JP3592730B2 - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、歪量子井戸を有する半導体レーザ素子に関する。
【0002】
【従来技術】
従来の歪量子井戸を有する半導体レーザ素子は、例えば図5(a)に示すような構造をしている。図中、1はn−InP基板、2はn−InPバッファ層、3は歪量子井戸を含む活性層、4a、4bはp−InPクラッド層、5はp−InP電流ブロック層、6はn−InP電流ブロック層、7はp−InGaAsコンタクト層である。この半導体レーザ素子は以下の工程で製造される。即ち、
1)n−InP基板1上に、n−InPバッファ層2、活性層3、p−InPクラッド層4aを積層する。成長方法としては、例えば有機金属気相成長法を用いる。
2)次いで、幅1.5μm程度のメサストライプをSiNx マスク(図示せず)を用いて通常のフォトリソグラフィ、ケミカルエッチングにより形成する。
3)次いで、2回目の結晶成長により、p−InP電流ブロック層5、n−InP電流ブロック層6を形成し、次いでSiNx マスクを除去した後、3回目の結晶成長により、p−InPクラッド層4b、p−InGaAsコンタクト層7を積層し、埋め込み構造を形成する。
図5(b)は歪量子井戸を含む活性層3のバンドダイヤグラムである。活性層3は、厚さ4nmのGaInAsP井戸層9(λg =1.4μm)を、厚さ12nmのGaInAsP光導波層8(λg =1.1μm)で挟んだ構造になっている。GaInAsP井戸層9はInP基板1に対して1%ほど格子定数が大きい組成になっており、GaInAsP井戸層9には、圧縮歪みが加わっている。
この構造の半導体レーザ素子において、共振器長を150μmとし、両面に高反射コーティング(反射率:85%〜95%)を施したものについて、発光特性の温度依存性を測定した。その結果を図6に示す。この素子は、室温では2.0mAの低いしきい値電流を実現している。また、発光効率の温度依存性を図7に示す。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の半導体レーザ素子においては、図6からかるように、温度が上昇するにともない、しきい値電流が上昇し、100℃以上では発振しなくなるという問題があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本願第1の発明は、上記問題点を解決した半導体レーザ素子を提供するもので、一層または複数層の歪量子井戸層を含む活性層をInP基板上方に有する半導体レーザ素子において、活性層は6層以上の歪量子井戸層を有し、かつ該歪量子井戸層の厚さの総計と、歪み(%)との積が20nm以上、40nm以下であることを特徴とするものである。
また、本願第2の発明は、一層または複数層の歪量子井戸層を含む活性層を有する半導体レーザ素子において、活性層は歪みが1%程度である6層以上の歪量子井戸層を有し、かつ該歪量子井戸層の厚さの総計と、前記歪み(%)との積が20nm以上、40nm以下であることを特徴とするものである。
さらに、本願第3の発明は、一層または複数層の歪量子井戸層を含む活性層を有する半導体レーザ素子において、活性層は6層以上のGaInAsP系化合物半導体からなる歪量子井戸層を有し、かつ該歪量子井戸層の厚さの総計と、歪み(%)との積が20nm以上、40nm以下であることを特徴とするものである。
【0005】
【作用】
半導体レーザ素子において、活性層の歪量子井戸層数を増加すると、しきい値電流密度が減少することが知られている。一方、歪量子井戸層数を増加しすぎると、歪みにともなう格子欠陥が発生する。そこで、しきい値電流密度の温度特性に及ぼすGaInAsP系歪み量子井戸層の厚さの総計と歪みの影響を実験的に調べ、新しい知見を得た。本発明は、それに基づいた活性層の設計基準を示すものである。
即ち、本発明者らの実験によれば、GaInAsP系歪み量子井戸層の厚さの総計と歪み(%)の積が20nmよりも小さく、また、40nmよりも大きくなると、高温でしきい値電流密度が増大することがわかった。因みに、従来は、GaInAsP系歪み量子井戸層の厚さの総計と歪み(%)の積が20nm以下で、活性層が構成されていた。
【0006】
以下、図面に示した実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。
本実施例の半導体レーザ素子の構造は、活性層を除いて従来技術の説明に用いた図5(a)と同様である。活性層13は、図1に示すように、厚さ4nmのGaInAsP井戸層9(λg =1.4μm)と、厚さ12nmのGaInAsP障壁層10(λg =1.1μm)からなる歪多重量子井戸構造をなし、井戸層9数は6層である。この場合、歪みと井戸層の厚さの総計との積は、1%×4nm×6=24nmとなる。共振器長を170μmとし、両面の反射率を85%、95%とした。この素子の発光特性を図2に示す。図2からわかるように、しきい値電流は、室温において2.5mA、100℃において6.5mAであり、150℃以上まで発振することが確認できた。また、発光効率の温度上昇にともなう劣化は、従来に比較して小さくなった。例えば、発光効率が半分になる温度は、図3からわかるように、本実施例では145℃であるが、従来例では、図7に示すように85℃付近である。
上記実施例において、各量子井戸層の厚さを4nm、歪みを1%として、量子井戸層の数を変えて、歪みと井戸層の厚さの総計との積としきい値電流の関係を測定した。その結果を図4に示す。図4からわかるように、歪みと井戸層の厚さの総計との積が20nmよりも小さくなると、また、40nmよりも大きくなると、しきい値電流は150℃以上の高温において急激に増加する。従って、歪みと井戸層の厚さの総計との積が20nm以上、40nm以下の範囲になるように活性層を設計することが望ましい。
なお、図8は、量子井戸数の異なるウェハの液体窒素温度(77K)におけるフォトルミネッセンス測定結果である。歪みと井戸層の厚さの総計との積が40nmを越えると、半値幅の増大、ピーク波長の長波長化が顕著である。これは臨界膜厚による歪みの緩和に起因した結晶性の劣化を表したものである。この結晶性の劣化は素子の信頼性に悪影響を及ぼし、デバイスの信頼性も低下することを確認した。このような観点からも、歪みと井戸層の厚さの総計との積は40nm以下であることが重要である。
なお、本発明は上記実施例に限定されず、InGaAlAs/InP系、InGaP/AlInGaP系などにも適用できる。
【0007】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、一層または複数層の歪量子井戸層を含む活性層を有する半導体レーザ素子において、活性層に含まれる前記歪量子井戸層はGaInAsP系化合物半導体からなり、前記GaInAsP系歪量子井戸層の厚さの総計と、歪み(%)との積が20nm以上、40nm以下であるため、高温におけるしきい値電流の増加と発光効率の低下を防ぎ、高温にける発光特性を改善することができるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体レーザ素子の一実施例における活性層のバンドギャップ構造を示す図である。
【図2】上記実施例の電流と光出力の関係を示す図である。
【図3】上記実施例の電流と発光効率の関係を示す図である。
【図4】歪みと井戸層の厚さの総計との積としきい値電流の関係を示す図である。
【図5】(a)は従来の半導体レーザ素子の断面図であり、(b)はその活性層のバンドギャップ構造を示す図である。
【図6】従来の電流と光出力の関係を示す図である。
【図7】従来の電流と発光効率の関係を示す図である。
【図8】歪みと井戸層の厚さの総計との積とフォトルミネッセンス半値幅の関係を示す図である。
【符号の説明】
1 n−InP基板
2 n−InPバッファ層
3、13 活性層
4a、4b p−InPクラッド層
5 p−InP電流ブロック層
6 n−InP電流ブロック層
7 p−InGaAsコンタクト層
8 光導波層
9 井戸層
10 障壁層
Claims (2)
- 複数層の歪量子井戸層を含む活性層をInP基板上方に有する半導体レーザ素子において、活性層は、歪みが1%程度である6層以上の歪量子井戸層を有し、かつ該活性層の厚さの総計と、前記歪み(%)との積が20nm以上、40nm以下であって、レーザ素子として140℃まで発振することを特徴とする半導体レーザ素子。
- 40℃における発光効率の1/2の発光効率になる温度が140℃以上であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP04449593A JP3592730B2 (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP04449593A JP3592730B2 (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 半導体レーザ素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2004196273A Division JP3717507B2 (ja) | 2004-07-02 | 2004-07-02 | 半導体レーザ素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH06237044A JPH06237044A (ja) | 1994-08-23 |
JP3592730B2 true JP3592730B2 (ja) | 2004-11-24 |
Family
ID=12693140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP04449593A Expired - Lifetime JP3592730B2 (ja) | 1993-02-08 | 1993-02-08 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3592730B2 (ja) |
-
1993
- 1993-02-08 JP JP04449593A patent/JP3592730B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06237044A (ja) | 1994-08-23 |
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