JPS6412108B2 - - Google Patents
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- JPS6412108B2 JPS6412108B2 JP10696283A JP10696283A JPS6412108B2 JP S6412108 B2 JPS6412108 B2 JP S6412108B2 JP 10696283 A JP10696283 A JP 10696283A JP 10696283 A JP10696283 A JP 10696283A JP S6412108 B2 JPS6412108 B2 JP S6412108B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
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- H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
- H01L31/1113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors the device being a photothyristor
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光駆動半導体装置に関し、特に平
型光駆動サイリスタの位置決めの改良に係るもの
である。
型光駆動サイリスタの位置決めの改良に係るもの
である。
第１図は従来の平型光駆動サイリスタの断面図
である。この図で、１は表面中心部にトリガ受光
部を有する半導体素子１Ａと、モリブデン円板等
の導電体１Ｂからなるベーシツクエレメント、２
は前記ベーシツクエレメント１のトリガ受光部側
表面に形成された電極に加圧接触された第１の電
極、３は第２の電極で、ベーシツクエレメント１
の導電体側に加圧接触される。４は前記ベーシツ
クエレメント１を包囲する絶縁筒体であり、この
絶縁筒体４は第１の電極２および第２の電極３と
によつてパツケージを構成する。また、絶縁筒体
４はアルミナなど機械的強度が強く絶縁性、熱伝
導性の良好な材質で作られる。５は前記ベーシツ
クエレメント１のトリガ受光部に光信号を導きサ
イリスタを点弧させるためのライトガイドで、絶
縁筒体４の円筒面の一部に設けられた挿入穴を通
して絶縁筒体４の外部に通じている。６は前記ベ
ーシツクエレメント１の半導体接合露出部を保護
するための被覆樹脂で、シリコンゴム等から作ら
れている。７は前記ベーシツクエレメント１を絶
縁筒体４に固定するための、たとえば、シリコン
LTVやエポキシ樹脂のような硬化性樹脂である。
である。この図で、１は表面中心部にトリガ受光
部を有する半導体素子１Ａと、モリブデン円板等
の導電体１Ｂからなるベーシツクエレメント、２
は前記ベーシツクエレメント１のトリガ受光部側
表面に形成された電極に加圧接触された第１の電
極、３は第２の電極で、ベーシツクエレメント１
の導電体側に加圧接触される。４は前記ベーシツ
クエレメント１を包囲する絶縁筒体であり、この
絶縁筒体４は第１の電極２および第２の電極３と
によつてパツケージを構成する。また、絶縁筒体
４はアルミナなど機械的強度が強く絶縁性、熱伝
導性の良好な材質で作られる。５は前記ベーシツ
クエレメント１のトリガ受光部に光信号を導きサ
イリスタを点弧させるためのライトガイドで、絶
縁筒体４の円筒面の一部に設けられた挿入穴を通
して絶縁筒体４の外部に通じている。６は前記ベ
ーシツクエレメント１の半導体接合露出部を保護
するための被覆樹脂で、シリコンゴム等から作ら
れている。７は前記ベーシツクエレメント１を絶
縁筒体４に固定するための、たとえば、シリコン
LTVやエポキシ樹脂のような硬化性樹脂である。
このような従来の光駆動サイリスタの半導体パ
ツケージにおいて、ベーシツクエレメント１のト
リガ受光部にライトガイド５からの光信号を導く
ことにより、サイリスタをできるだけ低いエネル
ギーで点弧させるようにしている。このためライ
トガイド５の光出力端をベーシツクエレメント１
のトリガ受光部に精度良く固定する必要がある。
そこで、ベーシツクエレメント１の固定に際して
は第１の電極２が予め固定された絶縁筒体４に設
けられたライトガイド５の挿入穴にライトガイド
５を挿入しこれを固定する。さらに、ライトガイ
ド５の光出力端とベーシツクエレメント１のトリ
ガ受光部が合致するように、ベーシツクエレメン
ト１を第１の電極２の内面上に載置し、ベーシツ
クエレメント１の外周面と絶縁筒体４の内周面の
間隙に硬化性樹脂７を注入し硬化させる。
ツケージにおいて、ベーシツクエレメント１のト
リガ受光部にライトガイド５からの光信号を導く
ことにより、サイリスタをできるだけ低いエネル
ギーで点弧させるようにしている。このためライ
トガイド５の光出力端をベーシツクエレメント１
のトリガ受光部に精度良く固定する必要がある。
そこで、ベーシツクエレメント１の固定に際して
は第１の電極２が予め固定された絶縁筒体４に設
けられたライトガイド５の挿入穴にライトガイド
５を挿入しこれを固定する。さらに、ライトガイ
ド５の光出力端とベーシツクエレメント１のトリ
ガ受光部が合致するように、ベーシツクエレメン
ト１を第１の電極２の内面上に載置し、ベーシツ
クエレメント１の外周面と絶縁筒体４の内周面の
間隙に硬化性樹脂７を注入し硬化させる。
この硬化性樹脂７は、作業性、量産性の向上の
ため比較的硬化度の低いものが使用されるが、こ
れに伴う硬化剤の半導体接合表面への樹脂流出防
止のため、絶縁筒体４と被覆樹脂６を接触させて
いる。
ため比較的硬化度の低いものが使用されるが、こ
れに伴う硬化剤の半導体接合表面への樹脂流出防
止のため、絶縁筒体４と被覆樹脂６を接触させて
いる。
しかしながら、被覆樹脂６はその材質上表面形
状が不均一になり、絶縁筒体４と被覆樹脂６との
接触部に間隙が生じ、この間隙から硬化性樹脂７
が第１の電極２側へ流出し、これに伴いベーシツ
クエレメント１の固定ができなくなり、ベーシツ
クエレメント１の位置ずれを生ずることがある。
さらに、硬化性樹脂７の流出に伴う硬化性樹脂７
のライトガイド５への付着により、光伝送損失を
増大させることもある。これら硬化性樹脂７の流
出を防止するためには、被覆樹脂６の表面形状を
均一にする必要がある。このためには多大の労力
を要する。
状が不均一になり、絶縁筒体４と被覆樹脂６との
接触部に間隙が生じ、この間隙から硬化性樹脂７
が第１の電極２側へ流出し、これに伴いベーシツ
クエレメント１の固定ができなくなり、ベーシツ
クエレメント１の位置ずれを生ずることがある。
さらに、硬化性樹脂７の流出に伴う硬化性樹脂７
のライトガイド５への付着により、光伝送損失を
増大させることもある。これら硬化性樹脂７の流
出を防止するためには、被覆樹脂６の表面形状を
均一にする必要がある。このためには多大の労力
を要する。
一方、被覆樹脂６の不均一性を考慮して絶縁筒
体４との密着性を保持するためには、絶縁筒体４
に被覆樹脂６を圧迫する必要があり、ベーシツク
エレメント１の半導体接合露出部を損傷すること
になる。
体４との密着性を保持するためには、絶縁筒体４
に被覆樹脂６を圧迫する必要があり、ベーシツク
エレメント１の半導体接合露出部を損傷すること
になる。
この発明は、かかる従来の光駆動サイリスタの
欠点を解消しようとするもので、ベーシツクエレ
メントの外周面と絶縁筒体内周面で形成される間
隙に注入される硬化性樹脂の半導体表面側への流
出を遮断する遮断材を設けることにより、上記硬
化性樹脂の半導体表面側への流出を防止し、パツ
ケージの量産性．歩留りを向上させる光駆動半導
体装置を提供するものである。以下この発明につ
いて説明する。
欠点を解消しようとするもので、ベーシツクエレ
メントの外周面と絶縁筒体内周面で形成される間
隙に注入される硬化性樹脂の半導体表面側への流
出を遮断する遮断材を設けることにより、上記硬
化性樹脂の半導体表面側への流出を防止し、パツ
ケージの量産性．歩留りを向上させる光駆動半導
体装置を提供するものである。以下この発明につ
いて説明する。
第２図はこの発明の一実施例を示す断面図であ
る。この図で、１〜７は従来の光駆動半導体装置
と同一もしくは相当部分を示すものであり、説明
は省略する。８は前記ベーシツクエレメント１と
絶縁筒体４とに密着した遮断材であり、ゴムリン
グ等からなる。
る。この図で、１〜７は従来の光駆動半導体装置
と同一もしくは相当部分を示すものであり、説明
は省略する。８は前記ベーシツクエレメント１と
絶縁筒体４とに密着した遮断材であり、ゴムリン
グ等からなる。
上記のように構成されたパツケージにおいて
は、遮断材８は断面が角型のゴムリングであり、
このゴムリングの直径は、ベーシツクエレメント
１を構成する導電体１Ｂのそれよりも若干小さく
作られている。したがつて、ベーシツクエレメン
ト１とライトガイド５の位置決め前に遮断材８が
ベーシツクエレメント１の導電体１Ｂの外周を圧
迫して導電体１Ｂに接着される。この後、ベーシ
ツクエレメント１とライトガイド５の位置決めを
行い、遮断材８が絶縁筒体４に密着するように遮
断材８を導電体１Ｂの外周面に沿つて押し込み、
絶縁筒体４に接触させる。
は、遮断材８は断面が角型のゴムリングであり、
このゴムリングの直径は、ベーシツクエレメント
１を構成する導電体１Ｂのそれよりも若干小さく
作られている。したがつて、ベーシツクエレメン
ト１とライトガイド５の位置決め前に遮断材８が
ベーシツクエレメント１の導電体１Ｂの外周を圧
迫して導電体１Ｂに接着される。この後、ベーシ
ツクエレメント１とライトガイド５の位置決めを
行い、遮断材８が絶縁筒体４に密着するように遮
断材８を導電体１Ｂの外周面に沿つて押し込み、
絶縁筒体４に接触させる。
このため、導電体１Ｂの外周面と絶縁筒体４の
内周面は遮断材８で完全に密着される。したがつ
て、ベーシツクエレメント１と絶縁筒体４を直接
接触させないで、遮断材８を介して硬化性樹脂７
の半導体表面側への流出を遮断するため、被覆樹
脂６の表面形状が不均一でも硬化性樹脂７の流出
する間隙は生じない。これにより被覆樹脂６の表
面形状を均一にする必要がなくなり、被覆樹脂６
の添加の作業性が飛躍的に向上する。さらに、被
覆樹脂６が絶縁筒体４で直接圧迫されることがな
く、したがつて、ベーシツクエレメント１の半導
体接合露出部を絶縁筒体４で損傷することはな
い。これにより半導体装置の信頼性．歩留りの向
上がはかられる。
内周面は遮断材８で完全に密着される。したがつ
て、ベーシツクエレメント１と絶縁筒体４を直接
接触させないで、遮断材８を介して硬化性樹脂７
の半導体表面側への流出を遮断するため、被覆樹
脂６の表面形状が不均一でも硬化性樹脂７の流出
する間隙は生じない。これにより被覆樹脂６の表
面形状を均一にする必要がなくなり、被覆樹脂６
の添加の作業性が飛躍的に向上する。さらに、被
覆樹脂６が絶縁筒体４で直接圧迫されることがな
く、したがつて、ベーシツクエレメント１の半導
体接合露出部を絶縁筒体４で損傷することはな
い。これにより半導体装置の信頼性．歩留りの向
上がはかられる。
なお、上記実施例では、ベーシツクエレメント
１の位置決め後の絶縁筒体４への挿入を容易にす
るため遮断材８の外周面と絶縁筒体４の内周面の
間隙を設けるような形状の遮断材８を用いている
が、第３図ａおよびｂに示す形状にしても同様の
効果が期待できる。すなわち、第３図ａは遮断材
８ａの外周面と絶縁筒体４の内周面が密着する形
状の遮断材８ａを用いることにより、遮断材８ａ
と絶縁体筒４の密着性を増大させることができ
る。また、第３図ｂは遮断材８ｂの一部をベーシ
ツクエレメント１を構成する導電体１Ｂと半導体
素子１Ａとの接合面上に突出させたもので、さら
に、ベーシツクエレメント１の絶縁筒体４への挿
入時に遮断材８ｂが絶縁筒体４を圧接する大きさ
を有している。これによれば、ベーシツクエレメ
ント１の位置決め時の遮断材８ｂへの加圧力が遮
断材８ｂと絶縁筒体４との密着部に加わることに
なるため、遮断材８ｂと絶縁筒体４の密着性が大
きくなる。
１の位置決め後の絶縁筒体４への挿入を容易にす
るため遮断材８の外周面と絶縁筒体４の内周面の
間隙を設けるような形状の遮断材８を用いている
が、第３図ａおよびｂに示す形状にしても同様の
効果が期待できる。すなわち、第３図ａは遮断材
８ａの外周面と絶縁筒体４の内周面が密着する形
状の遮断材８ａを用いることにより、遮断材８ａ
と絶縁体筒４の密着性を増大させることができ
る。また、第３図ｂは遮断材８ｂの一部をベーシ
ツクエレメント１を構成する導電体１Ｂと半導体
素子１Ａとの接合面上に突出させたもので、さら
に、ベーシツクエレメント１の絶縁筒体４への挿
入時に遮断材８ｂが絶縁筒体４を圧接する大きさ
を有している。これによれば、ベーシツクエレメ
ント１の位置決め時の遮断材８ｂへの加圧力が遮
断材８ｂと絶縁筒体４との密着部に加わることに
なるため、遮断材８ｂと絶縁筒体４の密着性が大
きくなる。
要するにベーシツクエレメント１を構成する導
電体１Ｂの外周と絶縁筒体４の内周面とに密着
し、硬化性樹脂７の半導体素子１Ａの表面側への
流出を防止するものであれば、この遮断材８の形
状および材質はどのようなものであつてもよいこ
とはいうまでもない。
電体１Ｂの外周と絶縁筒体４の内周面とに密着
し、硬化性樹脂７の半導体素子１Ａの表面側への
流出を防止するものであれば、この遮断材８の形
状および材質はどのようなものであつてもよいこ
とはいうまでもない。
以上説明したように、この発明は、ベーシツク
エレメントと絶縁筒体との間隙に注入される硬化
性樹脂の半導体表面側への流出を遮断する遮断材
を設けたことにより、硬化性樹脂の流出を防止
し、半導体素子の位置ずれを起こさずにその装
着．固定を容易にし、パツケージの量産性．歩留
り．さらに、信頼性を向上させるという効果が得
られる。
エレメントと絶縁筒体との間隙に注入される硬化
性樹脂の半導体表面側への流出を遮断する遮断材
を設けたことにより、硬化性樹脂の流出を防止
し、半導体素子の位置ずれを起こさずにその装
着．固定を容易にし、パツケージの量産性．歩留
り．さらに、信頼性を向上させるという効果が得
られる。
第１図は従来の光駆動サイリスタの半導体装置
を示す断面図、第２図はこの発明の一実施例を示
す断面図、第３図ａ，ｂはこの発明の他の実施例
を示す遮断材挿入部の拡大断面図である。 図中、１はベーシツクエレメント、１Ａは半導
体素子、１Ｂは導電体、２は第１の電極、３は第
２の電極、４は絶縁筒体、５はライトガイド、６
は被覆樹脂、７は硬化性樹脂、８，８ａ，８ｂは
遮断材である。なお、図中の同一符号は同一また
は相当部分を示す。
を示す断面図、第２図はこの発明の一実施例を示
す断面図、第３図ａ，ｂはこの発明の他の実施例
を示す遮断材挿入部の拡大断面図である。 図中、１はベーシツクエレメント、１Ａは半導
体素子、１Ｂは導電体、２は第１の電極、３は第
２の電極、４は絶縁筒体、５はライトガイド、６
は被覆樹脂、７は硬化性樹脂、８，８ａ，８ｂは
遮断材である。なお、図中の同一符号は同一また
は相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 中央部にトリガ受光部を有する半導体素子お
よびこの半導体素子の前記トリガ受光部と反対面
全面に密着接合された導電体からなるベーシツク
エレメントと、このベーシツクエレメントを包囲
固定する絶縁筒体と、前記ベーシツクエレメント
の外周面と前記絶縁筒体内面によつて形成される
間隙に注入され前記ベーシツクエレメントを前記
絶縁筒体に固着する硬化性樹脂と、前記間隙に設
けられ前記硬化性樹脂の半導体素子表面への流出
を遮断する遮断材とを備えたことを特徴とする光
駆動半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10696283A JPS59231858A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 光駆動半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10696283A JPS59231858A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 光駆動半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59231858A JPS59231858A (ja) | 1984-12-26 |
| JPS6412108B2 true JPS6412108B2 (ja) | 1989-02-28 |
Family
ID=14446946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10696283A Granted JPS59231858A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 光駆動半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59231858A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3469304B2 (ja) * | 1994-04-12 | 2003-11-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1983
- 1983-06-13 JP JP10696283A patent/JPS59231858A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59231858A (ja) | 1984-12-26 |
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