JPS5932136Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5932136Y2 JPS5932136Y2 JP7839777U JP7839777U JPS5932136Y2 JP S5932136 Y2 JPS5932136 Y2 JP S5932136Y2 JP 7839777 U JP7839777 U JP 7839777U JP 7839777 U JP7839777 U JP 7839777U JP S5932136 Y2 JPS5932136 Y2 JP S5932136Y2
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- JP
- Japan
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- semiconductor
- recess
- semiconductor substrate
- dislocations
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は転位等の欠陥の発生による不良を防止した半導
体装置に関する。
体装置に関する。
半導体装置を多数製造するときに半導体基板の中に転位
や応力歪等の欠陥が発生すると、半導体素子の特性に悪
影響を及ぼすことが知られ、従来から製造過程でこれら
欠陥を発生させないように様々な努力がなされてきた。
や応力歪等の欠陥が発生すると、半導体素子の特性に悪
影響を及ぼすことが知られ、従来から製造過程でこれら
欠陥を発生させないように様々な努力がなされてきた。
上記転位等は拡散や酸化工程における熱処理によって伝
播し、その領域を基板内に拡大してゆく性質を有してい
る。
播し、その領域を基板内に拡大してゆく性質を有してい
る。
第１図Ａのように半導体基板１表面の１個の半導体素子
２に転位３が存在した場合、拡散や酸化等の熱処理を繰
り返すことによって矢印のように伝播が起これば、半導
体素子２のみならず隣り合う半導体素子４も不良となっ
てしまう。
２に転位３が存在した場合、拡散や酸化等の熱処理を繰
り返すことによって矢印のように伝播が起これば、半導
体素子２のみならず隣り合う半導体素子４も不良となっ
てしまう。
また第１図Ｂのように半導体基板１の深部に転位５が存
在する場合もあり、この上きも矢印のように転位が伝播
すれば、半導体素子２，４はともに不良となる。
在する場合もあり、この上きも矢印のように転位が伝播
すれば、半導体素子２，４はともに不良となる。
従来転位や応力歪等に対処するものとして、特開昭４９
−４９５７６号公報に記載された提案がある。
−４９５７６号公報に記載された提案がある。
上記公報の明細書によれば、その骨子とするところは半
導体基板の周辺部に厚さを薄くなした部分を設け、半導
体基板の周辺にあった傷や歪等からの転位の伝播を防止
しようとするものであった。
導体基板の周辺部に厚さを薄くなした部分を設け、半導
体基板の周辺にあった傷や歪等からの転位の伝播を防止
しようとするものであった。
この提案では、確かに半導体基板の周辺から内に向う転
位の伝播は防止できるが、もともと半導体基板の中、即
ち第１図Ａ、Ｂで示したように半導体素子の領域の中や
、その近傍に転位が存在していた場合、または製造工程
の途中で転位が発生した場合には、転位の伝播を防止す
ることはできずミ上記第１図で説明したように半導体素
子に多くの不良が発生することになる。
位の伝播は防止できるが、もともと半導体基板の中、即
ち第１図Ａ、Ｂで示したように半導体素子の領域の中や
、その近傍に転位が存在していた場合、または製造工程
の途中で転位が発生した場合には、転位の伝播を防止す
ることはできずミ上記第１図で説明したように半導体素
子に多くの不良が発生することになる。
他の従来例として半導体素子の不良の発生を最小限にし
た半導体装置として第２図の方法が提案されている。
た半導体装置として第２図の方法が提案されている。
第２図Ａにおいて、１１は半導体基板で、１２は半導体
素子の能動領域となるべき部分１３．１４の間に設けら
れた凹部である。
素子の能動領域となるべき部分１３．１４の間に設けら
れた凹部である。
工程の順序は、まずこの四部１２をエツチングにより形
威し、その後半導体素子の能動領域１３．１４を形威し
、半導体素子を完成させるのがよい。
威し、その後半導体素子の能動領域１３．１４を形威し
、半導体素子を完成させるのがよい。
ここで前記凹部１２の深さは、能動領域１３．１４の深
さより大となしである。
さより大となしである。
例えば半導体基板中の能動領域１３となる部分に最初か
ら転位１５等があった場合、または、その位置に工程の
途中で転位が発生した場合、以後の熱処理により矢印の
方向に転位が伝播しても隣り合う他の半導体素子の能動
領域１４には達しない。
ら転位１５等があった場合、または、その位置に工程の
途中で転位が発生した場合、以後の熱処理により矢印の
方向に転位が伝播しても隣り合う他の半導体素子の能動
領域１４には達しない。
また第２図Ｂのように半導体基板１１の深部に転位１６
が存在した場合、矢印のように転位の伝播は厚みの薄い
凹部１２に向かって表面に抜けやすく、隣の半導体素子
の能動領域１４には達しにくい。
が存在した場合、矢印のように転位の伝播は厚みの薄い
凹部１２に向かって表面に抜けやすく、隣の半導体素子
の能動領域１４には達しにくい。
さらに製造中に半導体基板１１に曲げ等の応力がかかる
場合が多いが、これら途中からの外部応力歪は引張や圧
縮強度の弱い凹部１２に集中するために各半導体素子へ
の影響を最小限に抑えることがで、きる。
場合が多いが、これら途中からの外部応力歪は引張や圧
縮強度の弱い凹部１２に集中するために各半導体素子へ
の影響を最小限に抑えることがで、きる。
しかしながら、−主面にだけ凹部を多数設けると、熱処
理工程で半導体基板が反り、マスク合せに支障が起る。
理工程で半導体基板が反り、マスク合せに支障が起る。
本考案は転作等の伝播による半導体素子の不良の発生を
最小限にし、かつ熱処理工程で半導体基板の反りの少な
い半導体装置で、第３図にその一実施例を示して説明す
る。
最小限にし、かつ熱処理工程で半導体基板の反りの少な
い半導体装置で、第３図にその一実施例を示して説明す
る。
第３図に示した実施例は、特に直径の大きな半導体基板
を用いるときに有効なものである。
を用いるときに有効なものである。
半導体基板の直径が大きくなると、−主面にだけ凹部を
多数設けると、工程の途中で半導体基板が反ることがあ
り、このような場合にはマスク合わせ等に大きな支障が
起ることが考えられる。
多数設けると、工程の途中で半導体基板が反ることがあ
り、このような場合にはマスク合わせ等に大きな支障が
起ることが考えられる。
本実施例はこの点を考慮したもので、半導体基板２１の
素子形成面に凹部２２をエツチングして設けるとともに
、裏面にも上記凹部２２と対応する位置に凹部２２ ａ
を設け、以後同様に能動領域２３．２４を形成してゆく
ものである。
素子形成面に凹部２２をエツチングして設けるとともに
、裏面にも上記凹部２２と対応する位置に凹部２２ ａ
を設け、以後同様に能動領域２３．２４を形成してゆく
ものである。
いま能動領域２３となるべき部分や、半導体基板２１の
深部に転位２５．２６が存在していた場合、矢印のよう
に伝播してもほとんど凹部２２，２２ Ｈにより阻止さ
れ、隣り合う半導体素子の能動領域２４に達することは
ない。
深部に転位２５．２６が存在していた場合、矢印のよう
に伝播してもほとんど凹部２２，２２ Ｈにより阻止さ
れ、隣り合う半導体素子の能動領域２４に達することは
ない。
実施例では凹部２２と対応する位置に四部２２ ａを全
て設けて説明したが、全てを設ける必要はない。
て設けて説明したが、全てを設ける必要はない。
また上記実施例の凹部２２，２２ ａは、エツチングに
よ６形戒するものであるから、その断面形状も上記に限
られず、第４図Ａ、Ｈのような異方エツチングを利用し
た形状等でもよい。
よ６形戒するものであるから、その断面形状も上記に限
られず、第４図Ａ、Ｈのような異方エツチングを利用し
た形状等でもよい。
ただし、いずれの場合も上記のように他の隣り合う素子
への転位の伝播を防ぐには、能動領域の深さより、凹部
の深さを大とする方が望ましいのはいうまでもない。
への転位の伝播を防ぐには、能動領域の深さより、凹部
の深さを大とする方が望ましいのはいうまでもない。
以上のように本考案は、半導体基板の表面に、半導体素
子となるべき領域を互いに分割する凹部を設け、その凹
部の深さを半導体素子領域の能動領域の深さより大とな
しかつそれに対応して他の主面にも四部を設けることに
より、半導体基板の内部に存在する転位等欠陥の伝播を
最小限に阻止し特性不良の半導体素子の発生を防止し、
かつ熱処理工程で半導体基板の反りを減少せしめるとと
もに、半導体素子の完成後の分割も容易でその時の断面
型による影響を抑えることが可能となり、工業的効果の
大きい半導体装置を提供するものである。
子となるべき領域を互いに分割する凹部を設け、その凹
部の深さを半導体素子領域の能動領域の深さより大とな
しかつそれに対応して他の主面にも四部を設けることに
より、半導体基板の内部に存在する転位等欠陥の伝播を
最小限に阻止し特性不良の半導体素子の発生を防止し、
かつ熱処理工程で半導体基板の反りを減少せしめるとと
もに、半導体素子の完成後の分割も容易でその時の断面
型による影響を抑えることが可能となり、工業的効果の
大きい半導体装置を提供するものである。
第１図Ａ、Ｂ、第２図Ａ、Ｂは従来の半導体装置の断面
図、第３図は本考案の一実施例を示す断面、第４図Ａ、
Ｂは凹部の他の実施例を示す断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・凹部、
１３．１４・・・・・・半導体素子の能動領域、２１・
・・・・・半導体基板、２２，２２ ａ・・・・・・凹
部、２３．２４・・・・・・半導体素子の能動領域。
図、第３図は本考案の一実施例を示す断面、第４図Ａ、
Ｂは凹部の他の実施例を示す断面図である。 １１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・凹部、
１３．１４・・・・・・半導体素子の能動領域、２１・
・・・・・半導体基板、２２，２２ ａ・・・・・・凹
部、２３．２４・・・・・・半導体素子の能動領域。
Claims (1)
- 半導体基板の一主面に設けた複数個の半導体素子領域と
、前記各半導体素子領域間を互いに分離して設けた凹部
とを有し、その凹部の深さを前記半導体素子領域の能動
領域の深さより大となし、前記凹部に対応して前記半導
体基板の他の主面に凹部を設け、対となしたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7839777U JPS5932136Y2 (ja) | 1977-06-14 | 1977-06-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7839777U JPS5932136Y2 (ja) | 1977-06-14 | 1977-06-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS546070U JPS546070U (ja) | 1979-01-16 |
| JPS5932136Y2 true JPS5932136Y2 (ja) | 1984-09-10 |
Family
ID=28995433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7839777U Expired JPS5932136Y2 (ja) | 1977-06-14 | 1977-06-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932136Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59162553U (ja) * | 1983-04-18 | 1984-10-31 | 株式会社フジクラ | 長尺体の繰出装置 |
| DE3729761C1 (de) * | 1987-09-07 | 1989-01-12 | Johannes Luebbering | Abwickelvorrichtung |
-
1977
- 1977-06-14 JP JP7839777U patent/JPS5932136Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS546070U (ja) | 1979-01-16 |
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