JPS59226981A - パタ−ンマツチング方法および装置 - Google Patents
パタ−ンマツチング方法および装置Info
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- JPS59226981A JPS59226981A JP58100962A JP10096283A JPS59226981A JP S59226981 A JPS59226981 A JP S59226981A JP 58100962 A JP58100962 A JP 58100962A JP 10096283 A JP10096283 A JP 10096283A JP S59226981 A JPS59226981 A JP S59226981A
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- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
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- G—PHYSICS
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- G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
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- G06V10/245—Aligning, centring, orientation detection or correction of the image by locating a pattern; Special marks for positioning
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F18/00—Pattern recognition
- G06F18/20—Analysing
- G06F18/21—Design or setup of recognition systems or techniques; Extraction of features in feature space; Blind source separation
- G06F18/211—Selection of the most significant subset of features
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F18/00—Pattern recognition
- G06F18/20—Analysing
- G06F18/28—Determining representative reference patterns, e.g. by averaging or distorting; Generating dictionaries
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- G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
- G06V10/70—Arrangements for image or video recognition or understanding using pattern recognition or machine learning
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- G06V10/75—Organisation of the matching processes, e.g. simultaneous or sequential comparisons of image or video features; Coarse-fine approaches, e.g. multi-scale approaches; using context analysis; Selection of dictionaries
- G06V10/758—Involving statistics of pixels or of feature values, e.g. histogram matching
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- G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
- G06V10/70—Arrangements for image or video recognition or understanding using pattern recognition or machine learning
- G06V10/77—Processing image or video features in feature spaces; using data integration or data reduction, e.g. principal component analysis [PCA] or independent component analysis [ICA] or self-organising maps [SOM]; Blind source separation
- G06V10/772—Determining representative reference patterns, e.g. averaging or distorting patterns; Generating dictionaries
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はパターン認識装置に係り、特にパターンマツチ
ング処理におけるマスクパターンとして定量的に最適な
ものを選択できるパターンマツチング方法および装置に
関する。
ング処理におけるマスクパターンとして定量的に最適な
ものを選択できるパターンマツチング方法および装置に
関する。
従来技術と問題点
従来のパターンマツチング方式におけるマスタパターン
の作成方法としては本発明者により開示された「マスク
パターン採取方式」（特願昭５７−１１３１６８）があ
るが、これは作業者により指示されたマスタパターンが
適正なものであるかをチェ、りするだけであり、必ずし
も最適なマスタパターンの作成方式を提供するものでは
ない。
の作成方法としては本発明者により開示された「マスク
パターン採取方式」（特願昭５７−１１３１６８）があ
るが、これは作業者により指示されたマスタパターンが
適正なものであるかをチェ、りするだけであり、必ずし
も最適なマスタパターンの作成方式を提供するものでは
ない。
すなわち従来例では作業者によって指示されたマスタパ
ターンが画面内で類似のパターンを持つか否かをチェッ
クするだけで、最も適正なマスタパターンである他のパ
ターンとの比較照合度の最も低い特徴的なパターンを選
択するものではない。
ターンが画面内で類似のパターンを持つか否かをチェッ
クするだけで、最も適正なマスタパターンである他のパ
ターンとの比較照合度の最も低い特徴的なパターンを選
択するものではない。
また作業者の判断が必要であるため作業者の仕事の軽減
もなされていない等問題点を含んでいた。
もなされていない等問題点を含んでいた。
発明の目的
本発明の目的は、前述の従来方式における問題点にかん
がみ、マスクパターンを含んだマスクサンプルを°撮像
し、その撮像信号のなかから最も特徴のあるパターン部
分を自動検出するという構想に基づき、作業者の手をわ
ずられせることなく、しかも最適なマスクパターン、す
なわち画面内で他のパターンとの比較照合度が最も低い
特徴的なマスクパターンを作成し、それによりＭＭ率お
よび認識位置精度の高いパターンマツチング方法および
装置を得ることにある。
がみ、マスクパターンを含んだマスクサンプルを°撮像
し、その撮像信号のなかから最も特徴のあるパターン部
分を自動検出するという構想に基づき、作業者の手をわ
ずられせることなく、しかも最適なマスクパターン、す
なわち画面内で他のパターンとの比較照合度が最も低い
特徴的なマスクパターンを作成し、それによりＭＭ率お
よび認識位置精度の高いパターンマツチング方法および
装置を得ることにある。
発明の構成
本発明の１つの形態においては、マスクパターンを用意
し、これと被ｇ＝パターンとを比較照合して、これら両
者間の比較照合度からマツチングの有無を得るパターン
マツチング方法において、マスクサンプルを撮像し、そ
の撮像信号のなかから他のパターンとの比較照合度が最
低となるようなパターンを抽出し、これをマスクパター
ンとすることを特徴とするパターンマツチング方法が提
供される。
し、これと被ｇ＝パターンとを比較照合して、これら両
者間の比較照合度からマツチングの有無を得るパターン
マツチング方法において、マスクサンプルを撮像し、そ
の撮像信号のなかから他のパターンとの比較照合度が最
低となるようなパターンを抽出し、これをマスクパター
ンとすることを特徴とするパターンマツチング方法が提
供される。
本発明の他の形態においては、試料送り機構の上に載置
されたサンプルを撮像する撮に系、前記撮像系からの撮
像信号をアナログ−ディジタル変換するアナログ−ディ
ジタル変換回路、前記アナログ−ディジタル変換回路の
出力を受ける被認識パターンメモリ、前記被認識パター
ンメモリに接続されたマスタパターン作成回路、前記マ
スクパターン作成回路に接続されたマスクパターンメモ
リ、および前記被認識パターンメモリおよびマスタパタ
ーンメモリに接続されたパターンマツチング回路を備え
たパターンマツチング装置において、前記マスクパター
ン作成回路に、前記被認識パターンメモリ内から最も特
徴のあるパターン部分を検出し、前記検出されたパター
ン部分を前記マスクパターンメモリに格納するための特
徴パターン検出回路を備えたことを特徴とするパターン
マツチング装置が提供される。
されたサンプルを撮像する撮に系、前記撮像系からの撮
像信号をアナログ−ディジタル変換するアナログ−ディ
ジタル変換回路、前記アナログ−ディジタル変換回路の
出力を受ける被認識パターンメモリ、前記被認識パター
ンメモリに接続されたマスタパターン作成回路、前記マ
スクパターン作成回路に接続されたマスクパターンメモ
リ、および前記被認識パターンメモリおよびマスタパタ
ーンメモリに接続されたパターンマツチング回路を備え
たパターンマツチング装置において、前記マスクパター
ン作成回路に、前記被認識パターンメモリ内から最も特
徴のあるパターン部分を検出し、前記検出されたパター
ン部分を前記マスクパターンメモリに格納するための特
徴パターン検出回路を備えたことを特徴とするパターン
マツチング装置が提供される。
発明の実施例
本発明の第１の実施例としてのパターンマツチング方法
および装置を用いた全自動ワイヤボンダ用パ、ドパター
ン位置認識装置のブロック回路図が第１図に示される。
および装置を用いた全自動ワイヤボンダ用パ、ドパター
ン位置認識装置のブロック回路図が第１図に示される。
試料送り機構１はその上に載置されたマスクサンプル２
または被認識サンプル３を撮像系、例えばテレビジョン
（ＴＶ）カメラ４の視野内に導入する。ＴＶカメラ４か
らの撮像信号はアナログ−ディジタル（Ａ／Ｄ）変換回
路５でディジタル化され、被認識パターンメモリである
フレームメモリ６内に格納される。試料送り機構１上に
被認識サンプル６が載っており、マスタパターンメモリ
７にマスタパターンが既に格納されていれば、パターン
マツチング回路９は、このマスクパターンとフレームメ
モリ６内の被認識パターンの画像との間で比較照合（パ
ターンマツチング）処理を行い、マスタパターンと最も
良く一致したパターン部分を目的パッド位置として制御
回路１０に転送する。制御回路１０はこの位置情報に基
づいてボンディング機構１１を制御し自動ワイヤボンデ
ィングを行う。
または被認識サンプル３を撮像系、例えばテレビジョン
（ＴＶ）カメラ４の視野内に導入する。ＴＶカメラ４か
らの撮像信号はアナログ−ディジタル（Ａ／Ｄ）変換回
路５でディジタル化され、被認識パターンメモリである
フレームメモリ６内に格納される。試料送り機構１上に
被認識サンプル６が載っており、マスタパターンメモリ
７にマスタパターンが既に格納されていれば、パターン
マツチング回路９は、このマスクパターンとフレームメ
モリ６内の被認識パターンの画像との間で比較照合（パ
ターンマツチング）処理を行い、マスタパターンと最も
良く一致したパターン部分を目的パッド位置として制御
回路１０に転送する。制御回路１０はこの位置情報に基
づいてボンディング機構１１を制御し自動ワイヤボンデ
ィングを行う。
一方、マスタパターン作成時にはフレームメモリ６内に
格納された、試料送り機構１上に載置されたマスタサン
プル２を撮像して得られたマスクサンプル画像から、マ
スクパターン作成回路８においてマスクとして最適なパ
ターン部分を選択し、マスクパターンメモリＺ内に格納
する。
格納された、試料送り機構１上に載置されたマスタサン
プル２を撮像して得られたマスクサンプル画像から、マ
スクパターン作成回路８においてマスクとして最適なパ
ターン部分を選択し、マスクパターンメモリＺ内に格納
する。
前述のマスクパターン作成回路８の動作を第２図および
第３図を用いて説明する。第２図はマスクパターン作成
回路８のブロック回ｆ！６図である。
第３図を用いて説明する。第２図はマスクパターン作成
回路８のブロック回ｆ！６図である。
マスクサンプル画像はフレームメモリ６内に格納されて
いる。第６図はフレームメモリ６内に格納された画像６
０を示す。画像６ｏには集積回路（工０）チップ６１上
に斜線で示したパッド６２等の画像が含まれる。
いる。第６図はフレームメモリ６内に格納された画像６
０を示す。画像６ｏには集積回路（工０）チップ６１上
に斜線で示したパッド６２等の画像が含まれる。
切出し回路８１はこのフレームメモリ６内からまず小領
域（エリア）（０，０）を切り出し、このエリア内のパ
ターンを仮にマスクパターンとしてマスクパターンメモ
リＺ内に格納する。パターンマツチング制御回路８２は
このマスタパターンとフレームメモリ６内のパターンと
の間でパターンマツチングを行わせるためにパターンマ
ツチング回路９を動作させる。パターンマツチング回路
９はマスタパターンメモリ７内のパターンをフレームメ
モリ６内で走査し、各走査点でのマスタパターンとフレ
ームメモリ乙のパターン部分との照合度信号ｓ （９２
）と走査位置信号５（９１）を類似パターン検出回路８
６へ転送する。類似パターン検出回路８３は転送されて
くる照合度信号５（９２）をｌｌｌｔ次チェ、りし、切
出しパターン切出し位置（０，０）以外で最も高い第１
位の照合度を求め、これを切出しパターン（０，０）に
対する類似パターン照合度Ｍ２（０，０）として格納し
ておく。
域（エリア）（０，０）を切り出し、このエリア内のパ
ターンを仮にマスクパターンとしてマスクパターンメモ
リＺ内に格納する。パターンマツチング制御回路８２は
このマスタパターンとフレームメモリ６内のパターンと
の間でパターンマツチングを行わせるためにパターンマ
ツチング回路９を動作させる。パターンマツチング回路
９はマスタパターンメモリ７内のパターンをフレームメ
モリ６内で走査し、各走査点でのマスタパターンとフレ
ームメモリ乙のパターン部分との照合度信号ｓ （９２
）と走査位置信号５（９１）を類似パターン検出回路８
６へ転送する。類似パターン検出回路８３は転送されて
くる照合度信号５（９２）をｌｌｌｔ次チェ、りし、切
出しパターン切出し位置（０，０）以外で最も高い第１
位の照合度を求め、これを切出しパターン（０，０）に
対する類似パターン照合度Ｍ２（０，０）として格納し
ておく。
ここに（０，０）は切出しパターンの図における左上隅
の座標を示す。類似パターン検出回路８３ニハマスク決
定回路が含まれる。
の座標を示す。類似パターン検出回路８３ニハマスク決
定回路が含まれる。
次に切出し回路８１は次の切出しパターン（１゜０）を
マスクパターンメモリ７に格納し同様の処理を行い、類
似パターン照合度Ｍ２（１，０）を求める。以上の切出
し動作をフレームメモリ６内の最後（”ｍ ｒ ”ユ）
まで行う。第４図（α）は切出しパターン（０，０）に
対して、パターンマツチング回路９から転送されてくる
走査位置信号５（９１）を横軸に、照合度信号５（９２
）を縦軸にプロットしたものである。第４図において左
端の図形は切出しパターンを示す。第４図（α）の場合
は切出しパターン（０，０）内にパターン部分を全く含
んでイナーため、走査位置がフレームメモリ６内のパッ
ドパターン背景部にある時はすべて照合度は１００％と
なる。このため類似パターン照合度Ｍ２（岬、０）は１
００％となる。ｔた［４図（ｈ）には切出しパターンが
第６図の（”１ ｒ ３１１） の場合が示され、こ
の切出しエリア内にパッドパターンが１個含まれている
。この場合は走査位置が（ｘ１＋ｙ１） に来た場合
には当然照合度は１００％になるが、位置が（−Ｚ’２
＃ ｙ２ ） に来た場合にも１００％近い照合度（パ
ッドが全く同形であれば１００％）が得られ、これが類
似パターン照合度Ｍ２（”１１ ｙｌ）となる。さらに
第４図（ｃ）は切出しパターン（ｘ３＋ ｙ３ ）
に対するものである。この場合走査位置が（ｚ’３＋ｙ
５） に来た時照合度が１００％になるのは第４図Ｃｂ
）の場合と同様であるが、これ以外の位置で照合度が高
くなるものはなく、”２（’５９ ｙ５＞は前の例に比
べて低い値となる。切出しパターン（ｘ５＋ ｙ５ ）
は画像６ｏ内でがなり特徴のあるパターンであると言
える。なお、第４図（α）、（ｈ）、（Ｃ）におけるβ
部分は切出したパターン自身の部分であり、この部分は
当然類似パターン照合度Ｍ２ の検出対象外である。す
べての切出しパターンに対する類似パターン照合度Ｍ２
のうち最も小さな値Ｍ ２ ＮＪ＋を提供する切出しパ
ターンが画像６０のなかで最も特徴のあるパターンであ
り、これを類似パターン検出回路８６内のマスク決定回
路によりマスタパターンとすれば、最も確実なパターン
マツチング処理が可能となる。
マスクパターンメモリ７に格納し同様の処理を行い、類
似パターン照合度Ｍ２（１，０）を求める。以上の切出
し動作をフレームメモリ６内の最後（”ｍ ｒ ”ユ）
まで行う。第４図（α）は切出しパターン（０，０）に
対して、パターンマツチング回路９から転送されてくる
走査位置信号５（９１）を横軸に、照合度信号５（９２
）を縦軸にプロットしたものである。第４図において左
端の図形は切出しパターンを示す。第４図（α）の場合
は切出しパターン（０，０）内にパターン部分を全く含
んでイナーため、走査位置がフレームメモリ６内のパッ
ドパターン背景部にある時はすべて照合度は１００％と
なる。このため類似パターン照合度Ｍ２（岬、０）は１
００％となる。ｔた［４図（ｈ）には切出しパターンが
第６図の（”１ ｒ ３１１） の場合が示され、こ
の切出しエリア内にパッドパターンが１個含まれている
。この場合は走査位置が（ｘ１＋ｙ１） に来た場合
には当然照合度は１００％になるが、位置が（−Ｚ’２
＃ ｙ２ ） に来た場合にも１００％近い照合度（パ
ッドが全く同形であれば１００％）が得られ、これが類
似パターン照合度Ｍ２（”１１ ｙｌ）となる。さらに
第４図（ｃ）は切出しパターン（ｘ３＋ ｙ３ ）
に対するものである。この場合走査位置が（ｚ’３＋ｙ
５） に来た時照合度が１００％になるのは第４図Ｃｂ
）の場合と同様であるが、これ以外の位置で照合度が高
くなるものはなく、”２（’５９ ｙ５＞は前の例に比
べて低い値となる。切出しパターン（ｘ５＋ ｙ５ ）
は画像６ｏ内でがなり特徴のあるパターンであると言
える。なお、第４図（α）、（ｈ）、（Ｃ）におけるβ
部分は切出したパターン自身の部分であり、この部分は
当然類似パターン照合度Ｍ２ の検出対象外である。す
べての切出しパターンに対する類似パターン照合度Ｍ２
のうち最も小さな値Ｍ ２ ＮＪ＋を提供する切出しパ
ターンが画像６０のなかで最も特徴のあるパターンであ
り、これを類似パターン検出回路８６内のマスク決定回
路によりマスタパターンとすれば、最も確実なパターン
マツチング処理が可能となる。
既に本出願人により開示された前述の特願昭５７−１１
３１６８においては、作業者が判断した切出しパターン
に対して前記類似パターン照合度Ｍ２の値をチェックし
Ｍ２くαであれば、この切出しパターンをマスクパター
ンにすることを認め、またＭ２≧αの場合はこれを否認
するだけで、こうして作成されたマスクパターンは必ず
しも本実施例のように他との類似性の最も低い最適なマ
スクパターンを提供できない。ここにαは許容類似度、
例えば８０％である。
３１６８においては、作業者が判断した切出しパターン
に対して前記類似パターン照合度Ｍ２の値をチェックし
Ｍ２くαであれば、この切出しパターンをマスクパター
ンにすることを認め、またＭ２≧αの場合はこれを否認
するだけで、こうして作成されたマスクパターンは必ず
しも本実施例のように他との類似性の最も低い最適なマ
スクパターンを提供できない。ここにαは許容類似度、
例えば８０％である。
以上のように本実施例においては、従来作業者が判断、
指示していたマスクパターンの作成を自動的にかつ最適
に行うことができ、高性能の全自動ワイヤボンダ用パッ
ドパターン位置認識装置が実現できる。
指示していたマスクパターンの作成を自動的にかつ最適
に行うことができ、高性能の全自動ワイヤボンダ用パッ
ドパターン位置認識装置が実現できる。
本発明の第２の実施例が第５図および第６図を用いて説
明される。第１の実施例では切出しエリアのサイズはあ
らかじめ定められており、そのサイズにおいて最も特徴
のあるパターンを検出した。
明される。第１の実施例では切出しエリアのサイズはあ
らかじめ定められており、そのサイズにおいて最も特徴
のあるパターンを検出した。
第５図には本実施例におけるマスクパターン作成回路８
のプ四、り回路図が示される。本実施例においては第２
図の回路に比べて、切出しサイズ指示回路８４および切
出しサイズ決定回路８５が加えられたことが異なる。
のプ四、り回路図が示される。本実施例においては第２
図の回路に比べて、切出しサイズ指示回路８４および切
出しサイズ決定回路８５が加えられたことが異なる。
切出しサイズ指示回路８４は与えられたマスクサンプル
画像に対して初期の切出しサイズ（第６図のエリア６５
）を切出し回路８１に指示する。
画像に対して初期の切出しサイズ（第６図のエリア６５
）を切出し回路８１に指示する。
切出し回路８１はこのサイズ６５でマスクサンプル画像
内から順次エリアを切出していき、前記実施例で示した
ように、この切出しサイズ６５に対する類似パターン照
合度Ｍ２ＴＩｕＡを類似パターン検出回路８６が検出す
る。この類似パターン照合度Ｍ２ＮＲは切出しサイズ決
定回路８５に転送される。
内から順次エリアを切出していき、前記実施例で示した
ように、この切出しサイズ６５に対する類似パターン照
合度Ｍ２ＴＩｕＡを類似パターン検出回路８６が検出す
る。この類似パターン照合度Ｍ２ＮＲは切出しサイズ決
定回路８５に転送される。
次に切出しサイズ指示回路８４は切出しサイズを次のサ
イズ６６に変更し前記と同様の処理を行う。この操作を
順次行っていくと、切出しサイズ決定回路８５には第７
図に示す如く、各切出しサイズに対する類似パターン照
合度Ｍ２Ｔｆｍの値が得られる。切出しサイズを複数回
変え、この中で最もＭ２ＷｊＲの小さいものに対応する
切出しパターンをマスクパターンと決定する。このよう
にすれば、画面内で最も他のパターンとの比較照合度の
低い、換言すれば最も特徴的なパターンの切出しサイズ
を決定できる。ここで類似パターン照合度Ｍ２ｗＩ＋に
対してマスクパターンとして許容できる値α％を設定し
ておけば、切出しサイズを順次変更していった時に得ら
れるＭ２ＮＡの値がα％を下回る値になった場合の切出
しサイズをマスクパターンサイズとして決定することが
でき、その結果、マスタパターンのサイズの決定を迅速
に行うことができる利点が得られる。
イズ６６に変更し前記と同様の処理を行う。この操作を
順次行っていくと、切出しサイズ決定回路８５には第７
図に示す如く、各切出しサイズに対する類似パターン照
合度Ｍ２Ｔｆｍの値が得られる。切出しサイズを複数回
変え、この中で最もＭ２ＷｊＲの小さいものに対応する
切出しパターンをマスクパターンと決定する。このよう
にすれば、画面内で最も他のパターンとの比較照合度の
低い、換言すれば最も特徴的なパターンの切出しサイズ
を決定できる。ここで類似パターン照合度Ｍ２ｗＩ＋に
対してマスクパターンとして許容できる値α％を設定し
ておけば、切出しサイズを順次変更していった時に得ら
れるＭ２ＮＡの値がα％を下回る値になった場合の切出
しサイズをマスクパターンサイズとして決定することが
でき、その結果、マスタパターンのサイズの決定を迅速
に行うことができる利点が得られる。
以上のように第２の実施例においては、従来−律に指定
されていたマスクパターンのサイズを定量的に適正な値
に、しかも自動的に決定できるという利点がある。
されていたマスクパターンのサイズを定量的に適正な値
に、しかも自動的に決定できるという利点がある。
本発明の第３の実施例のマスクパターン作成回路８のブ
ロック回路図が第８図に示される。この回路は第２図に
おける回路に２次微分回路８６およびピーク間隔チェ、
り回路８７を付加したことを特徴とする。
ロック回路図が第８図に示される。この回路は第２図に
おける回路に２次微分回路８６およびピーク間隔チェ、
り回路８７を付加したことを特徴とする。
以下第９図および第１０図を参照して説明する。
第９図および第１０図の曲線７１および７６は被認識パ
ターン７３または７８にマスタフィターン７４または７
９を重ねていった場合のマスタンぐターンと被認識パタ
ーン部分との照合度のグラフ（第４図（α）、（Ａ）、
（Ｃ）の曲線の一部分βに相当する）である。第９図お
よび第１０図の曲線７１および７６から判るように、被
認識パターンおよびマスクパターン内に横長の図形を多
く含んでいる（第９図）場合にはＸ方向にマスクパター
ンを移動した場合に得られる照合度グラフは緩やかな曲
線となる。しかし、第１０図のように縦長の図形を多く
含んでいる場合には鋭い曲線となる。パターンマツチン
グによる位置認識の場合は、この曲線が鋭い方が位置決
め精度が向上する。すなわち、第９図の曲線７１のよう
に緩やかな場合には、マ。
ターン７３または７８にマスタフィターン７４または７
９を重ねていった場合のマスタンぐターンと被認識パタ
ーン部分との照合度のグラフ（第４図（α）、（Ａ）、
（Ｃ）の曲線の一部分βに相当する）である。第９図お
よび第１０図の曲線７１および７６から判るように、被
認識パターンおよびマスクパターン内に横長の図形を多
く含んでいる（第９図）場合にはＸ方向にマスクパター
ンを移動した場合に得られる照合度グラフは緩やかな曲
線となる。しかし、第１０図のように縦長の図形を多く
含んでいる場合には鋭い曲線となる。パターンマツチン
グによる位置認識の場合は、この曲線が鋭い方が位置決
め精度が向上する。すなわち、第９図の曲線７１のよう
に緩やかな場合には、マ。
チング位置のピークが不明確なため位置決定の精度が低
下する。
下する。
一方第９図および第１０図の曲線７２および７７はマス
タパターンをｙ方向に移動した場合の照合度曲線である
。この場合は曲線７２は鋭く、曲線７７は緩やかとなる
。前述のように、第９図のパターンはｙ方向の位置決め
精度は良いがＸ方向が悪く、第１０図のパターンは逆に
Ｘ方向は良いがｙ方向が恋＜、結局両者共位置決め精度
を向上するためには適していないパターンであると言え
る。第１１図に示すようなＸ方向、ｙ方向共鋭い曲線と
なるパターンが適正なパターンである。
タパターンをｙ方向に移動した場合の照合度曲線である
。この場合は曲線７２は鋭く、曲線７７は緩やかとなる
。前述のように、第９図のパターンはｙ方向の位置決め
精度は良いがＸ方向が悪く、第１０図のパターンは逆に
Ｘ方向は良いがｙ方向が恋＜、結局両者共位置決め精度
を向上するためには適していないパターンであると言え
る。第１１図に示すようなＸ方向、ｙ方向共鋭い曲線と
なるパターンが適正なパターンである。
第６の実施例においては、前述の適正、不適正をチェッ
クするための手段として、第８図に示した２次Ｂ’ａ分
回１ｌｌｉ８８６とピークｌ＆１！隔チェック回路８７
を備えている。この２つの回路の動作を第１２図（α）
、（６）、（Ｃ）および第１３図（Ｉｌ、）、（ｈ）、
（Ｃ）を用いて説明する。第１２図（α）および第１６
図（α）は第９図および第１０図に示された照合度曲線
（波形）である。この曲線の鋭さをチェックするために
２次微分回路８６は第１２図（α）および第１５図（α
）の曲線に対して第１２図（Ｃ）および第１３図（Ｃ）
に示すような２次微分曲樹を作成する。第１２図＜ｈ＞
および第１６図Ｃｂ）はその中間段階の１次微分曲線が
示される。この２次微分曲線はそれぞれ２つのピークを
有しており、このピーク間隔ｔ４およびｔ６は、もとの
曲線（第１２図（α）および第１６図（α力の鋭さを示
すことになる。すなわち、この間隔ｔａ、、ｔｂをピー
ク間隔チェ、り回路８７でチェックし、設定許容値以下
であれば、作成されたマスクパターンは適正とし、もし
許容値以上であれば、選択されたマスタパターン以外の
例えば類似パターン照合度Ｍ２ の次に小さい値をもつ
マスクパターンを採用する。以上のように第６の実施例
を用いれば、位置決め精度のよいマスクパターンを作成
できるという効果がある。
クするための手段として、第８図に示した２次Ｂ’ａ分
回１ｌｌｉ８８６とピークｌ＆１！隔チェック回路８７
を備えている。この２つの回路の動作を第１２図（α）
、（６）、（Ｃ）および第１３図（Ｉｌ、）、（ｈ）、
（Ｃ）を用いて説明する。第１２図（α）および第１６
図（α）は第９図および第１０図に示された照合度曲線
（波形）である。この曲線の鋭さをチェックするために
２次微分回路８６は第１２図（α）および第１５図（α
）の曲線に対して第１２図（Ｃ）および第１３図（Ｃ）
に示すような２次微分曲樹を作成する。第１２図＜ｈ＞
および第１６図Ｃｂ）はその中間段階の１次微分曲線が
示される。この２次微分曲線はそれぞれ２つのピークを
有しており、このピーク間隔ｔ４およびｔ６は、もとの
曲線（第１２図（α）および第１６図（α力の鋭さを示
すことになる。すなわち、この間隔ｔａ、、ｔｂをピー
ク間隔チェ、り回路８７でチェックし、設定許容値以下
であれば、作成されたマスクパターンは適正とし、もし
許容値以上であれば、選択されたマスタパターン以外の
例えば類似パターン照合度Ｍ２ の次に小さい値をもつ
マスクパターンを採用する。以上のように第６の実施例
を用いれば、位置決め精度のよいマスクパターンを作成
できるという効果がある。
次に前述の第２の実施例における切出し回路８１、切出
しサイズ指定回路８４、およびパターンマツチング制御
回路８２の詳細について第１４図を用いて説明する。上
述の回路は他の実施例にも部分的に応用可能である。第
１４図は切出し回路８１、切出しサイズ指定回路８４お
よびパターンマツチング制御回路８２のプ四、り回路図
であるＯＸ切出し初期値レジスタ８１１およびＹ切出し
初期値レジスタ８１２は切出し領域の走査開始点（図に
おいては左上隅の点）の座標値を格納し、Ｘアドレスカ
ウンタ８１３およびＸアドレスカウンタ８１４へ、それ
ぞれ情報を供給する。Ｘアドレスカウンタ８１３および
Ｘアドレスカウンタ８１４はフレームメモリ６に対しア
ドレスを指定する。Ｘサイズレジスタ８１５およびＸサ
イズレジスタ８１６は、それぞれＸ方向およびＹ方向の
切出しサイズを前述のアドレスカウンタに指定する。切
出しサイズ指定回路８４はＸサイズカウンタ８４１およ
びＹサイズカウンタ８４２を具備し、それぞれＸサイズ
レジスタ８１５およびＸサイズレジスタ８１６に切出サ
イズを指定する情報を供給する。パターンマツチング制
御回路８２はフリ、プフロ、プ８２１を具備し、フリ、
プフロ、プ８２１はＸサイズレジスタ８１６からの信号
を受けてセットされパターンマツチング回路９ヘスター
ト信号を送り、パターンマツチング回路９がらの終了信
号によりリセットされる。
しサイズ指定回路８４、およびパターンマツチング制御
回路８２の詳細について第１４図を用いて説明する。上
述の回路は他の実施例にも部分的に応用可能である。第
１４図は切出し回路８１、切出しサイズ指定回路８４お
よびパターンマツチング制御回路８２のプ四、り回路図
であるＯＸ切出し初期値レジスタ８１１およびＹ切出し
初期値レジスタ８１２は切出し領域の走査開始点（図に
おいては左上隅の点）の座標値を格納し、Ｘアドレスカ
ウンタ８１３およびＸアドレスカウンタ８１４へ、それ
ぞれ情報を供給する。Ｘアドレスカウンタ８１３および
Ｘアドレスカウンタ８１４はフレームメモリ６に対しア
ドレスを指定する。Ｘサイズレジスタ８１５およびＸサ
イズレジスタ８１６は、それぞれＸ方向およびＹ方向の
切出しサイズを前述のアドレスカウンタに指定する。切
出しサイズ指定回路８４はＸサイズカウンタ８４１およ
びＹサイズカウンタ８４２を具備し、それぞれＸサイズ
レジスタ８１５およびＸサイズレジスタ８１６に切出サ
イズを指定する情報を供給する。パターンマツチング制
御回路８２はフリ、プフロ、プ８２１を具備し、フリ、
プフロ、プ８２１はＸサイズレジスタ８１６からの信号
を受けてセットされパターンマツチング回路９ヘスター
ト信号を送り、パターンマツチング回路９がらの終了信
号によりリセットされる。
第１５図には第１ないし第３の実施例において用いられ
る類似パターン検出回路８３のブｐ、り回路図が示され
る。パターンマツチング回路９からの照合度信号５（９
２）はコンパレータ８３１に供給され同時にＭＩＬＸレ
ジスタ８６２にも供給される。コンパレータ８３１にお
いて照合度信号５（９２）の内容ＡとＭａｘレジスタ８
３２の内容Ｂが比較され、Ａ≧Ｂであればコンパレータ
８３１からＭａｗレジスタ８６２ヘラッチ信号が出され
Ｍａｘレジスタ８６２へ信号５（９２）の値Ａが格納さ
れる。コンパレータ８３４においてはＭａｘレジスタ８
３２の内容ＯとＭｉｎレジスタ８３３の内容りとが比較
されＯ≦Ｄであればコンパレータ８３４からう、子信号
がＭｉｎレジスタ８３６へ出され、Ｍａｘレジスタ８６
２からのデータがＭｉｎレジスタ８３３へ格納される。
る類似パターン検出回路８３のブｐ、り回路図が示され
る。パターンマツチング回路９からの照合度信号５（９
２）はコンパレータ８３１に供給され同時にＭＩＬＸレ
ジスタ８６２にも供給される。コンパレータ８３１にお
いて照合度信号５（９２）の内容ＡとＭａｘレジスタ８
３２の内容Ｂが比較され、Ａ≧Ｂであればコンパレータ
８３１からＭａｗレジスタ８６２ヘラッチ信号が出され
Ｍａｘレジスタ８６２へ信号５（９２）の値Ａが格納さ
れる。コンパレータ８３４においてはＭａｘレジスタ８
３２の内容ＯとＭｉｎレジスタ８３３の内容りとが比較
されＯ≦Ｄであればコンパレータ８３４からう、子信号
がＭｉｎレジスタ８３６へ出され、Ｍａｘレジスタ８６
２からのデータがＭｉｎレジスタ８３３へ格納される。
前述のＭ２ｍｍのデータはＭｉｎレジスタ８３３の内容
として得られる。
として得られる。
第１６図には第１ないし第６の実施例において用いられ
るパターンマツチング回路９のブ四、り回路図が示され
る。フレームメモリ６はメモリコントレールにデータバ
ッファＤＢからの信号およびデコーダＤｏからの信号を
受は制御されて、被認識パターンのデータをシフトレジ
スタ９１を介して並列信号を直列信号に変換して、相関
器−１（９３）および相関器−２（９４）のシフトレジ
スタ９３１および９４１に供給する。マスクパターンメ
モリ７のマスタパターンデータも同様にシフトレジスタ
９２を介してシフトレジスタ９３３および９４３に供給
される。シフトレジスタ９６１および９４１の出力とシ
フトレジスタ９３３および９４３の出力は排他的ノアゲ
ート９６２および９４２によって１つずつ排他的論理和
がとられ、加算器９５１において加算される。これによ
りフレームメモリ６のパターンとマスタメモリ７のパタ
ーンの各画素の照合の結果一致するものの数が得られる
。パターンの１ラインについての加算結果が得られると
、その値はデータメモリ９ｏに格納され、データメモリ
９０の内容はメモリコントロール９０１によって制御さ
れてデータレジスタを介して加算器９５２に加えられ、
次の１ラインの照合度の加算値（加算器９５１の出力）
と加算される。該加算された値はデータメモリ９ｏの値
を更新する。このようにしてデータメモリ９０にはフレ
ームメモリ６のパターンとマスクパターンとの１フレー
ムにおける照合度が得られる。該照合度は信号５（９２
）として類似パターン検出回路８３へ送られる。またメ
モリコントロール９０１からは走査位置信号５（９１）
が類似パターン検出回路８．３へ送られる。
るパターンマツチング回路９のブ四、り回路図が示され
る。フレームメモリ６はメモリコントレールにデータバ
ッファＤＢからの信号およびデコーダＤｏからの信号を
受は制御されて、被認識パターンのデータをシフトレジ
スタ９１を介して並列信号を直列信号に変換して、相関
器−１（９３）および相関器−２（９４）のシフトレジ
スタ９３１および９４１に供給する。マスクパターンメ
モリ７のマスタパターンデータも同様にシフトレジスタ
９２を介してシフトレジスタ９３３および９４３に供給
される。シフトレジスタ９６１および９４１の出力とシ
フトレジスタ９３３および９４３の出力は排他的ノアゲ
ート９６２および９４２によって１つずつ排他的論理和
がとられ、加算器９５１において加算される。これによ
りフレームメモリ６のパターンとマスタメモリ７のパタ
ーンの各画素の照合の結果一致するものの数が得られる
。パターンの１ラインについての加算結果が得られると
、その値はデータメモリ９ｏに格納され、データメモリ
９０の内容はメモリコントロール９０１によって制御さ
れてデータレジスタを介して加算器９５２に加えられ、
次の１ラインの照合度の加算値（加算器９５１の出力）
と加算される。該加算された値はデータメモリ９ｏの値
を更新する。このようにしてデータメモリ９０にはフレ
ームメモリ６のパターンとマスクパターンとの１フレー
ムにおける照合度が得られる。該照合度は信号５（９２
）として類似パターン検出回路８３へ送られる。またメ
モリコントロール９０１からは走査位置信号５（９１）
が類似パターン検出回路８．３へ送られる。
発明の効果
本発明によれば、作業者の手をわずられせることなく、
シかも最適なマスタパターン、すなわちマスク画像内で
他のパターンとの比較照合度が最も低い特徴的なマスタ
パターンを作成し、それにより認識率の高いパターンマ
ツチング方法および装置を得ることができる。
シかも最適なマスタパターン、すなわちマスク画像内で
他のパターンとの比較照合度が最も低い特徴的なマスタ
パターンを作成し、それにより認識率の高いパターンマ
ツチング方法および装置を得ることができる。
第１図は本発明の第１の実施例としてのパターンマツチ
ング方法および装置を用いた全自動ワイヤボンダ用パッ
ドパターン位置認識装置のプロ。 り回路図、第２図は第１図の装置におけるマスクパター
ン作成回路のプロ、り回路図、第６図は第１図の装置の
フレームメモリ内に格納された画像の一例を示す図、第
４図（α）、（ｂ）、（Ｃ）は第６図の切出しエリアと
照合度の関係を説明する図、第５図は本発明の第２の実
施例におけるマスタパターン作成回路のプロ、り回路図
、第６図は第５図の回路を説明するためのマスタサンプ
／Ｉ／＠像を示す図、第７図は第５図の回路における各
切出しサイズと類似パターン照合度の関係の一例を示す
特性図、第８図は本発明の第６の実施例におけるマスク
パターン作成回路のプロ、り回路図、第９図、第１０図
および第１１図はパターンの形状とマスクパターンの移
動方向による照合度曲線の相関を説明する図、第１２図
（α）、（Ａ）、（Ｃ）および第１６図（α）、（ｂ）
、（Ｃ）は第８図の回路を説明するための照合度曲枦の
微分曲線を示す波形図、第１４図は第５図の回路におけ
る切出し回路、切出しサイズ指定回路およびパターンマ
ツチング制御回路のプロ、り回路図、第１５図は第２図
の回路における類似パターン検出回路のプロ、り回路図
、および第１６図は第２図の回路におけるパターンマツ
チング回路１・・・試料送り機構、 ２・・・マスクサンプル、 ６・・・被認識サンプル、 ４・・・ＴＶカメラ、 ５・・・Ａ／Ｉｆ変換回路、 ６・・・フレームメモリ、 ７・・・マスクパターンメモリ、 ８・・・マスタパターン作成回路、 ９・・・パターンマツチング回路、 １０・・・制御回路、 １１・・・ボンディング機構、 ６０・・・被認識パターンの画像、 ６１・・・工０チップの画像、 ６２・・・バッドの画像、 ６５．６６．６７・・・切出しエリア、８１・・・切出
し回路、 ８２・・・パターンマツチング制御回路、８６・・・類
似パターン検出回路、 ８４・・・切出しサイズ指示回路、 ８５・・・切出しサイズ決定回路、 ８６・・・２次微分回路、 ８７・・・ピーク間隔チェ、り回路。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士山口昭之 第２図 Ｒ 第３図 第６図 第７図 切出しサイズ 画面サイズ 箆 ８ 図 第９図 位置 第１０図 第１１図 位置 第１２図 第１３図 第１４図 （。 第１５図 、８３ Ｓ（９２）
ング方法および装置を用いた全自動ワイヤボンダ用パッ
ドパターン位置認識装置のプロ。 り回路図、第２図は第１図の装置におけるマスクパター
ン作成回路のプロ、り回路図、第６図は第１図の装置の
フレームメモリ内に格納された画像の一例を示す図、第
４図（α）、（ｂ）、（Ｃ）は第６図の切出しエリアと
照合度の関係を説明する図、第５図は本発明の第２の実
施例におけるマスタパターン作成回路のプロ、り回路図
、第６図は第５図の回路を説明するためのマスタサンプ
／Ｉ／＠像を示す図、第７図は第５図の回路における各
切出しサイズと類似パターン照合度の関係の一例を示す
特性図、第８図は本発明の第６の実施例におけるマスク
パターン作成回路のプロ、り回路図、第９図、第１０図
および第１１図はパターンの形状とマスクパターンの移
動方向による照合度曲線の相関を説明する図、第１２図
（α）、（Ａ）、（Ｃ）および第１６図（α）、（ｂ）
、（Ｃ）は第８図の回路を説明するための照合度曲枦の
微分曲線を示す波形図、第１４図は第５図の回路におけ
る切出し回路、切出しサイズ指定回路およびパターンマ
ツチング制御回路のプロ、り回路図、第１５図は第２図
の回路における類似パターン検出回路のプロ、り回路図
、および第１６図は第２図の回路におけるパターンマツ
チング回路１・・・試料送り機構、 ２・・・マスクサンプル、 ６・・・被認識サンプル、 ４・・・ＴＶカメラ、 ５・・・Ａ／Ｉｆ変換回路、 ６・・・フレームメモリ、 ７・・・マスクパターンメモリ、 ８・・・マスタパターン作成回路、 ９・・・パターンマツチング回路、 １０・・・制御回路、 １１・・・ボンディング機構、 ６０・・・被認識パターンの画像、 ６１・・・工０チップの画像、 ６２・・・バッドの画像、 ６５．６６．６７・・・切出しエリア、８１・・・切出
し回路、 ８２・・・パターンマツチング制御回路、８６・・・類
似パターン検出回路、 ８４・・・切出しサイズ指示回路、 ８５・・・切出しサイズ決定回路、 ８６・・・２次微分回路、 ８７・・・ピーク間隔チェ、り回路。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士山口昭之 第２図 Ｒ 第３図 第６図 第７図 切出しサイズ 画面サイズ 箆 ８ 図 第９図 位置 第１０図 第１１図 位置 第１２図 第１３図 第１４図 （。 第１５図 、８３ Ｓ（９２）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 マスクパターンを用意し、これと被認識パターン
とを比較照合して、これら両者間の比較照合度からマツ
チングの有無を得るパターンマツチング方法において、
マスクサンプルを撮像し、撮像信号から、他のパターン
との比較照合度が最低となるようなパターンを抽出し、
これを、マスクパターンとすることを特徴とするパター
ンマツチング方法。 ２、 前記マスクパターンの自動検出は、前記マスクサ
ンプルを撮像しマスク画像を得て所定のマスクパターン
サイズに相当するエリアを前記マスク画像の初点から順
次切出し、各切出しエリア内のパターンを用いて前記マ
スク画像内すべてを走査し、各走査位置での切出しパタ
ーンとの比較照合度をａ１゛数し、前記切出しパターン
に対する前記マスク画像内での第１位の類似パターンの
比較照合度を求め、前記第１位の類似パターンの比較照
合度の最も低い切出しパターンを求める特許請求の範囲
第１項に記載のパターンマツチング方法。 ３、前記切出しエリアのサイズを順次変更させ、これら
異なるサイズの切出しパターンに対する比較照合度を求
める特許請求の範囲第２項に記載のパターンマツチング
方法。 ４、前記マスクパターンの自動検出は、前記マスクサン
プルを撮像しマスク画像を得て所定のマスクパターンサ
イズに相当するエリアを前記マスク画像の初点から順次
切出し、各切出しエリア内のパターンを用いて前記マス
ク画像内すべてを走査し、各走査位置での切出しパター
ンとの比較照合度を計数し、前記切出しパターンに対す
る前記マスク画像内での第１位の類似パターンの比較照
合度を求め、かつ各走査位置とその位置に対する照合度
から照合度波形を求め、前記照合度波形を２次微分し、
前記２次微分波形のピーク値間隔を測定し、前記測定値
が或あらかじめ定められた範囲内にあるような前記第１
位の類似パターンの比較照合度の最も低い切出しパター
ンを前記マスクパターンとする特許請求の範囲第１項に
記載のパターンマツチング方法。 ５、試料送り機構の上に載置されたサンプルを撮像する
撮像系、前記撮像系がらの撮像信号をアナロクーディジ
タル変換するアナログ−ディジタル変換回路、前記アナ
四グーディジタル変換回路の出力を受ける被認識パター
ンメモリ、前記被認識パターンメモリに接続されたマス
タパターン作成回路、前記マスタパターン作成回路に接
続されたマスクパターンメモリ、および前記被認識パタ
ーンメモリおよびマスタパターンメモリに接続されたパ
ターンマツチング回路を備えたパターンマツチング装置
において、前記マスタパターン作成回路に、前記被認識
パターンメモリ内から最も特徴のあるパターン部分を検
出し、前記検出されたパターン部分を前記マスクパター
ンメモリに格納するための特徴パターン検出回路を備え
たことを特徴とするパターンマツチング装置。 ６、 前記特徴パターン検出回路は、前記被認識パター
ンメモリから順次マスクパターンサイズに相当するエリ
アのパターン信号を切出すための切出し回路、各切出し
エリア内の切出しパターン信号と被認識パターンメモリ
内のパターン信号との間で比較照合度を計数するための
前記パターンマ、チング回路を駆動するためのパターン
マツチング制御回路、パターンマツチング処理において
前記各切出しパターンに対する第１位の類似パターンお
よび比較照合度を検出する類似パターン検出回路、およ
び前記切出しパターンに対する第１位類似パターンの比
較照合度のうち最も低い値をもつものを検出し、前記検
出された比較照合度に対応する切出しパターンをマスク
パターンΣするマスタ決定回路を具備する特許請求の範
囲第５項に記載のパターンマツチング装置。 ｌ 前記マスタ決定回路は、切出しエリアサイズを順次
変更し、異なるサイズの切出しパターンに対する比較照
合度を求める回路を具備する特許請求の範囲第６項に記
載のパターンマツチング装置。 ８、前記特徴パターン検出回路は、各走査位置とその位
置に対する照合度から作られる照合度波形を２次微分す
る２次微分手段および前記２次微分波形のピーク値間隔
を測定し、設定値と比較および判定するピーク値間隔判
定手段を具備する特許請求の範囲第５項、第６項または
第７項に記載のパターンマツチング装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58100962A JPS59226981A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | パタ−ンマツチング方法および装置 |
| EP84401153A EP0128820B2 (en) | 1983-06-08 | 1984-06-06 | Pattern matching method and apparatus |
| DE8484401153T DE3484522D1 (de) | 1983-06-08 | 1984-06-06 | Verfahren und anlage zum mustervergleich. |
| KR1019840003221A KR890002287B1 (ko) | 1983-06-08 | 1984-06-08 | 패턴 매칭방법 및 장치 |
| US07/020,201 US4805224A (en) | 1983-06-08 | 1987-02-27 | Pattern matching method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58100962A JPS59226981A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | パタ−ンマツチング方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59226981A true JPS59226981A (ja) | 1984-12-20 |
| JPH0215102B2 JPH0215102B2 (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=14287975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58100962A Granted JPS59226981A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | パタ−ンマツチング方法および装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4805224A (ja) |
| EP (1) | EP0128820B2 (ja) |
| JP (1) | JPS59226981A (ja) |
| KR (1) | KR890002287B1 (ja) |
| DE (1) | DE3484522D1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6346583A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-02-27 | Toshiba Seiki Kk | パタ−ン認識方法 |
| JPS63211474A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 階層化構造的テンプレ−ト・マツチング方法 |
| JPH01140271A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン欠陥検出装置 |
| JPH07302344A (ja) * | 1995-01-17 | 1995-11-14 | Toshiba Seiki Kk | パターン認識装置 |
| WO1997034258A1 (fr) * | 1996-03-15 | 1997-09-18 | Komatsu Ltd. | Dispositif et procede d'inspection utilisant un appareillement de motifs |
| JP2009009488A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 真偽判定装置及び真偽判定プログラム |
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|---|---|---|---|---|
| DE3621056A1 (de) * | 1986-06-24 | 1988-01-14 | Polygram Gmbh | Verfahren zum ausrichten der drehlage von drehbaren oder positionieren von verschieblichen gegenstaenden |
| JPS63211076A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Hitachi Ltd | パタ−ン検査装置 |
| DE3720489A1 (de) * | 1987-06-20 | 1988-12-29 | Sood Ralf A | Verfahren zum lesen von text- und druckvorlagen |
| JP2539856B2 (ja) * | 1987-10-15 | 1996-10-02 | 株式会社ヒューテック | 印刷パタ―ン周期長のずれ検知方法 |
| US4899391A (en) * | 1988-06-24 | 1990-02-06 | Cimino William J | Automatic key identification system |
| US5127532A (en) * | 1988-06-24 | 1992-07-07 | Cimino William J | Automatic key identification system |
| US5406642A (en) * | 1988-12-23 | 1995-04-11 | Nec Corporation | Image matching method using direction sensitivity and vector smoothing functions for correcting matches |
| US5119436A (en) * | 1990-09-24 | 1992-06-02 | Kulicke And Soffa Industries, Inc | Method of centering bond positions |
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| US6400996B1 (en) | 1999-02-01 | 2002-06-04 | Steven M. Hoffberg | Adaptive pattern recognition based control system and method |
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