JPS5930036B2 - 平型半導体スタツクユニツト - Google Patents
平型半導体スタツクユニツトInfo
- Publication number
- JPS5930036B2 JPS5930036B2 JP14086876A JP14086876A JPS5930036B2 JP S5930036 B2 JPS5930036 B2 JP S5930036B2 JP 14086876 A JP14086876 A JP 14086876A JP 14086876 A JP14086876 A JP 14086876A JP S5930036 B2 JPS5930036 B2 JP S5930036B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bus bar
- flat semiconductor
- stack unit
- semiconductor stack
- shaft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は平形半導体スタックの構造に関する。
平形半導体装置の強制風冷用スタックは第１図に示すよ
うにＡｌ又はＣｕ材からなる円柱２に同一材料の金属板
フィン３を均等に平行配置してろう付等により接合して
なる放熱体４を、第２図に示すように縦に並べ、放熱体
４の間に平形半導体素子１を挾み、さらに両端に絶縁板
５を介して筐体金属板６で挾み、両側の板６に絶縁体１
０をはさんでシャフト９を通し、バネ部□を介してシャ
フト９にはまるナット８を締めつけて構成されている。
このスタックユニットを強制冷却するには、送風ファン
から放熱体４の金属ファン３に平行になる方向に風を吹
き付けている。
うにＡｌ又はＣｕ材からなる円柱２に同一材料の金属板
フィン３を均等に平行配置してろう付等により接合して
なる放熱体４を、第２図に示すように縦に並べ、放熱体
４の間に平形半導体素子１を挾み、さらに両端に絶縁板
５を介して筐体金属板６で挾み、両側の板６に絶縁体１
０をはさんでシャフト９を通し、バネ部□を介してシャ
フト９にはまるナット８を締めつけて構成されている。
このスタックユニットを強制冷却するには、送風ファン
から放熱体４の金属ファン３に平行になる方向に風を吹
き付けている。
このスタックユニットを複数個用いて単相または３相整
流回路を構成する際には、金属ファンの一端を延長した
フィン電極１１にスタックのシャフト兼用ブスバー９を
銀ろう付して、シャフト端子が外部リード線との接続電
極を兼用している。
流回路を構成する際には、金属ファンの一端を延長した
フィン電極１１にスタックのシャフト兼用ブスバー９を
銀ろう付して、シャフト端子が外部リード線との接続電
極を兼用している。
ところが、従来技術によるシャフト兼用ブスバーは断面
が１体の物体から構成され、このため、このスタックユ
ニットを５００〜１０ＫＨｚの高周波電流を流すインバ
ータ回路等に使用する場合には、シャフト兼用のブスバ
ー９は表皮効果のために高周波電流定格が著しく低下す
る欠点がある。すなわちブスバーが銅の場合の表皮の深
さはｆ二５０Ｈ２でも１ｃ７ｎ、、ｆ＝１ＫＨｚで１．
７ｍ、ｆ＝３ＫＨｚで１ｍ７７！であるから、１０ｍｍ
φの銅棒ブスバーは３ＫＨ２の場合に厚さ１ｍｍの銅管
と同じ抵抗を示すことになる。従つて、直流電流におけ
る１０７７Ｚ麗φと同じ抵抗値を得るためには、３ＫＨ
２の高周波電流においては、２５ｍｍφの銅棒が必要と
なり、太すぎて実用的でない。本発明の目的は上記欠点
を除去するようにした平形半導体スタックユニットの構
造を提供することである。
が１体の物体から構成され、このため、このスタックユ
ニットを５００〜１０ＫＨｚの高周波電流を流すインバ
ータ回路等に使用する場合には、シャフト兼用のブスバ
ー９は表皮効果のために高周波電流定格が著しく低下す
る欠点がある。すなわちブスバーが銅の場合の表皮の深
さはｆ二５０Ｈ２でも１ｃ７ｎ、、ｆ＝１ＫＨｚで１．
７ｍ、ｆ＝３ＫＨｚで１ｍ７７！であるから、１０ｍｍ
φの銅棒ブスバーは３ＫＨ２の場合に厚さ１ｍｍの銅管
と同じ抵抗を示すことになる。従つて、直流電流におけ
る１０７７Ｚ麗φと同じ抵抗値を得るためには、３ＫＨ
２の高周波電流においては、２５ｍｍφの銅棒が必要と
なり、太すぎて実用的でない。本発明の目的は上記欠点
を除去するようにした平形半導体スタックユニットの構
造を提供することである。
本願の特徴は、ブスバーもしくはシャフト兼用ブスバー
の内部に第２、第３の電導通路を設けたことである。
の内部に第２、第３の電導通路を設けたことである。
以下本発明の実施例を第３図と第４図によつて詳細に説
明する。
明する。
第３図はシャフト兼用ブスバー９の断面図で銅管１２に
絶縁管１３更に銅管１４を同心円で重ねたもので銅管１
２と１４はそれぞれ表面効果に対して独立のパイプとし
て実効抵抗を有するので、全体としての高周波電流の流
れる断面積は広いものとなり、合成抵抗は銅管１４と同
じ径の銅棒よりは低くなる。
絶縁管１３更に銅管１４を同心円で重ねたもので銅管１
２と１４はそれぞれ表面効果に対して独立のパイプとし
て実効抵抗を有するので、全体としての高周波電流の流
れる断面積は広いものとなり、合成抵抗は銅管１４と同
じ径の銅棒よりは低くなる。
ここで中心部１５は空間でも、機構的補強として非磁性
体のステンレス棒でもよい。第４図は銅管１７と、その
内部に絶縁管１３をかぶせた銅棒１６をつめて構成され
ている。ここでも第３図と同じく、いわゆるリツツ線と
同じく高周波に対して実効抵抗の低いブスバ一が得られ
る。本発明の構造は第２図のシヤフト兼用ブスバ一９に
適用したが、シヤフトと別に筐体金属板６に絶縁して取
りつけているブスバ一に本発明を適用しても、全く同一
の効果が得られる。
体のステンレス棒でもよい。第４図は銅管１７と、その
内部に絶縁管１３をかぶせた銅棒１６をつめて構成され
ている。ここでも第３図と同じく、いわゆるリツツ線と
同じく高周波に対して実効抵抗の低いブスバ一が得られ
る。本発明の構造は第２図のシヤフト兼用ブスバ一９に
適用したが、シヤフトと別に筐体金属板６に絶縁して取
りつけているブスバ一に本発明を適用しても、全く同一
の効果が得られる。
このように本発明によるブスバ一もしくはシヤフト兼用
ブスバ一は、その断面形状を大にすることなく高周波損
失の小となるものであるから、本発明の平形半導体スタ
ツクユニツトは、たとえインバータにおけるように高周
波で使用される場合にも、小型となり、かつ、特性の良
いものとなる。
ブスバ一は、その断面形状を大にすることなく高周波損
失の小となるものであるから、本発明の平形半導体スタ
ツクユニツトは、たとえインバータにおけるように高周
波で使用される場合にも、小型となり、かつ、特性の良
いものとなる。
第１図は平形半導体スタツクユニツトに用いられる放熱
体の斜視図であり、第２図は平形半導体スタツクユニツ
トの正面図である。 第３図および第４図はそれぞれ本発明の実施例における
ブスバ一の断面図である。尚、図において、１・・・・
・・平形半導体素子、２・・・・・・銅円柱、３・・・
・・・金属フイン、４・・・・・・放熱体、５，１０・
・・・・・絶縁体、６・・・・・・筐体金属板、７・・
・・・・バネ部、８・・・・・・ナツト、９，９１・・
・・・シヤフト兼用ブスバ一、１１・・・・・・フイン
電凰 １２，１４，１７・・・・・・・・・銅管、１３
・・・・・・絶縁管、１５・・・・・・空間又はステン
レス棒、１６・・・・・・銅である。
体の斜視図であり、第２図は平形半導体スタツクユニツ
トの正面図である。 第３図および第４図はそれぞれ本発明の実施例における
ブスバ一の断面図である。尚、図において、１・・・・
・・平形半導体素子、２・・・・・・銅円柱、３・・・
・・・金属フイン、４・・・・・・放熱体、５，１０・
・・・・・絶縁体、６・・・・・・筐体金属板、７・・
・・・・バネ部、８・・・・・・ナツト、９，９１・・
・・・シヤフト兼用ブスバ一、１１・・・・・・フイン
電凰 １２，１４，１７・・・・・・・・・銅管、１３
・・・・・・絶縁管、１５・・・・・・空間又はステン
レス棒、１６・・・・・・銅である。
Claims (1)
- １ 平形構造の半導体素子を放熱体にてサンドイッチ状
に両面からはさむ構造の平形半導体スタックユニットに
おいて、前記平形半導体スタックユニットのブスバーも
しくはシャフト兼用ブスバーは、第１の導電体および該
第１の導電体の内部に設けられた少なくとも１本の第２
の導電体から構成され、かつ、前記ブスバーもしくはシ
ャフト兼用ブスバーへの結線部分を除く個所において、
前記第１の導電体と前記第２の導電体とは電気的に絶縁
されており、主たる高周波電流は前記第１および第２の
導電体の各表面を流れることを特徴とする平形半導体ス
タックユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14086876A JPS5930036B2 (ja) | 1976-11-22 | 1976-11-22 | 平型半導体スタツクユニツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14086876A JPS5930036B2 (ja) | 1976-11-22 | 1976-11-22 | 平型半導体スタツクユニツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5365067A JPS5365067A (en) | 1978-06-10 |
| JPS5930036B2 true JPS5930036B2 (ja) | 1984-07-24 |
Family
ID=15278605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14086876A Expired JPS5930036B2 (ja) | 1976-11-22 | 1976-11-22 | 平型半導体スタツクユニツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5930036B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019225114A1 (ja) | 2018-05-23 | 2019-11-28 | トヨタ車体株式会社 | 燃料電池用セパレータ及び燃料電池用セパレータの製造方法 |
-
1976
- 1976-11-22 JP JP14086876A patent/JPS5930036B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019225114A1 (ja) | 2018-05-23 | 2019-11-28 | トヨタ車体株式会社 | 燃料電池用セパレータ及び燃料電池用セパレータの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5365067A (en) | 1978-06-10 |
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