JPS59231858A - 光駆動半導体装置 - Google Patents
光駆動半導体装置Info
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- JPS59231858A JPS59231858A JP10696283A JP10696283A JPS59231858A JP S59231858 A JPS59231858 A JP S59231858A JP 10696283 A JP10696283 A JP 10696283A JP 10696283 A JP10696283 A JP 10696283A JP S59231858 A JPS59231858 A JP S59231858A
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- resin
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- light guide
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 32
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- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
- H01L31/1113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors the device being a photothyristor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光駆動半導体装置に関し、特に平型光駆動
サイリスタの位置決めの改良に係るものである。
サイリスタの位置決めの改良に係るものである。
第１図は従来の平型光駆動サイリスタの断面図である。
この図で、１は表面中心部にトリガ受光部ケ有する半導
体素子１Ａと、モリブデン円板等ノ導電体１Ｂからなる
ベーシックエンメント、２は前記ベーシックエンメント
１のトリガ受元部側表面に形成された電極に加圧接力虫
された第１の電極、３は第２の電極で、ベーシックエン
メン］−１の導電体側に加圧接触される。４は前記ベー
シックエンメント１を包囲する絶縁筒体であり、この絶
縁筒体４は第１の１は極２および第２の電極３とによっ
てパッケージを植成する。また、絶縁筒体４はアルミナ
など機械的強度が強く絶縁性、熱イ云導性の良好な材質
で作られる。５は前記ベーシックエンメント１のトリガ
受光部にブＣ信号タ導きサイリスタを点弧させるための
ライトガイドで、絶縁筒体４０円筒面の一部に設けられ
た挿入穴をスＩｎして絶縁筒体４の外部に通じている。
体素子１Ａと、モリブデン円板等ノ導電体１Ｂからなる
ベーシックエンメント、２は前記ベーシックエンメント
１のトリガ受元部側表面に形成された電極に加圧接力虫
された第１の電極、３は第２の電極で、ベーシックエン
メン］−１の導電体側に加圧接触される。４は前記ベー
シックエンメント１を包囲する絶縁筒体であり、この絶
縁筒体４は第１の１は極２および第２の電極３とによっ
てパッケージを植成する。また、絶縁筒体４はアルミナ
など機械的強度が強く絶縁性、熱イ云導性の良好な材質
で作られる。５は前記ベーシックエンメント１のトリガ
受光部にブＣ信号タ導きサイリスタを点弧させるための
ライトガイドで、絶縁筒体４０円筒面の一部に設けられ
た挿入穴をスＩｎして絶縁筒体４の外部に通じている。
６は前記ベーシックエンメント１０半導
するための被覆樹脂で、シリコンゴム等から作られてい
る。γは前記ベーシックエンメント１ケ絶縁筒体４に固
定するための、たとえば、シリコンＬＴＶやエポキシ樹
脂のような硬化性樹脂である。
る。γは前記ベーシックエンメント１ケ絶縁筒体４に固
定するための、たとえば、シリコンＬＴＶやエポキシ樹
脂のような硬化性樹脂である。
このような従来の光駆動サイリスクの半導体パッケージ
において、ベーシックエレメント１のトリガ受光部にラ
イトガイド５かもの光信号を導くことにより、サイリス
クをできるだけ低いエネルギーで点弧させるようにして
いる。このためライトガイド５の光出力端をベーシック
エレメント１のトリガ受光部に精度良く固定する必要が
ある。
において、ベーシックエレメント１のトリガ受光部にラ
イトガイド５かもの光信号を導くことにより、サイリス
クをできるだけ低いエネルギーで点弧させるようにして
いる。このためライトガイド５の光出力端をベーシック
エレメント１のトリガ受光部に精度良く固定する必要が
ある。
そこで、ベーシックエレメント１の固定に際しては第１
の電極２が予め固定された絶縁筒体４に設けられたライ
トガイド５の挿入穴にライトガイド５を挿入しこれを固
定する。さらに、ライトガイド５の光出力端とベーシッ
クエンメント１のトリガ受光部が合致するように、ベー
シックエンメント１を第１の電極２の内面」二に載置（
７、ベーシックエンメント１の外周面と絶縁筒体４の内
周面の間隙に硬化性樹脂７火注入し硬化させる。
の電極２が予め固定された絶縁筒体４に設けられたライ
トガイド５の挿入穴にライトガイド５を挿入しこれを固
定する。さらに、ライトガイド５の光出力端とベーシッ
クエンメント１のトリガ受光部が合致するように、ベー
シックエンメント１を第１の電極２の内面」二に載置（
７、ベーシックエンメント１の外周面と絶縁筒体４の内
周面の間隙に硬化性樹脂７火注入し硬化させる。
この硬化性樹脂１は、作業性、量産性の向上のため比較
的程度の低いものが使用されるが、これに伴う硬化剤の
半導体接合表面への樹脂流出防止のため、絶縁筒体４と
被覆樹脂６ケ接触させている。
的程度の低いものが使用されるが、これに伴う硬化剤の
半導体接合表面への樹脂流出防止のため、絶縁筒体４と
被覆樹脂６ケ接触させている。
しかしなから、被覆樹脂６はその材質上表面形状が不均
一になり、絶縁筒体４と被覆樹脂６との接触部に間隙が
生じ、この間隙から硬化性樹脂１か第１の電＋ＩＪ！２
ｆ１１］へ流出し、これに伴いベーシックエレメント１
の固定ができなくなり、ベーシックエンメント１の位置
ずれを生ずることがある。
一になり、絶縁筒体４と被覆樹脂６との接触部に間隙が
生じ、この間隙から硬化性樹脂１か第１の電＋ＩＪ！２
ｆ１１］へ流出し、これに伴いベーシックエレメント１
の固定ができなくなり、ベーシックエンメント１の位置
ずれを生ずることがある。
さらに、硬化性樹脂７の流出に伴う硬化性樹脂Ｔのライ
トガイド５への伺着により、光伝送損失を増大させるこ
ともある。これら硬化性樹脂７の流出を防止するために
は、被覆樹脂６０表面形状を均一にする必要がある。こ
のためには多大の労力を要する。
トガイド５への伺着により、光伝送損失を増大させるこ
ともある。これら硬化性樹脂７の流出を防止するために
は、被覆樹脂６０表面形状を均一にする必要がある。こ
のためには多大の労力を要する。
一方、被覆樹脂６の不均一性を考慮して絶縁筒体４との
密着性を保持するためには、絶縁筒体４に被覆樹脂６を
圧迫する必要があり、ベーシックエンメント１０半導体
接合露出部を損傷することになる。
密着性を保持するためには、絶縁筒体４に被覆樹脂６を
圧迫する必要があり、ベーシックエンメント１０半導体
接合露出部を損傷することになる。
このうむ明は、かかる従来の光駆動サイリスクの欠点ヲ
解消しようとするもので、ベーシックエレメントの外周
面と絶縁筒体内周面で形Ｊ戊される間隙に注入される硬
化性樹脂の半導体表面側への流出欠遮断する遮断材を設
けることにより、上記硬化性（ｆｆｌ＋脂の半導体表面
側への流出を防止し７、パッケージの量産性０歩留りを
向上させる光駆動半導体装ｆ作火提供するものである。
解消しようとするもので、ベーシックエレメントの外周
面と絶縁筒体内周面で形Ｊ戊される間隙に注入される硬
化性樹脂の半導体表面側への流出欠遮断する遮断材を設
けることにより、上記硬化性（ｆｆｌ＋脂の半導体表面
側への流出を防止し７、パッケージの量産性０歩留りを
向上させる光駆動半導体装ｆ作火提供するものである。
以下この発明について説明する。
第２図はこの発明の一実施例を示す断面図である。この
図で、１〜Ｔは従来の光駆動半導体装置と同一もしくは
相当部分を示すものであり、説明は省略する。８は前記
ベーシックエンメント１と絶縁筒体４とに密着した遮断
材であり、ゴムリング等からなる。
図で、１〜Ｔは従来の光駆動半導体装置と同一もしくは
相当部分を示すものであり、説明は省略する。８は前記
ベーシックエンメント１と絶縁筒体４とに密着した遮断
材であり、ゴムリング等からなる。
上記のように構成されたパッケージにおいては、遮断材
８は断面が角型のゴムリングであり、このゴムリングの
直径は、ベーシソクエンメント１ケ措成する導電体１Ｂ
のそれよりも若干小さく作られている。したがって、ベ
ーシックエンメント１とライトガイド５の位置決め前に
遮断材８がべ一シソクエレノント１の導電体１Ｂの外周
を圧迫して導電体１Ｂに接着される。この後、ベーシッ
クエンメント１とライトガイド５の位置決めを行い。
８は断面が角型のゴムリングであり、このゴムリングの
直径は、ベーシソクエンメント１ケ措成する導電体１Ｂ
のそれよりも若干小さく作られている。したがって、ベ
ーシックエンメント１とライトガイド５の位置決め前に
遮断材８がべ一シソクエレノント１の導電体１Ｂの外周
を圧迫して導電体１Ｂに接着される。この後、ベーシッ
クエンメント１とライトガイド５の位置決めを行い。
遮断材８が絶縁筒体４に密層するように遮断材８を導電
体１Ｂの外周面に沿って押し込み、絶縁筒体４に接触さ
せる。
体１Ｂの外周面に沿って押し込み、絶縁筒体４に接触さ
せる。
このため、導電体１Ｂの外周面と絶縁筒体４の内周面は
遮断材８で完全に密着される。したがって、ベーシック
エンメント１と絶縁筒体４欠直接接１！虫させないで、
遮断材８を介して硬化性樹脂Ｉの半導体表面側への流出
を遮断するため、被覆樹脂６０表面形状が不均一でも硬
化性樹脂Ｉの流出する間隙は生じない。これにより被物
樹脂６０表面形状を均一にする必要がなくなり、被覆樹
脂６の添加の作業性が飛躍的に向上する。さらに、併覆
樹脂６が絶縁筒体４で直接圧迫されることがなく、した
がって、ベーシックエンメント１０半導体接合露出部を
絶縁筒体４で損傷することはない。
遮断材８で完全に密着される。したがって、ベーシック
エンメント１と絶縁筒体４欠直接接１！虫させないで、
遮断材８を介して硬化性樹脂Ｉの半導体表面側への流出
を遮断するため、被覆樹脂６０表面形状が不均一でも硬
化性樹脂Ｉの流出する間隙は生じない。これにより被物
樹脂６０表面形状を均一にする必要がなくなり、被覆樹
脂６の添加の作業性が飛躍的に向上する。さらに、併覆
樹脂６が絶縁筒体４で直接圧迫されることがなく、した
がって、ベーシックエンメント１０半導体接合露出部を
絶縁筒体４で損傷することはない。
これにより半導体装置の信頼性９歩留りの向上がはから
れる。
れる。
は被覆樹脂、７は硬化性樹脂、８．８ａ、８ｂはｊＩ＋
、断材である。なお、１′−Ｊｊ中の同一符号は同一ま
たは相当Ｂ１５分を月で−す。
、断材である。なお、１′−Ｊｊ中の同一符号は同一ま
たは相当Ｂ１５分を月で−す。
代理人 大 岩 増 雄 （外２名）手続補正書（自
発） 昭和５８年１１月２６ 日 特許庁長官殿 Ｎ１１°
良１、事件の表示 特願昭５８−１０８９８２号２
、発明の名称 光駆動半導体装置：３．補正をする
者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面６、補正の内
容 （１） 明細書第３頁１９行の「程度の低い」を、「
硬化度の低い」と補正する。
発） 昭和５８年１１月２６ 日 特許庁長官殿 Ｎ１１°
良１、事件の表示 特願昭５８−１０８９８２号２
、発明の名称 光駆動半導体装置：３．補正をする
者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面６、補正の内
容 （１） 明細書第３頁１９行の「程度の低い」を、「
硬化度の低い」と補正する。
（２） 図面第２図を別紙のように補正する。
以上
Claims (1)
- 中央部にトリガ受光部を有する半導体素子およびこの半
導体素子の前記トリガ受光部と反対面全面に密着接合さ
れた導電体からなるベーシックエンメントと、このベー
シックエンメントを包囲固定スる絶縁筒体と、前記ベー
シックエンメントの外周面と前記絶縁筒体内面によって
形成される間隙に注入され前記ベーシックエレメントケ
前記絶縁筒体に固着する硬化性樹脂と、前記間隙に設け
られ前記硬化性樹脂の半導体素子表面への流出を遮断す
る遮断相とを備えたことｆｆ：特徴とする光駆動半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10696283A JPS59231858A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 光駆動半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10696283A JPS59231858A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 光駆動半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59231858A true JPS59231858A (ja) | 1984-12-26 |
| JPS6412108B2 JPS6412108B2 (ja) | 1989-02-28 |
Family
ID=14446946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10696283A Granted JPS59231858A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 光駆動半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59231858A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621237A (en) * | 1994-04-12 | 1997-04-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-06-13 JP JP10696283A patent/JPS59231858A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621237A (en) * | 1994-04-12 | 1997-04-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6412108B2 (ja) | 1989-02-28 |
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