JPS6042862A - 光駆動半導体装置 - Google Patents
光駆動半導体装置Info
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- JPS6042862A JPS6042862A JP15126983A JP15126983A JPS6042862A JP S6042862 A JPS6042862 A JP S6042862A JP 15126983 A JP15126983 A JP 15126983A JP 15126983 A JP15126983 A JP 15126983A JP S6042862 A JPS6042862 A JP S6042862A
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- resin
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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- H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
- H01L31/1113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors the device being a photothyristor
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、光駆動サイリスタの平型パッケージに半導
体素子を装着する光駆動半導体装置に関するものである
。
体素子を装着する光駆動半導体装置に関するものである
。
先に本発明者等が発明したこの柚半導体装置ケ第１図で
説明する。同図は光駆動サイリスクの平型パッケージの
構成を示す断面図である。図において、１は一表面中央
部に九トリガ受元部を有する半導体素子、２は前記半導
体素子１０九トリガ受光部面の裏面に接合され半導体素
子をパッケージに固定する４電体で、熱膨張特性が半導
体素子１のそれに等［７いモリブデンなどがらなってい
る。
説明する。同図は光駆動サイリスクの平型パッケージの
構成を示す断面図である。図において、１は一表面中央
部に九トリガ受元部を有する半導体素子、２は前記半導
体素子１０九トリガ受光部面の裏面に接合され半導体素
子をパッケージに固定する４電体で、熱膨張特性が半導
体素子１のそれに等［７いモリブデンなどがらなってい
る。
３は前記半導体素子１０光トリガ受元部側表面に形成さ
れた電極に圧接された第１のｖｔ惰体、４は前記導電体
２に圧接された第２の電極体、５は前記半導体素子１お
よび導電体２を支持装着し、第１の電極体３および第２
の電極体４によって密封されたパンケージを構成する絶
Ｍ筒体で１機械的強度、絶縁性に優れたアルミナなどの
磁器材質からなる。６は前記半導体素子１な点弧させる
ための元イば号を導くライトガイドであり絶縁筒体５に
固定されてい−る。１は前記半導体素子１の周縁部分を
保躾するための被覆樹脂でシリコンゴム等からなる。８
は一１１ａｃ：４電体２と絶縁筒体５０間に挿入固廟さ
れ、半導体素子１な支持固定するための硬化性樹脂であ
る＠ この光ｗＡ！４Ｉｌサイリスタの半導体組立装置は上記
のように構成され、光信号を絶縁筒体５に支持固定され
たライトガイド６に導き、小さな光エネルギーでサイリ
スタを点弧できるようにライトガイド６の光出力端と半
導体素子１０九トリガ受光部の最適位叙法め後、半纏体
素子ＩＫ接合固定された導電体２の外周面と絶縁筒体５
の内周面の間に硬化性樹脂８ケ注入接瘤することにより
半導体素子１０位置ずれを防止しノ（ツケージを構成す
る絶縁筒体５に固定するようになっている。
れた電極に圧接された第１のｖｔ惰体、４は前記導電体
２に圧接された第２の電極体、５は前記半導体素子１お
よび導電体２を支持装着し、第１の電極体３および第２
の電極体４によって密封されたパンケージを構成する絶
Ｍ筒体で１機械的強度、絶縁性に優れたアルミナなどの
磁器材質からなる。６は前記半導体素子１な点弧させる
ための元イば号を導くライトガイドであり絶縁筒体５に
固定されてい−る。１は前記半導体素子１の周縁部分を
保躾するための被覆樹脂でシリコンゴム等からなる。８
は一１１ａｃ：４電体２と絶縁筒体５０間に挿入固廟さ
れ、半導体素子１な支持固定するための硬化性樹脂であ
る＠ この光ｗＡ！４Ｉｌサイリスタの半導体組立装置は上記
のように構成され、光信号を絶縁筒体５に支持固定され
たライトガイド６に導き、小さな光エネルギーでサイリ
スタを点弧できるようにライトガイド６の光出力端と半
導体素子１０九トリガ受光部の最適位叙法め後、半纏体
素子ＩＫ接合固定された導電体２の外周面と絶縁筒体５
の内周面の間に硬化性樹脂８ケ注入接瘤することにより
半導体素子１０位置ずれを防止しノ（ツケージを構成す
る絶縁筒体５に固定するようになっている。
しかるに、このような構成では導電体２と絶帆筒体５０
間に硬化性樹脂８を注入しこれｔ硬化する除に粘性度合
によって硬化性樹脂８か流出し半導体素子１の位置ずれ
の原因となることがある。
間に硬化性樹脂８を注入しこれｔ硬化する除に粘性度合
によって硬化性樹脂８か流出し半導体素子１の位置ずれ
の原因となることがある。
また、流出した硬化性樹脂８の付着による被覆樹脂Ｔの
信頼性低下、ライトガイド６の光伝送損失増大などの間
ｊ！ｇ′４を生じることがある。これら硬化性樹脂８の
流出に伴う問題解決のため、この構成では硬化性樹脂８
の粘性度合を個々の半導体装置組立時に随時制御しなけ
ればならず、粘度制御のための時間損失か大きくなり半
導体組立工程の証産性低下がさけられないものとなって
いた。
信頼性低下、ライトガイド６の光伝送損失増大などの間
ｊ！ｇ′４を生じることがある。これら硬化性樹脂８の
流出に伴う問題解決のため、この構成では硬化性樹脂８
の粘性度合を個々の半導体装置組立時に随時制御しなけ
ればならず、粘度制御のための時間損失か大きくなり半
導体組立工程の証産性低下がさけられないものとなって
いた。
この発明は、上記のような問題を解決するため罠なされ
たもので、絶縁筒体の一部を半導体素子の周縁部を保躾
する被覆゛樹脂に密着接触させることにより上記硬化性
樹脂の流出を防止し、パッケージの信頼性な向上させ、
さらに半導体組立工程を容易する半導体装置な提供する
ものである。
たもので、絶縁筒体の一部を半導体素子の周縁部を保躾
する被覆゛樹脂に密着接触させることにより上記硬化性
樹脂の流出を防止し、パッケージの信頼性な向上させ、
さらに半導体組立工程を容易する半導体装置な提供する
ものである。
第２図はこの発明の一実施例を示す断面図である。図中
、１〜４．６〜８は従来装置と同一のものである。５は
前記半導体素子１お↓び導電体２を包囲するパッケージ
を構成する絶縁筒体であり、半導体素子１の周縁部に接
着された被覆樹脂１の表面円周上と密ｙｗ接触する環状
段部５ａを有するものである。
、１〜４．６〜８は従来装置と同一のものである。５は
前記半導体素子１お↓び導電体２を包囲するパッケージ
を構成する絶縁筒体であり、半導体素子１の周縁部に接
着された被覆樹脂１の表面円周上と密ｙｗ接触する環状
段部５ａを有するものである。
このような半導体パッケージにおいて、絶縁筒体５に固
着された第１の電極体３およびライトガイド６上でライ
トガイド６の光出力端と半導体素子１０光トリガ受光部
の位置決めを行う際、絶縁筒体５の環状段ｉｌｌ ５
ｍは半導体素子１０周縁部に接着された被覆樹１ｉ７に
接する鬼め、導電体２の外周面と被覆樹脂１および絶縁
筒体５の環状段部５ａは断面がＵ字形の空間を形成する
ことになる。
着された第１の電極体３およびライトガイド６上でライ
トガイド６の光出力端と半導体素子１０光トリガ受光部
の位置決めを行う際、絶縁筒体５の環状段ｉｌｌ ５
ｍは半導体素子１０周縁部に接着された被覆樹１ｉ７に
接する鬼め、導電体２の外周面と被覆樹脂１および絶縁
筒体５の環状段部５ａは断面がＵ字形の空間を形成する
ことになる。
したがって、半導体素子１の位置決め後、硬化性樹脂８
は上記Ｕ字形空間に注入されるため、硬化時に硬化性樹
脂８が流出することはない。よって、硬化性樹脂８の流
出に伴う半導体素子１の位置ずれは起こらずパッケージ
の信頼性を向上できる。
は上記Ｕ字形空間に注入されるため、硬化時に硬化性樹
脂８が流出することはない。よって、硬化性樹脂８の流
出に伴う半導体素子１の位置ずれは起こらずパッケージ
の信頼性を向上できる。
さらに、硬化性＊ｔ１４ｉａの粘性度合を個々の半導体
装置につき随時調整することがな（、また、硬化前に低
粘度のものも使用でき、硬化性樹脂８の住人工程が容易
となり量産性が向上する。
装置につき随時調整することがな（、また、硬化前に低
粘度のものも使用でき、硬化性樹脂８の住人工程が容易
となり量産性が向上する。
以上説明したようＫ、この発明は絶縁筒体に環状段部な
半導体素子周縁部の被機樹脂に接触させるという簡単な
構造により、半導体素子位置固定用の硬化性樹脂の流出
な防ぐことかでき少ため、半導体素子の位置固定を敏速
、容易にし、パッケージの信頼性を向上させ、組立工程
の量産性が改善されるという効果がある。
半導体素子周縁部の被機樹脂に接触させるという簡単な
構造により、半導体素子位置固定用の硬化性樹脂の流出
な防ぐことかでき少ため、半導体素子の位置固定を敏速
、容易にし、パッケージの信頼性を向上させ、組立工程
の量産性が改善されるという効果がある。
＃Ｅ１図は従莱の光駆動半導体装置を示す断面図、第２
図はこの発明による光駆動半導体装置の一実施例を糸す
断面図である。 図中、１は半導体素子、２は導電体、３は第１の電極体
、４は第２の電極体、Ｓは絶縁筒体、５ａは環状段部、
６はライトガイド、１は被覆樹脂、８は硬化性樹脂であ
る。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩 増′ＡＪｋ（外２名）
図はこの発明による光駆動半導体装置の一実施例を糸す
断面図である。 図中、１は半導体素子、２は導電体、３は第１の電極体
、４は第２の電極体、Ｓは絶縁筒体、５ａは環状段部、
６はライトガイド、１は被覆樹脂、８は硬化性樹脂であ
る。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩 増′ＡＪｋ（外２名）
Claims (1)
- 一表面中央部に光トリガ用受光部が形成されその周縁部
が樹脂技覆された半導体素子、この半導体素子の裏面全
面に固層された導電体、前記導電体と前記半導体素子を
両面から加圧接触する第１および第２の電極体、前記半
導体素子と前記導電体を包囲固定し前記第１および第２
の電極体によって両端面が気密封止されるとともに環状
段部を有しこの環状段部に一記被覆樹脂を当接させた絶
縁筒体、この絶縁筒体を貫通して支持固定され光出力端
が半導体パッケージ内の前記半導体素子の光トリガ用受
光部に近接して設けられたライトガイド、前記導電体外
周面と前記被損樹脂および前記絶縁筒体の環状段部の間
に挿入され前記４寛体を前す己絶縁筒体に固定する硬化
性樹脂とからなることを特徴とする元駆動牛導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15126983A JPS6042862A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 光駆動半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15126983A JPS6042862A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 光駆動半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042862A true JPS6042862A (ja) | 1985-03-07 |
Family
ID=15514969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15126983A Pending JPS6042862A (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 光駆動半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042862A (ja) |
-
1983
- 1983-08-17 JP JP15126983A patent/JPS6042862A/ja active Pending
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