CN104342731A - 一种半导体钼材电镀钌方法 - Google Patents

一种半导体钼材电镀钌方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104342731A
CN104342731A CN201310328500.3A CN201310328500A CN104342731A CN 104342731 A CN104342731 A CN 104342731A CN 201310328500 A CN201310328500 A CN 201310328500A CN 104342731 A CN104342731 A CN 104342731A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ruthenium
plating
ruthenium plating
pulse
anode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310328500.3A
Other languages
English (en)
Inventor
李兴文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Zhong Yuzhao Science And Technology Ltd
Original Assignee
Shenzhen Zhong Yuzhao Science And Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Zhong Yuzhao Science And Technology Ltd filed Critical Shenzhen Zhong Yuzhao Science And Technology Ltd
Priority to CN201310328500.3A priority Critical patent/CN104342731A/zh
Publication of CN104342731A publication Critical patent/CN104342731A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C25D5/14—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium two or more layers being of nickel or chromium, e.g. duplex or triplex layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/50—Electroplating: Baths therefor from solutions of platinum group metals
    • C25D3/52—Electroplating: Baths therefor from solutions of platinum group metals characterised by the organic bath constituents used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/18—Electroplating using modulated, pulsed or reversing current
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors

Abstract

本发明涉及一种钼基材料电镀钌镀层工艺，包括将钼基体表面进行化学脱脂、阳极电解、除垢处理、粗化处理、祛膜处理、活化处理、闪镀镍、预镀氨镍、脉冲镀钌。本发明制得的钌镀层，结合力良好，镀层光亮致密，是一种工艺简单、成熟、质量稳定，并已形成批量生产能力，具有竞争力的镀钌工艺。其中主要工序是脉冲镀钌，脉冲镀钌液的配方为：[μ-氮-双(四氯-水合钌)]酸钾5-13g/L，氨基磺酸20g/L，PH1.3，温度46℃，平均脉冲电流密度0.7-1.1A/dm，频率为800Hz，占空比为80％，阳极面积与阴极面积之比电流S阳∶S阴>2∶1，阳极采用不溶性铂钛网。

Description

一种半导体钼材电镀钌方法
(1)技术领域
本发明是一种对半导体材料钼片进行电镀钌的方法，采用这种方法可以获得具有良好结合力钌镀层，属于电镀技术领域。 
(2)背景技术
在电触头领域中，镀钌的优点日益为人们重视起来。与镀锗相比，镀钌在价格上要便宜得多，并且除了具有与锗镀层极为相似的高硬度、抗腐蚀性，还具有优良的抗磨性。 
由于金的价格不时地上涨，进一步突现出低接触电阻钌镀层性质的迫切性：又由于具有相当低的密度，因而对于一定镀层厚度来说，使用钌要经济得多。钌不同于其他贵金属，它常会产生一层结合牢固的氧化钌表面膜。这层氧化膜可靠地保护钌，以防止进一步氧化，并且它还具有奇特而有用的导电性，其值与该金属相等。钌及其氧化膜都能在湿度大的环境中防止硫化物的浸蚀。 
在各种电触头、簧片开关和滑环电镀中，用钌代替锗和金具有可观的经济价值而引起人们极大的兴趣。钌除了能保证低的接触电阻外，还由于它的密度为12.45，比金的密度19.3要低得多，所以当镀层厚度一定时，采用钌比金要经济得多。钌电沉积技术此前多用于装饰品电镀，不能厚镀，本工艺镀层可至2um以上。 
(3)发明内容
一种在钼片镀钌的酸性脉冲无裂纹纯钌电镀，镀层光亮均一、无孔隙、硬度高(800-900HV)，工艺操作简易，电流效率高、电流密度范围广，在1.5A/dm的电流密度下分别电镀10-30min或更长时间，镀层可镀至2μm以上，镀层相对较白光亮，结合力好适用于厚度为0.01--2um，适用于电子工业、石油、汽车、化工、原子能。 
(4)具体实施方式
为了实现这一方法。本发明采用了下述方案： 
a、化学脱脂： 
将镀件浸于脱脂液中进行脱脂除油，除油配方为：氢氧化钠100g/L，磷酸三钠10g/L，碳酸钠10g/L，十二烷基磺酸钠1g/L，温度为80℃， 
b、阳极电解： 
目的是除去工件表面的氧化层，配方为：硫酸200g/L，其温度为室温，阴极电流密度1-5A/dm2，作业方式为阳极处理，时间为5分钟； 
c、除垢处理： 
用以除去工件表面的污垢，配方为：重铬酸钾100g/L，硫酸80g/L，室温下浸泡1分钟； 
d、粗化处理： 
目的是为了让钼片表面形成亲水的基团，配方为：氢氧化钠100g/L，其温度为室温，阴极电流密度1-5A/dm2，作业方式为阴极电解，时间为1分钟； 
e、祛膜处理： 
经过粗化后的产品表面会有一层黑色膜，需在祛膜液中祛除，祛膜液配方为：铬酐100g/L； 
f、活化处理： 
将祛膜后的产品进行活化，活化液配方：硫酸200g/L： 
g、闪镀镍： 
增强镀层与基体间的附着力，闪镀镍配方为：氯化镍200～250g/L，盐酸120g/L，室温，电流密度4A/dm2， 时间3～10min，阳极镍板； 
h、预镀氨镍： 
将经闪镀镍后的钼片进行电镀氨基磺酸镍，氨基磺酸镍配方为：氨基磺酸镍250-350g/L，氯化镍0-15g/L，硼酸30-45g/L，光亮剂10m1/L；操作工艺条件为：搅拌方式为连续过滤，镀液pH值为3.8-4.5，温度为50℃，镀镍时间为5-10分钟，电流密度1-101A/dm； 
i、脉冲镀钌： 
接着将上述镀件进行脉冲镀钌，脉冲镀钌液的配方为：：[μ-氮-双(四氯-水合钌)]酸钾5-13g/L，氨基磺酸20g/L，PH1.3，温度46℃，平均脉冲电流密度0.7-1.1A/dm，频率为800Hz，占空比为80％，阳极面积与阴极面积之比电流S阳∶S阴>2∶1，阳极采用不溶性铂钛网； 
j、.防变色处理： 
随后将电镀后产品进行防变色处理，防变色处理液的配方为：苯并三氮唑1g/L，碘化钾0.8g/L，以乙醇为溶剂，在室温下钝化处理40-90秒，最终在100-200℃温度下干燥后得成品。 

Claims (1)

1.本发明涉及一种钼材电镀钌层工艺包括将钼基体表面进行脱脂除油、阴极微蚀处理、酸活化前处理，再将经处理的钼基体进行预镀镍处理，电镀镍、最后在钌溶液中电镀钌。钌镀层，结合力良好，镀层光亮致密，镀层厚度可达2-3um。
本工艺成熟，质量稳定，并已形成批量生产能力。
CN201310328500.3A 2013-07-23 2013-07-23 一种半导体钼材电镀钌方法 Pending CN104342731A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310328500.3A CN104342731A (zh) 2013-07-23 2013-07-23 一种半导体钼材电镀钌方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310328500.3A CN104342731A (zh) 2013-07-23 2013-07-23 一种半导体钼材电镀钌方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104342731A true CN104342731A (zh) 2015-02-11

Family

ID=52499165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310328500.3A Pending CN104342731A (zh) 2013-07-23 2013-07-23 一种半导体钼材电镀钌方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104342731A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105671502A (zh) * 2016-01-18 2016-06-15 江苏时代华宜电子科技有限公司 功率半导体用封装散热Mo基片Ru涂层及其制备方法
CN106086968A (zh) * 2016-07-29 2016-11-09 成都立威讯科技有限公司 一种igbt用钼基板表面涂覆贵金属的电镀工艺
CN106148896A (zh) * 2016-07-29 2016-11-23 成都立威讯科技有限公司 一种钼基片镀厚钌的方法
CN106191942A (zh) * 2016-07-29 2016-12-07 成都立威讯科技有限公司 一种半导体基片预镀镍的镀铑工艺
CN106245084A (zh) * 2016-07-29 2016-12-21 成都立威讯科技有限公司 一种半导体用钼片镀铑工艺
CN109972179A (zh) * 2018-12-11 2019-07-05 中国航发贵州红林航空动力控制科技有限公司 一种金属钼表面镀铬工艺方法
CN113445090A (zh) * 2021-07-14 2021-09-28 航天南湖电子信息技术股份有限公司 一种钼铜合金表面电镀金新方法
CN114438553A (zh) * 2022-02-09 2022-05-06 宝鸡钛普锐斯钛阳极科技有限公司 一种钛基IrO2-TaO5涂层阳极底层的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0474884A (ja) * 1990-07-17 1992-03-10 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk ルテニウム合金メッキ方法
CN1067457A (zh) * 1991-04-08 1992-12-30 Skw金属(英国)有限公司 镀覆过的钼部件及其制造方法
JP2000150788A (ja) * 1998-11-10 2000-05-30 Fuji Electric Co Ltd 誘電体薄膜コンデンサ
CN1319148A (zh) * 1999-08-03 2001-10-24 株式会社日矿材料 黑色钌电镀液
CN101845629A (zh) * 2010-04-14 2010-09-29 江苏时代华宜电子科技有限公司 钼片复合镀钌工艺

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0474884A (ja) * 1990-07-17 1992-03-10 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk ルテニウム合金メッキ方法
CN1067457A (zh) * 1991-04-08 1992-12-30 Skw金属(英国)有限公司 镀覆过的钼部件及其制造方法
JP2000150788A (ja) * 1998-11-10 2000-05-30 Fuji Electric Co Ltd 誘電体薄膜コンデンサ
CN1319148A (zh) * 1999-08-03 2001-10-24 株式会社日矿材料 黑色钌电镀液
CN101845629A (zh) * 2010-04-14 2010-09-29 江苏时代华宜电子科技有限公司 钼片复合镀钌工艺

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张一雯 等: ""预处理对钼基片镀钌层结合力的影响"", 《电镀与涂饰》 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105671502A (zh) * 2016-01-18 2016-06-15 江苏时代华宜电子科技有限公司 功率半导体用封装散热Mo基片Ru涂层及其制备方法
CN106086968A (zh) * 2016-07-29 2016-11-09 成都立威讯科技有限公司 一种igbt用钼基板表面涂覆贵金属的电镀工艺
CN106148896A (zh) * 2016-07-29 2016-11-23 成都立威讯科技有限公司 一种钼基片镀厚钌的方法
CN106191942A (zh) * 2016-07-29 2016-12-07 成都立威讯科技有限公司 一种半导体基片预镀镍的镀铑工艺
CN106245084A (zh) * 2016-07-29 2016-12-21 成都立威讯科技有限公司 一种半导体用钼片镀铑工艺
CN106148896B (zh) * 2016-07-29 2019-10-15 泉州市宕存工业设计有限公司 一种钼基片镀厚钌的方法
CN109972179A (zh) * 2018-12-11 2019-07-05 中国航发贵州红林航空动力控制科技有限公司 一种金属钼表面镀铬工艺方法
CN113445090A (zh) * 2021-07-14 2021-09-28 航天南湖电子信息技术股份有限公司 一种钼铜合金表面电镀金新方法
CN114438553A (zh) * 2022-02-09 2022-05-06 宝鸡钛普锐斯钛阳极科技有限公司 一种钛基IrO2-TaO5涂层阳极底层的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104342731A (zh) 一种半导体钼材电镀钌方法
JP6004181B2 (ja) 陽極酸化皮膜及びその製造方法
CN103668358B (zh) 一种单脉冲无氰电镀银的方法
CN101660188B (zh) 在铝及其合金阳极氧化膜孔内和表面镶嵌纳米金属的方法
CN103361688A (zh) 卫浴产品表面处理方法
US3272728A (en) Method of producing activated electrodes
CN105349971A (zh) 一种铝合金表面改性工艺
KR100695999B1 (ko) 고주파펄스를 이용한 금속재의 아노다이징 공정
CN1230575C (zh) 不锈钢丝连续镀镍方法
CN110714219A (zh) 镁合金微弧氧化表面电镀镍的方法
US4115211A (en) Process for metal plating on aluminum and aluminum alloys
CN102312265B (zh) 一种铝或铝合金阳极氧化膜的制备方法
CN103540978B (zh) 一种碱性无氰电镀Ag-Ni合金的方法
CN103540970B (zh) 一种无氰镀银的方法
CN105132980B (zh) 一种铅银合金阳极表面复合陶瓷膜层成膜方法
CN112048744B (zh) 一种提高钛基材表面镀铂均匀性的工艺
CN109295483B (zh) 一种镀铜零件的绝缘保护方法
CN106086968A (zh) 一种igbt用钼基板表面涂覆贵金属的电镀工艺
JP6029202B2 (ja) アルミニウムまたはアルミニウム合金材への純鉄の電気めっき方法
JP4103209B2 (ja) 低水素過電圧電極の洗浄方法
JP5443790B2 (ja) ニッケルめっき材の製造方法
KR100853996B1 (ko) 마그네슘을 주성분으로 하는 금속체의 표면처리 방법
CN109537019A (zh) 一种硬质氧化铝合金的交流电解着色方法
KR20030075623A (ko) 무광택 금속피막을 도금하는 방법 및 이에 의해 도금된 제품
JPS6045710B2 (ja) 電解槽

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150211