JPS5931087A - 電流狭窄型半導体レ−ザ - Google Patents
電流狭窄型半導体レ−ザInfo
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- JPS5931087A JPS5931087A JP14154382A JP14154382A JPS5931087A JP S5931087 A JPS5931087 A JP S5931087A JP 14154382 A JP14154382 A JP 14154382A JP 14154382 A JP14154382 A JP 14154382A JP S5931087 A JPS5931087 A JP S5931087A
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- Japan
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- current confinement
- semiconductor laser
- type semiconductor
- crystal
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電流狭窄型半導体レーザの改良には関する。
電流狭窄型半導体レーザとして、従来、次の構成を有す
るものが提案されている。
るものが提案されている。
即ち、第１図に示すように、例えばＮ型のＩｎＰ結晶で
なる基板１上に、Ｎ型のＩｎＰ結晶でなるクラッド層２
と、Ｉ ｎ、Ｇ ”＋−’ｔ Ａ ｓ、巳−７（０，５
３≦Ｗ≦０．７４ 、 １．ｏ≦ｌ≦０．５８ ）結晶
でなる活性層３と、Ｐ型のＩｎＰ結晶でなるクラッド層
４と、Ｐ型の” ’、ｔ３ Ｇ” ｏ、ｕ２Ａ Ｓ結晶
でなる電極付用層５とがそれ等の順に積層されている。
なる基板１上に、Ｎ型のＩｎＰ結晶でなるクラッド層２
と、Ｉ ｎ、Ｇ ”＋−’ｔ Ａ ｓ、巳−７（０，５
３≦Ｗ≦０．７４ 、 １．ｏ≦ｌ≦０．５８ ）結晶
でなる活性層３と、Ｐ型のＩｎＰ結晶でなるクラッド層
４と、Ｐ型の” ’、ｔ３ Ｇ” ｏ、ｕ２Ａ Ｓ結晶
でなる電極付用層５とがそれ等の順に積層されている。
また、クラッド層２と、活性層３と、クラッド層４と、
電極付用層５とよりなる積層体６上に、電流狭窄用層７
が形成されている。この場合、電流狭窄用層７は、例え
ばＳｔＯ，のような酸化物で構成されている。また、電
流狭窄用層７は、その積層体６を、基板１側とは反対側
において、ストライプ状に露出するように、２つの電流
狭窄用層部７ａ及び７ｂで構成されている。
電極付用層５とよりなる積層体６上に、電流狭窄用層７
が形成されている。この場合、電流狭窄用層７は、例え
ばＳｔＯ，のような酸化物で構成されている。また、電
流狭窄用層７は、その積層体６を、基板１側とは反対側
において、ストライプ状に露出するように、２つの電流
狭窄用層部７ａ及び７ｂで構成されている。
さらに、電流狭窄用層７上と、積層体６のストライプ状
に露出している部８上とに、それ等間に連続延長して、
電極層９が形成されている。
に露出している部８上とに、それ等間に連続延長して、
電極層９が形成されている。
この場合、電極層９は、積層体６の電極付用層５と、ス
トライプ状にオーミックに連結している。
トライプ状にオーミックに連結している。
また、基板１の積層体６側とは反対側の面上に、電極層
１０がオーミックに連結している。
１０がオーミックに連結している。
以上が、従来提案されている電流狭窄型半導体レーザの
構成である。
構成である。
このような構成を有する電流狭窄型半導体レーザにＪ：
れば、電極層９及び１０間に、電極層９側を正としてい
る所要の電源を接続することによって、その電源から、
電流が、電ｌｔｉ層９、電極イ」用層５、クラッド層４
、活性層３、クラッド層２、基板１及び電極層１０をそ
れ等の順に通って、活性層３に狭窄して流れ、これに基
ずき、活性層３の、電流が狭窄して流れる部で発光が得
られ、その光が、積層体６の、ストライプ状に露出して
いる部８の延長方向と直交している、ファブリペロ−の
反射面を形成している相対向する端面１３及び１４に向
って伝播し、そしてその相対向する端面１３及び１４で
のファブリペロ−の反則面で反射する、ということを繰
返し、そして光が、相対向する端面１３及び１４の何れ
か一方から、レーザ光として出射する。この場合、電流
狭窄用層７を有するので、活性層３に、電流が狭窄して
流れる。従って、活性層３で、効果的に、発光が得られ
る。
れば、電極層９及び１０間に、電極層９側を正としてい
る所要の電源を接続することによって、その電源から、
電流が、電ｌｔｉ層９、電極イ」用層５、クラッド層４
、活性層３、クラッド層２、基板１及び電極層１０をそ
れ等の順に通って、活性層３に狭窄して流れ、これに基
ずき、活性層３の、電流が狭窄して流れる部で発光が得
られ、その光が、積層体６の、ストライプ状に露出して
いる部８の延長方向と直交している、ファブリペロ−の
反射面を形成している相対向する端面１３及び１４に向
って伝播し、そしてその相対向する端面１３及び１４で
のファブリペロ−の反則面で反射する、ということを繰
返し、そして光が、相対向する端面１３及び１４の何れ
か一方から、レーザ光として出射する。この場合、電流
狭窄用層７を有するので、活性層３に、電流が狭窄して
流れる。従って、活性層３で、効果的に、発光が得られ
る。
従って、上述した従来の電流狭窄型半導体レーザによれ
ば、効果的にレーザ光が得られるという特徴を有する。
ば、効果的にレーザ光が得られるという特徴を有する。
また、上述した従来の電流狭窄型半導体レーザの場合、
活性層３が、Ｉ ｎＷＧ ａｌ−ｗＡ ＳＺ Ｐ、−Ｚ
（０，５３≦Ｗ≦０．７４ 、 １．０≦Ｚ≦０．５８
）で構成されているので、上述したレーザ光が、長波
長領域（１，０〜１，７μｍ）で得られる。
活性層３が、Ｉ ｎＷＧ ａｌ−ｗＡ ＳＺ Ｐ、−Ｚ
（０，５３≦Ｗ≦０．７４ 、 １．０≦Ｚ≦０．５８
）で構成されているので、上述したレーザ光が、長波
長領域（１，０〜１，７μｍ）で得られる。
従って、上述した従来の電流狭窄型半導体レーザによれ
ば、長波長領域の光通信用光源に適用して有用であると
いう特徴を有する。
ば、長波長領域の光通信用光源に適用して有用であると
いう特徴を有する。
さらに、上述した従来の電流狭窄型半導体レーザの場合
、活性層３が、Ｉ ｎＷＧ ａ ＝ｗＡ ｓＸＰ、−。
、活性層３が、Ｉ ｎＷＧ ａ ＝ｗＡ ｓＸＰ、−。
（０，５３≦Ｗ≦０．７４．１．０≦７≦０．５８ ）
結晶であるに応じて、基板１がＩｎＰ結晶でなり、また
クラッド層２及び４がＩｎＰ結晶でなり、さらに電極付
用層５が” ｏ、ｔ） Ｇ ａ ｏ、 Ａ３結晶でなる
ので、クラッド層２、活性層３、クラッド層４及び電極
付用層５を、イれ等の順に、基板１と格子整合している
状態に、基板１上に、順次形成することができ、従って
、クラッド層２、活性層３、クラッド層４及び電極付用
層５による積層体６を、電流狭窄用層７を形成する前に
おいて、内部応力を有しないものとして形成することが
できる。
結晶であるに応じて、基板１がＩｎＰ結晶でなり、また
クラッド層２及び４がＩｎＰ結晶でなり、さらに電極付
用層５が” ｏ、ｔ） Ｇ ａ ｏ、 Ａ３結晶でなる
ので、クラッド層２、活性層３、クラッド層４及び電極
付用層５を、イれ等の順に、基板１と格子整合している
状態に、基板１上に、順次形成することができ、従って
、クラッド層２、活性層３、クラッド層４及び電極付用
層５による積層体６を、電流狭窄用層７を形成する前に
おいて、内部応力を有しないものとして形成することが
できる。
黙しながら、電流狭窄用層７が酸化物でなるので、この
電流狭窄用層７が、積層体６を形成して後、電極付用層
５との間で格子整合していない状態で形成される。また
、電流狭窄用層７が、電極付用層５との間で熱膨服係数
の差を有する。このため、積層体６、従って電極付用層
５が形成されて後、その電極付用層５には内部応力を有
し、従って、その電極付用層５が短期の使用で劣化し易
い。
電流狭窄用層７が、積層体６を形成して後、電極付用層
５との間で格子整合していない状態で形成される。また
、電流狭窄用層７が、電極付用層５との間で熱膨服係数
の差を有する。このため、積層体６、従って電極付用層
５が形成されて後、その電極付用層５には内部応力を有
し、従って、その電極付用層５が短期の使用で劣化し易
い。
また、上述した従来の電流狭窄型半導体レーザの場合、
電流狭窄用層７が酸化物でなるので、クラッド層２、活
性層３、クラッド層４及び電極付用層５を基板１上に、
順次連続的に形成することができても、それに続いて、
電流狭窄用層７を連続的に形成することができない。
電流狭窄用層７が酸化物でなるので、クラッド層２、活
性層３、クラッド層４及び電極付用層５を基板１上に、
順次連続的に形成することができても、それに続いて、
電流狭窄用層７を連続的に形成することができない。
従って、上述した従来の電流狭窄型半導体レーザの場合
、その電流狭窄型半導体レーザを製造する■稈が複雑で
ある、という欠点を有していＩＣ８ また、上述した従来の電流狭窄型半導体レーザの場合、
電流狭窄用層７が酸化物でなるので、電極層９との密着
性が悪く、このため、電極層９にリード付をする場合等
において、電極層９が、電流狭窄用層７から剥離し易い
という欠点を有していた。
、その電流狭窄型半導体レーザを製造する■稈が複雑で
ある、という欠点を有していＩＣ８ また、上述した従来の電流狭窄型半導体レーザの場合、
電流狭窄用層７が酸化物でなるので、電極層９との密着
性が悪く、このため、電極層９にリード付をする場合等
において、電極層９が、電流狭窄用層７から剥離し易い
という欠点を有していた。
さらに、上述した従来の電流狭窄型半導体レーザの場合
、電流狭窄用層７が酸化物であるので、積層体６内で発
生する熱の放散効率が悪く、このため、長時間の使用に
よって、電流狭窄型半導体レーザとしての効率が低下す
る等の欠点を有していた。
、電流狭窄用層７が酸化物であるので、積層体６内で発
生する熱の放散効率が悪く、このため、長時間の使用に
よって、電流狭窄型半導体レーザとしての効率が低下す
る等の欠点を有していた。
また、電流狭窄型半導体レーザとして、従来、次の構成
を有するものも提案されている。
を有するものも提案されている。
即ち、第２図に示すように、第１図の場合と同様に、例
えばＮ型のＩｎＰ結晶でなる基板１上に、Ｎ型のｒｎＰ
結晶でなるクラッド層２と、１１１ｗＧ ａｌ−ＷＡ
Ｓ、Ｐ、２（０，５３≦Ｗ≦０．７／１，１．０≦ｌ≦
Ｏ，Ｆｉ８ ）結晶でなる活性層３と、Ｐ型の１１１Ｐ
結晶でなるクラッド層４と、Ｐ型のｉ ｎ６３Ｂ Ｇ
ａｏ、Ａ７ Ａ Ｓ結晶でなる電極付用層５とが、それ
等の順にｆｌａｔ層されている。この場合、クラッド層
２ど、活性層３ど、クラッド層４ど、電極付用層５とに
Ｊこる積層体６が、クラッド層４の基板１側の部を、基
板１上の全域に延長させた状態の、ストライプ状のメサ
型に形成されている。
えばＮ型のＩｎＰ結晶でなる基板１上に、Ｎ型のｒｎＰ
結晶でなるクラッド層２と、１１１ｗＧ ａｌ−ＷＡ
Ｓ、Ｐ、２（０，５３≦Ｗ≦０．７／１，１．０≦ｌ≦
Ｏ，Ｆｉ８ ）結晶でなる活性層３と、Ｐ型の１１１Ｐ
結晶でなるクラッド層４と、Ｐ型のｉ ｎ６３Ｂ Ｇ
ａｏ、Ａ７ Ａ Ｓ結晶でなる電極付用層５とが、それ
等の順にｆｌａｔ層されている。この場合、クラッド層
２ど、活性層３ど、クラッド層４ど、電極付用層５とに
Ｊこる積層体６が、クラッド層４の基板１側の部を、基
板１上の全域に延長させた状態の、ストライプ状のメサ
型に形成されている。
また、電流狭窄用層１７が、クラッド層４のメサ型にな
されていない領域上に、メサ型の積層体６を、その相対
向する両側から埋込むにうに形成されている。この場合
、電流狭窄用層１７の基板１側とは反対側の面が、積層
体６の基板１側とは反対側の面と略々同一の面上にある
ように、電流狭窄用層１７が形成されている。
されていない領域上に、メサ型の積層体６を、その相対
向する両側から埋込むにうに形成されている。この場合
、電流狭窄用層１７の基板１側とは反対側の面が、積層
体６の基板１側とは反対側の面と略々同一の面上にある
ように、電流狭窄用層１７が形成されている。
また、電流狭窄用層１７が、基板１側における、Ｐ型の
ＩｎＰ結晶でなる肩部１７ａど、基板１側とは反対側に
おりる、Ｎ型のＩｎＰ結晶でなる肩部１７ｂとからなる
。この場合、肩部１７ａ及び１７ｂが、それ等間のＰＮ
接合１５が、クラッド層４の側面において終絡するよう
に形成されている。
ＩｎＰ結晶でなる肩部１７ａど、基板１側とは反対側に
おりる、Ｎ型のＩｎＰ結晶でなる肩部１７ｂとからなる
。この場合、肩部１７ａ及び１７ｂが、それ等間のＰＮ
接合１５が、クラッド層４の側面において終絡するよう
に形成されている。
さらに、電流狭窄用層１７上と、積層体６上とに、それ
等間に連続的に延長して、電極層９が形成されている。
等間に連続的に延長して、電極層９が形成されている。
この場合、電極層９は、積層体６の電極付用層５と、ス
トライプ状にオーミックに連結されている。
トライプ状にオーミックに連結されている。
また、基板１の積層体６側とは反対側の面上に、電極層
１０がオーミックに連結している。
１０がオーミックに連結している。
以上が、従来提案されている電流狭窄型半導体レーザの
伯の構成である。
伯の構成である。
このような構成を有する、第２図に示す電流狭窄型半導
体レーザによれば、第１図の場合と同様に、電極層９及
び１０間に、電極層９側を正としている所要の電源を接
続することによって、その電源から、電流が、電極層９
、電極材” Ａｌ１−１用層
５、クラッド層４、活性層３、クラッド層２、基板１及
び電極層１０をそれ等の順に通って流れ、これに基すぎ
、活性層３で発光が得られ、その光が、積層体６の、そ
れがストライプ状に延長方向と直交している、ファブリ
ペロ−の反射面を形成している相対向する端面１３及び
１４に向って伝播し、そしてその相対向する端面１３及
び１４でのファブリペロ−の反射面で反射する、という
ことを繰返し、そして光が、相対向する端面１３及び１
４の何れか一方から、レーザ光として出射する。この場
合、活性層３が、電流狭窄用層１７によって、その側面
から埋込まれており、そしてその活性層３の幅が、基板
１に比し小なる幅を有するので、活性層３に、電流が、
大なる電流密度で流れ、よって活性層３で、効果的に、
発光が得られる。
体レーザによれば、第１図の場合と同様に、電極層９及
び１０間に、電極層９側を正としている所要の電源を接
続することによって、その電源から、電流が、電極層９
、電極材” Ａｌ１−１用層
５、クラッド層４、活性層３、クラッド層２、基板１及
び電極層１０をそれ等の順に通って流れ、これに基すぎ
、活性層３で発光が得られ、その光が、積層体６の、そ
れがストライプ状に延長方向と直交している、ファブリ
ペロ−の反射面を形成している相対向する端面１３及び
１４に向って伝播し、そしてその相対向する端面１３及
び１４でのファブリペロ−の反射面で反射する、という
ことを繰返し、そして光が、相対向する端面１３及び１
４の何れか一方から、レーザ光として出射する。この場
合、活性層３が、電流狭窄用層１７によって、その側面
から埋込まれており、そしてその活性層３の幅が、基板
１に比し小なる幅を有するので、活性層３に、電流が、
大なる電流密度で流れ、よって活性層３で、効果的に、
発光が得られる。
従って、第２図で上述した従来の電流狭窄型半導体レー
量アによって一６１効果的にレーザ光が得られるという
特徴を有ηる。
量アによって一６１効果的にレーザ光が得られるという
特徴を有ηる。
また、第２図で上述した従来の電流狭窄型半１０−
）９体レーザの場合−ｂ、第１図でＪ： ｉａｉ シｉ
こ従来の電流狭窄型半導体レーザの場合と同様に、活性
層３が、Ｉ ｎｗＧ ａ、ＷＡ ｓ、 Ｐ、−２（０，
５３≦ｗ≦０．７４，１．０≦７≦０．５８ ）結晶で
構成されているので、上述したレーザ光が、長波長領Ｍ
（１，０〜１．７μｍ）で得られる。
こ従来の電流狭窄型半導体レーザの場合と同様に、活性
層３が、Ｉ ｎｗＧ ａ、ＷＡ ｓ、 Ｐ、−２（０，
５３≦ｗ≦０．７４，１．０≦７≦０．５８ ）結晶で
構成されているので、上述したレーザ光が、長波長領Ｍ
（１，０〜１．７μｍ）で得られる。
従って、第２図で上述した従来の電流狭窄型半導体レー
ザによっても、長波長領域の光通信用光源に適用して有
用であるという特徴を有する。
ザによっても、長波長領域の光通信用光源に適用して有
用であるという特徴を有する。
さらに、第２図で上述した従来の電流狭窄型半導体レー
ザの場合も、第１図で上述した従来の電流狭窄型半導体
レープの場合と同様に、活性層３が、Ｉ ｎｙＧ ａ＋
−ＷＡ Ｓｚ Ｒ−２（０，５３≦Ｗ ≦０．７４ 、
１．０≦７≦０．５８ ）結晶であるに応じて、基板
１がＩｎＰ結晶でなり、またクラッド層２及び４がＩｎ
Ｐ結晶でなり、さらに電極付用層５ｈ川ｎ。、 Ｑ ａ
６Ｌ７Ａ ｓ結晶でなるので、クラッド層２、活性層３
、クラッド層４及び電極付用層５を、それ等の順に、基
板１と格子整合し−Ｃいる状態に、基板１上に、順次形
成することができ、従ってクラッド層２、活性層３、ク
ラッド層４及び電極イ１用層５による積層体６を、内部
応力を有しないものとして形成することができる。
ザの場合も、第１図で上述した従来の電流狭窄型半導体
レープの場合と同様に、活性層３が、Ｉ ｎｙＧ ａ＋
−ＷＡ Ｓｚ Ｒ−２（０，５３≦Ｗ ≦０．７４ 、
１．０≦７≦０．５８ ）結晶であるに応じて、基板
１がＩｎＰ結晶でなり、またクラッド層２及び４がＩｎ
Ｐ結晶でなり、さらに電極付用層５ｈ川ｎ。、 Ｑ ａ
６Ｌ７Ａ ｓ結晶でなるので、クラッド層２、活性層３
、クラッド層４及び電極付用層５を、それ等の順に、基
板１と格子整合し−Ｃいる状態に、基板１上に、順次形
成することができ、従ってクラッド層２、活性層３、ク
ラッド層４及び電極イ１用層５による積層体６を、内部
応力を有しないものとして形成することができる。
また、第２図で上達した従来の電流狭窄型半導体レーザ
の場合、電流狭窄用層１７が、肩部１７ａ及び１７ｂか
らなり、そしてそれ等がＩｎＰ結晶でなり、第１図の場
合のように酸化物でなるものではない。
の場合、電流狭窄用層１７が、肩部１７ａ及び１７ｂか
らなり、そしてそれ等がＩｎＰ結晶でなり、第１図の場
合のように酸化物でなるものではない。
従って、第２図で上述した従来の電流狭窄型半導体レー
ザの場合、第１図の場合の、電流狭窄用層７が酸化物で
なることによる欠点を有しないという特徴を有覆る。
ザの場合、第１図の場合の、電流狭窄用層７が酸化物で
なることによる欠点を有しないという特徴を有覆る。
黙しながら、第２図で上述した従来の電流狭窄型半導体
レーザの場合、電流狭窄用層１７を構成している肩部１
７ａ及び１７ｂを、それ等間のＰＮ接合１５が、上述し
たように、積層体６のクラッド層４の側面において終絡
するにうに形成する必要がある。
レーザの場合、電流狭窄用層１７を構成している肩部１
７ａ及び１７ｂを、それ等間のＰＮ接合１５が、上述し
たように、積層体６のクラッド層４の側面において終絡
するにうに形成する必要がある。
−１＋−
従って、第２図で上述した従来の電流狭窄型半導体レー
ザの場合、電流狭窄用層１７を形成覆るのに、囲動を伴
ない、依って、電流狭窄型半導体し〜ザを、簡易に製造
することができないという欠点を有していた。
ザの場合、電流狭窄用層１７を形成覆るのに、囲動を伴
ない、依って、電流狭窄型半導体し〜ザを、簡易に製造
することができないという欠点を有していた。
よって、本発明は上述した欠点のない、新規な電流狭窄
型半導体レーザを提案せんとするものである。
型半導体レーザを提案せんとするものである。
第３図は、本発明による電流狭窄型半導体レーザの実施
例を示し、第１図との対応部分に同一符号を付して詳細
説明を省略する。
例を示し、第１図との対応部分に同一符号を付して詳細
説明を省略する。
第３図に示す本発明による電流狭窄型半導体レーザの実
施例においては、第１図で上述した構成において、その
電流狭窄用層７が、酸化物でなるに代え、高抵抗を有す
るＩ ｎ６ｔ３ Ｇ ａａｋ７−ｙＡすＡｓ （０，
２≦ｙ≦０．４７ ）でなる、電流狭窄用層２７に置換
されＣいることを除いて、第１図の場合と同様の構成を
有する。
施例においては、第１図で上述した構成において、その
電流狭窄用層７が、酸化物でなるに代え、高抵抗を有す
るＩ ｎ６ｔ３ Ｇ ａａｋ７−ｙＡすＡｓ （０，
２≦ｙ≦０．４７ ）でなる、電流狭窄用層２７に置換
されＣいることを除いて、第１図の場合と同様の構成を
有する。
この場合、電流狭窄用層２７は、それがＩ ｎ６ｔ。
Ｇａ ＡＩ Ａｓ （０，２≦ｙ≦０．４７ ）
でなＯワーノ ノ １２− るので、クラッド層２、活性層３、クラッド層４及び電
極付用層５と共に、基板１と格子整合しているものであ
る。
でなＯワーノ ノ １２− るので、クラッド層２、活性層３、クラッド層４及び電
極付用層５と共に、基板１と格子整合しているものであ
る。
以上が、本発明にＪ：る電流狭窄型半導体レーザの実施
例の構成であるが、このような構成にお（）る、クラッ
ド層２、活性層３、クラッド層４、電極付用層５、電流
狭窄用層２７は、分子線エピタキシャル成長法によって
形成することができる。なお、この場合、電流狭窄用層
１７は、Ａ１を含むＩｎ、、、Ｇａ、ｈ、、ＡＩ、Ａｓ
（０，２≦ｙ≦０．４７ ）結晶でなるものとして
形成されるので、酸素が取込まれ易い。このため、電流
狭窄用層２７は、酸素を深い単位をもった不純物を含む
ものとして得られ、従って、特に不純物を導入しなくて
も、高抵抗を有するものとして形成されるものである。
例の構成であるが、このような構成にお（）る、クラッ
ド層２、活性層３、クラッド層４、電極付用層５、電流
狭窄用層２７は、分子線エピタキシャル成長法によって
形成することができる。なお、この場合、電流狭窄用層
１７は、Ａ１を含むＩｎ、、、Ｇａ、ｈ、、ＡＩ、Ａｓ
（０，２≦ｙ≦０．４７ ）結晶でなるものとして
形成されるので、酸素が取込まれ易い。このため、電流
狭窄用層２７は、酸素を深い単位をもった不純物を含む
ものとして得られ、従って、特に不純物を導入しなくて
も、高抵抗を有するものとして形成されるものである。
以上が、本発明による電流狭窄型半導体レーザの実施例
の構成である。
の構成である。
このような構成を有する、本発明による電流狭窄型半導
体レーザの実施例の構成よれば、第１図で上述した従来
の電流狭窄型半導体レー量アの場合と同様に、電極層９
及び１０間に、電極層９側を正としている所要の電源を
接続することによって、その電源から、電流が、電極層
９、電極付用層５、クラッド層４、活性層３、クラッド
層２、基板１及び電極層１０をそれ等の順に通って、活
性層３に狭窄して流れ、これに基ずき、活性層３の、電
流が狭窄して流れる部で発光が得られ、その光が、積層
体６の、スＩ〜ライブ状に露出している部８の延長方向
と直交している、ファブリペロ−の反則面を形成してい
る相対向する端面１３及び１４に向って伝播し、そして
その相対向する端面１３及び１４でのファブリペロ−の
反射面で反射する、ということを繰返し、そして光が、
相対向する端面１３及び１４の何れか一方から、レーザ
光どして出射覆る。この場合、電流狭窄用層ふやを有す
るので、活性層３に、電流が狭窄して流れる。従って、
活性層３で、効果的に、発光が１ｑられる。
体レーザの実施例の構成よれば、第１図で上述した従来
の電流狭窄型半導体レー量アの場合と同様に、電極層９
及び１０間に、電極層９側を正としている所要の電源を
接続することによって、その電源から、電流が、電極層
９、電極付用層５、クラッド層４、活性層３、クラッド
層２、基板１及び電極層１０をそれ等の順に通って、活
性層３に狭窄して流れ、これに基ずき、活性層３の、電
流が狭窄して流れる部で発光が得られ、その光が、積層
体６の、スＩ〜ライブ状に露出している部８の延長方向
と直交している、ファブリペロ−の反則面を形成してい
る相対向する端面１３及び１４に向って伝播し、そして
その相対向する端面１３及び１４でのファブリペロ−の
反射面で反射する、ということを繰返し、そして光が、
相対向する端面１３及び１４の何れか一方から、レーザ
光どして出射覆る。この場合、電流狭窄用層ふやを有す
るので、活性層３に、電流が狭窄して流れる。従って、
活性層３で、効果的に、発光が１ｑられる。
従って、第３図で上述した本発明による電流狭窄型半導
体レーザによる場合も、第１図で上述した従来の電流狭
窄型半導体レー１１の場合と同様に、効果的にレーザ光
が得られるという特徴を有する。
体レーザによる場合も、第１図で上述した従来の電流狭
窄型半導体レー１１の場合と同様に、効果的にレーザ光
が得られるという特徴を有する。
また、第３図で−１−）ホした本発明にＪ：る電流狭窄
型半導体レーザの揚台も、活性層３が、■ｎＷＧ ａｌ
−Ｗ Ａ ｓｚＰ、−２（（１，！ｉ３≦Ｗ≦０．７４
、 １．０≦７≦０．５８ ）で構成されているので
、上述したレーザ光が、長波長領域（１，０〜１．７μ
ｍ）で１ｑられる。
型半導体レーザの揚台も、活性層３が、■ｎＷＧ ａｌ
−Ｗ Ａ ｓｚＰ、−２（（１，！ｉ３≦Ｗ≦０．７４
、 １．０≦７≦０．５８ ）で構成されているので
、上述したレーザ光が、長波長領域（１，０〜１．７μ
ｍ）で１ｑられる。
従って、第３図で上）ホした本発明による電流狭窄型半
導体レー普アによる場合も、第１図で上述した従来の電
流狭窄型半導体レーク゛の場合と同様に、長波長領域の
光通信用光源に適用して有用であるという特徴を有する
。
導体レー普アによる場合も、第１図で上述した従来の電
流狭窄型半導体レーク゛の場合と同様に、長波長領域の
光通信用光源に適用して有用であるという特徴を有する
。
さらに、第３図で上述した本発明による電流狭窄型半導
体レーザの場合も、活＋４層３が、Ｉ ｎ、Ｇ ”１−
ｉＶ Ａ Ｓ、ＰＩ−２（０，５３≦Ｗ≦０．７４．１
．０≦ｌ≦０．５８ ）結晶であるに応じて、基板１が
ＩｎＰ結晶でなり、またクラッド層２及び４がＩｎＰ結
晶でなり、さらに電極付用層５が” ｏ、６５ Ｇ ”
ｏ、＆７ Ａ Ｓ Ｍ 晶テナル（７） テ、’）ラ
ント層２、活性層３、クラッド層４及び電極（ｑ用層５
を、それ等の順に、基板１ど格子整合している状態に、
基板１上に、順次形成することができ、従ってクラッド
層２、活性層３、クラッド層４及び電極付用層５による
積層体６を、電流狭窄用層２７を形成する前において、
内部応力を有しないものとして形成することができる。
体レーザの場合も、活＋４層３が、Ｉ ｎ、Ｇ ”１−
ｉＶ Ａ Ｓ、ＰＩ−２（０，５３≦Ｗ≦０．７４．１
．０≦ｌ≦０．５８ ）結晶であるに応じて、基板１が
ＩｎＰ結晶でなり、またクラッド層２及び４がＩｎＰ結
晶でなり、さらに電極付用層５が” ｏ、６５ Ｇ ”
ｏ、＆７ Ａ Ｓ Ｍ 晶テナル（７） テ、’）ラ
ント層２、活性層３、クラッド層４及び電極（ｑ用層５
を、それ等の順に、基板１ど格子整合している状態に、
基板１上に、順次形成することができ、従ってクラッド
層２、活性層３、クラッド層４及び電極付用層５による
積層体６を、電流狭窄用層２７を形成する前において、
内部応力を有しないものとして形成することができる。
また、第３図で上述した本発明による電流狭窄型半導体
レーザの場合、電流狭窄用層２７が、Ｉ ｎ、、、Ｇ
ａ６Ｌ２−メ Ａ ｌｙ Ａ ｓ （０，２≦
ｙ ≦ ０．４７ ）結晶でなり、第１図の場合の
ように酸化物でなるものではない。
レーザの場合、電流狭窄用層２７が、Ｉ ｎ、、、Ｇ
ａ６Ｌ２−メ Ａ ｌｙ Ａ ｓ （０，２≦
ｙ ≦ ０．４７ ）結晶でなり、第１図の場合の
ように酸化物でなるものではない。
従って、第３図で上述した本発明による電流狭窄型半導
体レーザの場合、第１図の場合の電流狭窄用層７が酸化
物でなることによる欠点を有しないという大なる特徴を
有する。
体レーザの場合、第１図の場合の電流狭窄用層７が酸化
物でなることによる欠点を有しないという大なる特徴を
有する。
第４図は、本発明による電流狭窄型半導体レーザの他の
実施例を示し、第２図との対応部分に同一符号を付して
詳細説明を省略する。
実施例を示し、第２図との対応部分に同一符号を付して
詳細説明を省略する。
第４図に示す本発明による電流狭窄型半導体レーザの他
の実施例においては、第２図で、ト述した構成において
、その電流狭窄用層１７が、ＴｎＰでなる層１７ａ及び
１７ｂでなるに代え、高抵抗を有するＩｎＧａＡｌ△ｓ
（０，２０００リーン ン ≦ｙ≦０．４７ ）でなる電流狭窄用層３７に置換；さ
れていることを除いて、第２図の場合と同様の構成を有
する。
の実施例においては、第２図で、ト述した構成において
、その電流狭窄用層１７が、ＴｎＰでなる層１７ａ及び
１７ｂでなるに代え、高抵抗を有するＩｎＧａＡｌ△ｓ
（０，２０００リーン ン ≦ｙ≦０．４７ ）でなる電流狭窄用層３７に置換；さ
れていることを除いて、第２図の場合と同様の構成を有
する。
以上が、本発明にＪ：る電流狭窄型半導体レーザの他の
実施例の構成であるが、このような構成における、クラ
ッド層２、活性層３、クラッド層４、電極付用層５、電
流狭窄用層３７も、第３図で上述した本発明による電流
狭窄型半導体レーザの場合と同様に、分子線エピタキシ
ャル成長法によって形成することができる。なお、この
場合も、電流狭窄用層３７は、ＡＩを含むＩｎ Ｇａ
ＡＩＡＳ （０，２≦ｙ≦０．４７ ）ｂ、ｒ
５ （６７−ｙ ｙ結晶でなるものとし
て形成されるので、酸素が取込まれ易い。このため、電
流狭窄用層３７は、酸素を深い単位をもった不純物を含
むものとして得られ、従って、特に不純物を導入しなく
ても、高抵抗を有するものとして形成されるものである
。
実施例の構成であるが、このような構成における、クラ
ッド層２、活性層３、クラッド層４、電極付用層５、電
流狭窄用層３７も、第３図で上述した本発明による電流
狭窄型半導体レーザの場合と同様に、分子線エピタキシ
ャル成長法によって形成することができる。なお、この
場合も、電流狭窄用層３７は、ＡＩを含むＩｎ Ｇａ
ＡＩＡＳ （０，２≦ｙ≦０．４７ ）ｂ、ｒ
５ （６７−ｙ ｙ結晶でなるものとし
て形成されるので、酸素が取込まれ易い。このため、電
流狭窄用層３７は、酸素を深い単位をもった不純物を含
むものとして得られ、従って、特に不純物を導入しなく
ても、高抵抗を有するものとして形成されるものである
。
以上が、本発明による電流狭窄型半導体レーザの他の実
施例の構成である。
施例の構成である。
このような構成を有する、第４図に示す電流狭窄型半導
体レーザによれば、第２図の場合と同様に、電極層９及
び１０間に、電極層９側を正としている所要の電源を接
続することによって、その電源から、電流が、電極層９
、電極付用層５、クラッド層４、活性層３、クラッド層
２、基板１及び電極層１０をそれ等の順に通って流れ、
これに基ずぎ、活性層３で発光が得られ、その光が、積
層体６の、それがストライプ状に延長方向と直交してい
る、ファブリペロ−の反射面を形成している相対向する
端面１３及び１４に向って伝播し、そしてその相対向づ
る端面１３及び１４でのファブリペロ−の反射面で反射
する、ということを繰返し、そして光が、相対向する端
面１３及び１４の何れか一方から、レーザ光として出射
する。この場合、活性層３が、電流狭窄用層３７によっ
て、その側面から埋込まれており、そしてその活性層３
の幅が、基板１に比し小なる幅を有するので、活性層３
に、電流が、大なる電流密度で流れ、Ｊ：つて活性層３
で、効果的に、シー１１光が得られる。
体レーザによれば、第２図の場合と同様に、電極層９及
び１０間に、電極層９側を正としている所要の電源を接
続することによって、その電源から、電流が、電極層９
、電極付用層５、クラッド層４、活性層３、クラッド層
２、基板１及び電極層１０をそれ等の順に通って流れ、
これに基ずぎ、活性層３で発光が得られ、その光が、積
層体６の、それがストライプ状に延長方向と直交してい
る、ファブリペロ−の反射面を形成している相対向する
端面１３及び１４に向って伝播し、そしてその相対向づ
る端面１３及び１４でのファブリペロ−の反射面で反射
する、ということを繰返し、そして光が、相対向する端
面１３及び１４の何れか一方から、レーザ光として出射
する。この場合、活性層３が、電流狭窄用層３７によっ
て、その側面から埋込まれており、そしてその活性層３
の幅が、基板１に比し小なる幅を有するので、活性層３
に、電流が、大なる電流密度で流れ、Ｊ：つて活性層３
で、効果的に、シー１１光が得られる。
従って、第４図で上述した本発明による電流狭窄型半導
体レーザによっても、効果的にレーザ光が得られるとい
う特徴を有する。
体レーザによっても、効果的にレーザ光が得られるとい
う特徴を有する。
また、第４図で上述した本発明による電流狭窄型半導体
レーザの場合も、第２図で上述した従来の電流狭窄型半
導体レーザの場合と同様に、活性層３が、ｌ ｎＷＱ
ａＩ−ｖＪＡ ｓ２Ｐ、−、（０，５３≦Ｗ≦０．７４
． １．０≦７≦０．５８ ）結晶で構成されているの
で、上述したレーザ光が、長波長領域（１，０〜１．７
μｍ）で得られる。
レーザの場合も、第２図で上述した従来の電流狭窄型半
導体レーザの場合と同様に、活性層３が、ｌ ｎＷＱ
ａＩ−ｖＪＡ ｓ２Ｐ、−、（０，５３≦Ｗ≦０．７４
． １．０≦７≦０．５８ ）結晶で構成されているの
で、上述したレーザ光が、長波長領域（１，０〜１．７
μｍ）で得られる。
従って、第４図で上述した本発明による電流狭窄型半導
体レーザによっても、長波長領域の光通信用光源に適用
して有用であるという特徴を有する。
体レーザによっても、長波長領域の光通信用光源に適用
して有用であるという特徴を有する。
さらに、第４図で上述した本発明による電流狭窄型半導
体レーザの場合も、第２図で上述した従来の電流狭窄型
半導体レーザの場合と同様に、活性層３が、Ｉ ｎ、Ｇ
ａ、−ＷＡ Ｓ、Ｐ、−Ｋ （０，５３≦Ｗ≦０．７
４ 、 １．０≦７≦０．５８ ）結晶であるに応じて
、基板１がＩｎＰ結晶でなり、またクラッド層２及び４
がＩｎＰ結晶でなり、さらに電極付用層５がＩｎ、、。
体レーザの場合も、第２図で上述した従来の電流狭窄型
半導体レーザの場合と同様に、活性層３が、Ｉ ｎ、Ｇ
ａ、−ＷＡ Ｓ、Ｐ、−Ｋ （０，５３≦Ｗ≦０．７
４ 、 １．０≦７≦０．５８ ）結晶であるに応じて
、基板１がＩｎＰ結晶でなり、またクラッド層２及び４
がＩｎＰ結晶でなり、さらに電極付用層５がＩｎ、、。
Ｇａ ｏ、ｈ７Ａｓ結晶でなるので、クラッド層２、活
性層３、クラッド層４及び電極付用層５を、それ等の順
に、基板１と格子整合している状態に、基板１上に、順
次形成することができ、従ってクラッド層２、活性層３
、クラッド層４及び電極付用層５による積層体６を、内
部応力を有しないものとして形成することができる。
性層３、クラッド層４及び電極付用層５を、それ等の順
に、基板１と格子整合している状態に、基板１上に、順
次形成することができ、従ってクラッド層２、活性層３
、クラッド層４及び電極付用層５による積層体６を、内
部応力を有しないものとして形成することができる。
また、第４図で上述した本発明による電流狭窄型半導体
レーザの場合、電流狭窄用層３７が、単一のＩｎ、、、
Ｇａａ、、、−、ＡｌｙＡｓ （０，２≦ｙ≦０．４
７）結晶層でなり、第１図の場合のように酸化物でなる
ものではない。
レーザの場合、電流狭窄用層３７が、単一のＩｎ、、、
Ｇａａ、、、−、ＡｌｙＡｓ （０，２≦ｙ≦０．４
７）結晶層でなり、第１図の場合のように酸化物でなる
ものではない。
従って、第４図で上述した本発明ににる電流狭窄型半導
体レーＩＪ″の場合、第１図の場合の、電流狭窄用層７
が酸化物でなることによる欠点を有しないという特徴を
有する。
体レーＩＪ″の場合、第１図の場合の、電流狭窄用層７
が酸化物でなることによる欠点を有しないという特徴を
有する。
また、第４図で上述した本発明に」；る電流狭窄型半導
体レーザの場合、電流狭窄用層３７が単一の結晶層であ
るので、第２図の場合の、電流狭窄用層１７を構成して
いる局部１７ａ及び１７ｂを、それ等間のＰＮ接合１５
が、積層体６のクラッド層４の側面において終絡するよ
うに形成する必要がある、というようなことがない。
体レーザの場合、電流狭窄用層３７が単一の結晶層であ
るので、第２図の場合の、電流狭窄用層１７を構成して
いる局部１７ａ及び１７ｂを、それ等間のＰＮ接合１５
が、積層体６のクラッド層４の側面において終絡するよ
うに形成する必要がある、というようなことがない。
従って、第４図で上述した本発明による電流狭窄型半導
体レーザの場合、電流狭窄用層３７を形成するのに、困
ガを伴ない、依って、電流狭窄型半導体レーザを簡易に
製造することができる等の大なる特徴を有していた。
体レーザの場合、電流狭窄用層３７を形成するのに、困
ガを伴ない、依って、電流狭窄型半導体レーザを簡易に
製造することができる等の大なる特徴を有していた。
なお、上述においては、本発明の詳細な説明例を示した
に留まり、例えば、上）ホした１Ｎ型」を「Ｐ型」、「
Ｐ型」を「Ｎ型」と読み替えた構成とすることもでき、
その他、本発明の精神を脱することなしに、種々の変型
変更をなし得るであろう。
に留まり、例えば、上）ホした１Ｎ型」を「Ｐ型」、「
Ｐ型」を「Ｎ型」と読み替えた構成とすることもでき、
その他、本発明の精神を脱することなしに、種々の変型
変更をなし得るであろう。
第１図及び第２図は、従来の電流狭窄型半導体レーザを
示す路線的斜視図である。 第３図は、本発明による電流狭窄型半導体レーザの一例
を示す路線的斜視図である。 第４図は、本発明による電流狭窄型半導体レーザの他の
例を示す路線的斜視図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・ＩｎＰ結晶で
なる基板２．４・・・・・・・・・・・・ＩｎＰ結晶で
なるクラッド層 ３・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｉ ｎＷＧ
ａ、−、Ａ Ｓ、Ｒ−、（０，５３≦Ｗ≦０．７４ 、
１．０≦７ ≦０．５８ ”）結晶でなる活性 層 ５・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｉ ’ ａ、
ｔ５Ｇ ” ６．１１７ Ａ Ｓ結晶でなる電極付用層 ６・・・・・・・・・・・・・・・・・・積層体７・・
・・・・・・・・・・・・・・・・酸化物でなる電流狭
窄用層８・・・・・・・・・・・・・・・・・・積層体
６の露出部９．１０・・・・・・・・・電極層 １３．１４・・・・・・積層体６の相対向する端面１５
・・・・・・・・・・・・・・・ＰＮ接合２ ７ 、
３ ７ ””” Ｔ ｎｏ、５．ＧａｂＬ７−ｙ
Ａ ｌ、ｙ△Ｓ（０，２≦ｙ≦０．４７ ）結晶 でなる電流狭窄用層 出願人 日本電信電話公社
示す路線的斜視図である。 第３図は、本発明による電流狭窄型半導体レーザの一例
を示す路線的斜視図である。 第４図は、本発明による電流狭窄型半導体レーザの他の
例を示す路線的斜視図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・ＩｎＰ結晶で
なる基板２．４・・・・・・・・・・・・ＩｎＰ結晶で
なるクラッド層 ３・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｉ ｎＷＧ
ａ、−、Ａ Ｓ、Ｒ−、（０，５３≦Ｗ≦０．７４ 、
１．０≦７ ≦０．５８ ”）結晶でなる活性 層 ５・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｉ ’ ａ、
ｔ５Ｇ ” ６．１１７ Ａ Ｓ結晶でなる電極付用層 ６・・・・・・・・・・・・・・・・・・積層体７・・
・・・・・・・・・・・・・・・・酸化物でなる電流狭
窄用層８・・・・・・・・・・・・・・・・・・積層体
６の露出部９．１０・・・・・・・・・電極層 １３．１４・・・・・・積層体６の相対向する端面１５
・・・・・・・・・・・・・・・ＰＮ接合２ ７ 、
３ ７ ””” Ｔ ｎｏ、５．ＧａｂＬ７−ｙ
Ａ ｌ、ｙ△Ｓ（０，２≦ｙ≦０．４７ ）結晶 でなる電流狭窄用層 出願人 日本電信電話公社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 、 Ｉ ｎＶＪＧａ、１１．Ａ ｓ、Ｐ、−７（
０，５３５ｗ ≦０．７４ 。 １．０≦７≦０．５８ ） テなる活性層と、ＩｎＰで
なるクラッド層とを有する積層体と、電流狭窄用層とを
有する電流狭窄型半導体レーザにおいて、上記電流狭窄
用層が、高抵抗を有するＴ ｎｏ、 Ｇ、 ａ、、、、
Ａ ｌｙ Ａ Ｓ （０，２≦Ｖ≦０．４７）でなる
ことを特徴とする電流狭窄型半導体レーザ。 ２、特許請求の範囲第１項記載の電流狭窄型半導体レー
ザにおいて、上記高′抵抗を有するＩ ｎ、、 Ｇ ａ
ｏｕ７＝ｙＡ ｌｙＡ ｓ （０，２≦ｙ≦ ０．４
７ ）でなる電流狭窄用層が、上記積層体上に、当該積
層体をストライプ状に露出するように形成され、上記電
流狭窄用層上と、上記積層体のストライプ状に露出して
いる部上とに、それ等間に連続的に延長して、電極層が
形成されていることを特徴とする電流狭窄型半導体レー
ザ。 ３、特許請求の範囲第１項記載の電流狭窄型半導体レー
ザにおいて、上記高抵抗を有するｌ ｎ ｏＪ３ Ｇ
ａｔｔｒ４−ｙ” ＹΔｓ （０，２≦ｙ≦０．４７
）でなる電流狭窄用層が、上記活性層と上記クラッド層
とを、それ等の相対向する両側から埋込むように形成さ
れ、上記電流狭窄用層上と、上記積層体上とに、それ等
間に連続的に延長して、電極層が形成されていることを
特徴とする電流狭窄型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14154382A JPS5931087A (ja) | 1982-08-14 | 1982-08-14 | 電流狭窄型半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14154382A JPS5931087A (ja) | 1982-08-14 | 1982-08-14 | 電流狭窄型半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5931087A true JPS5931087A (ja) | 1984-02-18 |
Family
ID=15294410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14154382A Pending JPS5931087A (ja) | 1982-08-14 | 1982-08-14 | 電流狭窄型半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931087A (ja) |
-
1982
- 1982-08-14 JP JP14154382A patent/JPS5931087A/ja active Pending
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