JPS59131578A - 炭化珪素粉末組成物 - Google Patents
炭化珪素粉末組成物Info
- Publication number
- JPS59131578A JPS59131578A JP58153760A JP15376083A JPS59131578A JP S59131578 A JPS59131578 A JP S59131578A JP 58153760 A JP58153760 A JP 58153760A JP 15376083 A JP15376083 A JP 15376083A JP S59131578 A JPS59131578 A JP S59131578A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- carbide powder
- sintered body
- powder composition
- added
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明の炭化珪素粉末組成物に係り、特に高密度で高強
度な焼結体を得るために有効な粉末の組成物に係る。
度な焼結体を得るために有効な粉末の組成物に係る。
炭化珪素は熱的にも化学的にも極めて安定な材料であり
、常温のみならず高温における強度が大きく、耐酸化性
にも優れており、高温の構造材料としての期待が太きい
。
、常温のみならず高温における強度が大きく、耐酸化性
にも優れており、高温の構造材料としての期待が太きい
。
従来、炭化珪素体は気相反応法、反応焼結法、シリコン
含浸法、ホラ1〜プレス法などの技術により製造された
。気相反応法は炭素と珪素の化合物主として有機化合物
またはハロゲン化合物をキャリアガスに同伴させて反応
室に導き、熱分解して適当な基板上に炭化珪素を析出さ
せる方法であるが、一般には薄膜であるために主として
各種材料のコーティングに応用されている。反応焼結法
は炭素と珪素または二酸化珪素混合物を焼成して、炭化
珪素焼結体を得る方法であるが、高密度焼結体は得られ
ない。シリコン含浸法は成形体をシリコン溶融体中に浸
し、シリコンを含浸させ、これを炭化して炭化珪素とす
る方法であるが、この方法でも高密度体は得難い。従が
ってこれらの製造方法は耐火物や発熱体などの製造に応
用さ肛ている。
含浸法、ホラ1〜プレス法などの技術により製造された
。気相反応法は炭素と珪素の化合物主として有機化合物
またはハロゲン化合物をキャリアガスに同伴させて反応
室に導き、熱分解して適当な基板上に炭化珪素を析出さ
せる方法であるが、一般には薄膜であるために主として
各種材料のコーティングに応用されている。反応焼結法
は炭素と珪素または二酸化珪素混合物を焼成して、炭化
珪素焼結体を得る方法であるが、高密度焼結体は得られ
ない。シリコン含浸法は成形体をシリコン溶融体中に浸
し、シリコンを含浸させ、これを炭化して炭化珪素とす
る方法であるが、この方法でも高密度体は得難い。従が
ってこれらの製造方法は耐火物や発熱体などの製造に応
用さ肛ている。
高密度で形状の大きい炭化珪素体はホラ1−プレス法で
製造される。炭化珪素は従来から焼結が困難な材料とし
て知られていたが、アリエグロらがアルミニウムが鉄な
どを炭化珪素粉末に添加してホットプレスすることによ
り理論密度に近い焼結体を得、その強度は室温で54,
000psiに達することを報告した。以来、種々の添
加剤が検討され、例えばプロチャツカらは平均粒径0.
1 μrnの炭化珪素粉末にホウ素を1重量%添加しホ
ラ1−プレスして焼結体を製造したが、焼結体の結晶粒
、の大きさは3μm以上になっており、最大の結晶粒の
大きさは500μmにも達し、該焼結体の曲げ強さは8
0,000psiであることを述べている。また、ラン
グは炭化珪素粉末の添加剤として酸化アルミニウムを使
用して、炭化珪素粉末の平均粒径が0.5 μm以下の
場合であっても、ホットプレスして製造した焼結体の結
晶粒の大きさは2μmに成長し、平均粒径が2μmの炭
化珪素粉末を用いた場合には焼結体の結晶粒の大きさが
3.4 μmに成長すると述べている。
製造される。炭化珪素は従来から焼結が困難な材料とし
て知られていたが、アリエグロらがアルミニウムが鉄な
どを炭化珪素粉末に添加してホットプレスすることによ
り理論密度に近い焼結体を得、その強度は室温で54,
000psiに達することを報告した。以来、種々の添
加剤が検討され、例えばプロチャツカらは平均粒径0.
1 μrnの炭化珪素粉末にホウ素を1重量%添加しホ
ラ1−プレスして焼結体を製造したが、焼結体の結晶粒
、の大きさは3μm以上になっており、最大の結晶粒の
大きさは500μmにも達し、該焼結体の曲げ強さは8
0,000psiであることを述べている。また、ラン
グは炭化珪素粉末の添加剤として酸化アルミニウムを使
用して、炭化珪素粉末の平均粒径が0.5 μm以下の
場合であっても、ホットプレスして製造した焼結体の結
晶粒の大きさは2μmに成長し、平均粒径が2μmの炭
化珪素粉末を用いた場合には焼結体の結晶粒の大きさが
3.4 μmに成長すると述べている。
本発明の目的は高密度で高強度の炭化珪素焼結体を与え
る組成物を提供することにある。
る組成物を提供することにある。
本発明は炭化珪素の粉末に窒化アルミニウムや窒化ホウ
素の如き焼結助剤とホットプレスしたとき焼結体中の結
晶粒が成長するのを抑制するための抑制剤が加えられる
。結晶粒成長抑制剤は共有結合半径の大きい元素が使用
される。
素の如き焼結助剤とホットプレスしたとき焼結体中の結
晶粒が成長するのを抑制するための抑制剤が加えられる
。結晶粒成長抑制剤は共有結合半径の大きい元素が使用
される。
炭化珪素焼結体を得る場合の焼結促進のため−の添加剤
の効果は次のように考えられる。すなわち、炭化珪素と
添加物の混合物が約2000°Cに加熱されると添加剤
の原子は拡散して炭化珪素の結晶格子中に入り込むもの
と考えられ、この結果、炭化珪素体の結晶の結合が進み
、緻密な焼結体になるものとして説明される。このとき
、炭化珪素焼結体中の結晶粒が大きく成長すると、焼結
体の強度が低下する。
の効果は次のように考えられる。すなわち、炭化珪素と
添加物の混合物が約2000°Cに加熱されると添加剤
の原子は拡散して炭化珪素の結晶格子中に入り込むもの
と考えられ、この結果、炭化珪素体の結晶の結合が進み
、緻密な焼結体になるものとして説明される。このとき
、炭化珪素焼結体中の結晶粒が大きく成長すると、焼結
体の強度が低下する。
さて、本発明では上述した結晶粒の成長を抑制すること
によって焼結体の強度の低下を防止する。
によって焼結体の強度の低下を防止する。
すなわち、炭化珪素粉末中にあらかじめ共有結合半径の
大きい元素が添加されており、この元素の効果で結晶粒
の成長が抑制できる。結晶粒成長抑制剤の効果は次のよ
うに考えられる。すなわち、炭化珪素粉末とその焼結を
促進するための添加剤の混合物が約2000℃の高温に
加熱され炭化珪素体の結晶の結合が進むとき、共有結合
半径の大きい元素が存在すると、この元素が成長しやす
い結晶面に付くことによって結晶の成長速度が小さくな
り、結晶粒の成長が抑制される。
大きい元素が添加されており、この元素の効果で結晶粒
の成長が抑制できる。結晶粒成長抑制剤の効果は次のよ
うに考えられる。すなわち、炭化珪素粉末とその焼結を
促進するための添加剤の混合物が約2000℃の高温に
加熱され炭化珪素体の結晶の結合が進むとき、共有結合
半径の大きい元素が存在すると、この元素が成長しやす
い結晶面に付くことによって結晶の成長速度が小さくな
り、結晶粒の成長が抑制される。
前記炭化珪素の焼結助剤としてはアルミニウム、ホウ素
、ベリリウムの単体またはこれらの炭化物、窒化物、酸
化物が使用される。これらはそれぞれの元素の共有結合
半径の大きさにより、結晶粒の成長の大きさが異なるが
、共有結合半径の小さいものほど結晶粒の成長が大きい
。
、ベリリウムの単体またはこれらの炭化物、窒化物、酸
化物が使用される。これらはそれぞれの元素の共有結合
半径の大きさにより、結晶粒の成長の大きさが異なるが
、共有結合半径の小さいものほど結晶粒の成長が大きい
。
一方結晶粒成長抑制剤は共有結合半径が太きいものが望
ましいことを述べたが、さらに焼結体中に低融点物質を
形成しないことも必要である。これらの条件を満すもの
としてイツトリウム、ジルコニウム、タンタルの単体、
あるいはこれらの炭化物、窒化物からなる。
ましいことを述べたが、さらに焼結体中に低融点物質を
形成しないことも必要である。これらの条件を満すもの
としてイツトリウム、ジルコニウム、タンタルの単体、
あるいはこれらの炭化物、窒化物からなる。
(実施例1)
平均粒径が0.38 μmのSiC粉末に対して。
焼結助剤として炭化ホウ素2wt%添加し、さらに結晶
粒成長抑制剤としてZrCを0.1 〜1.0重量%添
加し、更に重合度500のポリビニルアルコールの4%
溶液を炭化珪素粉末100容量部に対して5容量部を与
え、らいかい機を使用して15分間混合した。この混合
粉末を1000kg / cJの圧力を加えて成形し、
次いで黒鉛製ダイス中で10−4トル以下の真空下でプ
レスして焼結体を得た。ホットプレスは2000℃、圧
力200kg/cイ、時間30分の条件である。
粒成長抑制剤としてZrCを0.1 〜1.0重量%添
加し、更に重合度500のポリビニルアルコールの4%
溶液を炭化珪素粉末100容量部に対して5容量部を与
え、らいかい機を使用して15分間混合した。この混合
粉末を1000kg / cJの圧力を加えて成形し、
次いで黒鉛製ダイス中で10−4トル以下の真空下でプ
レスして焼結体を得た。ホットプレスは2000℃、圧
力200kg/cイ、時間30分の条件である。
以」二の方法で製造したSiC焼結体の平均結晶粒の大
きさ及び3点曲げ強さは第1表の通りである。ZrCが
0.5 〜10wt%のとき高強度焼結体が得られる。
きさ及び3点曲げ強さは第1表の通りである。ZrCが
0.5 〜10wt%のとき高強度焼結体が得られる。
第1表
強さ100kg/m2以上のものが得らAしる。
(実施例2)
平均粒径が0.38 μmのSiC粉末に対して焼結助
剤とL”’CB、BN、An、AQ203、AflN、
Be、BeOをそれぞれ単体に換算して1wt%添加し
、さらに結晶粒成長抑制剤としてZrCを8wt%添加
した。該粉末組成物は実施例1と同様にしてSiC焼結
体を製造した。
剤とL”’CB、BN、An、AQ203、AflN、
Be、BeOをそれぞれ単体に換算して1wt%添加し
、さらに結晶粒成長抑制剤としてZrCを8wt%添加
した。該粉末組成物は実施例1と同様にしてSiC焼結
体を製造した。
上記の方法で製造したSiC焼結体の平均結晶粒径の大
きさ及び曲げ強さは第2表の通であり、結晶粒成長抑制
剤であるZrCを添加することにより、結晶粒は小さく
、曲げ強さが大きくなっている。
きさ及び曲げ強さは第2表の通であり、結晶粒成長抑制
剤であるZrCを添加することにより、結晶粒は小さく
、曲げ強さが大きくなっている。
さらに、焼結助剤の添加量を0.5〜10wt%の範囲
で変えて焼結体を得た。この場合、焼結体の曲げ強さは
82〜132 kg/ mn+2の範囲にあり、高強度
焼結体が得られることがわかった。
で変えて焼結体を得た。この場合、焼結体の曲げ強さは
82〜132 kg/ mn+2の範囲にあり、高強度
焼結体が得られることがわかった。
第2表
表に示すように、結晶粒の大きさが最大でも1.6μm
で、曲げ強さも100kg/胴2以上のもの−が得られ
る。
で、曲げ強さも100kg/胴2以上のもの−が得られ
る。
本発明によれば、微細な結晶粒で1強度の高い手続補正
書(方式) %式% 事件の表示 昭和58年特許願第 153760 号発 明 の
名 称 炭化珪素粉末組成物補正をする者 事(’+との関係 特許出願人 名 lfl、(SR1+株式会(」 日 立 製 イ乍
所代 理 人 居 i’li(〒+oo)東京都千代田区丸の内−丁
1]5番1号[代理侑を証明する書面」、「願書」及び
「明細書の全文」補正の内容 1、委任状を別紙の通シ提出する。
書(方式) %式% 事件の表示 昭和58年特許願第 153760 号発 明 の
名 称 炭化珪素粉末組成物補正をする者 事(’+との関係 特許出願人 名 lfl、(SR1+株式会(」 日 立 製 イ乍
所代 理 人 居 i’li(〒+oo)東京都千代田区丸の内−丁
1]5番1号[代理侑を証明する書面」、「願書」及び
「明細書の全文」補正の内容 1、委任状を別紙の通シ提出する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、炭化珪素粉末および該粉末の焼結助剤を主成分とす
る粉末組成物に、結晶粒成長抑制剤としてイツトリウム
、ジルコニウム、タンタルおよびこれらの炭化物、窒化
物の少なくとも1種を添加して成る炭化珪素粉末組成物
。 2、特許請求の範囲第1項において、焼結助剤がホウ素
、炭化ボウ素、窒化ホウ素、アルミニウム。 窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、ベリリウム、酸
化ベリリウムから選ばれる少なくとも1種であることを
特徴とする炭化珪素粉末組成物。 3、特許請求の範囲第1項または第2項において、結晶
粒成長抑制剤の添加量が0.5〜1.0重景%である炭
化珪素粉末組成物。 4、特許請求の範囲第2項において、焼結助剤の添加量
が0.5〜10重景%である炭化珪素粉末組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58153760A JPS59131578A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 炭化珪素粉末組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58153760A JPS59131578A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 炭化珪素粉末組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59131578A true JPS59131578A (ja) | 1984-07-28 |
Family
ID=15569528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58153760A Pending JPS59131578A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 炭化珪素粉末組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59131578A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4729972A (en) * | 1985-01-11 | 1988-03-08 | Hitachi, Ltd. | High toughness ceramics and process for the preparation thereof |
US5179050A (en) * | 1989-08-18 | 1993-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sic-based pressureless sintered product |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58153760A patent/JPS59131578A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4729972A (en) * | 1985-01-11 | 1988-03-08 | Hitachi, Ltd. | High toughness ceramics and process for the preparation thereof |
US5179050A (en) * | 1989-08-18 | 1993-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sic-based pressureless sintered product |
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