WO2008034774A2 - Verfahren zum herstellen einer schicht auf einem träger - Google Patents

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WO2008034774A2 PCT/EP2007/059718 EP2007059718W WO2008034774A2 WO 2008034774 A2 WO2008034774 A2 WO 2008034774A2 EP 2007059718 W EP2007059718 W EP 2007059718W WO 2008034774 A2 WO2008034774 A2 WO 2008034774A2
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Christian Doye
Christian Höhn
Uwe Pyritz
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Siemens Aktiengesellschaft
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D15/00—Electrolytic or electrophoretic production of coatings containing embedded materials, e.g. particles, whiskers, wires
    • C25D15/02—Combined electrolytic and electrophoretic processes with charged materials

Definitions

  • the invention relates to a method having the features according to the preamble of claim 1.
  • the layer properties can be significantly modified.
  • a generic method ⁇ be known, in which an electrically conductive material layer ge ⁇ is jointly deposited with electrically non conductive particles on a carrier to improve abrasion properties of the layer.
  • the invention has for its object to improve a method of the type described in that the incorporation of particles in the layer in a particularly high concentration is possible.
  • the invention provides that the particles to ⁇ next with a cladding layer which is more electrically conductive than the particles are provided to form a core-shell structure and the thus coated particles are deposited together with the conductive layer material on the support.
  • a significant advantage of the method according to the invention is the fact that in this case - in comparison to conventional methods - relatively large particle concentrations can be achieved in the layer.
  • the invention begins by reducing the probability of detachment of the particles; Specifically, by a previous coating, in particular metallizing, of the particles promote the later overgrown with the layer material and thus accelerates the incorporation of the particles into the layer Mate ⁇ rial.
  • the inventive idea therefore consists in that the mounting speed of the particles is increased in the conductive layer by a more conductive layer around the non- or poorly conductive particles around, so that the chance of the particles may become detached from the abschei ⁇ emissive layer again reduced, becomes.
  • a further significant advantage of the method according to the invention is that the layer quality of the layer added with the particles can also be significantly improved on account of the previous particle coating, in particular metallization.
  • the layer quality of the layer added with the particles can also be significantly improved on account of the previous particle coating, in particular metallization.
  • the mobility of the particles on the support is reduced overall, so that the formation of imperfections within the layer in the form of empty or with particles only partially filled pores is prevented.
  • Partially filled pores can form example ⁇ as if the particles are indeed incorporated into the coating material because they are not caught in time by the wake ⁇ Send layer, however, have already been formed due to their movement away from the wearer a void in the layer material; empty pores form when there is a
  • the method is used in non-conductive or poorly conductive particles to improve their incorporation in a conductive layer material.
  • poorly conducting particles means particles whose specific electrical resistance is greater than 15 * 1CT 6 ⁇ cm or 15 ⁇ cm.
  • the described method is preferably used when a dispersion layer consisting of a metal matrix layer material with non-conductive or non-conductive particles contained therein is to be deposited on a carrier by electrochemical means, for example in a galvanic bath.
  • Particles of an oxide, a nitride, a carbide, a silicide, or a plastic are preferably non- or by the method Dermat ⁇ tend prepared.
  • Nanoparticles are particularly preferably introduced into the layer material as non-conductive or non-conductive particles.
  • nanoparticles are to be understood as meaning particles having a particle size of less than one micrometer.
  • nanoparticles sometimes have very unusual properties; this is due to the fact that the ratio of surface area to volume of nanoparticles is particularly high: For example, even with spherical nanoparticles be ⁇ standing of hundreds of atoms than fifty atoms are surface NATO ⁇ me.
  • the nanoparticles with the more conductive cladding layer are preferably so thin. stratifies that the coated particles are also nanoscale, ie smaller than 1 .mu.m.
  • a metal carrier can be coated.
  • cutting tools or other components are considered, which are exposed to high mechanical or thermal loads. These include, for example, turbine components such as turbine blades or the like.
  • NASA ⁇ -bearing layer is a metal layer; in this case ⁇ which the non- or poorly conductive particle is also preferably provided with a cladding layer of metal to egg NEN fast as possible incorporation of the particles into the Schichtma ⁇ TERIAL allow.
  • the incorporation of the particles takes place within the layer material when the non- or poorly conductive particles are coated with a material which is completely identical to the layer material or with respect to at least one chemical Bestandtei ⁇ les matches.
  • the non- or bad-conducting particles are coated with a metal which is less noble than the metal material of the layer;
  • the less noble layer of the particles will possibly bind oxygen which diffuses into the layer and sacrifice itself, so that the remaining layer material remains longer uncorrobed.
  • particles consisting of or containing tungsten carbide having a cladding layer consisting of or containing cobalt coated with "tungsten carbide / cobalt" to form a core / cladding structure.
  • brittle ceramic Mate ⁇ rial whose connection having from 6 to 10% cobalt forms a hard Ke ⁇ Ramik metal one such material.
  • tungsten carbide / cobalt is also very thermal shock resistant and can also rapid temperature withstand fluctuations.
  • tungsten carbide / cobalt particles are deposited to ⁇ together with layer material which consists of a Nickelkobaltlegie ⁇ tion or contains on the support.
  • Figures 1 to 4 by way of example for better understanding of the technical background, a method in which the inventive idea is made no use, and Figures 5 to 7 by way of example an embodiment of the method according to the invention.
  • FIG. 1 shows a carrier 10 which, for example, consists of metal and is coated with a layer 20.
  • the layer 20 comprises a layer material 30 into which particles 40, 50, 60 and 70 are to be incorporated during the deposition process.
  • the following example assumes that it is the layer ⁇ material 30 is a conductive material of a Nickelko- baltleg réelle.
  • the particles 40 to 70 are, for example, electrically non- or poorly conductive particles of tungsten carbide material.
  • FIG. 2 shows the further course of the deposition process. It is evident that the thickness of the layer Mate ⁇ rials 30 is grown and that the right in the figure 2 particle has been incorporated in the sheet material 70 is fixedly 30th The two particles 40 and 60 have again moved away from the carrier 10 during the growth of the layer material 30 and are still free on the surface side; they both still have the tendency to move away from the carrier 10 to solve; this is again indicated by arrows 80 in FIG.
  • the particle 40 has left the coating material 30 relatively late, so that a defect 90 has formed in the surface of the coating material 30.
  • the particle 60 was faster, so that no flaw has formed.
  • FIG. 4 shows the further development of the layer growth. It can be seen that the particle 50 was captured in time by the regrowing layer material 30 and was still incorporated into the layer material 30. Due to the direction of movement of the particle 50 vertically upwards - that is, away from the carrier 10 - however, a pore 100 has been formed, in which the particle 50 is contained. The pore 100 forms so ⁇ with a void within the material layer 30 and within the layer twentieth
  • Layer 20 consisting of nickel cobalt layer material 30 and coated particles 200 is deposited.
  • the particles 200 have a core-shell structure already before deposition on the carrier. Accordingly, it is every Parti ⁇ kel 200 each consist of an inner particle or particle core 210, and a particle shell 220th
  • the coated particles 200 are formed in an upstream process step by non- or Loulei ⁇ tend starting particles 210 - hereinafter particle cores ge ⁇ Nannt - lizid from an oxide, a nitride, a carbide, a silicon or are made from a plastic material.
  • Nachfol ⁇ quietly by way of example assumed that the particle cores are made of a tungsten carbide material 210 and coated on ⁇ closing with a jacket material 220 made of a conductive cobalt material.
  • the resulting particles 200 (with their core-shell structure) are then - analogous to the statements in connection with FIGS. 1 to 4 - deposited together with the layer material 30 on the carrier 10, preferably in a galvanic bath in the context of an electrochemical deposition process (ECD procedure).
  • ECD procedure electrochemical deposition process
  • the particles 200 as soon as they strike the nickel-cobalt layer material 30, relatively quickly grow over the further-depositing layer material 30 because they are conductive on the outside and, moreover, because the shell material 220 of FIG Particle 200 is at least partially identical to the layer material 30 due to the matching cobalt content. Due to the rapid growth, the particles 200 are incorporated relatively quickly into the layer material 30 or into the layer 20; this has the consequence that none of the particles Darge ⁇ presented in Figures 5 and 6, 200 may leave the layer of material 30 fast enough, NEN order to final separation from the carrier 10th As a result, all the particles 200 shown in FIGS. 5 and 6 are installed in the layer 20.
  • the Trä ⁇ carrier with the resultant dispersion layer 20 is shown in FIG. 7
  • the incorporation of the particles 200 in the coating material 30 thus is characterized ⁇ be accelerated, that they have been previously coated with the conductive particle shell 220th
  • the layer material 30 depositing on the carrier 10 deposits more quickly on the particles

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Schicht (20) auf einem Träger (10), wobei bei dem Verfahren ein elektrisch leitfähiges Schichtmaterial (30) gemeinsam mit Partikeln (210) auf dem Träger abgeschieden wird. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Partikel (200) zunächst mit einer Mantelschicht (220), die elektrisch leitfähiger als die Partikel ist, unter Bildung einer Kern-Mantelstruktur versehen werden und die derart beschichteten Partikel (200) zusammen mit dem Schichtmaterial (30) auf dem Träger (10) abgeschieden werden.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Herstellen einer Schicht auf einem Träger
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren mit den Merkmalen gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Durch ein Hinzufügen von Partikeln zu einem Schichtmaterial einer Schicht lassen sich die Schichteigenschaften deutlich modifizieren. Beispielsweise ist aus der europäischen Offen- legungsschrift EP 0 748 883 ein gattungsgemäßes Verfahren be¬ kannt, bei dem ein elektrisch leitfähiges Schichtmaterial ge¬ meinsam mit elektrisch nichtleitenden Partikeln auf einem Träger abgeschieden wird, um Abriebseigenschaften der Schicht zu verbessern.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der beschriebenen Art dahingehend zu verbessern, dass der Einbau von Partikeln in der Schicht in einer besonders hohen Kon- zentration möglich wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den Merkmalen gemäß Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausge¬ staltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in Unteran- Sprüchen angegeben.
Danach ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass die Partikel zu¬ nächst mit einer Mantelschicht, die elektrisch leitfähiger als die Partikel ist, unter Bildung einer Kern- Mantelstruktur versehen werden und die derart beschichteten Partikel zusammen mit dem leitenden Schichtmaterial auf dem Träger abgeschieden werden. Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist darin zu sehen, dass sich bei diesem - im Vergleich zu herkömmlichen Verfahren - relativ große Partikelkonzentrationen in der Schicht erreichen lassen. Im Unterschied zu dem ein- gangs erwähnten vorbekannten Verfahren, bei dem die Partikel ohne eine besser leitende Mantelschicht in das Schichtmateri¬ al eingebaut werden, erfolgt bei dem erfindungsgemäßen Verfahren nämlich zunächst eine Beschichtung der Partikel mit einem leitfähigeren Mantelmaterial, so dass die Partikel beim Abscheiden des leitfähigen Schichtmaterials von diesem deutlich schneller umwachsen und in das Schichtmaterial integ¬ riert werden, als dies bei Partikeln ohne vorherige leitfähi¬ gere Beschichtung möglich ist. Dies soll nachfolgend kurz verdeutlicht werden:
Während des Abscheidens bleiben Partikel aufgrund elektrosta¬ tischer Wechselwirkung auf einem leitenden Schichtmaterial zunächst nur haften, so dass sie sich von diesem wieder lösen können, sofern sie nicht von dem nachwachsenden leitenden Schichtmaterial rasch genug „umwachsen" und darin fest integ¬ riert werden. Ein solches Lösen und Wegbewegen von Partikeln stellt insbesondere dann ein großes Problem dar, wenn die Ab¬ scheidung des leitenden Schichtmaterials langsam erfolgt und die Partikel genügend Zeit zu einem Ablösen haben. Beispiels- weise ist im Rahmen eines ECD (electrochemical deposition)- Verfahrens bzw. eines elektrochemischen Abscheidungsverfah- rens der Einbau schlechtleitender Wolframcarbid-Partikel in eine abzuscheidende Nickelkobalt-Schicht - wie erfinderseitig erkannt wurde - nur bis zu einem Anteil von bis ca. 10% (ge- wichtsbezogen) möglich.
An dieser Stelle setzt die Erfindung an, indem die Ablösewahrscheinlichkeit der Partikel reduziert wird; konkret wird durch ein vorheriges Beschichten, insbesondere Metallisieren, der Partikel das spätere Umwachsen mit dem Schichtmaterial gefördert und so der Einbau der Partikel in das Schichtmate¬ rial beschleunigt. Der erfinderische Gedanke besteht also darin, dass durch eine leitfähigere Schicht um die nicht- oder schlechtleitfähigen Partikel herum die Einbaugeschwindigkeit der Partikel in der leitenden Schicht vergrößert wird, so dass die Chance der Partikel, sich von der abschei¬ denden Schicht wieder lösen können, reduziert wird.
Ein weiterer wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, dass sich auch die Schichtqualität der mit den Partikeln versetzten Schicht aufgrund der vorherigen Partikelbeschichtung, insbesondere -metallisierung, deutlich verbessern lässt. Durch das Beschichten, insbesondere Metal- lisieren, der Partikel und den damit einhergehenden schnelleren Einbau der Partikel in die Schicht wird die Beweglichkeit der Partikel auf dem Träger insgesamt reduziert, so dass die Bildung von Fehlstellen innerhalb der Schicht in Form von leeren oder mit Partikeln nur teilweise gefüllten Poren ver- hindert wird. Teilweise gefüllte Poren können sich beispiels¬ weise bilden, wenn die Partikel zwar in das Schichtmaterial eingebaut werden, weil sie noch rechtzeitig von der aufwach¬ senden Schicht eingefangen werden, jedoch aufgrund ihrer Bewegung vom Träger weg bereits einen Leerraum im Schichtmate- rial gebildet haben; leere Poren bilden sich, wenn sich ein
Partikel während des Einbaus noch löst und dadurch eine mate¬ rialfreie Leerstelle zurücklässt. Durch das vorherige Be¬ schichten, insbesondere Metallisieren, lässt sich somit nicht nur die Partikelkonzentration erhöhen, sondern auch die Kon- zentration der Fehlstellen in der Schicht reduzieren und eine sehr kompakte Schicht mit einer homogenen Partikelverteilung herstellen . Bevorzugt wird das Verfahren bei nichtleitenden oder schlechtleitenden Partikeln eingesetzt, um deren Einbau in einem leitfähigen Schichtmaterial zu verbessern. Unter schlechtleitenden Partikeln werden in diesem Zusammenhang Partikel verstanden, deren spezifischer elektrischer Widerstand größer als 15*1CT6 Ωcm bzw. 15 μΩcm ist.
Vorzugsweise wird das beschriebene Verfahren eingesetzt, wenn auf elektrochemischem Wege, beispielsweise in einem galvani- sehen Bad, auf einem Träger eine Dispersionsschicht bestehend aus einem Metallmatrix-Schichtmaterial mit darin enthaltenen nicht- oder schlechtleitenden Partikeln abgeschieden werden soll.
Bevorzugt werden mit dem Verfahren nicht- oder schlechtlei¬ tende Partikel aus einem Oxid, einem Nitrit, einem Karbid, einem Silizid oder einem Kunststoff hergestellt.
Besonders bevorzugt werden als nicht- oder schlechtleitende Partikel Nanopartikel in das Schichtmaterial eingebracht. Un¬ ter Nanopartikeln sind dabei Partikel mit einer Partikelgröße unter einem Mikrometer zu verstehen. Nanopartikel weisen - im Unterschied zu jeweils demselben Material ohne Nanoparti- kelstruktur - zum Teil sehr außergewöhnliche Eigenschaften auf; dies ist darauf zurückzuführen, dass das Verhältnis von Oberfläche zu Volumen bei Nanopartikeln besonders groß ist: So sind beispielsweise selbst bei kugeligen Nanopartikeln be¬ stehend aus hundert Atomen über fünfzig Atome Oberflächenato¬ me .
Werden nicht- oder schlechtleitende Nanopartikel in das Schichtmaterial eingebaut, so werden die Nanopartikel mit der leitfähigeren Mantelschicht vorzugsweise derart dünn be- schichtet, dass auch die beschichteten Partikel noch nanoska- lig, also kleiner als 1 μm, sind.
Als Träger kann beispielsweise ein Metallträger beschichtet werden. Als Metallträger kommen beispielsweise Schneidwerkzeuge oder andere Komponenten in Betracht, die hohen mechanischen oder thermischen Belastungen ausgesetzt sind. Hierzu gehören beispielsweise auch Turbinenkomponenten wie zum Beispiel Turbinenschaufeln oder dergleichen.
Vorzugsweise handelt es sich bei der auf dem Träger aufzu¬ bringenden Schicht um eine Metallschicht; in diesem Fall wer¬ den die nicht- oder schlechtleitenden Partikel bevorzugt ebenfalls mit einer Mantelschicht aus Metall versehen, um ei- nen möglichst schnellen Einbau der Partikel in das Schichtma¬ terial zu ermöglichen.
Besonders schnell und damit vorteilhaft erfolgt der Einbau der Partikel innerhalb des Schichtmaterials, wenn die nicht- oder schlechtleitenden Partikel mit einem Material beschichtet werden, das mit dem Schichtmaterial vollständig identisch ist oder hinsichtlich zumindest eines chemischen Bestandtei¬ les übereinstimmt.
Gemäß einer anderen bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens ist vorgesehen, dass die nicht- oder schlechtleitenden Partikel mit einem Metall beschichtet werden, das gegenüber dem Metallmaterial der Schicht unedler ist; in diesem Fall wird nämlich die unedlere Mantelschicht der Partikel etwaig in die Schicht eindiffundierenden Sauerstoff binden und sich selbst opfern, so dass das übrige Schichtmaterial länger unkorro- diert bleibt. Besonders bevorzugt werden Partikel, die aus Wolframkarbid bestehen oder dieses enthalten, mit einer Mantelschicht, die aus Kobalt besteht oder dieses enthält, unter Bildung einer Kern-/Mantelstruktur aus bzw. mit „Wolframkarbid/Kobalt" be- schichtet. Wolframkarbid ist ein hartes, sprödes Keramikmate¬ rial, dessen Verbindung mit 6 bis 10 % Kobalt ein hartes Ke¬ ramik-Metall bildet. Ein solches Material lässt sich bei¬ spielsweise für Schneidwerkzeuge einsetzen, da es innerhalb eines formbaren Metalllegierungsbestandteils wie beispiels- weise einer Nickelkobaltlegierung harte keramische Kristalle mit einer Größe von wenigen Mikrometern bildet . Das daraus resultierende Material kann auch sehr hohen Druckbelastungen während eines Schneidprozesses widerstehen und verfügt dar¬ über hinaus auch bei sehr hohen Temperaturen über gute Ver- schleiß- und Oxidationsbeständigkeit . Wolframkarbid/Kobalt ist außerdem sehr wärmeschockbeständig und kann auch raschen Temperaturschwankungen widerstehen .
Im Hinblick auf das bereits erwähnte gute Zusammenwirken von Wolframkarbid/Kobalt in Nickelkobaltlegierungen wird es als vorteilhaft angesehen, wenn Wolframkarbid/Kobalt-Partikel zu¬ sammen mit Schichtmaterial, das aus einer Nickelkobaltlegie¬ rung besteht oder diese enthält, auf dem Träger abgeschieden werden .
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbei¬ spiels näher erläutert; dabei zeigen beispielhaft
Figuren 1 bis 4 beispielhaft zum besseren Verständnis des technischen Hintergrundes ein Verfahren, bei dem von dem erfinderischen Gedanken kein Gebrauch gemacht wird, und Figuren 5 bis 7 beispielhaft ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens.
In den Figuren 1 und 7 werden der Übersichtlichkeit halber für vergleichbare oder identische Komponenten dieselben Be¬ zugszeichen verwendet.
In der Figur 1 erkennt man einen Träger 10, der beispielsweise aus Metall besteht und mit einer Schicht 20 beschichtet wird. Man erkennt, dass die Schicht 20 ein Schichtmaterial 30 aufweist, in das während des Abscheidungsvorganges Partikel 40, 50, 60 und 70 eingebaut werden sollen. Nachfolgend wird beispielhaft davon ausgegangen, dass es sich bei dem Schicht¬ material 30 um ein leitfähiges Material aus einer Nickelko- baltlegierung handelt. Bei den Partikeln 40 bis 70 handelt es sich beispielsweise um elektrisch nicht- oder schlechtleitende Partikel aus Wolframkarbidmaterial .
Man sieht in der Figur 1, dass die auf das Schichtmaterial 30 auftreffenden Partikel 40, 60 und 70 zunächst auf dem
Schichtmaterial 30, beispielsweise durch elektrostatische Wechselwirkung, haften bleiben. Durch Pfeile 80 ist in der Figur 1 angedeutet, dass die Partikel 40 und 60 dennoch die Tendenz aufweisen, sich von dem Schichtmaterial 30 wieder zu lösen.
In der Figur 2 ist der weitere Verlauf des Abscheidungsvorganges gezeigt. Man erkennt, dass die Dicke des Schichtmate¬ rials 30 angewachsen ist und dass das in der Figur 2 rechte Partikel 70 fest in das Schichtmaterial 30 eingebaut worden ist. Die beiden Partikel 40 und 60 haben sich während des Wachstums des Schichtmaterials 30 wieder von dem Träger 10 wegbewegt und liegen oberflächenseitig noch frei; sie weisen beide weiterhin noch die Tendenz auf, sich von dem Träger 10 zu lösen; dies ist in der Figur 2 wiederum durch Pfeile 80 angedeutet .
In der Figur 3 erkennt man, dass bei dem weiteren Aufwachsen des Schichtenmaterials 30 das Partikel 50 in das Schichtmate¬ rial 30 eingebaut wird, und zwar trotz seines Bewegungsdrangs nach oben (vgl. Pfeil 80) . Die beiden Partikel 40 und 60 ha¬ ben den Träger 10 und das Schichtmaterial 30 wieder verlas¬ sen .
Darüber hinaus erkennt man in der Figur 3, dass das Partikel 40 das Schichtmaterial 30 erst relativ spät hat verlassen können, so dass eine Fehlstelle 90 in der Oberfläche des Schichtmaterials 30 entstanden ist. Das Partikel 60 hingegen war schneller, so dass sich keine Fehlstelle gebildet hat.
In der Figur 4 erkennt man die weitere Entwicklung des Schichtwachstums. Man sieht, dass das Partikel 50 von dem nachwachsenden Schichtmaterial 30 rechtzeitig eingefangen und noch in das Schichtmaterial 30 eingebaut wurde. Aufgrund der Bewegungsrichtung des Partikels 50 senkrecht nach oben - also von dem Träger 10 weg - ist jedoch eine Pore 100 entstanden, in der das Partikel 50 enthalten ist. Die Pore 100 bildet so¬ mit eine Fehlstelle innerhalb des Schichtmaterials 30 bzw. innerhalb der Schicht 20.
Darüber hinaus erkennt man, dass die Fehlstelle 90 gemäß Fi¬ gur 3 durch das weitere Schichtwachstum nicht mehr ausgefüllt werden konnte und dass dadurch eine weitere Pore 110 entstan- den ist, in der kein Schichtmaterial 30 vorhanden ist.
Im Ergebnis ist somit festzustellen, dass aufgrund der Parti¬ kelbewegung entlang der Pfeilrichtung 80 nur eines der Partikel, nämlich das Partikel 70, richtig in das Schichtmaterial 30 eingebaut worden ist . Das Partikel 60 hat das Schichtmate¬ rial so rechtzeitig wieder verlassen, das keine Leerstelle zurückgeblieben ist. Das Partikel 40 war beim Verlassen des Schichtmaterials 30 langsamer, so dass es eine Leerstelle 110 in der Schicht 20 zurückgelassen hat. Das Partikel 50 wurde zwar noch durch das nachwachsende Schichtmaterial 30 einge¬ fangen und in der Schicht 20 eingebaut, jedoch wurde aufgrund seiner Bewegungsrichtung - in Pfeilrichtung 80 nach oben - eine Pore bzw. Leerstelle 100 und somit eine Fehlstelle in- nerhalb des Schichtmaterials 30 erzeugt.
Im Zusammenhang mit den Figuren 5 bis 7 wird nun ein Ausführungsbeispiel für das erfindungsgemäße Verfahren erläutert.
In der Figur 5 erkennt man einen Träger 10, auf dem eine
Schicht 20 bestehend aus Nickelkobalt-Schichtmaterial 30 und beschichteten Partikeln 200 abgeschieden wird. Im Unterschied zu dem Verfahren gemäß den Figuren 1 bis 4 weisen die Partikel 200 eine Kern-Mantelstruktur auf, und zwar bereits vor dem Abscheiden auf dem Träger. Demgemäß besteht jedes Parti¬ kel 200 jeweils aus einem inneren Partikel bzw. Partikelkern 210 sowie einem Partikelmantel 220.
Die beschichteten Partikel 200 werden in einem vorgeordneten Verfahrensschritt hergestellt, indem nicht- oder schlechtlei¬ tende Ausgangspartikel 210 - im Folgenden Partikelkerne ge¬ nannt - aus einem Oxid, einem Nitrit, einem Karbid, einem Si- lizid oder aus einem Kunststoff hergestellt werden. Nachfol¬ gend wird beispielhaft davon ausgegangen, dass die Partikel- kerne 210 aus einem Wolframkarbidmaterial hergestellt und an¬ schließend mit einem Mantelmaterial 220 aus einem leitfähigen Kobaltmaterial beschichtet worden sind. Die resultierenden Partikel 200 (mit ihrer Kern-Mantelstruktur) werden danach - analog zu den Ausführungen im Zusammenhang mit den Figuren 1 bis 4 - zusammen mit dem Schichtmaterial 30 auf dem Träger 10 abgeschieden, vorzugsweise in einem galvanischen Bad im Rahmen eines elektrochemischen Abschei- dungsvorgangs (ECD-Verfahren) .
Wie sich in der Figur 6 erkennen lässt, werden die Partikel 200, sobald sie auf das Nickelkobalt-Schichtmaterial 30 auf- treffen, relativ schnell mit dem sich weiter abscheidenden Schichtmaterial 30 umwachsen, weil sie außen leitfähig sind und weil darüber hinaus das Hüllenmaterial 220 der Partikel 200 mit dem Schichtmaterial 30 aufgrund des übereinstimmenden Kobaltanteils zumindest teilweise identisch ist. Aufgrund des schnellen Umwachsens werden die Partikel 200 relativ zügig in das Schichtmaterial 30 bzw. in die Schicht 20 eingebaut; dies hat zur Folge, dass keines der in den Figuren 5 und 6 darge¬ stellten Partikel 200 das Schichtmaterial 30 schnell genug verlassen kann, um sich von dem Träger 10 endgültig zu tren- nen. Im Ergebnis werden also alle in den Figuren 5 und 6 dargestellten Partikel 200 in der Schicht 20 eingebaut. Den Trä¬ ger mit der resultierenden Dispersionsschicht 20 zeigt die Figur 7.
Bei dem Verfahren gemäß den Figuren 5 bis 7 wird der Einbau der Partikel 200 in das Schichtmaterial 30 also dadurch be¬ schleunigt, dass diese zuvor mit dem leitfähigen Partikelmantel 220 beschichtet worden sind. Aufgrund des leitfähigen Partikelmantels 220 lagert sich nämlich das auf dem Träger 10 abscheidende Schichtmaterial 30 schneller an den Partikeln
200 an und umschließt diese zügiger, so dass die Partikel 200 nicht ausreichend Zeit haben, sich wieder von dem Schichtma¬ terial 30 zu lösen. Dies führt sowohl zu einer höheren Kon- zentration an Partikeln 200 als auch zu einer gleichmäßigeren Verteilung der Partikel innerhalb der Schicht 20.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen einer Schicht (20) auf einem Träger (10), wobei bei dem Verfahren ein elektrisch leitfähiges Schichtmaterial (30) gemeinsam mit Partikeln (210) auf dem Träger abgeschieden wird, wobei
- die Partikel nichtleitend oder schlechtleitend sind,
- die Partikel (200) zunächst mit einer metallischen Mantel¬ schicht (220), die elektrisch leitfähiger als die Partikel ist, unter Bildung einer Kern-Mantelstruktur versehen werden und
- die derart beschichteten Partikel (200) zusammen mit dem Schichtmaterial (30) auf dem Träger (10) elektrochemisch abgeschieden werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die nicht- oder schlechtleitenden Partikel (210) aus ei¬ nem Oxid, einem Nitrid, einem Karbid, einem Silizid oder aus Kunststoff hergestellt werden.
3. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als nicht- oder schlechtleitende Partikel Nanopartikel beschichtet werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die nicht- oder schlechtleitenden Nanopartikel derart dünn beschichtet werden, dass auch die beschichteten Partikel nanoskalig sind.
5. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Metall-Träger (10) beschichtet wird.
6. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die nicht- oder schlechtleitenden Partikel (210) mit ei¬ nem Material beschichtet werden, das mit dem Schichtmaterial (30) vollständig identisch ist oder hinsichtlich zumindest eines chemischen Bestandteiles übereinstimmt.
7. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
- das Schichtmaterial durch ein Metall oder eine Metallle¬ gierung gebildet ist und - die nicht- oder schlechtleitenden Partikel mit einem Me¬ tall beschichtet werden, das gegenüber dem Schichtmaterial unedler ist .
8. Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
- die nicht- oder schlechtleitenden Partikel (210) aus WoIf- ramcarbid bestehen oder Wolframcarbid enthalten und
- die nicht- oder schlechtleitenden Partikel (210) mit einer Mantelschicht, die aus Kobalt (220) besteht oder Kobalt enthält, unter Bildung der Kern-/Mantelstruktur beschichtet werden.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Partikel (200) zusammen mit Schichtmaterial (30), das aus einer Nickel-Kobalt-Legierung besteht oder diese aufweist, auf dem Träger (10) abgeschieden werden.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2851455A1 (de) * 2013-09-18 2015-03-25 MTU Aero Engines GmbH Galvanisch hergestellte Verschleißschutzbeschichtung und Verfahren hierfür

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5931894A (ja) * 1982-08-14 1984-02-21 Matsushita Electric Works Ltd 複合めつき法
JPS6026697A (ja) * 1983-07-22 1985-02-09 Ntn Toyo Bearing Co Ltd 複合めつき法
US5250084A (en) * 1992-07-28 1993-10-05 C Four Pty. Ltd. Abrasive tools and process of manufacture
EP0937789A1 (de) * 1997-09-03 1999-08-25 Isuzu Motors Limited Kompositteilchen für die kompositdispersionsbeschichtung und verfahren zum beschichten
WO2005065281A2 (en) * 2003-12-31 2005-07-21 The Regents Of The University Of California Articles comprising high-electrical-conductivity nanocomposite material and method for fabricating same
WO2007036538A2 (de) * 2005-09-29 2007-04-05 Siemens Aktiengesellschaft Substrat mit aufgebrachter beschichtung und herstellungsverfahren

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19521323A1 (de) * 1995-06-12 1996-12-19 Abb Management Ag Teil mit einer galvanisch aufgebrachten Beschichtung und Verfahren zur Herstellung von galvanischen Schichten

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5931894A (ja) * 1982-08-14 1984-02-21 Matsushita Electric Works Ltd 複合めつき法
JPS6026697A (ja) * 1983-07-22 1985-02-09 Ntn Toyo Bearing Co Ltd 複合めつき法
US5250084A (en) * 1992-07-28 1993-10-05 C Four Pty. Ltd. Abrasive tools and process of manufacture
EP0937789A1 (de) * 1997-09-03 1999-08-25 Isuzu Motors Limited Kompositteilchen für die kompositdispersionsbeschichtung und verfahren zum beschichten
WO2005065281A2 (en) * 2003-12-31 2005-07-21 The Regents Of The University Of California Articles comprising high-electrical-conductivity nanocomposite material and method for fabricating same
WO2007036538A2 (de) * 2005-09-29 2007-04-05 Siemens Aktiengesellschaft Substrat mit aufgebrachter beschichtung und herstellungsverfahren

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2851455A1 (de) * 2013-09-18 2015-03-25 MTU Aero Engines GmbH Galvanisch hergestellte Verschleißschutzbeschichtung und Verfahren hierfür
US10428437B2 (en) 2013-09-18 2019-10-01 MTU Aero Engines AG Wear-resistant coating produced by electrodeposition and process therefor

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