JPS5930671B2 - 焼結体製造用炭化珪素粉末組成物 - Google Patents

焼結体製造用炭化珪素粉末組成物

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JPS5930671B2
JPS5930671B2 JP53157186A JP15718678A JPS5930671B2 JP S5930671 B2 JPS5930671 B2 JP S5930671B2 JP 53157186 A JP53157186 A JP 53157186A JP 15718678 A JP15718678 A JP 15718678A JP S5930671 B2 JPS5930671 B2 JP S5930671B2
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silicon carbide
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carbide powder
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幸男 竹田
浩介 中村
時夫 大越
眞一 原
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Hitachi Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は炭化珪素粉末組成物に係り、特に高密度で高強
度な焼結体を得るために有効な粉末の組成物に係る。
炭化珪素は熱的にも化学的にも極めて安定な材料であり
、常温のみならず高温における強度が大きく、耐酸化性
にも優れており、高温の構造材料としての期待が大きい
従来、炭化珪素体は気相反応法、反応焼結法、シリコン
含浸法、ホットプレス法などの技術により製造された。
気相反応法は炭素と珪素の化合ウキとして有機化合物ま
たはハロゲン化合物をキャリアガスに同伴させて反応室
に導き、熱分解して適当な基体上に炭化珪素を析出させ
る方法であるが、一般には薄膜であるために主として各
種材料のコーテングに応用されている。
反応焼結法は炭素と珪素または二酸化珪素混合物を焼成
して、炭化珪素焼結体を得る方法であるが、高密度焼結
体は得られない。
シリコン含浸法は成形体をシリコン溶融体中に浸し、シ
リコンを含浸させ、これを炭化して炭化珪素とする方法
であるが、この方法でも高密度体は得難い。
従ってこれらの製造方法は耐火物や発熱体などの製造に
応用されている。
高密度で形状の大きい炭化珪素体はホットプレス法で製
造される。
炭化珪素は従来から焼結が困難な材料として知られてい
たが、アリエグロらが(S、alliegro et、
al、:Journal of americanC
eramic 5ociety、 1965年39巻3
86〜389頁)アルミニウムや鉄などを炭化珪素粉末
に添加してホットプレスすることにより理論密度に近い
焼結体を得、その強度は室温で54,000psiに達
することを報告した。
以来、種々の添加剤が検討され、例えばプロチャツカら
(S、Pro−chazka and R,J、 ch
arlesyThe americanCeramic
5ociety Bulletin、 1973年5
2巻885〜891頁)は平均粒径0,1μmの炭化珪
素粉末にホウ素を1重量%添加しホットプレスして焼結
体を製造したが、焼結体の結晶粒の大きさは3μm以上
になっており、最大の結晶粒の大きさは500μmにも
達し、該焼結体の曲げ強さは80.000 psiであ
ることを述べている。
また、ランデは(F 、 F 、 Lange、Jou
rnal of ma ter 1alScience
、 1975年10巻314〜320頁:炭化珪素粉末
の添加剤として酸化アルミニウムを使用して、炭化珪素
粉末の平均粒径が0.5μm以下の場合であっても、ホ
ットプレスして製造した焼結体の結晶粒の大きさは2μ
mに成長し、平均粒径が2μmの炭化珪素粉末を用いた
場合には焼結体の結晶粒の大きさが3.4μmに成長す
ると述べている。
本発明の目的は高密度で高強度の炭化珪素焼結体を与え
る組成物を提供することにある。
本発明は炭化珪素の粉末に窒化アルミニウムや窒化ホウ
素の如き焼結助剤とホットプレスしたとき焼結体中の結
晶粒が成長するのを抑制するための抑制剤が加えられる
結晶粒成長抑制剤は例えばランタンの如き共有結合半径
の大きい元素が使用される。
炭化珪素焼結体を得る場合の焼結促進のための添加剤の
効果は正確に理解されている訳ではないが大路次のよう
に考えられている。
すなわち、炭化珪素と添加物の混合物が約2000℃に
加熱されると添加剤の原子は拡散して炭化珪素の結晶格
子中に入り込むものと考えられ、この結果、炭化珪素体
の結晶の結合が進み、緻密な焼結体になるものとして説
明される。
このとき、炭化珪素焼結体中の結晶粒が大きく成長する
と、焼結体の強度が低下する。
さて、本発明では上述した結晶粒の成長を抑制すること
によって焼結体の強度の低下を防止する。
すなわち、炭化珪素粉末中にあらかじめ共有結合半径の
大きい元素が添加されており、この元素の効果で結晶粒
の成長が抑制できる。
結晶粒成長抑制剤の効果も正確には理解されていないが
、大路次のように考えられる。
すなわち、炭化珪素粉末とその焼結を促進するための添
加剤の混合物が約2000℃の高温に加熱され炭化珪素
体の結晶の結合が進むとき、共有結合半径の大きい元素
が存在すると、この元素が成長しやすい結晶面に付くこ
とによって結晶の成長速度が小さくなり、結晶粒の成長
が抑制される。
前記炭化珪素の焼結助剤としてはアルミニウム、ホウ素
、ベリリウムの単体またはこれらの炭化物、窒化物、酸
化物が使用される。
これらはそれぞれの元素の共有結合半径の大きさにより
、結晶粒の成長の大きさが異なるが、共有結合半径の小
さいものほど結晶粒の成長が大きい。
これらの含有量は1種又は2種以上の合計量で0.5〜
10重量%である。
0.5重量%未満では十分な焼結が得られず、高強度の
焼結体が得られない。
更に、10重量%を越えると炭化珪素自身による焼結が
得られなくなるので、同じく高強度の焼結体が得れない
一方結晶粒成長抑制剤は共有結合半径が大きいものが望
ましいことを述べたが、さらに焼結体中に低融点物質を
形成しないことも必要である。
これらの条件を満すものとしてバリウム、イツトリウム
、ハフニウム、ニオブ、モリブデン、タングステン、ラ
ンタン族元素、アクチニウム族元素、アンチモン、ビス
マスの単体、あるいはこれらの炭化物、窒化物、酸化物
であってもよい。
これらの含有量は金属元素の単体、又はこれらの元素の
炭化物、窒化物及び酸化物の1種又は2種以上の合計量
で0.5〜10重量%である。
0.5重量%未満では結晶粒抑制効果がなく、逆に10
重量%を越えると炭化珪素自身による焼結が得られなく
なるので、高強度の焼結体が得られない。
次に本発明の詳細を具体的実施例により説明する。
実施例 1 平均粒径が0.38μmである炭化珪素粉末に対して焼
結助剤として窒化アルミニウムまたは窒化ホウ素を2重
量%添加し、さらに結晶粒成長抑制剤として酸化ランタ
ンを0.1〜10重量%添加した。
次に該粉末の一時的結合剤として重合度が500のポリ
ビニールアルコールの4%溶液を炭化珪素粉末100重
量部に対して5容量部を加えらいかい機を使用して15
分間混合した。
該炭化珪素粉末組成物は金型を用いて100 Ky/c
fI!Lの圧力を加えて予備成形体となし、次いで黒鉛
製ダイス中でIX 10 ’ torr以下の真空とし
ホットプレスして焼結体を製造した。
ホットプレスは温度2000℃、圧力200 Kl舗、
時間30分とした。
第1表は上記条件で製造した炭化珪素焼結体の平均の結
晶粒の大きさおよび室温における曲げ強さである。
酸化ランタンの添加により、焼結体の結晶粒の成長は小
さくなっており、曲げ強さも大きくなっている。
なお結晶粒はエツチングしたのち、顕微鏡により測定し
た。
実施例 2 実施例1と同様にして炭化珪素の粉末組成物を調整した
が、結晶粒成長抑制剤としてマグネシウム、バリウム、
イツトリウム、チタン、ハフニウム、ニオブ、クロム、
モリブデン、タングステン、セリウム、トリウム、アン
チモン、ビスマスの酸化物を使用した。
添加量は単体に換算して2重量%とした。
該粉末組成物を前記したものと同一の条件でホットプレ
スして焼結体を製造した。
該焼結体の密度と平均の結晶粒の大きさおよび室温にお
ける曲げ強さは第2表に示す。
Mg、Ti、Crを添加したものの結晶粒が大きい。
共有結合半径の大きい元素が添加されている場合には焼
結体の結晶粒の成長が小さい傾向がある。
実施例 3 平均粒径が0.38μmである炭化珪素粉末に対して焼
結助剤として、ホウ素、炭化ホウ素、アルミニウム、酸
化アルミニウム、ベリリウム、酸化べIJ IJウムを
それぞれ単体の添加量に換算して1重量%添加し、さら
に酸化ランタンを3重量%添加した。
以後の操作は実施例1に示したものと同様にして炭化珪
素の粉末組成物を得、さらにホットプレスして焼結体を
製造した。
第3表は該焼結体の密度と平均の結晶粒の大きさおよび
室温における曲げ強さであるが、結晶粒の成長は小さく
なっており、曲げ強さが大きくなる。
さらに焼結を促進するための添加剤の量を0.5〜10
重量%の範囲で変えて焼結体を製造した。
この場合の該焼結体の強度はいずれも88〜128Ky
/m4の範囲にあり、高い強度を有することがわかった
なお、本発明の実施例においてはα型炭化珪素を用いて
行なったが、β型においても同様の効果が得られる。
実施例 4 平均粒径0.38μmのSiC粉末に対して、焼結助剤
として炭化ホウ素2重量%添加し、更に粒成長抑制剤と
してBa 、Hf 、Nb 、 Cr 、Mo 、W、
La 、 Th 。
Sb、Biの炭化物を単体に換算して4重量%添加した
粉末組成物は実施例1と同様に焼結体を製造した。
焼結体の平均結晶粒径は1.0〜1.6μm及び曲げ強
さは108〜130Ky/−であった。
実施例 5 平均粒径0.38μmのSiC粉末に対して、AlN2
重量%及びNbN0.1〜10重量%添加した。
実施例1と同様にして焼結体を製造した。
焼結体の平均結晶粒径及び曲げ強さを第4表に示す。
NbNが0.5〜10重量%のとき高強度が得られる。
実施例 6 実施例5と同様に焼結体を製造した。
粒成長抑制剤としてBa、Hf+Cr、Mo、W、La
、Th、Sb。
Biの窒化物を単体に換算して4重量%添加した。
焼結体の平均結晶粒径は1.1〜1.7μm及び曲げ強
さは102〜131Ky/−であった。
実施例 7 平均粒径0.38μmのSiC粉末に、焼結助剤として
B r BN + B4 C+ AZ s AZ203
t B e + B eOをそれぞれ単体に換算して
1重量%添加し、結晶粒成長抑制剤としてNbNを8重
量%添加し、実施例1と同様に焼結体を製造した。
焼結体の平均粒径及び曲げ強さを第5表に示す。
実施例 8 平均粒径0.38μmのSiC粉末に、B4C2重量%
及びWO91〜10重量%添加し、前述と同様に焼結体
を得た。
焼結体の平均粒径及び曲げ強さを第6表に示す。
実施例 9 実施例8と同様にB4C2重量%及び粒成長抑制剤とし
てBa 、Hf 、Nb 、Cr 、Mo 、La t
’ T h + S b s B iを各々5重量%
添加し焼結体を得た。
焼結体の平均粒径は1.0〜1,8μm及び曲げ強さ7
8〜130Kp/−であった。
実施例 10 平均粒径0.38μmのSiC粉末に、焼結助剤として
B 、BN 、At、 A403.A7N 、Be 。
BeOを各々単体に換算して1重量%及びW5重量%添
加し、前述と同様に焼結体を得た。
焼結体の平均粒径及び曲げ強さを第7表に示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 炭化珪素粉末を主成分とし、焼結助剤としてホウ素
    、炭化ホウ素、窒化ホウ素、アルミニウム、酸化アルミ
    ニウム、窒化アルミニウム、ベリリウム、酸化べIJ
    IJウムから選ばれた1種又は2種以上を合計量で0.
    5〜10重量%、および結晶粒成長抑制剤としてバリウ
    ム、イツトリウム、ハフニウム、ニオブ、モリブデン、
    タングステン、アンチモン、ビスマス、ランタン族元素
    の単体、アクチニウム元素の単体および上記各元素の炭
    化物、窒化物、酸化物から選ばれた1種又は2種以上を
    合計量で0.5〜10重量%を含む混合粉末からなるこ
    とを特徴とする焼結体製造用炭化珪素粉末組成物。
JP53157186A 1978-12-15 1978-12-15 焼結体製造用炭化珪素粉末組成物 Expired JPS5930671B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5899172A (ja) * 1981-12-07 1983-06-13 株式会社日立製作所 電気絶縁基板
JPS59190268A (ja) * 1983-12-16 1984-10-29 旭硝子株式会社 炭化ケイ素質焼結体用組成物
JPS60239359A (ja) * 1984-05-11 1985-11-28 京セラ株式会社 炭化珪素質焼結体及びその製法
JPS60246266A (ja) * 1985-04-22 1985-12-05 旭硝子株式会社 炭化珪素質焼結体の製造方法
JPS60246267A (ja) * 1985-04-22 1985-12-05 旭硝子株式会社 炭化珪素質の焼結体
JPS61251572A (ja) * 1985-04-30 1986-11-08 株式会社日立製作所 炭化珪素焼結体およびその製法
JPS62472U (ja) * 1985-06-19 1987-01-06

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WO2018012118A1 (ja) * 2016-07-12 2018-01-18 株式会社バンダイ 演出出力玩具

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