JPS5923535A - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents
ワイヤボンデイング装置Info
- Publication number
- JPS5923535A JPS5923535A JP57132176A JP13217682A JPS5923535A JP S5923535 A JPS5923535 A JP S5923535A JP 57132176 A JP57132176 A JP 57132176A JP 13217682 A JP13217682 A JP 13217682A JP S5923535 A JPS5923535 A JP S5923535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- crimping tool
- crimping
- wire bonding
- infrared
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78313—Wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/851—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置、混成集積回路などの電子部品、
その他の配線に用いられるワイヤボンディング装置に関
する。
その他の配線に用いられるワイヤボンディング装置に関
する。
<3M回路など半導体装置の製造においては、第1図に
示すようにリードフレーム(L41に取付けられた牛専
体ベレッ) CP)のパッド(電極)をリードフレーム
(υに形成されているリード端子に金属細線Wを用いて
接続することがおこなかれる。従来、この配線は接続を
確爽におこなうために金よシなる細線を用い、一方、リ
ードフレーム(1)および半導体ベレットω)を一定温
度に加熱して圧着−ノーることによりおこなわれている
が金部材は他の金属部桐に比べて高価であるだめ、最近
ではこの金部材のかわりにアルミニウムなどの他の低価
額部材を使用することが検討されている。しかし、この
ような低価額部材は、一般に、金部4mに比べて圧着性
が劣るため、従来と同じ手段により確実に接続すること
ができない。
示すようにリードフレーム(L41に取付けられた牛専
体ベレッ) CP)のパッド(電極)をリードフレーム
(υに形成されているリード端子に金属細線Wを用いて
接続することがおこなかれる。従来、この配線は接続を
確爽におこなうために金よシなる細線を用い、一方、リ
ードフレーム(1)および半導体ベレットω)を一定温
度に加熱して圧着−ノーることによりおこなわれている
が金部材は他の金属部桐に比べて高価であるだめ、最近
ではこの金部材のかわりにアルミニウムなどの他の低価
額部材を使用することが検討されている。しかし、この
ような低価額部材は、一般に、金部4mに比べて圧着性
が劣るため、従来と同じ手段により確実に接続すること
ができない。
この発明は金よりも低価額の部材を用いても、圧着によ
り確実に接続できるワイヤボンディング装置を提供する
ことにある。
り確実に接続できるワイヤボンディング装置を提供する
ことにある。
細線を確実に接続するため、圧着工具を赤外線透過部材
で形成し、さらにはこれに赤外線を集光する機能もたせ
て、圧着時、この圧着工具を介して接続部に赤外線を照
射し、接続部を加熱しながら確実に圧着できるようにし
だ。
で形成し、さらにはこれに赤外線を集光する機能もたせ
て、圧着時、この圧着工具を介して接続部に赤外線を照
射し、接続部を加熱しながら確実に圧着できるようにし
だ。
〔発明の実施例〕
第2図にこの発明の一実施例を示すようにこのワイヤボ
ンディング装置は支軸(1)に回転自在に支持された揺
動アーム(2)を有し、その後端部にはカムホロア(3
)が取付けられ、支軸(1)に対して上記カムホロア側
に取付けられたばね(4)の引張力によって、カム(5
)の周(i1+上に圧接し、図示しない駆動装置によっ
て駆動されるカム(5)の回転にともなって、揺動アー
ム(2)を上記支軸(1)のまわりに揺動させるように
なっている。しかして、圧着工具(力C」、この揺動ア
ーム+21の先!114部に保持具(8)を介して取付
けられている。この圧着二[具(力は配線用の細線用を
半211体ベレット(P)のパッドおよびリードフレー
ム・(L)のリード21M子に圧着して接続するだめの
もので、石英などの赤外線透過部材からなる。’l’&
に、v、3し1および第4図には、この圧着工具(力の
上端面を凸面に形成して赤外線を集光する機能を持たせ
るとともに、下端面に細線■を挾持する溝を形成しで、
半導体ベレットα〕)およびリードフレーム0→に対し
て、配線用の細線用を正しく位置ぎめできるものを示し
だ。しかして、配線用の細線■はスプール(1(刀に巻
付けられており、このスプール(10)から保持具(8
)に形成された誘導孔0υを通って、上記圧着工具(7
)の下端部と供給されるようになっている。
ンディング装置は支軸(1)に回転自在に支持された揺
動アーム(2)を有し、その後端部にはカムホロア(3
)が取付けられ、支軸(1)に対して上記カムホロア側
に取付けられたばね(4)の引張力によって、カム(5
)の周(i1+上に圧接し、図示しない駆動装置によっ
て駆動されるカム(5)の回転にともなって、揺動アー
ム(2)を上記支軸(1)のまわりに揺動させるように
なっている。しかして、圧着工具(力C」、この揺動ア
ーム+21の先!114部に保持具(8)を介して取付
けられている。この圧着二[具(力は配線用の細線用を
半211体ベレット(P)のパッドおよびリードフレー
ム・(L)のリード21M子に圧着して接続するだめの
もので、石英などの赤外線透過部材からなる。’l’&
に、v、3し1および第4図には、この圧着工具(力の
上端面を凸面に形成して赤外線を集光する機能を持たせ
るとともに、下端面に細線■を挾持する溝を形成しで、
半導体ベレットα〕)およびリードフレーム0→に対し
て、配線用の細線用を正しく位置ぎめできるものを示し
だ。しかして、配線用の細線■はスプール(1(刀に巻
付けられており、このスプール(10)から保持具(8
)に形成された誘導孔0υを通って、上記圧着工具(7
)の下端部と供給されるようになっている。
また、上記圧着工具(7)の上方には、赤外レーザ光源
(1:9から放電される赤外レーザ光を導くオプチカル
ファイバー111)が配置、されており、その圧着工具
側の端部は、上記圧着工具(力の上端面と常に一定の間
隔を保つように図示しないカムにより揺動するレバー(
I■に支持されでいる。なお、 (16)は上記レーザ
光源(13)からオプチカルファイバ(14)に入射す
る赤外レーザ光をオンオフするスイッチ装置ハ”である
。
(1:9から放電される赤外レーザ光を導くオプチカル
ファイバー111)が配置、されており、その圧着工具
側の端部は、上記圧着工具(力の上端面と常に一定の間
隔を保つように図示しないカムにより揺動するレバー(
I■に支持されでいる。なお、 (16)は上記レーザ
光源(13)からオプチカルファイバ(14)に入射す
る赤外レーザ光をオンオフするスイッチ装置ハ”である
。
このワイヤボンディング装置の■Ib作は、まず、リー
ドフレーム(1)の下面側に配置された図示しない加熱
装置により、リードフレームa)および半導体ペレット
CP)を予備加熱し、正しい位置に位置ぎめすると、カ
ム(5)によシ圧角工具(力を上記半導体ペレッl−(
I)のパッドあるいtよリードクレーム(J、)のリー
ド端子に向けて下降させる。しかして、保持具(8)の
誘導孔(11)を通ってLE着工具(力の下Q”+M面
に延在する細線(ト)の先端部を上記下端面に形成され
た溝内に挾みこみ、げね(4)のカにょシ、たとメーば
半導体ベレット(1))のパッドに押しつける。このと
き、スイッチ装置(Ili)がオンにな−)て、赤外レ
ーザ光源++3)からの赤外線をオプチカルファイバ(
I4)を介して圧着工具(7)に入射させ、上記パッド
と細線Wの接続部を加熱し圧着する。
ドフレーム(1)の下面側に配置された図示しない加熱
装置により、リードフレームa)および半導体ペレット
CP)を予備加熱し、正しい位置に位置ぎめすると、カ
ム(5)によシ圧角工具(力を上記半導体ペレッl−(
I)のパッドあるいtよリードクレーム(J、)のリー
ド端子に向けて下降させる。しかして、保持具(8)の
誘導孔(11)を通ってLE着工具(力の下Q”+M面
に延在する細線(ト)の先端部を上記下端面に形成され
た溝内に挾みこみ、げね(4)のカにょシ、たとメーば
半導体ベレット(1))のパッドに押しつける。このと
き、スイッチ装置(Ili)がオンにな−)て、赤外レ
ーザ光源++3)からの赤外線をオプチカルファイバ(
I4)を介して圧着工具(7)に入射させ、上記パッド
と細線Wの接続部を加熱し圧着する。
一般に、11線の圧着性は加熱によって大きく改善され
るが、リードフレーム下面側からの加熱を余り大きくす
ると、半導体ペレッ) CP)が破壊したり、半導体ベ
レッ) (P)を取付けているはんだやペーストが溶融
し、好丑しくない結果をもたらす。
るが、リードフレーム下面側からの加熱を余り大きくす
ると、半導体ペレッ) CP)が破壊したり、半導体ベ
レッ) (P)を取付けているはんだやペーストが溶融
し、好丑しくない結果をもたらす。
しハし、前記したこの発明のワイヤボンディング装置を
用いれば、圧着工具が赤外線透過部材から’x’)、圧
着11.!lに一時的に接続部を局部的に加熱するのみ
であるから、リードフレーム(I、)および半導体ペレ
ッ) (P)の予備加熱を低くすることができ、上記問
題点を容易に解決することができる。
用いれば、圧着工具が赤外線透過部材から’x’)、圧
着11.!lに一時的に接続部を局部的に加熱するのみ
であるから、リードフレーム(I、)および半導体ペレ
ッ) (P)の予備加熱を低くすることができ、上記問
題点を容易に解決することができる。
つき゛に、この発明の他の実施例について述べる。
第5図tJ特に圧着工具(7)の下端部(201を赤外
線透過部材で形成し、赤外線透過部材からなる上端部(
?1)と一体化したものである。
線透過部材で形成し、赤外線透過部材からなる上端部(
?1)と一体化したものである。
このような圧着工具(力は前記実施例の圧着工具(力が
接続部を直接赤外線で加熱するのに対し、間接的に加熱
するので、熱の分布を一様にすることがで1建 第6図は赤外線を集光する上端部(20を通常の凸レン
ズ形状にし、接続部を圧着する下端部(20と分11i
1c L、て保持具(8)に取(=Jけだものである。
接続部を直接赤外線で加熱するのに対し、間接的に加熱
するので、熱の分布を一様にすることがで1建 第6図は赤外線を集光する上端部(20を通常の凸レン
ズ形状にし、接続部を圧着する下端部(20と分11i
1c L、て保持具(8)に取(=Jけだものである。
この場合下端部(、!(1)は赤外線吸収部材、赤外線
吸収部材のいづれでもよい。
吸収部材のいづれでもよい。
チカルファイバ(I4)の端面を凸レンズ形状に形成し
たものである。
たものである。
圧着工具を赤外i?Ijl 透過部利で形成し圧着時、
接A’フl:部を局部的に加熱−イーるようにしだので
、リードフレーム(T、、lおよび半導体ベレッ) (
)))の予備加熱を低くすることができ、金部イ1に1
1ニベ圧着性のよくない部オ」を用いても、半導体ペレ
ットなどの被接続Iノ1μ4Aを破壊することなく圧着
することができる。
接A’フl:部を局部的に加熱−イーるようにしだので
、リードフレーム(T、、lおよび半導体ベレッ) (
)))の予備加熱を低くすることができ、金部イ1に1
1ニベ圧着性のよくない部オ」を用いても、半導体ペレ
ットなどの被接続Iノ1μ4Aを破壊することなく圧着
することができる。
第1図は半導体装置のワイヤボンディングの説明図、第
2図ないし第7図はこの発明の実施例図で、第2図の、
ワイヤボンブイノブ装置の檜成図、第3図V」、その圧
着]二具部分の図、第4図は第3図におけるIV−M線
断面図、第5図ないし第7図はのれそれ第3図示の圧着
工具とは異なる圧着工具の図である。 (2) : 、114動アーム (5):カム (カニ
圧着工具fl:”l 二赤外線レーザ光線 (14)
ニオブチカルファイバ代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名)
2図ないし第7図はこの発明の実施例図で、第2図の、
ワイヤボンブイノブ装置の檜成図、第3図V」、その圧
着]二具部分の図、第4図は第3図におけるIV−M線
断面図、第5図ないし第7図はのれそれ第3図示の圧着
工具とは異なる圧着工具の図である。 (2) : 、114動アーム (5):カム (カニ
圧着工具fl:”l 二赤外線レーザ光線 (14)
ニオブチカルファイバ代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか1名)
Claims (5)
- (1)被加工部材に接続されるワイヤを供給するワイヤ
供給部と、赤外線吸収部材からなる圧着工具を有し、こ
の圧着工具を駆動装置によυ上記被加X部材に対して接
離自在に支持して上記ワイヤ供給部から供給されたワイ
ヤを上記被加工部材に圧きする圧着部と、赤外線を発生
するとともにこの赤外線を上記圧着工具に導く導光部を
有す加熱部とを具備することを特徴とするワイヤボンデ
ィング装置。 - (2)圧着]二具の赤外線透過部材は集光光学系ででき
ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のワ
イヤボンディング装置、 - (3)圧着工具の被加工部材と対面する部分が赤外線吸
収部材で形成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項まだは第2項記載のワイヤボンディング装置。 - (4)圧着工具の集光光学系と赤外線吸収部材からなる
部分を密着一体化したことを特徴とする特許請求の範囲
第3項記載のワイヤボンディング装置。 - (5)導光部がオグチカルファイバからなり、この
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57132176A JPS5923535A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | ワイヤボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57132176A JPS5923535A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | ワイヤボンデイング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5923535A true JPS5923535A (ja) | 1984-02-07 |
Family
ID=15075149
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57132176A Pending JPS5923535A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | ワイヤボンデイング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5923535A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6392711U (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-15 | ||
JPS63151821U (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-05 | ||
JPH02194923A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 熱成形機のシート送り方法及び装置 |
-
1982
- 1982-07-30 JP JP57132176A patent/JPS5923535A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6392711U (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-15 | ||
JPH0320091Y2 (ja) * | 1986-12-08 | 1991-04-30 | ||
JPS63151821U (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-05 | ||
JPH0538912Y2 (ja) * | 1987-03-26 | 1993-10-01 | ||
JPH02194923A (ja) * | 1989-01-23 | 1990-08-01 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 熱成形機のシート送り方法及び装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6709967B2 (en) | Laser wire bonding for wire embedded dielectrics to integrated circuits | |
JPS60148134A (ja) | ボンデイング装置 | |
JPH0760933B2 (ja) | 電子デバイスの表面実装方法 | |
JPS5923535A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
JP3416979B2 (ja) | 接合装置 | |
JP3195970B2 (ja) | 半導体チップボンダにおけるチップ加熱機構 | |
JPS58173093A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JP3385943B2 (ja) | 金バンプ付電子部品の実装方法 | |
JPH0212919A (ja) | バンプ電極の形成方法 | |
JPH02213075A (ja) | リードの接合方法 | |
JPH05109808A (ja) | ワイヤボンデイング方法およびその装置 | |
JPH0951162A (ja) | 電子部品搭載装置 | |
JPH0313944B2 (ja) | ||
JPS5889831A (ja) | ワイヤボンデイング方法および装置 | |
JPS58159340A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JP2749140B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP3372313B2 (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JP2669321B2 (ja) | Tcp塔載装置 | |
JPS6014447A (ja) | 金属細線のボ−ルボンド圧着ボンデイング方法 | |
JPH02247076A (ja) | レーザはんだ付け装置 | |
JPH04256330A (ja) | ワイヤーボンディング方法及びワイヤーボンディング装置 | |
JPH06140759A (ja) | レーザ半田付装置 | |
JPS58180035A (ja) | ボンデイング装置 | |
CN114951868A (zh) | 半导体的焊接方法 | |
JPS6379331A (ja) | ワイヤボンデイング装置 |