JPS5931086A - 電流狭窄型半導体レ−ザ - Google Patents
電流狭窄型半導体レ−ザInfo
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- JPS5931086A JPS5931086A JP14154282A JP14154282A JPS5931086A JP S5931086 A JPS5931086 A JP S5931086A JP 14154282 A JP14154282 A JP 14154282A JP 14154282 A JP14154282 A JP 14154282A JP S5931086 A JPS5931086 A JP S5931086A
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- Japan
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- current confinement
- semiconductor laser
- type semiconductor
- crystal
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電流狭窄型半導体レーザの改良には関する。
電流狭窄型半導体レーザとして、従来、次の構成を有す
るものが提案されている。
るものが提案されている。
即ち、第１図に示すように、例えばＮ型のＱａ ＡＳ結
晶でなる基板１上に、Ｎ型のＩ ｎ、ｌｕフＧａ
ＡＩＰ（０，１≦ｙ≦０．５１ ）結晶でなＯぐｔ−ン
ソ るクラッド層２と、Ｉ ｎ ６．Ｑ Ｇ ａ ６．Ｆ／
Ｐ結晶でなる活性層３と、Ｐ型のＩｎ、Ｇａ Ａ
ｌＰｕ７ ｏ、ｒｆ−ｙ ）’ （０，１≦ｙ≦０．５１ ）結晶でなるクラッド層４ど
、Ｐ型のＩ ｎ Ｏ，、、Ｇ ａ ｔ＞：、、 Ｐ結晶
でなる電極付用層５とがそれ等の順に積層されている。
晶でなる基板１上に、Ｎ型のＩ ｎ、ｌｕフＧａ
ＡＩＰ（０，１≦ｙ≦０．５１ ）結晶でなＯぐｔ−ン
ソ るクラッド層２と、Ｉ ｎ ６．Ｑ Ｇ ａ ６．Ｆ／
Ｐ結晶でなる活性層３と、Ｐ型のＩｎ、Ｇａ Ａ
ｌＰｕ７ ｏ、ｒｆ−ｙ ）’ （０，１≦ｙ≦０．５１ ）結晶でなるクラッド層４ど
、Ｐ型のＩ ｎ Ｏ，、、Ｇ ａ ｔ＞：、、 Ｐ結晶
でなる電極付用層５とがそれ等の順に積層されている。
また、クラッド層２と、活性層３と、クラッド層４と、
電極付用層５とよりなる積層体６４二に、電流狭窄用層
７が形成されている。この場合、電流狭窄用層７は、例
えばＳｉＯのような酸化物で構成されている。また、電
流狭窄用層７は、その積層体６を、基板１側とは反対側
において、ストライプ状に露出するように、２つの電流
狭窄用層部７ａ及び７ｂで構成されている。
電極付用層５とよりなる積層体６４二に、電流狭窄用層
７が形成されている。この場合、電流狭窄用層７は、例
えばＳｉＯのような酸化物で構成されている。また、電
流狭窄用層７は、その積層体６を、基板１側とは反対側
において、ストライプ状に露出するように、２つの電流
狭窄用層部７ａ及び７ｂで構成されている。
さらに、電流狭窄用層７上と、積層体６のストライプ状
に露出している部８上とに、それ等間に連続延長して、
電極層９が形成されている。
に露出している部８上とに、それ等間に連続延長して、
電極層９が形成されている。
この場合、電極層９は、積層体６の電極付用層５と、ス
トライプ状にオーミックに連結している。
トライプ状にオーミックに連結している。
また、基板１の積層体６側とは反対側の面上に、電極層
１０がオーミックに連結している。
１０がオーミックに連結している。
３−
以上が、従来提案されている電流狭窄型半導体レーザの
構成である。
構成である。
このにうな構成を有する電流狭窄型半導体レーザによれ
ば、電極層９及び１０間に、電極層９側を正としている
所要の電源を接続することによって、その電源から、電
流が、電極層９、電極付用層５、クラッド層４、活性層
３、クラッド層２、基板１及び電極層１０をそれ等の順
に通って、活性層３に狭窄して流れ、これに基ずき、活
性層３の、電流が狭窄して流れ部で発光が得られ、その
光が、積層体６の、ストライプ状に露出している部８の
延長方向と直交している、ファブリペロ−の反射面を形
成している相対向する端面１３及び１４に向って伝播し
、そしてその相対向する端面１３及び１４でのファブリ
ペロ−の反射面で反射する、ということを繰返し、そし
て光が、相対向する端面１３及び１４の何れか一方から
レーザ光として出射する。この場合、電流狭窄用層８を
有するので、活性層３に、電流が狭窄して流れるので、
活性４一 層３で、効果的に、発光が得られる。
ば、電極層９及び１０間に、電極層９側を正としている
所要の電源を接続することによって、その電源から、電
流が、電極層９、電極付用層５、クラッド層４、活性層
３、クラッド層２、基板１及び電極層１０をそれ等の順
に通って、活性層３に狭窄して流れ、これに基ずき、活
性層３の、電流が狭窄して流れ部で発光が得られ、その
光が、積層体６の、ストライプ状に露出している部８の
延長方向と直交している、ファブリペロ−の反射面を形
成している相対向する端面１３及び１４に向って伝播し
、そしてその相対向する端面１３及び１４でのファブリ
ペロ−の反射面で反射する、ということを繰返し、そし
て光が、相対向する端面１３及び１４の何れか一方から
レーザ光として出射する。この場合、電流狭窄用層８を
有するので、活性層３に、電流が狭窄して流れるので、
活性４一 層３で、効果的に、発光が得られる。
従って、上述した従来の電流狭窄型半導体レーザによれ
ば、効果的にレーザ光が得られるという特徴を有する。
ば、効果的にレーザ光が得られるという特徴を有する。
また、上述した従来の電流狭窄型半導体レーザの場合、
活性層３が、Ｉｎ、、Ｇａ□ＩＰで構成されているので
、上述したレーザ光が、可視光波長領域で得られる。
活性層３が、Ｉｎ、、Ｇａ□ＩＰで構成されているので
、上述したレーザ光が、可視光波長領域で得られる。
従って、上述した従来の電流狭窄型半導体レーザによれ
ば、可視光波長領域の光通信用光源に適用して有用であ
るという特徴を有する。
ば、可視光波長領域の光通信用光源に適用して有用であ
るという特徴を有する。
さらに、上述した従来の電流狭窄型半導体レーザの場合
、活性層３が、Ｉ ｎ 、、、７Ｇ ａ□、Ｐ結晶であ
るに応じて、基板１がＧａＡＳ結晶でなり、マタクラッ
ド層２及び４がｌ ｎ ６．９７ Ｇ ａ ｐ、ｔ／−
ｙ Ａ１．）’ｐ （０，１≦ｙ≦０．５１ ）結晶で
なり、さらに電極付用層５がＩｎ Ｇａ Ｐ結晶で
なるので、クラッド層２、活性層３、クラッド層４及び
電極付用層５を、それ等の順に、基板１と格子整合して
いる状態に、基板１上に、順次形成することができ、従
って、クラッド層２、活性層３、クラッド層４及び電極
付用層５による積層体６を、電流狭窄用層７を形成する
前において、内部応力を有しないものとして形成するこ
とができる。
、活性層３が、Ｉ ｎ 、、、７Ｇ ａ□、Ｐ結晶であ
るに応じて、基板１がＧａＡＳ結晶でなり、マタクラッ
ド層２及び４がｌ ｎ ６．９７ Ｇ ａ ｐ、ｔ／−
ｙ Ａ１．）’ｐ （０，１≦ｙ≦０．５１ ）結晶で
なり、さらに電極付用層５がＩｎ Ｇａ Ｐ結晶で
なるので、クラッド層２、活性層３、クラッド層４及び
電極付用層５を、それ等の順に、基板１と格子整合して
いる状態に、基板１上に、順次形成することができ、従
って、クラッド層２、活性層３、クラッド層４及び電極
付用層５による積層体６を、電流狭窄用層７を形成する
前において、内部応力を有しないものとして形成するこ
とができる。
黙しながら、電流狭窄用層７が酸化物でなるので、この
電流狭窄用層７が、積層体６を形成して後、電極付用層
５との間で格子整合していない状態で形成される。また
、電流狭窄用層７が、電極付用層５との間で熱膨服係数
の差を有する。このため、積層体６、従って電極付用層
５が形成されて後、その電極付用層５には内部応力を有
し、従って、その電極付用層５が短期の使用で劣化し易
い。
電流狭窄用層７が、積層体６を形成して後、電極付用層
５との間で格子整合していない状態で形成される。また
、電流狭窄用層７が、電極付用層５との間で熱膨服係数
の差を有する。このため、積層体６、従って電極付用層
５が形成されて後、その電極付用層５には内部応力を有
し、従って、その電極付用層５が短期の使用で劣化し易
い。
また、上述した従来の電流狭窄型半導体レープの場合、
電流狭窄用層７が酸化物でなるので、クラッド層２、活
性層３、クラッド層４及び電極（＋Ｉ用層５を、基板１
上に、順次連続的に形成することができても、それに続
いて、電流狭窄用層７を連続的に形成することができな
い。
電流狭窄用層７が酸化物でなるので、クラッド層２、活
性層３、クラッド層４及び電極（＋Ｉ用層５を、基板１
上に、順次連続的に形成することができても、それに続
いて、電流狭窄用層７を連続的に形成することができな
い。
従って、上述した従来の電流狭窄型半導体レーザの場合
、その電流狭窄型半導体レーザを製造する工程が複雑で
ある、という欠点を有していた。
、その電流狭窄型半導体レーザを製造する工程が複雑で
ある、という欠点を有していた。
また、−上述した従来の電流狭窄型半導体レーザの場合
、電流狭窄用層７が酸化物でなるので、電極層９どの密
着性が悪く、このため、電極層９にリードイ」をする場
合等において、電極層９が、電流狭窄用層７から剥離し
易いという欠点を有していた。
、電流狭窄用層７が酸化物でなるので、電極層９どの密
着性が悪く、このため、電極層９にリードイ」をする場
合等において、電極層９が、電流狭窄用層７から剥離し
易いという欠点を有していた。
さらに、−に連した従来の電流狭窄型半導体１ノーザの
場合、電流狭窄用層７が酸化物であるので、積層体６内
で発生する熱の放散効率が悪く、このため、長時間の使
用によって、電流狭窄型半導体レーザとしての効率が低
下する等の欠点を有していた。
場合、電流狭窄用層７が酸化物であるので、積層体６内
で発生する熱の放散効率が悪く、このため、長時間の使
用によって、電流狭窄型半導体レーザとしての効率が低
下する等の欠点を有していた。
また、電流狭窄型半導体レーザどして、従来、次の構成
を有するものも提案されている。
を有するものも提案されている。
即ち、第２図に示すように、第１図の場合と同様に、例
えばＮ型のＧａＡＳ結晶でなる基板１上に、Ｎ型のＩ
ｎ６．．７Ｇ ａｂ、ｔｌ−ｙ Ａ ｌ、ｙＰ （０，
１≦ｙ≦０．５１ ）結晶でなるクラッド層２と、Ｉ
ｎ、ｕ７Ｇ ａ 、ｃ−／ Ｐ結晶でなる活性層３ど、
Ｐ型のＩｎ、、、。
えばＮ型のＧａＡＳ結晶でなる基板１上に、Ｎ型のＩ
ｎ６．．７Ｇ ａｂ、ｔｌ−ｙ Ａ ｌ、ｙＰ （０，
１≦ｙ≦０．５１ ）結晶でなるクラッド層２と、Ｉ
ｎ、ｕ７Ｇ ａ 、ｃ−／ Ｐ結晶でなる活性層３ど、
Ｐ型のＩｎ、、、。
Ｇａｏｘｌ−ｙΔｌ、Ｐ （０，１≦ｙ≦０．５１ ）
結晶でなるクラッド層４と、Ｐ型のＩ ｎ ｂ、７ Ｇ
” １）、Ｆ／ Ｐ結晶でなる電極付用層５とが、そ
れ等の順に積層されでいる。この場合、クラッド層２と
、活性層３と、クラッド層４ど、電極（＝ｌ用層５とに
よる（＾胴体６が、クラッド層４の基板１側の部を、基
板１−Ｆの全域に延長さｌだ状態の、ストライプ状のメ
リ”型に形成されている。
結晶でなるクラッド層４と、Ｐ型のＩ ｎ ｂ、７ Ｇ
” １）、Ｆ／ Ｐ結晶でなる電極付用層５とが、そ
れ等の順に積層されでいる。この場合、クラッド層２と
、活性層３と、クラッド層４ど、電極（＝ｌ用層５とに
よる（＾胴体６が、クラッド層４の基板１側の部を、基
板１−Ｆの全域に延長さｌだ状態の、ストライプ状のメ
リ”型に形成されている。
また、電流狭窄用層１７が、クラッド層４のメリ゛型に
なされていない領域上に、メザ型の積層体６を、その相
対向Ｊる両側から埋込むように形成されている。この場
合、電流狭窄用層１７の基板１側とは反対側の面が、積
層体６の基板１側とは反対側の面と略々同一の面上にあ
るにうに、電流狭窄用層１７が形成されている。
なされていない領域上に、メザ型の積層体６を、その相
対向Ｊる両側から埋込むように形成されている。この場
合、電流狭窄用層１７の基板１側とは反対側の面が、積
層体６の基板１側とは反対側の面と略々同一の面上にあ
るにうに、電流狭窄用層１７が形成されている。
まｌ、＝、電流狭窄用層１７が、基板１側にお（プる、
Ｐ型のＧａ Ａｓ結晶でなる胴部１７ａと、基板１側と
は反対側における、Ｎ型のＱａ Ａｓ結晶でなる胴部１
７ｂとからなる。この場合、胴部１７ａ及び１７ｂが、
それ等間のＰＮ接合１５が、クラッド層４の側面におい
て終絡するように形成されている。
Ｐ型のＧａ Ａｓ結晶でなる胴部１７ａと、基板１側と
は反対側における、Ｎ型のＱａ Ａｓ結晶でなる胴部１
７ｂとからなる。この場合、胴部１７ａ及び１７ｂが、
それ等間のＰＮ接合１５が、クラッド層４の側面におい
て終絡するように形成されている。
さらに、電流狭窄用層１７上と、積層体６上とに、それ
等間に連続的に延長して、電極層９が形成されている。
等間に連続的に延長して、電極層９が形成されている。
この場合、電極層９は、積層体６の電極付用層５と、ス
トライプ状にオーミックに連結されている。
トライプ状にオーミックに連結されている。
また、基板１の積層体６側とは反対側の面上に、電極層
１０がオーミックに連結１］でいる。
１０がオーミックに連結１］でいる。
以上が、従来提案されている電流狭窄型半導体レーザの
他の構成である。
他の構成である。
このような構成を有する、第２図に示す電流狭窄型半導
体レーザによれば、第１図の場合と同様に、電極層９及
び１０間に、電極層９側を正としている所要の電源を接
続することによって、その電源から、電流が、電極層９
、電極付用層５、クラッド層４、活性層３、クラッド層
９ ｊＪ。
体レーザによれば、第１図の場合と同様に、電極層９及
び１０間に、電極層９側を正としている所要の電源を接
続することによって、その電源から、電流が、電極層９
、電極付用層５、クラッド層４、活性層３、クラッド層
９ ｊＪ。
２、基板１及び電極層１０をそれ等の順に通って流れ、
これに基ずき、活性層３で発光が得られ、その光が、積
層体６の、それがストライプ状に延長方向と直交してい
る、ファブリペロ−の反射面を形成している相対向する
端面１３及び１４に向って伝播し、そしてその相対向す
る端面１３及び１１１１でのファブリペロ−の反射面で
反ＱＪする、ということを繰返し、そして光が、相対向
１“る端面１３及び１４の何れか一方から、シー１Ｆ光
として出！）Ｊ−！ｌる。この場合、活性層３が、電流
狭窄用層１７によって、その側面から埋込まれており、
そしてその活性層３の幅が、基板１に比し小なる幅を有
するので、活性層３に、電流が、大なる電流密度で流れ
、にって活性層３で、効果的に、発光が得られる。
これに基ずき、活性層３で発光が得られ、その光が、積
層体６の、それがストライプ状に延長方向と直交してい
る、ファブリペロ−の反射面を形成している相対向する
端面１３及び１４に向って伝播し、そしてその相対向す
る端面１３及び１１１１でのファブリペロ−の反射面で
反ＱＪする、ということを繰返し、そして光が、相対向
１“る端面１３及び１４の何れか一方から、シー１Ｆ光
として出！）Ｊ−！ｌる。この場合、活性層３が、電流
狭窄用層１７によって、その側面から埋込まれており、
そしてその活性層３の幅が、基板１に比し小なる幅を有
するので、活性層３に、電流が、大なる電流密度で流れ
、にって活性層３で、効果的に、発光が得られる。
従って、第２図で上述した従来の電流狭窄型半導体レー
ザによっても、効果的にレーザ光が得られるという特徴
を有する。
ザによっても、効果的にレーザ光が得られるという特徴
を有する。
また、第２図で上述した従来の電流狭窄型半導体レーザ
の場合も、第１図で上述した従来の１０− 電流狭窄型半導体レーザの場合と同様に、活Ｉ１１層３
が、Ｉ ｎ 、、、、 Ｇ ａ 、、、、 Ｐ結晶で構
成ざレテイルので、上述したレーザ光が、可視光波長領
域で得られる。
の場合も、第１図で上述した従来の１０− 電流狭窄型半導体レーザの場合と同様に、活Ｉ１１層３
が、Ｉ ｎ 、、、、 Ｇ ａ 、、、、 Ｐ結晶で構
成ざレテイルので、上述したレーザ光が、可視光波長領
域で得られる。
従って、第２図で上述した従来の電流狭窄型半導体レー
ザによっても、可視光波長領域の光通信用光源に適用し
て有用であるという特徴を有する。
ザによっても、可視光波長領域の光通信用光源に適用し
て有用であるという特徴を有する。
さらに、第２図で上述した従来の電流狭窄型半導体レー
ザの場合も、第１図で上述した従来の電流狭窄型半導体
レーザの場合と同様に、活性層３が、Ｉ ｎ、、、、
Ｇ ａ 、ｔ、 Ｐ結晶であルニ応ＵＴ、基板１がＧａ
ＡＳ結晶でなり、またクラッド層２及び４がＩｎ Ｇ
ａ ＡＩ Ｐ（０，１≦ｙ≦Ｏμ７ ０．ｔ／−）
７ ノ ０．５１ ）結晶でなり、さらに電極付用層５がＩ ｎ
、、、、 Ｇ ａ ｏ、ｔ／ Ｐ結晶でなるので、ク
ラッド層２、活性層３、クラッド層４及び電極付用層５
を、それ等の順に、基板１と格子整合している状態に、
基板１上に、順次形成することができ、従ってクラッド
層２、活性層３、クラッド層４及び電極ｆＪ用層５によ
る積層体６を、内部応力を有し４−ｉいものどじて形成
することができる。
ザの場合も、第１図で上述した従来の電流狭窄型半導体
レーザの場合と同様に、活性層３が、Ｉ ｎ、、、、
Ｇ ａ 、ｔ、 Ｐ結晶であルニ応ＵＴ、基板１がＧａ
ＡＳ結晶でなり、またクラッド層２及び４がＩｎ Ｇ
ａ ＡＩ Ｐ（０，１≦ｙ≦Ｏμ７ ０．ｔ／−）
７ ノ ０．５１ ）結晶でなり、さらに電極付用層５がＩ ｎ
、、、、 Ｇ ａ ｏ、ｔ／ Ｐ結晶でなるので、ク
ラッド層２、活性層３、クラッド層４及び電極付用層５
を、それ等の順に、基板１と格子整合している状態に、
基板１上に、順次形成することができ、従ってクラッド
層２、活性層３、クラッド層４及び電極ｆＪ用層５によ
る積層体６を、内部応力を有し４−ｉいものどじて形成
することができる。
また、第２図で上述した従来の電流狭窄型半導体レーザ
の場合、電流狭窄用層１７が、盾部１７ａ及び１７ｂか
らなり、そしてそれ等がＧａ Ａｓ結晶でなり、第１図
の場合のように酸化物でなるものではない。
の場合、電流狭窄用層１７が、盾部１７ａ及び１７ｂか
らなり、そしてそれ等がＧａ Ａｓ結晶でなり、第１図
の場合のように酸化物でなるものではない。
従って、第２図で上述した従来の電流狭窄型半導体レー
ザの場合、第１図の場合の、電流狭窄用層７が酸化物で
ｔｒることによる欠点を有しないという特徴を有する。
ザの場合、第１図の場合の、電流狭窄用層７が酸化物で
ｔｒることによる欠点を有しないという特徴を有する。
黙しながら、第２図で上述した従来の電流狭窄型半導体
レーザ°の場合、電流狭窄用層１７を構成しているｌｉ
ｔＭ１７ａ及び１７ｂを、それ等間のＰＮ接合１５が、
−１５ホしたように、積層体６のクラッド層４の側面に
おいて終絡するように形成する必要がある。
レーザ°の場合、電流狭窄用層１７を構成しているｌｉ
ｔＭ１７ａ及び１７ｂを、それ等間のＰＮ接合１５が、
−１５ホしたように、積層体６のクラッド層４の側面に
おいて終絡するように形成する必要がある。
従って、第２図で」一連した従来の電流狭窄型半導体レ
ーザの場合、電流狭窄用層１７を形成するのに、困難を
伴ない、依って、電流狭窄型半導体レーザを、簡易に製
造することができないという欠点を有していた。
ーザの場合、電流狭窄用層１７を形成するのに、困難を
伴ない、依って、電流狭窄型半導体レーザを、簡易に製
造することができないという欠点を有していた。
よって、本発明は上）ホした欠点のない、新規な電流狭
窄型半導体レーザを提案せんとするものである。
窄型半導体レーザを提案せんとするものである。
第３図は、本発明による電流狭窄型半導体レーザの実施
例を示し、第１図との対応部分に同一符号を付して詳細
説明を省略する。
例を示し、第１図との対応部分に同一符号を付して詳細
説明を省略する。
第３図に示す本発明による電流狭窄型半導体レーザの実
施例においては、第１図で上述した構成において、その
電流狭窄用層７が、酸化物で４するに代え、高抵抗を有
する（ ｎ ６．、 Ｇ ａｏ、Ｈ−ｗＡ １ｖｖＰ
（０，１≦Ｗ≦０．５１ ）でなる、電流狭窄用層２７
に置換されていることを除いて、第１図の場合と同様の
構成を有する。
施例においては、第１図で上述した構成において、その
電流狭窄用層７が、酸化物で４するに代え、高抵抗を有
する（ ｎ ６．、 Ｇ ａｏ、Ｈ−ｗＡ １ｖｖＰ
（０，１≦Ｗ≦０．５１ ）でなる、電流狭窄用層２７
に置換されていることを除いて、第１図の場合と同様の
構成を有する。
この場合、電流狭窄用層２７は、それがＩｎｏ、、７Ｇ
ａｏ、ｔ／−Ｗ Ａ １ｗＰ （０，１≦Ｗ≦０．５
１ ）でなるので、クラッド層２、活性層３、クラッド
層４及び電極イ」用層５と共に、基板１と格子整合して
いるものである。
ａｏ、ｔ／−Ｗ Ａ １ｗＰ （０，１≦Ｗ≦０．５
１ ）でなるので、クラッド層２、活性層３、クラッド
層４及び電極イ」用層５と共に、基板１と格子整合して
いるものである。
以上が、本発明による電流狭窄型半導体レーザの実施例
の構成であるが、このような構成における、クラッド層
２、活性層３、クラッド層４、電極付用層５、電流狭窄
用層２７は、分子線エピタキシャル成長法によって形成
することができる。なお、この場合、電流狭窄用層２７
は、Ａ１を含むＩ ｎ６．．７ Ｇ ａｏ、＊ｌ−ｗ
Ａ １ｗＰ （０，１≦Ｗ≦０．５１ ）結晶でなるも
のとして形成されるので、酸素が取込まれ易い。このた
め、電流狭窄用層２７は、酸素を深い単位をもった不純
物を含むものとして得られ、従って、特に不純物を導入
しなくても、高抵抗を有するものとして形成されるもの
である。
の構成であるが、このような構成における、クラッド層
２、活性層３、クラッド層４、電極付用層５、電流狭窄
用層２７は、分子線エピタキシャル成長法によって形成
することができる。なお、この場合、電流狭窄用層２７
は、Ａ１を含むＩ ｎ６．．７ Ｇ ａｏ、＊ｌ−ｗ
Ａ １ｗＰ （０，１≦Ｗ≦０．５１ ）結晶でなるも
のとして形成されるので、酸素が取込まれ易い。このた
め、電流狭窄用層２７は、酸素を深い単位をもった不純
物を含むものとして得られ、従って、特に不純物を導入
しなくても、高抵抗を有するものとして形成されるもの
である。
以上が、本発明による電流狭窄型半導体レーザの実施例
の構成である。
の構成である。
このような構成を有する、本発明による電流狭窄型半導
体レーザの実施例の構成よれば、第１図で上述した従来
の電流狭窄型半導体レーザの場合と同様に、電極層９及
び１０間に、電極層９側を正としている所要の電源を接
続１−ることによって、その電源から、電流が、電極層
９、電極付用層５、クラッド層４、活性層３、クラッド
層２、基板１及び電極層１０をそれ等の順に通って、活
性層３に狭窄して流れ、これに基ずき、活性層３の、電
流が狭窄して流れる部で発光が１ｑられ、その光が、積
層体６の、ス１〜ライブ状に露出している部８の延長方
向と直交している、ファブリペロ−の反射面を形成して
いる相対向する端面１３及び１４に向って伝播し、そし
てその相対向する端面１３及び１４でのファブリペロ−
の反射面で反射する、ということを繰返し、そして光が
、相対向する端面１３及び１４の何れか一方から、レー
ザ光として出射する。この場合、電流狭窄用層２７を有
するので、活性層３に、電流が狭窄して流れる。従って
、活性層３で、効果的に、発光が得られる。
体レーザの実施例の構成よれば、第１図で上述した従来
の電流狭窄型半導体レーザの場合と同様に、電極層９及
び１０間に、電極層９側を正としている所要の電源を接
続１−ることによって、その電源から、電流が、電極層
９、電極付用層５、クラッド層４、活性層３、クラッド
層２、基板１及び電極層１０をそれ等の順に通って、活
性層３に狭窄して流れ、これに基ずき、活性層３の、電
流が狭窄して流れる部で発光が１ｑられ、その光が、積
層体６の、ス１〜ライブ状に露出している部８の延長方
向と直交している、ファブリペロ−の反射面を形成して
いる相対向する端面１３及び１４に向って伝播し、そし
てその相対向する端面１３及び１４でのファブリペロ−
の反射面で反射する、ということを繰返し、そして光が
、相対向する端面１３及び１４の何れか一方から、レー
ザ光として出射する。この場合、電流狭窄用層２７を有
するので、活性層３に、電流が狭窄して流れる。従って
、活性層３で、効果的に、発光が得られる。
従って、第３図で上述した本発明による電流狭窄型半導
体レーザによる場合も、第１図で上）！ｉした従来の電
流狭窄型半導体レーザの場合と同様に、効果的にレーザ
光が得られるという特徴を有する。
体レーザによる場合も、第１図で上）！ｉした従来の電
流狭窄型半導体レーザの場合と同様に、効果的にレーザ
光が得られるという特徴を有する。
また、第３図で上述した本発明による電流狭窄型半導体
レーザの場合も、活性層３が、Ｉｎ６．。
レーザの場合も、活性層３が、Ｉｎ６．。
Ｇ ａ ｌｌ、、ｐＩ Ｐで構成されているので、上述
したレーザ光が、可視光波長領域（１，０〜１．７μｍ
）で得られる。
したレーザ光が、可視光波長領域（１，０〜１．７μｍ
）で得られる。
従って、第３図で上述【ノた本発明による電流狭窄型半
導体レーザによる場合も、第１図で上述した従来の電流
狭窄型牛導体レーザの場合と同様に、可視光波長領域の
光通信用光源に適用して有用であるという特徴を有する
。
導体レーザによる場合も、第１図で上述した従来の電流
狭窄型牛導体レーザの場合と同様に、可視光波長領域の
光通信用光源に適用して有用であるという特徴を有する
。
さらに、第３図で上述した本発明による電流狭窄型半導
体レーザの場合も、活性層３が、Ｉ ｎｏ、ｅ７ Ｇ
ａ ｏｔｌ Ｐ結晶であるに応じて、基板１がＱａ Ａ
Ｓ結晶でなり、またクラッド層２及び４がｉｎ Ｇａ
ＡＩＰ（０，１≦ｙ≦０．５１ ）ｏ、ｕ７ ０
．＋−１−ｙ７ 結晶でなり、さらに電極イ４用層５がＩ ｎ Ｇ ａ
ｂｉ７″′７ Ｐ結晶でなるので、クラッド層２、活性層３、クラッド
層４及び電極付用層５を、それ等の順に、基板１と格子
整合している状態に、基板１上に、順次形成することが
でき、従ってクラッド層２、活性層３、クラッド層４及
び電極付用層５による積層体６を、電流狭窄用層７を形
成する前において、内部応力を有しないものとして形成
することができる。
体レーザの場合も、活性層３が、Ｉ ｎｏ、ｅ７ Ｇ
ａ ｏｔｌ Ｐ結晶であるに応じて、基板１がＱａ Ａ
Ｓ結晶でなり、またクラッド層２及び４がｉｎ Ｇａ
ＡＩＰ（０，１≦ｙ≦０．５１ ）ｏ、ｕ７ ０
．＋−１−ｙ７ 結晶でなり、さらに電極イ４用層５がＩ ｎ Ｇ ａ
ｂｉ７″′７ Ｐ結晶でなるので、クラッド層２、活性層３、クラッド
層４及び電極付用層５を、それ等の順に、基板１と格子
整合している状態に、基板１上に、順次形成することが
でき、従ってクラッド層２、活性層３、クラッド層４及
び電極付用層５による積層体６を、電流狭窄用層７を形
成する前において、内部応力を有しないものとして形成
することができる。
また、第３図で上述した本発明にＪ：る電流狭窄型半導
体レーザの場合、電流狭窄用層２７が、Ｉ ｎ、”ｙ
Ｇ ａＤｌ”１−ｖｖ Ａ １ｗＰ （０，
１≦ Ｗ ≦ ０．５１ ） 結晶でなり
、第１図の場合のように酸化物でなるものではない。
体レーザの場合、電流狭窄用層２７が、Ｉ ｎ、”ｙ
Ｇ ａＤｌ”１−ｖｖ Ａ １ｗＰ （０，
１≦ Ｗ ≦ ０．５１ ） 結晶でなり
、第１図の場合のように酸化物でなるものではない。
従って、第３図で上述した本発明による電流狭窄型半導
体レーザの場合、第１図の場合の、電流狭窄用層７が酸
化物でなることによる欠点を有しないという大なる特徴
を有する。
体レーザの場合、第１図の場合の、電流狭窄用層７が酸
化物でなることによる欠点を有しないという大なる特徴
を有する。
第４図は、本発明による電流狭窄型半導体レーザの他の
実施例を示し、第２図との対応部分に同一符号を付して
詳細説明を省略する。
実施例を示し、第２図との対応部分に同一符号を付して
詳細説明を省略する。
第４図に示す本発明による電流狭窄型半導体レーザの他
の実施例においては、第２図で−に連した構成において
、その電流狭窄用層１７が、ＧａＡｓでなる層１７ａ及
び１７ｂでなるに代え、高抵抗を有ＪるＩｎ Ｇａ
ＡＩｗ［）心、μ７ ｂ、に／−Ｗ （０，１≦Ｗ≦０．５１ ）でなる、電流狭窄用層３７
に置換されていることを除いて、第２図の場合と同様の
構成を有する。
の実施例においては、第２図で−に連した構成において
、その電流狭窄用層１７が、ＧａＡｓでなる層１７ａ及
び１７ｂでなるに代え、高抵抗を有ＪるＩｎ Ｇａ
ＡＩｗ［）心、μ７ ｂ、に／−Ｗ （０，１≦Ｗ≦０．５１ ）でなる、電流狭窄用層３７
に置換されていることを除いて、第２図の場合と同様の
構成を有する。
以」：が、本発明にＪ：る電流狭窄型半導体レーザの他
の実施例の構成であるが、このような構成にお（プる、
クラッド層２、活性層３、クラッド層４、電極付用層５
、電流狭窄用層３７も、第１図で上述した本発明による
電流狭窄型半導体レーザの場合と同様に、分子線エピタ
キシャル成長法によって形成ｊ゛ることができる。なお
、この場合も、電流狭窄用層３７は、Δ１を含むＩ ｎ
ｏ、ｐｌＧ ａ ｏｔ、ｌ−ｖ Ａ ’ｖＶＰ （０
，１≦Ｗ≦０．５１ ）結晶でなるものとして形成され
るので、酸素が取込まれ易い。このため、電流狭窄用層
３７は、酸素を深い単位をもった不純物を含むものとし
て得られ、従って、特に不純物を導入しなくても、高抵
抗を有するものとして形成されるものである。
の実施例の構成であるが、このような構成にお（プる、
クラッド層２、活性層３、クラッド層４、電極付用層５
、電流狭窄用層３７も、第１図で上述した本発明による
電流狭窄型半導体レーザの場合と同様に、分子線エピタ
キシャル成長法によって形成ｊ゛ることができる。なお
、この場合も、電流狭窄用層３７は、Δ１を含むＩ ｎ
ｏ、ｐｌＧ ａ ｏｔ、ｌ−ｖ Ａ ’ｖＶＰ （０
，１≦Ｗ≦０．５１ ）結晶でなるものとして形成され
るので、酸素が取込まれ易い。このため、電流狭窄用層
３７は、酸素を深い単位をもった不純物を含むものとし
て得られ、従って、特に不純物を導入しなくても、高抵
抗を有するものとして形成されるものである。
以上が、本発明による電流狭窄型半導体レーザの他の実
施例の構成である。
施例の構成である。
このような構成を有する、第４図に示す電流狭窄型半導
体シー１アによれば、第２図の場合と同様に、電極層９
及び１０間に、電極層９側を正としている所要の電源を
接続することによって、その電源から、電流が、電極層
９、電極（＝Ｊ用層５、クラッド層４、活性層３、クラ
ッド層２、基板１及び電極層１０をそれ等の順に通って
流れ、これに基ずぎ、活性層３で発光が得られ、その光
が、積層体６の、それがス１へライブ状に延長方向と直
交している、ファブリペロ−の反射面を形成している相
対向する端面１３及び１４に向って伝播し、そしてその
相対向する端面１３及び１４でのファブリペ［Ｉ−の反
射面で反射する、ということを繰返し、そして光が、相
対向する端面１３及び１４の何れか一方から、レーザ光
として出射する。この場合、活性層３が、電流狭窄用層
３７によって、その側面から叩込まれており、そしてそ
の活性層３の幅が、基板１に比し小なる幅を有Ｊるので
、活ｆ！１層３に、電流が、大なる電流密度で流れ、よ
って活性層３で、効果的に、レー！ア光が得られる。
体シー１アによれば、第２図の場合と同様に、電極層９
及び１０間に、電極層９側を正としている所要の電源を
接続することによって、その電源から、電流が、電極層
９、電極（＝Ｊ用層５、クラッド層４、活性層３、クラ
ッド層２、基板１及び電極層１０をそれ等の順に通って
流れ、これに基ずぎ、活性層３で発光が得られ、その光
が、積層体６の、それがス１へライブ状に延長方向と直
交している、ファブリペロ−の反射面を形成している相
対向する端面１３及び１４に向って伝播し、そしてその
相対向する端面１３及び１４でのファブリペ［Ｉ−の反
射面で反射する、ということを繰返し、そして光が、相
対向する端面１３及び１４の何れか一方から、レーザ光
として出射する。この場合、活性層３が、電流狭窄用層
３７によって、その側面から叩込まれており、そしてそ
の活性層３の幅が、基板１に比し小なる幅を有Ｊるので
、活ｆ！１層３に、電流が、大なる電流密度で流れ、よ
って活性層３で、効果的に、レー！ア光が得られる。
従って、第４図で上述した従来の電流狭窄型半導体レー
１７”によっても、効果的にレーザ光が１９られるとい
う特徴を有する。
１７”によっても、効果的にレーザ光が１９られるとい
う特徴を有する。
また、第１図で−に二連した本発明による電流狭窄型半
導体レーザの場合も、第２図で上述した従来の電流狭窄
型半導体レーザの場合と同様に、活ｉ’１層３が、ＩＯ
ｏすＧ ａＤ、、、 Ｐ結晶で構成されているので、上
述した発光が、可視光波長領域で得られる。
導体レーザの場合も、第２図で上述した従来の電流狭窄
型半導体レーザの場合と同様に、活ｉ’１層３が、ＩＯ
ｏすＧ ａＤ、、、 Ｐ結晶で構成されているので、上
述した発光が、可視光波長領域で得られる。
従って、第４図で」一連した本発明にＪ：る電流狭窄型
半導体レーク゛によれば、可視光波長領域の光通信用光
源に適用して有用であるという特徴を有する。
半導体レーク゛によれば、可視光波長領域の光通信用光
源に適用して有用であるという特徴を有する。
さらに、第４図で上述した本発明による電流狭窄型半導
体レーザの場合も、第２図で上述した従来の電流狭窄型
半導体レーザの場合と同様に、活性層３が、ｉ ｎ 、
、ｕｙＧ ａ ｂ、ｐｌ Ｐ結晶であるに応じて、基板
１がＧａＡｓ結晶でなり、またクラッド層２及び４１月
ｎ ｏ、ｈ７ Ｇ ａＤ、ｔｔ −ｙ Ａ １７ Ｐ
（０，１≦ｙ≦ ０．５１ ）結晶でなり、さらに電極
付用層５が Ｉ ｎ ｏ、ｈ７Ｇ ａ ｏ、ｔ７ Ｐ結
晶でなるので、クラッド層２、活性層３、クラッド層４
及び電極イ１用層５を、それ等の順に、基板１ど格子整
合している状態に、基板１十に、順次形成することがで
き、従ってクラッド層２、活性層３、クラッド層４及び
電極付用層５による積層体６を、内部応ノＪを右しない
ものとして形成Ｊ−ることができる。
体レーザの場合も、第２図で上述した従来の電流狭窄型
半導体レーザの場合と同様に、活性層３が、ｉ ｎ 、
、ｕｙＧ ａ ｂ、ｐｌ Ｐ結晶であるに応じて、基板
１がＧａＡｓ結晶でなり、またクラッド層２及び４１月
ｎ ｏ、ｈ７ Ｇ ａＤ、ｔｔ −ｙ Ａ １７ Ｐ
（０，１≦ｙ≦ ０．５１ ）結晶でなり、さらに電極
付用層５が Ｉ ｎ ｏ、ｈ７Ｇ ａ ｏ、ｔ７ Ｐ結
晶でなるので、クラッド層２、活性層３、クラッド層４
及び電極イ１用層５を、それ等の順に、基板１ど格子整
合している状態に、基板１十に、順次形成することがで
き、従ってクラッド層２、活性層３、クラッド層４及び
電極付用層５による積層体６を、内部応ノＪを右しない
ものとして形成Ｊ−ることができる。
また、第４図で１−述した本発明にＪ：る電流狭窄型半
導体レーザの場合、電流狭窄用層３７が、単一のＩｎ
Ｇａ ＡｌｗＰ （０，１≦Ｗ≦０．５ｂｌＩ７
ｏ、ｔ／−ｗ １）結晶層でなり、第１図の場合のように酸化物でなる
ものではない。
導体レーザの場合、電流狭窄用層３７が、単一のＩｎ
Ｇａ ＡｌｗＰ （０，１≦Ｗ≦０．５ｂｌＩ７
ｏ、ｔ／−ｗ １）結晶層でなり、第１図の場合のように酸化物でなる
ものではない。
従って、第４図で上述した本発明による電流狭窄型半導
体レーザの場合、第１図の場合の、電流狭窄用層７が酸
化物でなることによる欠点を有しないという特徴を有す
る。
体レーザの場合、第１図の場合の、電流狭窄用層７が酸
化物でなることによる欠点を有しないという特徴を有す
る。
また、第４図で上述した本発明による電流狭窄型半導体
レーザの場合、電流狭窄用層３７が単一の結晶層である
ので、第２図の場合の、電流狭窄用層１７を構成してい
る盾部１７ａ及び１７１）を、それ等間のＰＮ接合１５
が、積層体６のクラッド層４の側面において終絡するに
うに形成する必要がある、というようなことがない。
レーザの場合、電流狭窄用層３７が単一の結晶層である
ので、第２図の場合の、電流狭窄用層１７を構成してい
る盾部１７ａ及び１７１）を、それ等間のＰＮ接合１５
が、積層体６のクラッド層４の側面において終絡するに
うに形成する必要がある、というようなことがない。
従って、第４図で上述した本発明による電流狭窄型半導
体レーザの場合、電流狭窄用層３７を形成りるのに、困
難を伴ない、依って、電流狭窄型半導体レーク“を簡易
に製造することができる等の大なる特徴を有していた。
体レーザの場合、電流狭窄用層３７を形成りるのに、困
難を伴ない、依って、電流狭窄型半導体レーク“を簡易
に製造することができる等の大なる特徴を有していた。
なお、」二連においては、本発明の僅かな実施例を示し
たに留まり、例えば、上述した「Ｎ型」を「Ｐ型」、「
Ｐ型」を「Ｎ型」と読み替えた構成とすることもでき、
その他、本発明の精神を脱づ−ることなしに、種々の変
型変更をなし得るであろう。
たに留まり、例えば、上述した「Ｎ型」を「Ｐ型」、「
Ｐ型」を「Ｎ型」と読み替えた構成とすることもでき、
その他、本発明の精神を脱づ−ることなしに、種々の変
型変更をなし得るであろう。
第１図及び第２図は、従来の電流狭窄型半導体レーザを
示す路線的斜視図である。 第３図は、本発明による電流狭窄型半導体レーザの一例
を示す路線的斜視図である。。 第４図は、本発明による電流狭窄型半導体レーザの他の
例を示ず路線的斜視図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｇａ Ａｓ結
晶でなる基板２、４・・・・・・・・・・・何 ｎ６゜
７ Ｇ ａ ｏ咄メＡｔ、Ｐ（０，１≦ｙ≦０．５１
）結晶でな るクラッド層 ３・・・・・・・・・・・・・・・・・何ｎ ｏ、ｕｙ
Ｇ ａ ａ、ｔＩ Ｐ結晶でなる活性層 ５・・・・・・・・・・・・・・・・・’ Ｉ ｎＯ，
Ｌｔ７Ｇ ”ｂＦＩ Ｐ結晶でなるＮ極付用層 ６・・・・・・・・・・・・・・・・・・積層体７・・
・・・・・・・・・・・・・・・・酸化物でなる電流狭
窄用層８・・・・・・・・・・・・・・・・・・積層体
６の露出部９．１０・・・・・・・・・電極層 １３．１４・・・・・・積層体６の相対向する端面１５
・・・・・・・・・・・・・・・ＰＮ接合２７ 、３７
・＝ −Ｉ ｎａｍ７ Ｇ ”６．ｔ７−Ｗ△１ｗＰ
（０，１≦Ｗ≦０．５１ ）結晶でな る電流狭窄用層 出願人 日本電信電話公判
示す路線的斜視図である。 第３図は、本発明による電流狭窄型半導体レーザの一例
を示す路線的斜視図である。。 第４図は、本発明による電流狭窄型半導体レーザの他の
例を示ず路線的斜視図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｇａ Ａｓ結
晶でなる基板２、４・・・・・・・・・・・何 ｎ６゜
７ Ｇ ａ ｏ咄メＡｔ、Ｐ（０，１≦ｙ≦０．５１
）結晶でな るクラッド層 ３・・・・・・・・・・・・・・・・・何ｎ ｏ、ｕｙ
Ｇ ａ ａ、ｔＩ Ｐ結晶でなる活性層 ５・・・・・・・・・・・・・・・・・’ Ｉ ｎＯ，
Ｌｔ７Ｇ ”ｂＦＩ Ｐ結晶でなるＮ極付用層 ６・・・・・・・・・・・・・・・・・・積層体７・・
・・・・・・・・・・・・・・・・酸化物でなる電流狭
窄用層８・・・・・・・・・・・・・・・・・・積層体
６の露出部９．１０・・・・・・・・・電極層 １３．１４・・・・・・積層体６の相対向する端面１５
・・・・・・・・・・・・・・・ＰＮ接合２７ 、３７
・＝ −Ｉ ｎａｍ７ Ｇ ”６．ｔ７−Ｗ△１ｗＰ
（０，１≦Ｗ≦０．５１ ）結晶でな る電流狭窄用層 出願人 日本電信電話公判
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ｒｎ Ｇａ ｐでなる活性層と、Ｉｎｏ、ｔ、
ｔ７′９７Ｄ・【ｌ Ｇ ａｏ、ｔｔ−ｙ Ａ ’、ｙＰ （０，１≦ｙ≦０
．５１）テなるクラッド層とを有する積層体と、電流狭
窄用層とを有する電流狭窄型半導体レーザにおいて、上
記電流狭窄用層が、高抵抗を有するＩ ｎｏ、ｇ７Ｇ
ａｏ錠ｔ−＋Ａ／Ａ Ｉ＊Ｐ （０，１≦Ｗ≦ Ｏ０’
５１ ）でなることを特徴とする電流狭窄型半導体レー
ザ。 ２、特許請求の範囲第１項記載の電流狭窄型半導体レー
ザにおいて、上記高抵抗を有するＩｎ Ｇａ Ａ
ＩＷＰ （０，１≦Ｗ≦０．５１ ）ｏ、ｕ７ Ｄ＜
Ｌ−Ｗ でなる電流狭窄用層が、上記積層体上に、当該積層体を
ストライプ状に露出するように形成され、上記電流狭窄
用層上と、上記積層体のストライプ状に露出している部
上とに、それ等間に連続的に延長して、電極層が形成さ
れていることを特徴とする電流狭窄型半導体レーザ。 ３、特許請求の範囲第１項記載の電流狭窄型半導体レー
ザにおいて、上記高抵抗を有するＩ ｎｏ、、７ Ｇ
ａｏ、ｒｌ−ｗＡ １ｗＰ （０，１≦ｙ≦ｏ、ｓｉ
）でなる電流狭窄用層が、上記活性層と上記クラッド層
とを、それ等の相対向する両側から埋込むように形成さ
れ、上記電流狭窄用層上と、上記積層体上とに、それ等
間に連続的に延長して、電極層が形成されていることを
特徴とする電流狭窄型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14154282A JPS5931086A (ja) | 1982-08-14 | 1982-08-14 | 電流狭窄型半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14154282A JPS5931086A (ja) | 1982-08-14 | 1982-08-14 | 電流狭窄型半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5931086A true JPS5931086A (ja) | 1984-02-18 |
Family
ID=15294388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14154282A Pending JPS5931086A (ja) | 1982-08-14 | 1982-08-14 | 電流狭窄型半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931086A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254988A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-10 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| EP0346120A2 (en) * | 1988-06-08 | 1989-12-13 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JPH0328770U (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-22 | ||
| US5004780A (en) * | 1988-03-10 | 1991-04-02 | Nippon Oil And Fats Co., Ltd. | Cyclic monoperoxyketal |
| JPH1012962A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50120283A (ja) * | 1974-03-05 | 1975-09-20 | ||
| JPS51103783A (ja) * | 1975-03-08 | 1976-09-13 | Fujitsu Ltd |
-
1982
- 1982-08-14 JP JP14154282A patent/JPS5931086A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50120283A (ja) * | 1974-03-05 | 1975-09-20 | ||
| JPS51103783A (ja) * | 1975-03-08 | 1976-09-13 | Fujitsu Ltd |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6254988A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-10 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| WO1987001522A1 (en) * | 1985-09-04 | 1987-03-12 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| EP0232431A1 (en) * | 1985-09-04 | 1987-08-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| EP0232431B1 (en) * | 1985-09-04 | 1993-03-17 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US5004780A (en) * | 1988-03-10 | 1991-04-02 | Nippon Oil And Fats Co., Ltd. | Cyclic monoperoxyketal |
| EP0346120A2 (en) * | 1988-06-08 | 1989-12-13 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JPH0328770U (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-22 | ||
| JPH1012962A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
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