JPS5935182B2 - 半導体装置の電極構造 - Google Patents
半導体装置の電極構造Info
- Publication number
- JPS5935182B2 JPS5935182B2 JP11478375A JP11478375A JPS5935182B2 JP S5935182 B2 JPS5935182 B2 JP S5935182B2 JP 11478375 A JP11478375 A JP 11478375A JP 11478375 A JP11478375 A JP 11478375A JP S5935182 B2 JPS5935182 B2 JP S5935182B2
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- JP
- Japan
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- electrode
- pure
- layer
- electrode structure
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の目的は、浅いＰＮ接合に対して信頼性があると
同時に、ショットキー接合特性をも劣化させない電極構
造を得、集積回路の製造工程を簡略化することにある。
同時に、ショットキー接合特性をも劣化させない電極構
造を得、集積回路の製造工程を簡略化することにある。
この目的を達成するために、本発明では、薄い純Ａｌ層
（５００λ〜３０００λ）の上に、Ａｌ−Ｓｉ合金層を
重ねた構造の電極を用いる。この構造の電極を用いるこ
とにより、浅い接合領域では純Ａｌ電極のみの場合に比
べて信頼性が向上すると同時に、ショットキー接合領域
では純Ａｌと比べてほとんど差が無い。低い順方向電圧
降下値が得られることが確かめられた。以下実施例を用
いて本発明を詳しく説明する。第１図は本発明の電極構
造を、バイポーラトランジスタおよびショットキーダイ
オードを含む集積回路に適用した一断面を示している。
素子間の側面の分離をＳｉＯ２膜で行つた構造であり、
１はＰ型シリコン基板、２はＮ＋埋込み層、３は５１０
２、４、４’はＮ型エピタキシャル成長層（Ｏ、３Ω・
ｃ！ｎ）、５はバイポーラトランジスタのベース拡散層
、６はエミッタ拡散層で深さは０．４μｍである。Ｔは
Ｎ＋拡散層で、Ｎ＋埋込み層からの電極取出しのための
ものである。８は純ＡｌＩＯＯＯＡ、９はＡｉ−Ｓｉ合
金層（Ｓｉの含有量は重量％で３％）である。
（５００λ〜３０００λ）の上に、Ａｌ−Ｓｉ合金層を
重ねた構造の電極を用いる。この構造の電極を用いるこ
とにより、浅い接合領域では純Ａｌ電極のみの場合に比
べて信頼性が向上すると同時に、ショットキー接合領域
では純Ａｌと比べてほとんど差が無い。低い順方向電圧
降下値が得られることが確かめられた。以下実施例を用
いて本発明を詳しく説明する。第１図は本発明の電極構
造を、バイポーラトランジスタおよびショットキーダイ
オードを含む集積回路に適用した一断面を示している。
素子間の側面の分離をＳｉＯ２膜で行つた構造であり、
１はＰ型シリコン基板、２はＮ＋埋込み層、３は５１０
２、４、４’はＮ型エピタキシャル成長層（Ｏ、３Ω・
ｃ！ｎ）、５はバイポーラトランジスタのベース拡散層
、６はエミッタ拡散層で深さは０．４μｍである。Ｔは
Ｎ＋拡散層で、Ｎ＋埋込み層からの電極取出しのための
ものである。８は純ＡｌＩＯＯＯＡ、９はＡｉ−Ｓｉ合
金層（Ｓｉの含有量は重量％で３％）である。
この電極形成工程は、純Ａｌ）続いてＡｌ−Ｓｉ合金を
同一蒸着装置内で連続して全面に蒸着し、通常のホトエ
ッチング工程を用いて電極を形成すればよい。エミッタ
６およびショットキー接合が形成される領域４’の表面
はもちろん、他のコンタクト領域にも、上述した２層の
電極が形成される。
同一蒸着装置内で連続して全面に蒸着し、通常のホトエ
ッチング工程を用いて電極を形成すればよい。エミッタ
６およびショットキー接合が形成される領域４’の表面
はもちろん、他のコンタクト領域にも、上述した２層の
電極が形成される。
上記実施例の電極について、まず、エミッタ・ベース接
合の信頼性について調べた結果、５１０℃３０分の熱処
理による信頼度テストで不良の発生は全く見られなかつ
た。なお、純Ａｌのみを用いて厚さを変化させた場合、
および、本発明の２層構造で、一層目の純Ａｌの厚さを
変化させた場合（電極全体の厚さは１．０μｍ）のエミ
ッタ・ベース接合の信頼性のテスト結果を第２図、第３
図に示す。第２図かられかるように純Ａｌのみでは、例
え、１０００λの厚さでも、４００℃、３０分の熱処理
で接合が破壊されるが、この土にＡｌ−Ｓｉ層を重ねる
ことにより、第３図に見られるように、さらに高い温度
の熱処理を行なつても接合が破壊されないことがわかる
。なお、信頼度を確保できる一層目の純Ａｌの厚さは、
第３図かられかるように、３０００Å以下と考えられる
。一方、本実施例の電極を用いたシヨツトキ一接合特性
と、Ａｌ−Ｓｌ合金電極（Ｓｉ，３Ｏｌ））のみを用い
た場合の特性との比較を行なつた結果を第４図に示す。
本発明の構造の電極を用いた場合、Ａｊ−Ｓｌ合金電極
に比べて順方向電圧降下の大さで約０．２５Ｖ改善され
ているのがわかる。なお、本発明の一層目の純Ａｌの厚
さを、５００λ以上にすれば、本実施例と同程度の改善
が得られ、この特性は、純Ａ！のみを用いた場合のシヨ
ツトキ一接合特性とほとんど差は見られなかつた。以上
、実施例を用いて述べてきたように、本発明の２層構造
の電極を用いることにより、簡単な工程で浅い接合に対
する信頼性およびシヨツトキー接合特性の両方を同時に
満足し得ることがわかる。なお、両方を同時に満足する
一層目純Ａｌの厚さとしては５００人〜３０００λの間
にあることも確かめられた。なお、本発明の電極構造は
、以上に述べてきた効果の他に、他のコンタクト部分に
おいても、Ａｌ−Ｓｉ合金電極のみの場合に比べて、接
触抵抗を少なくする効果を持つと同時に、純Ａｌ電極の
みの場合に比べて、熱処理に対して安定である。
合の信頼性について調べた結果、５１０℃３０分の熱処
理による信頼度テストで不良の発生は全く見られなかつ
た。なお、純Ａｌのみを用いて厚さを変化させた場合、
および、本発明の２層構造で、一層目の純Ａｌの厚さを
変化させた場合（電極全体の厚さは１．０μｍ）のエミ
ッタ・ベース接合の信頼性のテスト結果を第２図、第３
図に示す。第２図かられかるように純Ａｌのみでは、例
え、１０００λの厚さでも、４００℃、３０分の熱処理
で接合が破壊されるが、この土にＡｌ−Ｓｉ層を重ねる
ことにより、第３図に見られるように、さらに高い温度
の熱処理を行なつても接合が破壊されないことがわかる
。なお、信頼度を確保できる一層目の純Ａｌの厚さは、
第３図かられかるように、３０００Å以下と考えられる
。一方、本実施例の電極を用いたシヨツトキ一接合特性
と、Ａｌ−Ｓｌ合金電極（Ｓｉ，３Ｏｌ））のみを用い
た場合の特性との比較を行なつた結果を第４図に示す。
本発明の構造の電極を用いた場合、Ａｊ−Ｓｌ合金電極
に比べて順方向電圧降下の大さで約０．２５Ｖ改善され
ているのがわかる。なお、本発明の一層目の純Ａｌの厚
さを、５００λ以上にすれば、本実施例と同程度の改善
が得られ、この特性は、純Ａ！のみを用いた場合のシヨ
ツトキ一接合特性とほとんど差は見られなかつた。以上
、実施例を用いて述べてきたように、本発明の２層構造
の電極を用いることにより、簡単な工程で浅い接合に対
する信頼性およびシヨツトキー接合特性の両方を同時に
満足し得ることがわかる。なお、両方を同時に満足する
一層目純Ａｌの厚さとしては５００人〜３０００λの間
にあることも確かめられた。なお、本発明の電極構造は
、以上に述べてきた効果の他に、他のコンタクト部分に
おいても、Ａｌ−Ｓｉ合金電極のみの場合に比べて、接
触抵抗を少なくする効果を持つと同時に、純Ａｌ電極の
みの場合に比べて、熱処理に対して安定である。
さらに、本電極構造は、一般に、浅い接合を持つ半導体
素子に対して有効であると同時に、シヨツトキ一接合の
ための電極としても、純Ｍのみに比べて熱処理に対して
安定である利点を持つ。
素子に対して有効であると同時に、シヨツトキ一接合の
ための電極としても、純Ｍのみに比べて熱処理に対して
安定である利点を持つ。
第１図は本発明の電極構造をバイポーラトランジスタお
よびシヨツトキ一接合を含む集積回路に適用した一実施
例の断面図、第２図は、純Ａｊのみを用いた電極の信頼
度テスト結果を示す図、第３図は、本発明の２層構造の
電極を用いた場合の信頼度テスト結果を示す図、第４図
は、本発明の電極を用いた場合のシヨツトキ一接合特性
を示す図である。
よびシヨツトキ一接合を含む集積回路に適用した一実施
例の断面図、第２図は、純Ａｊのみを用いた電極の信頼
度テスト結果を示す図、第３図は、本発明の２層構造の
電極を用いた場合の信頼度テスト結果を示す図、第４図
は、本発明の電極を用いた場合のシヨツトキ一接合特性
を示す図である。
Claims (1)
- １ 半導体基板上に被着された膜厚が５００Å〜３，０
００ÅのＡｌ膜と該Ａｌ膜上に積層して被着された上記
Ａｌ膜よりも膜厚の大きいＡｌ−Ｓｉ合金膜からなる半
導体装置の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11478375A JPS5935182B2 (ja) | 1975-09-25 | 1975-09-25 | 半導体装置の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11478375A JPS5935182B2 (ja) | 1975-09-25 | 1975-09-25 | 半導体装置の電極構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5239372A JPS5239372A (en) | 1977-03-26 |
| JPS5935182B2 true JPS5935182B2 (ja) | 1984-08-27 |
Family
ID=14646557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11478375A Expired JPS5935182B2 (ja) | 1975-09-25 | 1975-09-25 | 半導体装置の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935182B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62185695U (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-26 | ||
| JPS62273179A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-27 | カヤバ工業株式会社 | 倒立型フロントフオ−ク |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5985838A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-17 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 耐垂下性および犠牲陽極効果にすぐれた熱交換器フイン材用Ａｌ合金 |
| JP2575365B2 (ja) * | 1986-10-09 | 1997-01-22 | 昭和アルミニウム 株式会社 | オ−トバイ等のリム用アルミニウム合金 |
-
1975
- 1975-09-25 JP JP11478375A patent/JPS5935182B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62185695U (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-26 | ||
| JPS62273179A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-27 | カヤバ工業株式会社 | 倒立型フロントフオ−ク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5239372A (en) | 1977-03-26 |
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