JPH08107165A - 半導体冷却装置 - Google Patents
半導体冷却装置Info
- Publication number
- JPH08107165A JPH08107165A JP26615894A JP26615894A JPH08107165A JP H08107165 A JPH08107165 A JP H08107165A JP 26615894 A JP26615894 A JP 26615894A JP 26615894 A JP26615894 A JP 26615894A JP H08107165 A JPH08107165 A JP H08107165A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling device
- semiconductor
- semiconductor module
- radiation fin
- semiconductor cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】放熱フィンを直接枠に取付けアース電位にする
ことができる半導体冷却装置を提供する。 【構成】 放熱フィン４と半導体モジュール３との間に
銅ブロック１１、１３を介してファインセラミックス等
の絶縁体１２を取り付けた。 【効果】 放熱フィンをアース電位とすることで、外部
に露出させ冷却効率を上げ、更に清掃が簡単にできるよ
うになる。
ことができる半導体冷却装置を提供する。 【構成】 放熱フィン４と半導体モジュール３との間に
銅ブロック１１、１３を介してファインセラミックス等
の絶縁体１２を取り付けた。 【効果】 放熱フィンをアース電位とすることで、外部
に露出させ冷却効率を上げ、更に清掃が簡単にできるよ
うになる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、車両の補助電源装置
等に使用される半導体の冷却装置に関するものである。
等に使用される半導体の冷却装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は例えば１９８７年三菱電機技報Vo
l.６１，No.２，６４ページに示された従来の補助電源
装置と車体を示す側面図、図９は内部を示す断面図であ
る。図において、１は車体、２は補助電源装置、３は半
導体モジュール、４は放熱フィン、５は絶縁枠、６は枠
である。
l.６１，No.２，６４ページに示された従来の補助電源
装置と車体を示す側面図、図９は内部を示す断面図であ
る。図において、１は車体、２は補助電源装置、３は半
導体モジュール、４は放熱フィン、５は絶縁枠、６は枠
である。
【０００３】次に動作について説明する。この補助電源
装置２は、図８に示すように、車体１の床下に吊り下げ
装着されている。更に、半導体モジュール３は放熱フィ
ン４にネジで取付けられているが、耐電圧値が使用条件
により低い場合は放熱フィン４が中間電位となっている
ため、放熱フィン４をアース電位である枠６に直接取り
付けられず、絶縁枠５を介して取付けている。
装置２は、図８に示すように、車体１の床下に吊り下げ
装着されている。更に、半導体モジュール３は放熱フィ
ン４にネジで取付けられているが、耐電圧値が使用条件
により低い場合は放熱フィン４が中間電位となっている
ため、放熱フィン４をアース電位である枠６に直接取り
付けられず、絶縁枠５を介して取付けている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の補助電源装置の
構造では上記の様に放熱フィンが中間電位となっている
ために安全上好ましく無く、放熱フィンに直接触れぬ様
に保護カバーを設けたり、箱の内部に収納することが必
要である。
構造では上記の様に放熱フィンが中間電位となっている
ために安全上好ましく無く、放熱フィンに直接触れぬ様
に保護カバーを設けたり、箱の内部に収納することが必
要である。
【０００５】また、床下等には導電性の鉄粉が多く存在
し、絶縁故障が発生しやすい補助電源装置においては清
掃を頻繁にしなければならない等の問題があった。
し、絶縁故障が発生しやすい補助電源装置においては清
掃を頻繁にしなければならない等の問題があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、放熱フィンを直接枠に取付
けアース電位にすることができる半導体冷却装置を提供
することを目的とする。
ためになされたものであり、放熱フィンを直接枠に取付
けアース電位にすることができる半導体冷却装置を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体冷
却装置は、半導体モジュールと放熱フィンの間に耐電圧
値が高く熱電導率の高いファインセラミックス等の絶縁
体をはさみ放熱フィンに取付けたものである。
却装置は、半導体モジュールと放熱フィンの間に耐電圧
値が高く熱電導率の高いファインセラミックス等の絶縁
体をはさみ放熱フィンに取付けたものである。
【０００８】
【作用】この発明における半導体冷却装置は、半導体モ
ジュールと放熱フィンの間に絶縁体をはさむことによ
り、放熱フィンを直接枠に取り付けアース電位にするこ
とができる。そのため、放熱フィンを外部に露出するこ
とが可能となり冷却効率を向上できる。
ジュールと放熱フィンの間に絶縁体をはさむことによ
り、放熱フィンを直接枠に取り付けアース電位にするこ
とができる。そのため、放熱フィンを外部に露出するこ
とが可能となり冷却効率を向上できる。
【０００９】また、絶縁性能が半導体モジュールと放熱
フィンの間に挟んだ絶縁体の耐電圧値により決定される
ので、半導体モジュールの耐電圧値の高低にかかわらず
半導体モジュールの使用範囲が広くなる。
フィンの間に挟んだ絶縁体の耐電圧値により決定される
ので、半導体モジュールの耐電圧値の高低にかかわらず
半導体モジュールの使用範囲が広くなる。
【００１０】
実施例１．以下、この発明の実施例１を図に基づいて説
明する。図１は実施例１による補助電源装置の内部を示
す断面図、図２は部分拡大側面図である。図において、
２は補助電源装置、３は半導体モジュール、３ａは半導
体モジュール台、４は放熱フィン、４ａは放熱フィン
台、１１はこの放熱フィン４にネジ止めされた下部銅ブ
ロック、１２は下部銅ブロック１１にロー付されたファ
インセラミックス等の絶縁ディスク、１３は絶縁ディス
ク１２にロー付された上部銅ブロックであり、半導体モ
ジュール３は上部銅ブロック１３にネジ止めされてい
る。
明する。図１は実施例１による補助電源装置の内部を示
す断面図、図２は部分拡大側面図である。図において、
２は補助電源装置、３は半導体モジュール、３ａは半導
体モジュール台、４は放熱フィン、４ａは放熱フィン
台、１１はこの放熱フィン４にネジ止めされた下部銅ブ
ロック、１２は下部銅ブロック１１にロー付されたファ
インセラミックス等の絶縁ディスク、１３は絶縁ディス
ク１２にロー付された上部銅ブロックであり、半導体モ
ジュール３は上部銅ブロック１３にネジ止めされてい
る。
【００１１】次に、動作について説明する。図１及び図
２において、半導体モジュール３の耐電圧値は絶縁ディ
スク１２にて高く保持されるため、放熱フィン４を枠６
に直接取付けてアース電位にすることができる。このよ
うに放熱フィン４をアース電位とすることで放熱フィン
４と枠６間の絶縁を取る必要がなく、放熱フィン４を装
置外に露出しても安全であるので、冷却効率が上り、清
掃等も簡単に行える。また、ネジ止めタイプの半導体モ
ジュール３等については絶縁ディスク１２を銅ブロック
１１，１３ではさみロー付で固定すると共に、取付用の
穴加工を施すことにより半導体モジュール３を絶縁を保
持したままで放熱フィン４にネジにて取付けられる。更
に、半導体モジュール３の取付用の穴加工を銅ブロック
１３に施し、絶縁ディスク１２に施す必要がないので、
絶縁ディスク１２の厚さｔを薄くすることができる。
２において、半導体モジュール３の耐電圧値は絶縁ディ
スク１２にて高く保持されるため、放熱フィン４を枠６
に直接取付けてアース電位にすることができる。このよ
うに放熱フィン４をアース電位とすることで放熱フィン
４と枠６間の絶縁を取る必要がなく、放熱フィン４を装
置外に露出しても安全であるので、冷却効率が上り、清
掃等も簡単に行える。また、ネジ止めタイプの半導体モ
ジュール３等については絶縁ディスク１２を銅ブロック
１１，１３ではさみロー付で固定すると共に、取付用の
穴加工を施すことにより半導体モジュール３を絶縁を保
持したままで放熱フィン４にネジにて取付けられる。更
に、半導体モジュール３の取付用の穴加工を銅ブロック
１３に施し、絶縁ディスク１２に施す必要がないので、
絶縁ディスク１２の厚さｔを薄くすることができる。
【００１２】実施例２．上記実施例１では穴加工を施し
た銅ブロック１１，１３に絶縁ディスク１２をロー付す
る場合について述べたが、図３に示す様に加工性の良い
絶縁ディスク１２に直接穴加工を施して半導体モジュー
ル３又は放熱フィン４に取付けても良く、上記実施例と
同様の効果を奏する。又、本実施例では銅ブロック１
１，１３が省略となるためロー付等の作業が不要とな
り、且つ、接触面数が半分となるため、熱伝導が向上し
冷却能力を上げることができる。
た銅ブロック１１，１３に絶縁ディスク１２をロー付す
る場合について述べたが、図３に示す様に加工性の良い
絶縁ディスク１２に直接穴加工を施して半導体モジュー
ル３又は放熱フィン４に取付けても良く、上記実施例と
同様の効果を奏する。又、本実施例では銅ブロック１
１，１３が省略となるためロー付等の作業が不要とな
り、且つ、接触面数が半分となるため、熱伝導が向上し
冷却能力を上げることができる。
【００１３】実施例３．上記実施例１，２においては、
放熱フィン４にネジ止めする場合について述べたが、図
４に示す様に絶縁ディスク１２を直接放熱フィン４にロ
ー付等で接合しても良く、実施例２と同様に実施例１よ
り熱抵抗も小さくなり、より冷却能力を向上させる効果
を奏する。又、本実施例では実施例２と異なり絶縁ディ
スク１２及び放熱フィン４への穴加工が省略できる。
放熱フィン４にネジ止めする場合について述べたが、図
４に示す様に絶縁ディスク１２を直接放熱フィン４にロ
ー付等で接合しても良く、実施例２と同様に実施例１よ
り熱抵抗も小さくなり、より冷却能力を向上させる効果
を奏する。又、本実施例では実施例２と異なり絶縁ディ
スク１２及び放熱フィン４への穴加工が省略できる。
【００１４】実施例４．複数の半導体モジュール３の取
付けの場合、図５に示す様に下部銅ブロック１１を共用
の一体物としてその上に絶縁ディスク１２、上部銅ブロ
ック１３、半導体モジュール３を取付けても良く、温度
分布が均一化できると共に放熱フィン４への穴加工を２
ケ所（図５における１４，１５）行えば済むので、実施
例１のように半導体モジュール毎に穴加工を２ケ所ずつ
設けなければならないのに比べて経済的である。
付けの場合、図５に示す様に下部銅ブロック１１を共用
の一体物としてその上に絶縁ディスク１２、上部銅ブロ
ック１３、半導体モジュール３を取付けても良く、温度
分布が均一化できると共に放熱フィン４への穴加工を２
ケ所（図５における１４，１５）行えば済むので、実施
例１のように半導体モジュール毎に穴加工を２ケ所ずつ
設けなければならないのに比べて経済的である。
【００１５】実施例５．また複数の半導体モジュール３
の取付けの場合、図６に示す様に絶縁ディスク１２を共
用の一体物としても良く、温度分布が均一化できると共
に実施例４と同様放熱フィン４への穴加工が削減でき
る。
の取付けの場合、図６に示す様に絶縁ディスク１２を共
用の一体物としても良く、温度分布が均一化できると共
に実施例４と同様放熱フィン４への穴加工が削減でき
る。
【００１６】実施例６．更に複数の半導体モジュール３
の取付けの場合、図７に示す様に絶縁ディスク１２を共
用の一体物とすると共に、絶縁ディスク１２を放熱フィ
ン４にロー付等で接合してもよく、これにより熱抵抗を
小さく且つ温度分布が均一化できると共に放熱フィン４
の穴加工が全く不要とすることができる。
の取付けの場合、図７に示す様に絶縁ディスク１２を共
用の一体物とすると共に、絶縁ディスク１２を放熱フィ
ン４にロー付等で接合してもよく、これにより熱抵抗を
小さく且つ温度分布が均一化できると共に放熱フィン４
の穴加工が全く不要とすることができる。
【００１７】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、半導体
モジュールと放熱フィンの間に絶縁体をはさむことによ
り、放熱フィンを直接枠に取付けることができアース電
位にすることができる。そして、放熱フィンをアース電
位とすることで、放熱フィンを装置外に露出しても安全
であるので、冷却効率が上がり、清掃等も簡単にするこ
とができる。
モジュールと放熱フィンの間に絶縁体をはさむことによ
り、放熱フィンを直接枠に取付けることができアース電
位にすることができる。そして、放熱フィンをアース電
位とすることで、放熱フィンを装置外に露出しても安全
であるので、冷却効率が上がり、清掃等も簡単にするこ
とができる。
【００１８】また、絶縁性能が半導体モジュールと放熱
フィンの間に挟んだ絶縁体により決定されるので、半導
体モジュール耐電圧値にかかわらず使用範囲が大きくな
る。
フィンの間に挟んだ絶縁体により決定されるので、半導
体モジュール耐電圧値にかかわらず使用範囲が大きくな
る。
【図１】 この発明の実施例１による半導体冷却装置を
示す断面側面図である。
示す断面側面図である。
【図２】 この発明の実施例１による半導体冷却装置を
示す部分拡大側面図である。
示す部分拡大側面図である。
【図３】 この発明の実施例２による半導体冷却装置を
示す部分拡大側面図である。
示す部分拡大側面図である。
【図４】 この発明の実施例３による半導体冷却装置を
示す部分拡大側面図である。
示す部分拡大側面図である。
【図５】 この発明の実施例４による半導体冷却装置を
示す部分拡大側面図である。
示す部分拡大側面図である。
【図６】 この発明の実施例５による半導体冷却装置を
示す部分拡大側面図である。
示す部分拡大側面図である。
【図７】 この発明の実施例６による半導体冷却装置を
示す部分拡大側面図である。
示す部分拡大側面図である。
【図８】 従来の半導体冷却装置を有する走行車両の概
略全体側面図である。
略全体側面図である。
【図９】 従来の半導体冷却装置を示す断面側面図であ
る。
る。
２ 補助電源装置、３ 半導体モジュール、４ 放熱フ
ィン、１１ 下部銅ブロック、１２ 絶縁ディスク、１
３ 上部銅ブロック。
ィン、１１ 下部銅ブロック、１２ 絶縁ディスク、１
３ 上部銅ブロック。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体モジュールに放熱フィンが取付け
られた半導体冷却装置において、上記放熱フィンと上記
半導体モジュールの間に絶縁体を介在させたことを特徴
とする半導体冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26615894A JPH08107165A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 半導体冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26615894A JPH08107165A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 半導体冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08107165A true JPH08107165A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17427097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26615894A Pending JPH08107165A (ja) | 1994-10-04 | 1994-10-04 | 半導体冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08107165A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2807209A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-05 | De Gail Marc Lamort | Composant pour la commutation de courants electriques forts |
| JP2004006901A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-01-08 | Toshiba Corp | 電力変換装置 |
-
1994
- 1994-10-04 JP JP26615894A patent/JPH08107165A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2807209A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-05 | De Gail Marc Lamort | Composant pour la commutation de courants electriques forts |
| JP2004006901A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-01-08 | Toshiba Corp | 電力変換装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3326540B2 (ja) | 回路基板に電子回路素子を取付ける装置 | |
| US6678182B2 (en) | Electrical bus with associated porous metal heat sink and method of manufacturing same | |
| US2984774A (en) | Transistor heat sink assembly | |
| US5715141A (en) | Control circuit arrangement having a clamping structure which connects a heat conductive substrate to a circuit board and provides electrically conducting leads therebetween | |
| AU2004216692B2 (en) | Electrical bus with associated porous metal heat sink and method of manufacturing same | |
| JP4402602B2 (ja) | キャパシタの冷却構造及び電力変換装置 | |
| US4538169A (en) | Integrated alternator bridge heat sink | |
| WO2002017400A1 (fr) | Module d'alimentation | |
| US6295201B1 (en) | Bus bar having embedded switching device | |
| JPH08107165A (ja) | 半導体冷却装置 | |
| EP3684154A1 (en) | Thermally conductive insert element for electronic unit | |
| JPH0677347A (ja) | 基 板 | |
| JPH0714029B2 (ja) | 電力用半導体素子 | |
| US2862159A (en) | Conduction cooled rectifiers | |
| JPS6339976Y2 (ja) | ||
| JPH0289352A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61265849A (ja) | 電力半導体装置 | |
| JPH01132146A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06106361A (ja) | 電解コンデンサ内蔵型溶接機の電源装置 | |
| JPS6345730Y2 (ja) | ||
| JPH09284920A (ja) | 電力変換装置の漏洩電流低減装置 | |
| JPH10322068A (ja) | 発熱素子の実装方法 | |
| JP2830212B2 (ja) | 混成集積回路 | |
| JPS596153Y2 (ja) | 大電力トランジスタチヨッパ | |
| JPH07296857A (ja) | 密閉型充電器 |