JPH0474884A - ルテニウム合金メッキ方法 - Google Patents
ルテニウム合金メッキ方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ルテニウム合金メッキ方法に関するもので、
詳しくはルテニウム−ニッケルーモリブデン合金メッキ
方法に関するものである。
詳しくはルテニウム−ニッケルーモリブデン合金メッキ
方法に関するものである。
（従来技術とその問題点）
従来不溶性電極に使用される電極材料として、ルテニウ
ムメッキしたものが用いられているが、ルテニウムは比
較的高価であり、省貴金属化が要求されているが、ルテ
ニウム合金メッキとしてのルテニウム−ニッケル合金メ
ッキしたものではルテニウムメッキのものと比へ耐蝕性
等で不十分てあり、また装飾用のめっきとしては任意の
硬度が得られにくいという欠点があり、これらを満足す
るルテニウム合金メッキ方法ができなかった。
ムメッキしたものが用いられているが、ルテニウムは比
較的高価であり、省貴金属化が要求されているが、ルテ
ニウム合金メッキとしてのルテニウム−ニッケル合金メ
ッキしたものではルテニウムメッキのものと比へ耐蝕性
等で不十分てあり、また装飾用のめっきとしては任意の
硬度が得られにくいという欠点があり、これらを満足す
るルテニウム合金メッキ方法ができなかった。
（発明の目的）
本発明は、従来の欠点を解決するために成されたもので
、従来メッキすることができないとされていたモリブデ
ンをルテニウムとニッケルとを同時にメッキさせること
で可能とし、耐蝕性においてルテニウム単独メッキ被膜
と差がなく、任意の硬度と省貴金属化が得られるルテニ
ウム合金めっき方法を提供することを目的とするもので
ある。
、従来メッキすることができないとされていたモリブデ
ンをルテニウムとニッケルとを同時にメッキさせること
で可能とし、耐蝕性においてルテニウム単独メッキ被膜
と差がなく、任意の硬度と省貴金属化が得られるルテニ
ウム合金めっき方法を提供することを目的とするもので
ある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、ルテニウム合金メッキ方法において、ルテニ
ウム塩、ニッケル塩、モリブデン酸塩、酒石酸塩を含有
し、ｐＨを硫酸で１〜５に調整して成るメッキ浴を用い
、電気メッキすることを特徴とするルテニウム合金メッ
キ方法で、前記ルテニウム塩が塩化ルテニウムで、濃度
が０．５〜１０ｇ／ｌの範囲で、ニッケル塩が硫酸ニッ
ケルで、濃度が０．５〜４０ｇ／ｌの範囲であり、前記
モリブデン酸塩がモリブデン酸ナトリウムで、濃度が５
〜３０ｇ／ｌの範囲で、前記酒石酸塩が酒石酸アンモニ
ウムで、濃度が４０〜８０ｇ／Ａの範囲であるルテニウ
ム合金メッキ方法であり、前記電気メッキの条件が電流
密度１０〜１００ｍＡ／ｄ、浴温度が２０〜７０℃て行
うことを特徴とするルテニウム合金メッキ方法である。
ウム塩、ニッケル塩、モリブデン酸塩、酒石酸塩を含有
し、ｐＨを硫酸で１〜５に調整して成るメッキ浴を用い
、電気メッキすることを特徴とするルテニウム合金メッ
キ方法で、前記ルテニウム塩が塩化ルテニウムで、濃度
が０．５〜１０ｇ／ｌの範囲で、ニッケル塩が硫酸ニッ
ケルで、濃度が０．５〜４０ｇ／ｌの範囲であり、前記
モリブデン酸塩がモリブデン酸ナトリウムで、濃度が５
〜３０ｇ／ｌの範囲で、前記酒石酸塩が酒石酸アンモニ
ウムで、濃度が４０〜８０ｇ／Ａの範囲であるルテニウ
ム合金メッキ方法であり、前記電気メッキの条件が電流
密度１０〜１００ｍＡ／ｄ、浴温度が２０〜７０℃て行
うことを特徴とするルテニウム合金メッキ方法である。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の方法に用いるメッキ浴は塩化ルテニウム（Ｒｕ
Ｃｎ、）２ｇ／ｌ前後の濃度でよく、ニッケル源として
硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４６Ｈ，０）１〜３０ｇ／Ａ、
モリブデン源としてモリブデン酸ナトリウム（Ｎ ａ
： Ｍｏ Ｏｔ２Ｈ２０）２５〜３０ｇ／ｌそれに酒石
酸アンモニウム７０〜７５ｇ／ｌの濃度とし、硫酸でｐ
Ｈを１〜５に調整したものを用いるのがよい。
Ｃｎ、）２ｇ／ｌ前後の濃度でよく、ニッケル源として
硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４６Ｈ，０）１〜３０ｇ／Ａ、
モリブデン源としてモリブデン酸ナトリウム（Ｎ ａ
： Ｍｏ Ｏｔ２Ｈ２０）２５〜３０ｇ／ｌそれに酒石
酸アンモニウム７０〜７５ｇ／ｌの濃度とし、硫酸でｐ
Ｈを１〜５に調整したものを用いるのがよい。
メッキ条件は、浴温度は３０〜７０℃で電流密度はメッ
キしたルテニウム合金メッキ被膜の要求される硬度によ
りかわるか２０ ｍ Ａ ／ｃｎｆ〜８０ｍ 、Ａ ／
ｃｒｌで可能で、浴温度が高く、電流密度を高くする
と硬度が急激に上昇させることができ、定電流電解法で
よい。
キしたルテニウム合金メッキ被膜の要求される硬度によ
りかわるか２０ ｍ Ａ ／ｃｎｆ〜８０ｍ 、Ａ ／
ｃｒｌで可能で、浴温度が高く、電流密度を高くする
と硬度が急激に上昇させることができ、定電流電解法で
よい。
陽極は不溶性電極として、白金または白金メッキを施し
たチタン板をもちいればよく、被メッキ材料は予め電解
研磨し、脱脂処理および酸処理して前処理しておけばよ
い。
たチタン板をもちいればよく、被メッキ材料は予め電解
研磨し、脱脂処理および酸処理して前処理しておけばよ
い。
本発明の方法により得られるルテニウム合金メッキ被膜
はモリブデンを含有するルテニウム合金であるため、結
晶質と非晶質との混在したものが得られるため、耐蝕性
においてルテニウム単独メッキ被膜と比較しても同一厚
みで同等な耐蝕性が得られるのである。
はモリブデンを含有するルテニウム合金であるため、結
晶質と非晶質との混在したものが得られるため、耐蝕性
においてルテニウム単独メッキ被膜と比較しても同一厚
みで同等な耐蝕性が得られるのである。
なお、ルテニウム合金メッキ被膜のルテニウム、ニッケ
ル、モリブデンの合金組成を調整するには、なお、電流
密度、ニッケル塩濃度並びに浴温度により行うことがで
きる。
ル、モリブデンの合金組成を調整するには、なお、電流
密度、ニッケル塩濃度並びに浴温度により行うことがで
きる。
以下、本発明に係わる実施例を記載するが、該実施例は
本発明を限定するものではない。
本発明を限定するものではない。
（実施例１）
メッキ浴として、塩化ルテニウム２ｇ／ｌ、硫酸ニッケ
ル３６ｇ／ｌ！、モリブデン酸ナトリウム３０ ｇ／Ｉ
！、酒石酸アンモニウム７２ｇ／Ａを添加し、硫酸を加
えてｐＨ＝３に調整し、浴温度５０℃、電流密度６０ｍ
Ａ／ｃｎｆで、陽極は両対極として白金板（４ｄ）を用
い、陰極には銅板（４ｄ）を電解研磨した後、脱脂およ
び１０％硫酸で酸洗いしたものを用いた。
ル３６ｇ／ｌ！、モリブデン酸ナトリウム３０ ｇ／Ｉ
！、酒石酸アンモニウム７２ｇ／Ａを添加し、硫酸を加
えてｐＨ＝３に調整し、浴温度５０℃、電流密度６０ｍ
Ａ／ｃｎｆで、陽極は両対極として白金板（４ｄ）を用
い、陰極には銅板（４ｄ）を電解研磨した後、脱脂およ
び１０％硫酸で酸洗いしたものを用いた。
電気量１２０ Ｃ／ｃｔ＃でメッキを行った後、水洗し
、乾燥させ、メッキ厚み１２−の光沢のある黒色のルテ
ニウム−ニッケルーモリブデン合金メッキ被膜を形成さ
せることができた。
、乾燥させ、メッキ厚み１２−の光沢のある黒色のルテ
ニウム−ニッケルーモリブデン合金メッキ被膜を形成さ
せることができた。
上記のルテニウム合金メッキ被膜をＸ線回折により解析
したところ、ニッケル（１１１）面とＲｕ （ｌ Ｏｌ
）面とが重なり合った半値幅の広いピークが認められた
。
したところ、ニッケル（１１１）面とＲｕ （ｌ Ｏｌ
）面とが重なり合った半値幅の広いピークが認められた
。
また、ニッケル（２００）面でのピークはさらに半値幅
の広いブロードなものであった。
の広いブロードなものであった。
また、該ルテニウム合金メッキ被膜の合金組成を分析し
たところ、ルテニウム４０重量％、ニッケル５０重量％
、モリブデン１０重量％であった。
たところ、ルテニウム４０重量％、ニッケル５０重量％
、モリブデン１０重量％であった。
（実施例・２）
浴温度を３０℃と５０℃にし、電流密度を２０．４０．
６０．８０ｍＡ／ｃＪの４種として、その他は実施例１
と同様な浴組成で銅板にルテニウム合金メッキ被膜を形
成し、それぞれの硬度を測定したところ、下記の表のよ
うな結果であった。
６０．８０ｍＡ／ｃＪの４種として、その他は実施例１
と同様な浴組成で銅板にルテニウム合金メッキ被膜を形
成し、それぞれの硬度を測定したところ、下記の表のよ
うな結果であった。
また、電子顕微鏡により、それぞれ表面状態を観察した
ところ、電流密度および浴温度が低いと微細な粒子のメ
ッキが得られていた。
ところ、電流密度および浴温度が低いと微細な粒子のメ
ッキが得られていた。
（実施例３）
実施例１と同様に操作して得たルテニウム合金メッキ被
膜の耐蝕性を確認するため、ルテニウム単独メッキした
ものと、０．ＩＮ−硫酸溶液中におけるアノード分極曲
線を測定して確認したところ、差は見られなかった。
膜の耐蝕性を確認するため、ルテニウム単独メッキした
ものと、０．ＩＮ−硫酸溶液中におけるアノード分極曲
線を測定して確認したところ、差は見られなかった。
（発明の効果）
以上の説明からも明らかのように、本発明の方法によれ
ば、従来メッキすることが出来なかったモリブデンをル
テニウム、ニッケルの合金メッキさせることができ、ル
テニウム単独のメッキ被膜と同じ厚みで同様の耐蝕性が
得られるので、ルテニウムの使用量を減少させることが
でき、しかも光沢のある黒色の被膜で、硬度を任意に調
節でき、従来使用されていたルテニウムメッキ浴では硬
度が８００〜９００Ｈｖの範囲であったものが１、広い
範囲にさせることができるという、極めて応用性のある
ものといえる。
ば、従来メッキすることが出来なかったモリブデンをル
テニウム、ニッケルの合金メッキさせることができ、ル
テニウム単独のメッキ被膜と同じ厚みで同様の耐蝕性が
得られるので、ルテニウムの使用量を減少させることが
でき、しかも光沢のある黒色の被膜で、硬度を任意に調
節でき、従来使用されていたルテニウムメッキ浴では硬
度が８００〜９００Ｈｖの範囲であったものが１、広い
範囲にさせることができるという、極めて応用性のある
ものといえる。
田中貴金属工業株式会社
津留 壽昭
柳ケ瀬 健次部
柳ケ瀬 勉
小林 繁夫
Claims (5)
- （１）ルテニウム合金メッキ方法において、ルテニウム
塩、ニッケル塩、モリブデン酸塩、酒石酸塩を含有し、
ｐＨを硫酸で１〜５に調整して成るメッキ浴を用い、電
気メッキすることを特徴とするルテニウム合金メッキ方
法。 - （２）前記ルテニウム塩が塩化ルテニウムで、濃度が０
．５〜１０ｇ／ｌの範囲で、ニッケル塩が硫酸ニッケル
で、濃度が０．５〜４０ｇ／ｌの範囲である請求項１に
記載のルテニウム合金メッキ方法。 - （３）前記モリブデン酸塩がモリブデン酸ナトリウムで
、濃度が５〜３０ｇ／ｌの範囲である請求項１および２
に記載のルテニウム合金メッキ方法。 - （４）前記酒石酸塩が酒石酸アンモニウムで、濃度が４
０〜８０ｇ／ｌの範囲である請求項１〜３に記載のルテ
ニウム合金メッキ方法。 - （５）前記電気メッキの条件が電流密度１０〜１００ｍ
Ａ／ｃｍ＾２、浴温度が２０〜７０℃で行うことを特徴
とする請求項１〜４に記載のルテニウム合金メッキ方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18824690A JPH0474884A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | ルテニウム合金メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18824690A JPH0474884A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | ルテニウム合金メッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474884A true JPH0474884A (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=16220343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18824690A Pending JPH0474884A (ja) | 1990-07-17 | 1990-07-17 | ルテニウム合金メッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0474884A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010522277A (ja) * | 2007-03-28 | 2010-07-01 | ユミコア ガルヴァノテヒニク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電解質、並びに黒ルテニウムの装飾用の及び技術的な層を堆積するための方法 |
| CN104342731A (zh) * | 2013-07-23 | 2015-02-11 | 深圳中宇昭日科技有限公司 | 一种半导体钼材电镀钌方法 |
| WO2024081123A1 (en) * | 2022-10-12 | 2024-04-18 | Deringer-Ney Inc. | Nickel-ruthenium-based ternary or greater alloys, products comprising the same, and methods of making and using the same |
-
1990
- 1990-07-17 JP JP18824690A patent/JPH0474884A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010522277A (ja) * | 2007-03-28 | 2010-07-01 | ユミコア ガルヴァノテヒニク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電解質、並びに黒ルテニウムの装飾用の及び技術的な層を堆積するための方法 |
| CN104342731A (zh) * | 2013-07-23 | 2015-02-11 | 深圳中宇昭日科技有限公司 | 一种半导体钼材电镀钌方法 |
| WO2024081123A1 (en) * | 2022-10-12 | 2024-04-18 | Deringer-Ney Inc. | Nickel-ruthenium-based ternary or greater alloys, products comprising the same, and methods of making and using the same |
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