JPS5931894A - 複合めつき法 - Google Patents
複合めつき法Info
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- JPS5931894A JPS5931894A JP14133382A JP14133382A JPS5931894A JP S5931894 A JPS5931894 A JP S5931894A JP 14133382 A JP14133382 A JP 14133382A JP 14133382 A JP14133382 A JP 14133382A JP S5931894 A JPS5931894 A JP S5931894A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、めっき金机と不溶性粒子を同時に被めっき
体に′111着さぜる複合めっき法に関するものである
。
体に′111着さぜる複合めっき法に関するものである
。
複合めっき(共析めつき1分散めっき)では、めっき層
中の不溶性粒子がめつき金属(めっき層中のfrJ利の
金V)4)と機械的に結合している場合か冬い1、この
ようj、1′複合めっきにおいて、不溶性粒子の分散は
、金挑めつき母材の強度、耐熱性を向上させるか、もし
くは潤滑性を向上させるために行われるのである。そし
て、不溶性粒子(以F[粒子」と略す)の箪着祉は、め
っき浴の撹拌条件。
中の不溶性粒子がめつき金属(めっき層中のfrJ利の
金V)4)と機械的に結合している場合か冬い1、この
ようj、1′複合めっきにおいて、不溶性粒子の分散は
、金挑めつき母材の強度、耐熱性を向上させるか、もし
くは潤滑性を向上させるために行われるのである。そし
て、不溶性粒子(以F[粒子」と略す)の箪着祉は、め
っき浴の撹拌条件。
pH,粒子の混入量、電流密度、界面活性剤の添加等に
よって制御されているが、いずれの場合も若干の粒子へ
の電荷チャージ(イオンの吸着等)を変化させるか、ま
たは被めっき体への粒子の衝突確率を変化させることに
より行う番こすぎなかった。このような方法で粒子の電
着知を制御することは、めっき浴の組成を変化させるこ
ととなり、ひいてはめつき層の合金組成にも影響をあた
えるよう番こなり好ましくない。また、攪拌条件を制御
しても形状の複雑な被めっき体では、電S、−TjA、
を制御することは困難である。
よって制御されているが、いずれの場合も若干の粒子へ
の電荷チャージ(イオンの吸着等)を変化させるか、ま
たは被めっき体への粒子の衝突確率を変化させることに
より行う番こすぎなかった。このような方法で粒子の電
着知を制御することは、めっき浴の組成を変化させるこ
ととなり、ひいてはめつき層の合金組成にも影響をあた
えるよう番こなり好ましくない。また、攪拌条件を制御
しても形状の複雑な被めっき体では、電S、−TjA、
を制御することは困難である。
この発明者は、このような問題を解消するために研究を
重ねた結果、粒子を無電解めっき等により強磁性体で被
rOシ、これをめっき金四とともに磁界中において被め
っき体に′?it、 *イさせると所期の目的が達成さ
れることを見いだし、この発明を完成[−た〜 すなわち、この発明は、めっき浴中に粒子を懸濁いり、
めっき金I鴫と粒子を同時に被めっき体に′i41□x
1さげる複合めっき法であって、粒子として強磁性体で
被接されたものを用い、この強磁性体被覆粒子とめつき
金属とを磁Yv中で71S、着させることをその特徴と
するものである。
重ねた結果、粒子を無電解めっき等により強磁性体で被
rOシ、これをめっき金四とともに磁界中において被め
っき体に′?it、 *イさせると所期の目的が達成さ
れることを見いだし、この発明を完成[−た〜 すなわち、この発明は、めっき浴中に粒子を懸濁いり、
めっき金I鴫と粒子を同時に被めっき体に′i41□x
1さげる複合めっき法であって、粒子として強磁性体で
被接されたものを用い、この強磁性体被覆粒子とめつき
金属とを磁Yv中で71S、着させることをその特徴と
するものである。
つきに、この発明の詳細な説明咽る1、この開明は、第
1図に示すように、 WC、Al2O3等の粒子1の表
面をNi 、 Cn 、 Fe 等の強磁性体皮膜2
で被覆l−て強(厩性体7?9値粒子3化する。、被覆
の方iII〈としては、蒸治、スパッタリング、イ8ン
フレーデインク、無電解めっき法等が用いられる。つき
に、この強磁f1一体被↑゛匂訃ノイ、3を、第2N1
に7Jeずよう(こ、め−)き槽4のめ)き液5中に分
散させヅ9曲“重層めっきを行う2.管421火口こす
、・いて、6は陽極、70被d)つき体からなる陰(な
、8は電磁石、9 it y、 、p −ラテ、p、
7. 、、r )旭’Lit、 f+’fめつきの際、
陽4参6からめつき金ケ域が陰極7の被M)つき体に電
着し、同時に強磁性体被覆粒子3も′i+’、磁石8の
磁力の作用(正確には七i杷めっき金←iの?1′r同
力も作用する)により矢印のよう番こ移動し陰極7の被
めっき体に電着する。
1図に示すように、 WC、Al2O3等の粒子1の表
面をNi 、 Cn 、 Fe 等の強磁性体皮膜2
で被覆l−て強(厩性体7?9値粒子3化する。、被覆
の方iII〈としては、蒸治、スパッタリング、イ8ン
フレーデインク、無電解めっき法等が用いられる。つき
に、この強磁f1一体被↑゛匂訃ノイ、3を、第2N1
に7Jeずよう(こ、め−)き槽4のめ)き液5中に分
散させヅ9曲“重層めっきを行う2.管421火口こす
、・いて、6は陽極、70被d)つき体からなる陰(な
、8は電磁石、9 it y、 、p −ラテ、p、
7. 、、r )旭’Lit、 f+’fめつきの際、
陽4参6からめつき金ケ域が陰極7の被M)つき体に電
着し、同時に強磁性体被覆粒子3も′i+’、磁石8の
磁力の作用(正確には七i杷めっき金←iの?1′r同
力も作用する)により矢印のよう番こ移動し陰極7の被
めっき体に電着する。
この場合、強磁性体被覆粒子:うは、主としてML電磁
石による磁力を受りて移動し’fti、 j& するた
め、磁力の強さを制御することにより、強磁性体被覆粒
子3の電着銅を容易に調節しうる。また、磁力の作用は
全体に均一なため、強磁性体被覆粒子3が均一に%LM
するようになる。さらに、9ijii性体被覆粒子3に
は、電磁石8による磁力が、めっき金嫡の帯同力の上に
加えられるため、粒子3の移動敞が増加し、電眉晴が増
加するようになる。そして、強磁性体被覆粒子3の電着
によりめっき層が強磁性層になる。なお、第3図に示す
ように、雷、流値を変化させることによりnt電着粒子
濃度勾配をつけることもできる。すなわち、霜、磁石の
η1、流値Aに第3図(〜のような滑らかな勾配をもた
せることにより、F地10上のめっき層11内において
電着粒子がめつき層1■の表面11aから内部に向かっ
て粗な状態に分布するようになり、また第31ゾ1(I
I)のよ゛)f、K 2段1.(、の勾配をもたゼるこ
とIこより、’fit’、 、−凸粒子−がd)つき層
11内に十、・いて2層状に分布VるようIこlAる。
石による磁力を受りて移動し’fti、 j& するた
め、磁力の強さを制御することにより、強磁性体被覆粒
子3の電着銅を容易に調節しうる。また、磁力の作用は
全体に均一なため、強磁性体被覆粒子3が均一に%LM
するようになる。さらに、9ijii性体被覆粒子3に
は、電磁石8による磁力が、めっき金嫡の帯同力の上に
加えられるため、粒子3の移動敞が増加し、電眉晴が増
加するようになる。そして、強磁性体被覆粒子3の電着
によりめっき層が強磁性層になる。なお、第3図に示す
ように、雷、流値を変化させることによりnt電着粒子
濃度勾配をつけることもできる。すなわち、霜、磁石の
η1、流値Aに第3図(〜のような滑らかな勾配をもた
せることにより、F地10上のめっき層11内において
電着粒子がめつき層1■の表面11aから内部に向かっ
て粗な状態に分布するようになり、また第31ゾ1(I
I)のよ゛)f、K 2段1.(、の勾配をもたゼるこ
とIこより、’fit’、 、−凸粒子−がd)つき層
11内に十、・いて2層状に分布VるようIこlAる。
。
なお、ヒ記’If瞭418に代えて、永久磁石を用いる
ようにしてもよい1、また、第4図に示すように、めっ
き槽4を磁嚇iJ柑r/12内に配Ji!W“し、磁場
装置It12から、値上が1点鎖線で示すように、めっ
き(ゝ;’+4の1(,1銘7(こシ1)中するように
しτもj二い。こ0)よう客こして磁界を設けることに
より、強磁性体被覆粒子3が破線のように移動1−陰極
7の被めっき体に電着するようになる。。
ようにしてもよい1、また、第4図に示すように、めっ
き槽4を磁嚇iJ柑r/12内に配Ji!W“し、磁場
装置It12から、値上が1点鎖線で示すように、めっ
き(ゝ;’+4の1(,1銘7(こシ1)中するように
しτもj二い。こ0)よう客こして磁界を設けることに
より、強磁性体被覆粒子3が破線のように移動1−陰極
7の被めっき体に電着するようになる。。
この4+明は、以上のよう1こしてれU、合めっきを行
うため、f\ン子のTICM 、)t4の制ニ11が容
易になり、複りffな形状の被めっき体に対しても簡単
に14; B 量の制御をしうるようになる。また、粒
子の霜治も均一にl、「シうるようになり、電着敏も増
加さすることができるようになる。
うため、f\ン子のTICM 、)t4の制ニ11が容
易になり、複りffな形状の被めっき体に対しても簡単
に14; B 量の制御をしうるようになる。また、粒
子の霜治も均一にl、「シうるようになり、電着敏も増
加さすることができるようになる。
つぎに、実施M iこついて説明1ろ、。
〔′−屯憾//f’i (り11 〕
cl−Al 203(下−均J::i 1.’U (1
,3tt ) 3.75’(12,5!i’/ /
相当)を下記の組成の無電解ニッケルめっき液30
0m中に添加し、充分攪拌しながら90 ”Cに加熱し
た。
,3tt ) 3.75’(12,5!i’/ /
相当)を下記の組成の無電解ニッケルめっき液30
0m中に添加し、充分攪拌しながら90 ”Cに加熱し
た。
(無電解ニッケルめっき液組成)
塩化ニッケル 30 Y/1
次叱リン酸ナトリウム 10 Viクエン酸ナトリ
ウム 10 Vl(pH4〜6) この状態で10分間放置したのち、生成Ni被被子アル
ミナ粒子5Cのr紙を用いて分離し、ついで水洗した。
ウム 10 Vl(pH4〜6) この状態で10分間放置したのち、生成Ni被被子アル
ミナ粒子5Cのr紙を用いて分離し、ついで水洗した。
このNi被被子アルミナ粒子、第5図に示すように、め
つき槽13中のめっき液14中に混入し、攪拌した。1
5はNi被覆アルミナ粒子、16はNi陽極板、17は
FeF地3地厚μ厚Cuきプレートが取付けられた陰極
、18は電磁石、19はその保護カバーである。このと
きのNiめっき液14としては、ワット液(硫酸ニッケ
ル、塩化ニッケル。
つき槽13中のめっき液14中に混入し、攪拌した。1
5はNi被覆アルミナ粒子、16はNi陽極板、17は
FeF地3地厚μ厚Cuきプレートが取付けられた陰極
、18は電磁石、19はその保護カバーである。このと
きのNiめっき液14としては、ワット液(硫酸ニッケ
ル、塩化ニッケル。
はう酸液)を用いた。つぎに、電磁石18に電流を流し
500〜6000e の磁界(磁石の中心線での11i
i )を設υ〕た41.= !;、’Fにおいて、温I
切40 ℃+ sl流密rol 4 A/’(’が゛
、1)N4.5の条件C初会めっきを行°−った。−6
゛の結Jlj、約15〜16%のNi被挟アルミナ粒イ
を均一な法典て含むNi 、−Al 2(、)I W
)つきJ脅が形成された。
500〜6000e の磁界(磁石の中心線での11i
i )を設υ〕た41.= !;、’Fにおいて、温I
切40 ℃+ sl流密rol 4 A/’(’が゛
、1)N4.5の条件C初会めっきを行°−った。−6
゛の結Jlj、約15〜16%のNi被挟アルミナ粒イ
を均一な法典て含むNi 、−Al 2(、)I W
)つきJ脅が形成された。
〔実かl−i 1/=12 〕
実施!’−111と同様にし2てNi被覆j′ルミナ粒
子をつくり、これを硫酸@1めつき液中に混入し攪拌し
た。
子をつくり、これを硫酸@1めつき液中に混入し攪拌し
た。
この場合、陰極と[7ては、FeにCuめつきを37+
厚lイI11.た7’ L−−1−をItlい、rA1
度3f+ ’(’、 、 ’15.流密度5A/dni
(7)Φ件で祠含めつきは・行った。その結果、第6
図に7■々すように、Ni被枠゛アルミナ粒子15が分
散している(’:u −Al 203 の初イ1と)−
)き層21がptら41.た1、この場イいΔ12()
・1番(パ」−ティン4さねITN律よ−yテCu −
Al2O3IQ fB &’、)7) ?s 層21
rJ”1rlt何t、 (’l什17’ fJろ3.こ
の効用−を才、げ4ために゛は、前処!411で1にノ
ブこ)°ルミナネーンイのヅ4j1.11角’(Nj)
j)てE)きにおいで、ニソクルを)”l fl&J
I 、 ’市4(6イ1を強力にして多1.1のNi被
f′JJ、アットミノ狛゛i了4−’il+ン1“f
2” −1−1+、 4−J、よい。第6図にi、−い
ζ、2211 Fe i 、tll+ 、 2 :(
は(ハ瞥めつき層〔実施例3〕 WC粒子(平均粒度0.771 )を実施例1と同様に
してNi被桓した。このNi被覆W C粒子−を1・記
の組成のPd −Ni−合金めつき液中に25V/の割
合で添加して約7時間予備攪拌を施した。
厚lイI11.た7’ L−−1−をItlい、rA1
度3f+ ’(’、 、 ’15.流密度5A/dni
(7)Φ件で祠含めつきは・行った。その結果、第6
図に7■々すように、Ni被枠゛アルミナ粒子15が分
散している(’:u −Al 203 の初イ1と)−
)き層21がptら41.た1、この場イいΔ12()
・1番(パ」−ティン4さねITN律よ−yテCu −
Al2O3IQ fB &’、)7) ?s 層21
rJ”1rlt何t、 (’l什17’ fJろ3.こ
の効用−を才、げ4ために゛は、前処!411で1にノ
ブこ)°ルミナネーンイのヅ4j1.11角’(Nj)
j)てE)きにおいで、ニソクルを)”l fl&J
I 、 ’市4(6イ1を強力にして多1.1のNi被
f′JJ、アットミノ狛゛i了4−’il+ン1“f
2” −1−1+、 4−J、よい。第6図にi、−い
ζ、2211 Fe i 、tll+ 、 2 :(
は(ハ瞥めつき層〔実施例3〕 WC粒子(平均粒度0.771 )を実施例1と同様に
してNi被桓した。このNi被覆W C粒子−を1・記
の組成のPd −Ni−合金めつき液中に25V/の割
合で添加して約7時間予備攪拌を施した。
(Pd −Ni−合金めっき液組成)
パ2ダスアミンクロライド 40’j/e硫酸ニツ
ケル 5(JY/1 ポリオキシエチレンナトリウlh 3 !
i7./1攪拌後、′Ih、 磁石を作用させて、温度
30℃l 電流密度Q、 5 A/d7d 、 ))
H8,8,時間24 min ノ条件で複合めっきを
行った1その結果、電’!t N ! J’2 fft
%、%IC粒子は約20%であった。なお、1111
着NiJυ横■′C粒子の州は車星法により測定した。
ケル 5(JY/1 ポリオキシエチレンナトリウlh 3 !
i7./1攪拌後、′Ih、 磁石を作用させて、温度
30℃l 電流密度Q、 5 A/d7d 、 ))
H8,8,時間24 min ノ条件で複合めっきを
行った1その結果、電’!t N ! J’2 fft
%、%IC粒子は約20%であった。なお、1111
着NiJυ横■′C粒子の州は車星法により測定した。
すなわち、複合めっき層を王水で溶解し、ジメチルグリ
オオジムによるPdとNiの定置を行い、残部をWCと
することによりWC販を求めた。なお、この枕8めつき
層は、高等[30W〜60Wの接点に用いることができ
る。
オオジムによるPdとNiの定置を行い、残部をWCと
することによりWC販を求めた。なお、この枕8めつき
層は、高等[30W〜60Wの接点に用いることができ
る。
〔」七 串q トリ 1 〕
W C%/子苓25 f//e 添/Jll L タr
d −Ni −i、4メツき液を用い、11.1研石の
1東11jを中+l:、 したfJ8態において丈/1
1i例3と回仔のめつき条件て初会めつきを行った1、
この場で1、′114着WにMは約9%と少なかった。
d −Ni −i、4メツき液を用い、11.1研石の
1東11jを中+l:、 したfJ8態において丈/1
1i例3と回仔のめつき条件て初会めつきを行った1、
この場で1、′114着WにMは約9%と少なかった。
(1’: MoρII/I)
W C粒子(平均粒度0.7 tt ) 25 fIを
下記の組成のfJtl; If、 IIl″I’コバル
トめっき液中に添加し2、充分(W拌を行いながら90
℃に加熱した8 (無?lL解コバルトめっき液組成(カセイアルカリ酒
石酸液力)CoCI 20.95 mo I //N
2114 ・lIC1l、Q rnol//Na
−tartratc QJ lTl01
//(pi橿 12 ) この状態で8分間放Iftしたのち、コバルト被覆WC
粒子をfJ53+%し、充分水洗をして前記の組成のA
uめっき面中に添加した。
下記の組成のfJtl; If、 IIl″I’コバル
トめっき液中に添加し2、充分(W拌を行いながら90
℃に加熱した8 (無?lL解コバルトめっき液組成(カセイアルカリ酒
石酸液力)CoCI 20.95 mo I //N
2114 ・lIC1l、Q rnol//Na
−tartratc QJ lTl01
//(pi橿 12 ) この状態で8分間放Iftしたのち、コバルト被覆WC
粒子をfJ53+%し、充分水洗をして前記の組成のA
uめっき面中に添加した。
(Auめっき液組成)
KAu(C:N )2 5 F/’KCN
15 ViK2C03159/I Nλ2l−IPO415Vl そして、温度50〜65℃、電流密度0.5 Ay/d
イの条件で複合めっきを行った。このとき、めっき液は
マグネテイクスターラーで充分攪拌し、また被めっき体
の裏イ11すにゴム磁ろ(【=1門)を貼りつけ、これ
により磁界を設けるようにした。このときの磁界は、約
6000eと推定される。
15 ViK2C03159/I Nλ2l−IPO415Vl そして、温度50〜65℃、電流密度0.5 Ay/d
イの条件で複合めっきを行った。このとき、めっき液は
マグネテイクスターラーで充分攪拌し、また被めっき体
の裏イ11すにゴム磁ろ(【=1門)を貼りつけ、これ
により磁界を設けるようにした。このときの磁界は、約
6000eと推定される。
このようにして、・コバルト被接WC粒子を均一な状態
で多鍬に含むAuめつき層が形成された。このめっき層
は、コバルト被籾WC粒子の作用にょ9Auの粘着性が
押さえられており、接点に利用することができる。
で多鍬に含むAuめつき層が形成された。このめっき層
は、コバルト被籾WC粒子の作用にょ9Auの粘着性が
押さえられており、接点に利用することができる。
第1図はこの発明に用いる強磁性体波切粒子の断面図、
第2図はこの発明の詳細な説明図、第3図はめつき胸中
における強磁性体被覆粒子の分布状態説明図、第4図は
他の例の説明図、第5図はこの発明の一実施例の説明図
、第6図はそれにょつて形成されためつき層の説、四囲
である。 1・・・朴ノ子 2・・・’、:?+i (18件体皮
117.X3・・・強磁性体被情粒子 5・・・めっき
液 6・・・陽(徹 7・・・陰極 8・・・ 宙5(
傾イ1 特f1゛出INi人 松ド電工株式会社代理人 弁理士
松 木 武 彦 第1図 第2図 第3図 \\12 第4図 第5図 5 第6図
第2図はこの発明の詳細な説明図、第3図はめつき胸中
における強磁性体被覆粒子の分布状態説明図、第4図は
他の例の説明図、第5図はこの発明の一実施例の説明図
、第6図はそれにょつて形成されためつき層の説、四囲
である。 1・・・朴ノ子 2・・・’、:?+i (18件体皮
117.X3・・・強磁性体被情粒子 5・・・めっき
液 6・・・陽(徹 7・・・陰極 8・・・ 宙5(
傾イ1 特f1゛出INi人 松ド電工株式会社代理人 弁理士
松 木 武 彦 第1図 第2図 第3図 \\12 第4図 第5図 5 第6図
Claims (2)
- (1)めっき浴中に不溶性粒子を懸濁させ、めっき金l
+鴫と不f81/l:粒子を同時に被めっき体に電着さ
せる複合めっき法であって、不溶性粒子として強磁性体
で被覆されたものを用い、この強磁性体被f5不溶性粒
子とめつき全損とを磁界中で%tMさせることを特徴と
する複合めっき法。 - (2)強磁性体被覆が、無電解めっきにより行われる特
許請求の範囲第1項記載の複合めっき法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14133382A JPS5931894A (ja) | 1982-08-14 | 1982-08-14 | 複合めつき法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14133382A JPS5931894A (ja) | 1982-08-14 | 1982-08-14 | 複合めつき法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5931894A true JPS5931894A (ja) | 1984-02-21 |
Family
ID=15289505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14133382A Pending JPS5931894A (ja) | 1982-08-14 | 1982-08-14 | 複合めつき法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5931894A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5250084A (en) * | 1992-07-28 | 1993-10-05 | C Four Pty. Ltd. | Abrasive tools and process of manufacture |
CN100344799C (zh) * | 2005-02-24 | 2007-10-24 | 上海交通大学 | 纳米氧化铝颗粒增强铜基复合材料的复合电铸制备方法 |
WO2008034774A2 (de) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum herstellen einer schicht auf einem träger |
JP2008547212A (ja) * | 2005-06-30 | 2008-12-25 | インテル・コーポレーション | 金属および粒子で満たされた貫通シリコンビアを含む、集積回路ダイ |
EP2103719A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-23 | Technical University of Denmark | A method for producing a multilayer structure |
CN104088002A (zh) * | 2014-07-15 | 2014-10-08 | 江西科技师范大学 | 一种复合涂层的制备装置及制备方法 |
CN105263856A (zh) * | 2012-09-17 | 2016-01-20 | 纳米资源有限公司 | 磁性结构 |
Citations (1)
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