型の第２主端イ領域、ならびに 上記主導電１ｇ域とは別の−り記装置の一部にある局限
   されたなだれ電圧ブレークオーバ区域であ−）で、当該
   なだれ電圧ブレークＡ−バ］メ域内のに間第１ベース領
   域層の一部が−１−間第２ベース領域口を通って延長部
   を形成していて、このために記第２１〕Ｎ接合の一部が
   曲率半径を持ち、上記第２ベース領域釉の相乃に対向す
   る部分の間に上記延長部によって間隙が限定され、上記
   延長部の表面隣接領域には上記第２ベース領域層より高
   澗庶にドーピングされ（上記＆１２ベース領域層の電気
   的延長部を形成Ｊる。［記−導電型の電界抑−１１）Ｊ
   が含ま１′１ており、上記電界抑１Ｉｌ１層の厚さは、
   ［記第２１〕Ｎ接合が逆バイアスされた装置の順方向阻
   止状態における上記電界抑制層内の空乏腑の幅より大き
   くされている局限されたなだれ電圧ブレークオーバ区域
   、を含むことを特徴とづるナイリスタ半導体スイッチン
   グ装置。 （２２、特許請求の範１１１１第（２１）項記載のり−
   ｆリスタ半尋体スイッチング装置に於いて、」：紀電界
   抑制層がイオン打込み領域で構成されているサイリスク
   半導体スイッチング装置。 （２３）　特ム′Ｉ請求の範１１１１第（２１）項記載
   のりイリスタ半聯体スイッチング′装置に於いて、上記
   主導電区域と（，１別の位置にあるグー：・区域を有し
   、１−記なだれ°重圧ブレークオーバ区域が上記ゲート
   区域の内側に配随されているサイリスタ半梅体スイッチ
   ング装凶。 （２４）　特許請求の範囲第（２３）項記載のサイリス
   タ半導体スイップング装置に於いＣ１］−Ｗｄゲグー＋
   ８Ｖ１．が光ｅ作動され°〔上記装置を９通状態にトリ
   ガーできるサイリスタ半導体スイッチング装置。 （２５）　特許請求の範囲第（２３）項記載のサイリス
   タ半導体スイッチング装置に於いて１．に配グート区域
   は上記第２ベース領ｌｌ１ｌｉ層と電気的に接触したほ
   ぼリング状のグー１〜電極を有し１．ト記なだれ電圧ブ
   レー゛クオーバ区域が上記ゲート電極のほぼリング状ｍ
   造の内側に位置している。リイリスタ半導体スイッチン
   グ装ｄ０ （２６）　特許請求の範Ｉ＃ｌｌ第（２３）項記載のり
   イリスタ半導体スイッチング装ｄに於い（１，ｌ記反対
   導電型のほぼリング状のパイ【、１ツト・」−ミッタが
   、上記ゲート１８域を取り囲み、がっ、１−間第２ベー
   ス領域の境界で第１のＰＮ接合を形成しており、上記パ
   イ０ツト・°［ミッタのリング状ｍ＆の゛りぐ外側にあ
   る。１−間第２ベース領域−の一部と上記パイＩＮツト
   ・エミッタとがオーム接触されている１１イリスタ半尋
   体スイッチング！１ｉｆｆｌ。 （２７）　特ｉｆＦｉｍ求＋７）範囲第（２４）　項Ｈ
   ａ載＋７）リイリスタ半埒体スイッチングＩＩに於いて
   １．Ｌ記反対尋電ハ１！のほぼリング状のパイロット・
   １ミツタが１゛記ゲ一ト区域を取り囲み、かつ上記第２
   ベース領域の境界で第４のＰＮ接合を形成しており１．
   １記゛バイ［１ツト・１ミツタのリング状構造のすぐ外
   側４にある上記第２ベース領域層の一部とＦ記バイ０ツ
   ト・−１ミツタとがオーム接触されているり°イリスタ
   半導体スイッチング装置。 （２Ｂ）　１島ｉ’ｌ晶求の範囲第（２５）項記載のり
   イリスタ半榔体スイッチング装置に於いて、上Ｂ【’ｒ
   反対淘電型のほぼリング状のパイ［１ツト・エミッタが
   、」−記グー（・区域の上記グーＩ−電極を取り囲み、
   かつ上記第２ベース領域の境界で第４のＰＮ接合を形成
   しており１、上記パイロット・エミッタのリング状４１
   ４造のりぐ外側にある上記第２ベースｆｔ’４１ａ　Ｗ
   Ｊの一部と上記バイロット・エミッタとがオーム接触さ
   れている量ナイリスタ半様体スイッチング装置。