JPH0215102B2 - - Google Patents
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- JPH0215102B2 JPH0215102B2 JP58100962A JP10096283A JPH0215102B2 JP H0215102 B2 JPH0215102 B2 JP H0215102B2 JP 58100962 A JP58100962 A JP 58100962A JP 10096283 A JP10096283 A JP 10096283A JP H0215102 B2 JPH0215102 B2 JP H0215102B2
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- circuit
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 7
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
- G06V10/20—Image preprocessing
- G06V10/24—Aligning, centring, orientation detection or correction of the image
- G06V10/245—Aligning, centring, orientation detection or correction of the image by locating a pattern; Special marks for positioning
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F18/00—Pattern recognition
- G06F18/20—Analysing
- G06F18/21—Design or setup of recognition systems or techniques; Extraction of features in feature space; Blind source separation
- G06F18/211—Selection of the most significant subset of features
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F18/00—Pattern recognition
- G06F18/20—Analysing
- G06F18/28—Determining representative reference patterns, e.g. by averaging or distorting; Generating dictionaries
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
- G06V10/70—Arrangements for image or video recognition or understanding using pattern recognition or machine learning
- G06V10/74—Image or video pattern matching; Proximity measures in feature spaces
- G06V10/75—Organisation of the matching processes, e.g. simultaneous or sequential comparisons of image or video features; Coarse-fine approaches, e.g. multi-scale approaches; using context analysis; Selection of dictionaries
- G06V10/758—Involving statistics of pixels or of feature values, e.g. histogram matching
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
- G06V10/70—Arrangements for image or video recognition or understanding using pattern recognition or machine learning
- G06V10/77—Processing image or video features in feature spaces; using data integration or data reduction, e.g. principal component analysis [PCA] or independent component analysis [ICA] or self-organising maps [SOM]; Blind source separation
- G06V10/772—Determining representative reference patterns, e.g. averaging or distorting patterns; Generating dictionaries
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はパターン認識装置に係り、特にパター
ンマツチング処理におけるマスタパターンとして
定量的に最適なものを選択できるパターンマツチ
ング方法および装置に関する。
ンマツチング処理におけるマスタパターンとして
定量的に最適なものを選択できるパターンマツチ
ング方法および装置に関する。
従来技術と問題点
従来のパターンマツチング方式におけるマスタ
パターンの作成方法としては本発明者により開示
された「マスタパターン採取方式〕(特願昭57−
113168)があるが、これは作業者により指示され
たマスタパターンが適正なものであるかをチエツ
クするだけであり、必ずしも最適なマスタパター
ンの作成方式を提供するものではない。すなわち
従来例では作業者によつて指示されたマスタパタ
ーンが画面内で類似のパターンを持つか否かをチ
エツクするだけで、最も適正なマスタパターンで
ある他のパターンとの比較照合度の最も低い特微
的なパターンを選択するものではない。また作業
者の判断が必要であるため作業者の仕事の軽減も
なされていない等問題点を含んでいた。
パターンの作成方法としては本発明者により開示
された「マスタパターン採取方式〕(特願昭57−
113168)があるが、これは作業者により指示され
たマスタパターンが適正なものであるかをチエツ
クするだけであり、必ずしも最適なマスタパター
ンの作成方式を提供するものではない。すなわち
従来例では作業者によつて指示されたマスタパタ
ーンが画面内で類似のパターンを持つか否かをチ
エツクするだけで、最も適正なマスタパターンで
ある他のパターンとの比較照合度の最も低い特微
的なパターンを選択するものではない。また作業
者の判断が必要であるため作業者の仕事の軽減も
なされていない等問題点を含んでいた。
発明の目的
本発明の目的は、前述の従来方式における問題
点にかんがみ、マスタパターンを含んだマスタサ
ンプルを撮像し、その撮像信号のなかから最も特
微のあるパターン部分を自動検出するという構想
に基づき、作業者の手をわずらわせることなく、
しかも最適なマスタパターン、すなわち画面内で
他のパターンとの比較照合度が最も低い特微的な
マスタパターンを作成し、それにより認識率およ
び認識位置精度の高いパターンマツチング方法お
よび装置を得ることにある。
点にかんがみ、マスタパターンを含んだマスタサ
ンプルを撮像し、その撮像信号のなかから最も特
微のあるパターン部分を自動検出するという構想
に基づき、作業者の手をわずらわせることなく、
しかも最適なマスタパターン、すなわち画面内で
他のパターンとの比較照合度が最も低い特微的な
マスタパターンを作成し、それにより認識率およ
び認識位置精度の高いパターンマツチング方法お
よび装置を得ることにある。
発明の構成
本発明の1つの形態においては、マスタパター
ンを用意し、これと被認識パターンとを比較照合
して、これら両者間の比較照合度からマツチング
の有無を得るパターンマツチング方法において、
マスタサンプルを撮像し、撮像信号からあるサイ
ズのパターンを順次切り出し、パターン相互間の
比較照合度が最小となるようなパターンを抽出
し、これをマスタパターンとし、被認識パターン
を撮像し、撮像信号から前記マスタパターンと同
じサイズのパターンを順次切り出し、前記マスタ
パターンと比較照合度が最大となる被認識パター
ンの部分を求め、該比較照合度があるしきい値以
上である時マツチング有と判定することを特徴と
するパターンマツチング方法が提供される。
ンを用意し、これと被認識パターンとを比較照合
して、これら両者間の比較照合度からマツチング
の有無を得るパターンマツチング方法において、
マスタサンプルを撮像し、撮像信号からあるサイ
ズのパターンを順次切り出し、パターン相互間の
比較照合度が最小となるようなパターンを抽出
し、これをマスタパターンとし、被認識パターン
を撮像し、撮像信号から前記マスタパターンと同
じサイズのパターンを順次切り出し、前記マスタ
パターンと比較照合度が最大となる被認識パター
ンの部分を求め、該比較照合度があるしきい値以
上である時マツチング有と判定することを特徴と
するパターンマツチング方法が提供される。
本発明の他の形態においては、試料送り機構の
上に載置されたサンプルを撮像する撮像系、前記
撮像系からの撮像信号をアナログ−デイジタル変
換するアナログ−デイジタル変換回路、前記アナ
ログ−デイジタル変換回路の出力を受ける被認識
パターンメモリ、前記被認識パターンメモリに接
続されたマスタパターン作成回路、前記マスタパ
ターン作成回路に接続されたマスタパターンメモ
リ、および前記被認識パターンメモリおよびマス
タパターンメモリに接続されたパターンマツチン
グ回路を備えたパターンマツチング装置におい
て、前記マスタパターン作成回路に、前記被認識
パターンメモリ内から最も特徴のあるパターン部
分を検出し、前記検出されたパターン部分を前記
マスタパターンメモリに格納するための特徴パタ
ーン検出回路を備え、前記特徴パターン検出回路
は、前記被認識パターンメモリから順次マスタパ
ターンサイズに相当するエリアのパターン信号を
切出すための切出し回路、各切出しエリア内の切
出しパターン信号と被認識パターンメモリ内のパ
ターン信号との間で比較照合度を計数するための
前記パターンマツチング回路を駆動するパターン
マツチング制御回路、パターンマツチング処理に
おいて前記各切出しパターンに対する第1位の類
似パターンおよび比較照合度を検出する類似パタ
ーン検出回路、および前記切出しパターンに対す
る第1位類似パターンの比較照合度のうち最も低
い値をもつものを検出し、前記検出された比較照
合度に対応する切出しパターンをマスタパターン
とするマスタ決定回路を具備することを特徴とす
るパターンマツチング装置が提供される。
上に載置されたサンプルを撮像する撮像系、前記
撮像系からの撮像信号をアナログ−デイジタル変
換するアナログ−デイジタル変換回路、前記アナ
ログ−デイジタル変換回路の出力を受ける被認識
パターンメモリ、前記被認識パターンメモリに接
続されたマスタパターン作成回路、前記マスタパ
ターン作成回路に接続されたマスタパターンメモ
リ、および前記被認識パターンメモリおよびマス
タパターンメモリに接続されたパターンマツチン
グ回路を備えたパターンマツチング装置におい
て、前記マスタパターン作成回路に、前記被認識
パターンメモリ内から最も特徴のあるパターン部
分を検出し、前記検出されたパターン部分を前記
マスタパターンメモリに格納するための特徴パタ
ーン検出回路を備え、前記特徴パターン検出回路
は、前記被認識パターンメモリから順次マスタパ
ターンサイズに相当するエリアのパターン信号を
切出すための切出し回路、各切出しエリア内の切
出しパターン信号と被認識パターンメモリ内のパ
ターン信号との間で比較照合度を計数するための
前記パターンマツチング回路を駆動するパターン
マツチング制御回路、パターンマツチング処理に
おいて前記各切出しパターンに対する第1位の類
似パターンおよび比較照合度を検出する類似パタ
ーン検出回路、および前記切出しパターンに対す
る第1位類似パターンの比較照合度のうち最も低
い値をもつものを検出し、前記検出された比較照
合度に対応する切出しパターンをマスタパターン
とするマスタ決定回路を具備することを特徴とす
るパターンマツチング装置が提供される。
発明の実施例
本発明の第1の実施例としてのパターンマツチ
ング方法および装置を用いた全自動ワイヤボンダ
用パツドパターン位置認識装置のブロツク回路図
が第1図に示される。試料送り機構1はその上に
載置されたマスタサンプル2または被認識サンプ
ル3を撮像系、例えばテレビジヨン(TV)カメ
ラ4の視野内に導入する。TVカメラ4からの撮
像信号はアナログ−デイジタル(A/D)変換回
路5でデイジタル化され、被認識パターンメモリ
であるフレームメモリ6内に格納される。試料送
り機構1上に被認識サンプル3が載つており、マ
スタパターンメモリ7にマスタパターンが既に格
納されていれば、パターンマツチング回路9は、
このマスタパターンとフレームメモリ6内の被認
識パターンの画像との間で比較照合(パターンマ
ツチング)処理を行い、マスタパターンと最も良
く一致したパターン部分を目的パツド位置として
制御回路10に転送する。制御回路10はこの位
置情報に基づいてボンデイング機構11を制御し
自動ワイヤボンデイングを行う。
ング方法および装置を用いた全自動ワイヤボンダ
用パツドパターン位置認識装置のブロツク回路図
が第1図に示される。試料送り機構1はその上に
載置されたマスタサンプル2または被認識サンプ
ル3を撮像系、例えばテレビジヨン(TV)カメ
ラ4の視野内に導入する。TVカメラ4からの撮
像信号はアナログ−デイジタル(A/D)変換回
路5でデイジタル化され、被認識パターンメモリ
であるフレームメモリ6内に格納される。試料送
り機構1上に被認識サンプル3が載つており、マ
スタパターンメモリ7にマスタパターンが既に格
納されていれば、パターンマツチング回路9は、
このマスタパターンとフレームメモリ6内の被認
識パターンの画像との間で比較照合(パターンマ
ツチング)処理を行い、マスタパターンと最も良
く一致したパターン部分を目的パツド位置として
制御回路10に転送する。制御回路10はこの位
置情報に基づいてボンデイング機構11を制御し
自動ワイヤボンデイングを行う。
一方、マスタパターン作成時にはフレームメモ
リ6内に格納された、試料送り機構1上に載置さ
れたマスタサンプル2を撮像して得られたマスタ
サンプル画像から、マスタパターン作成回路8に
おいてマスタとして最適なパターン部分を選択
し、マスタパターンメモリ7内に格納する。
リ6内に格納された、試料送り機構1上に載置さ
れたマスタサンプル2を撮像して得られたマスタ
サンプル画像から、マスタパターン作成回路8に
おいてマスタとして最適なパターン部分を選択
し、マスタパターンメモリ7内に格納する。
前述のマスタパターン作成回路8の動作を第2
図および第3図を用いて説明する。第2図はマス
タパターン作成回路8のブロツク回路図である。
マスタサンプル画像はフレームメモリ6内に格納
されている。第3図はフレームメモリ6内に格納
された画像60を示す。画像60には集積回路
(IC)チツプ61上に斜線で示したパツド62等
の画像が含まれる。
図および第3図を用いて説明する。第2図はマス
タパターン作成回路8のブロツク回路図である。
マスタサンプル画像はフレームメモリ6内に格納
されている。第3図はフレームメモリ6内に格納
された画像60を示す。画像60には集積回路
(IC)チツプ61上に斜線で示したパツド62等
の画像が含まれる。
切出し回路81はこのフレームメモリ6内から
まず小領域(エリア)(0,0)を切り出し、こ
のエリア内のパターンを仮にマスタパターンとし
てマスタパターンメモリ7内に格納する。パター
ンマツチング制御回路82はこのマスタパターン
とフレームメモリ6内のパターンとの間でパター
ンマツチングを行わせるためにパターンマツチン
グ回路9を動作させる。パターンマツチング回路
9はマスタパターンメモリ7内のパターンをフレ
ームメモリ6内で走査し、各走査点でのマスタパ
ターンとフレームメモリ6のパターン部分との照
合度信号S92と走査位置信号S91を類似パタ
ーン検出回路83へ転送する。類似パターン検出
回路83は転送されてくる照合度信号S92を順
次チエツクし、切出しパターン切出し位置0,0
以外で最も高い第1位の照合度を求め、これを切
出しパターン(0,0)に対する類似パターン照
合度M2(0,0)として格納しておく。ここに
(0,0)は切出しパターンの図における左上隅
の座標を示す。類似パターン検出回路83にはマ
スタ決定回路が含まれる。
まず小領域(エリア)(0,0)を切り出し、こ
のエリア内のパターンを仮にマスタパターンとし
てマスタパターンメモリ7内に格納する。パター
ンマツチング制御回路82はこのマスタパターン
とフレームメモリ6内のパターンとの間でパター
ンマツチングを行わせるためにパターンマツチン
グ回路9を動作させる。パターンマツチング回路
9はマスタパターンメモリ7内のパターンをフレ
ームメモリ6内で走査し、各走査点でのマスタパ
ターンとフレームメモリ6のパターン部分との照
合度信号S92と走査位置信号S91を類似パタ
ーン検出回路83へ転送する。類似パターン検出
回路83は転送されてくる照合度信号S92を順
次チエツクし、切出しパターン切出し位置0,0
以外で最も高い第1位の照合度を求め、これを切
出しパターン(0,0)に対する類似パターン照
合度M2(0,0)として格納しておく。ここに
(0,0)は切出しパターンの図における左上隅
の座標を示す。類似パターン検出回路83にはマ
スタ決定回路が含まれる。
次に切出し回路81は次の切出しパターン
(1,0)をマスタパターンメモリ7に格納し同
様の処理を行い、類似パターン照合度M2(1,
0)を求める。以上の切出し動作をフレームメモ
リ6内の最後(xn,xo)まで行う。第4図aは
切出しパターン(0,0)に対して、パターンマ
ツチング回路9から転送されてくる走査位置信号
S91を横軸に、照合度信号S92を縦軸にプロ
ツトしたものである。第4図において左端の図形
は切出しパターンを示す。第4図aの場合は切出
しパターン(0,0)内にパターン部分を全く含
んでいないため、走査位置がフレームメモリ6内
のパツドパターン背景部にある時はすべて照合度
は100%となる。このため類似パターン照合度M2
(0,0)は100%となる。また第4図bには切出
しパターンが第3図の(x1,y1)の場合が示さ
れ、この切出しエリア内にパツドパターンが1個
含まれている。この場合は走査位置が(x1,y1)
に来た場合には当然照合度は100%になるが、位
置が(x2,y2)に来た場合にも100%近い照合度
(パツドが全く同形であれば100%)が得られ、こ
れが類似パターン照合度M2(x1,y1)となる。さ
らに第4図cは切出しパターン(x3,y3)に対す
るものである。この場合走査位置が(x3,y3)に
来た時照合度が100%になるのは第4図bの場合
と同様であるが、これ以外の位置で照合度が高く
なるものはなく、M2(x3,y3)は前の例に比べて
低い値となる。切出しパターン(x3,y3)は画像
60内でかなり特徴のあるパターンであると言え
る。なお、第4図a,b,cにおけるβ部分は切
出したパターン自身の部分であり、この部分は当
然類似パターン照合度M2の検出対象外である。
すべての切出しパターンに対する類似パターン照
合度M2のうち最も小さな値M2minを提供する切
出しパターンが画像60のなかで最も特徴のある
パターンであり、これを類似パターン検出回路8
3内のマスタ決定回路によりマスタパターンとす
れば、最も確実なパターンマツチングが処理が可
能となる。
(1,0)をマスタパターンメモリ7に格納し同
様の処理を行い、類似パターン照合度M2(1,
0)を求める。以上の切出し動作をフレームメモ
リ6内の最後(xn,xo)まで行う。第4図aは
切出しパターン(0,0)に対して、パターンマ
ツチング回路9から転送されてくる走査位置信号
S91を横軸に、照合度信号S92を縦軸にプロ
ツトしたものである。第4図において左端の図形
は切出しパターンを示す。第4図aの場合は切出
しパターン(0,0)内にパターン部分を全く含
んでいないため、走査位置がフレームメモリ6内
のパツドパターン背景部にある時はすべて照合度
は100%となる。このため類似パターン照合度M2
(0,0)は100%となる。また第4図bには切出
しパターンが第3図の(x1,y1)の場合が示さ
れ、この切出しエリア内にパツドパターンが1個
含まれている。この場合は走査位置が(x1,y1)
に来た場合には当然照合度は100%になるが、位
置が(x2,y2)に来た場合にも100%近い照合度
(パツドが全く同形であれば100%)が得られ、こ
れが類似パターン照合度M2(x1,y1)となる。さ
らに第4図cは切出しパターン(x3,y3)に対す
るものである。この場合走査位置が(x3,y3)に
来た時照合度が100%になるのは第4図bの場合
と同様であるが、これ以外の位置で照合度が高く
なるものはなく、M2(x3,y3)は前の例に比べて
低い値となる。切出しパターン(x3,y3)は画像
60内でかなり特徴のあるパターンであると言え
る。なお、第4図a,b,cにおけるβ部分は切
出したパターン自身の部分であり、この部分は当
然類似パターン照合度M2の検出対象外である。
すべての切出しパターンに対する類似パターン照
合度M2のうち最も小さな値M2minを提供する切
出しパターンが画像60のなかで最も特徴のある
パターンであり、これを類似パターン検出回路8
3内のマスタ決定回路によりマスタパターンとす
れば、最も確実なパターンマツチングが処理が可
能となる。
既に本出願人により開示された前述の特願昭57
−113168においては、作業者が判断した切出しパ
ターンに対して前記類似パターン照合度M2の値
をチエツクM2<αであれば、この切出しパター
ンをマスタパターンにすることを認め、またM2
≧αの場合はこれを否認するだけで、こうして作
成されたマスタパターンは必ずしも本実施例のよ
うに他との類似性の最も低い最適なマスタパター
ンを提供できない。ここにαは許容類似度、例え
ば80%である。
−113168においては、作業者が判断した切出しパ
ターンに対して前記類似パターン照合度M2の値
をチエツクM2<αであれば、この切出しパター
ンをマスタパターンにすることを認め、またM2
≧αの場合はこれを否認するだけで、こうして作
成されたマスタパターンは必ずしも本実施例のよ
うに他との類似性の最も低い最適なマスタパター
ンを提供できない。ここにαは許容類似度、例え
ば80%である。
以上のように本実施例においては、従来作業者
が判断し、指示していたマスタパターンの作成を
自動的にかつ最適に行うことができ、高性能の全
自動ワイヤボンダ用パツドパターン位置認識装置
が実現できる。
が判断し、指示していたマスタパターンの作成を
自動的にかつ最適に行うことができ、高性能の全
自動ワイヤボンダ用パツドパターン位置認識装置
が実現できる。
本発明の第2の実施例が第5図および第6図を
用いて説明される。第1の実施例では切出しエリ
アのサイズはあらかじめ定められており、そのサ
イズにおいて最も特徴のあるパターンを検出し
た。第5図には本実施例におけるマスタパターン
作成回路8のブロツク回路図が示される。本実施
例においては第2図の回路に比べて、切出しサイ
ズ指示回路84および切出しサイズ決定回路85
が加えられたことが異なる。
用いて説明される。第1の実施例では切出しエリ
アのサイズはあらかじめ定められており、そのサ
イズにおいて最も特徴のあるパターンを検出し
た。第5図には本実施例におけるマスタパターン
作成回路8のブロツク回路図が示される。本実施
例においては第2図の回路に比べて、切出しサイ
ズ指示回路84および切出しサイズ決定回路85
が加えられたことが異なる。
切出しサイズ指示回路84は与えられたマスタ
サンプル画像に対して初期の切出しサイズ(第6
図のエリア65)を切出し回路81に指示する。
切出し回路81はこのサイズ65でマスタサンプ
ル画像内から順次エリアを切出していき、前記実
施例で示したように、この切出しサイズ65に対
する類似パターン照合度M2minを類似パターン
検出回路83が検出する。この類似パターン照合
度M2minは切出しサイズ決定回路85に転送さ
れる。
サンプル画像に対して初期の切出しサイズ(第6
図のエリア65)を切出し回路81に指示する。
切出し回路81はこのサイズ65でマスタサンプ
ル画像内から順次エリアを切出していき、前記実
施例で示したように、この切出しサイズ65に対
する類似パターン照合度M2minを類似パターン
検出回路83が検出する。この類似パターン照合
度M2minは切出しサイズ決定回路85に転送さ
れる。
次に切出しサイズ指示回路84は切出しサイズ
を次のサイズ66に変更し前記と同様の処理を行
う。この操作を順次行つていくと、切出しサイズ
決定回路85に第7図に示す如く、各切出しサイ
ズに対する類似パターン照合度M2minの値が得
られる。切出しサイズを複数回変え、この中で最
もM2minの小さいものに対応する切出しパター
ンをマスタパターンと決定する。このようにすれ
ば、画面内で最も他のパターンとの比較照合度の
低い、換言すれば最も特徴的なパターンの切出し
サイズを決定できる。ここで類似パターン照合度
M2minに対してマスタパターンとして許容でき
る値α%を設定しておけば、切出しサイズを順次
変更していつた時に得られるM2minの値がα%
を下回る値になつた場合の切出しサイズをマスタ
パターンサイズとして決定することができ、その
結果、マスタパターンのサイズの決定を迅速に行
うことができる利点が得られる。
を次のサイズ66に変更し前記と同様の処理を行
う。この操作を順次行つていくと、切出しサイズ
決定回路85に第7図に示す如く、各切出しサイ
ズに対する類似パターン照合度M2minの値が得
られる。切出しサイズを複数回変え、この中で最
もM2minの小さいものに対応する切出しパター
ンをマスタパターンと決定する。このようにすれ
ば、画面内で最も他のパターンとの比較照合度の
低い、換言すれば最も特徴的なパターンの切出し
サイズを決定できる。ここで類似パターン照合度
M2minに対してマスタパターンとして許容でき
る値α%を設定しておけば、切出しサイズを順次
変更していつた時に得られるM2minの値がα%
を下回る値になつた場合の切出しサイズをマスタ
パターンサイズとして決定することができ、その
結果、マスタパターンのサイズの決定を迅速に行
うことができる利点が得られる。
以上のように第2の実施例においては、従来一
律に指定されていたマスタパターンのサイズを定
量的に適正な値に、しかも自動的に決定できると
いう利点がある。
律に指定されていたマスタパターンのサイズを定
量的に適正な値に、しかも自動的に決定できると
いう利点がある。
本発明の第3の実施例のマスタパターン作成回
路8のブロツク回路図が第8図に示される。この
回路は第2図における回路に2次微分回路86お
よびピーク間隔チエツク回路87を付加したこと
を特徴とする。以下第9図および第10図を参照
して説明する。
路8のブロツク回路図が第8図に示される。この
回路は第2図における回路に2次微分回路86お
よびピーク間隔チエツク回路87を付加したこと
を特徴とする。以下第9図および第10図を参照
して説明する。
第9図および第10図の曲線71および76は
被認識パターン73または78にマスタパターン
74または79を重ねていつた場合のマスタパタ
ーンと被認識パターン部分との照合度のグラフ
(第4図a,b,cの曲線の一部分βに相当する)
である。第9図および第10図の曲線71および
76から判るように、被認識パターンおよびマス
タパターン内に横長の図形を多く含んでいる(第
9図)の場合にはx方向にマスタパターンを移動
した場合に得られる照合度グラフは緩やかな曲線
となる。しかし、第10図のように縦長の図形を
多く含んでいる場合には鋭い曲線となる。パター
ンマツチングによる位置認識の場合は、この曲線
が鋭い方が位置決め精度が向上する。すなわち、
第9図の曲線71のように緩やかな場合には、マ
ツチング位置のピークが不明確なため位置決定の
精度が低下する。
被認識パターン73または78にマスタパターン
74または79を重ねていつた場合のマスタパタ
ーンと被認識パターン部分との照合度のグラフ
(第4図a,b,cの曲線の一部分βに相当する)
である。第9図および第10図の曲線71および
76から判るように、被認識パターンおよびマス
タパターン内に横長の図形を多く含んでいる(第
9図)の場合にはx方向にマスタパターンを移動
した場合に得られる照合度グラフは緩やかな曲線
となる。しかし、第10図のように縦長の図形を
多く含んでいる場合には鋭い曲線となる。パター
ンマツチングによる位置認識の場合は、この曲線
が鋭い方が位置決め精度が向上する。すなわち、
第9図の曲線71のように緩やかな場合には、マ
ツチング位置のピークが不明確なため位置決定の
精度が低下する。
一方第9図および第10図の曲線72および7
7はマスタパターンをy方向に移動した場合の照
合度曲線である。この場合は曲線72は鋭く、曲
線77は緩やかとなる。前述のように、第9図の
パターンはy方向の位置決め精度は良いがx方向
が悪く、第10図のパターンは逆にx方向は良い
がy方向が悪く、結局両者共位置決め精度を向上
するためには適していないパターンであると言え
る。第11図に示すようなx方向、y方向共鋭い
曲線となるパターンが適正なパターンである。
7はマスタパターンをy方向に移動した場合の照
合度曲線である。この場合は曲線72は鋭く、曲
線77は緩やかとなる。前述のように、第9図の
パターンはy方向の位置決め精度は良いがx方向
が悪く、第10図のパターンは逆にx方向は良い
がy方向が悪く、結局両者共位置決め精度を向上
するためには適していないパターンであると言え
る。第11図に示すようなx方向、y方向共鋭い
曲線となるパターンが適正なパターンである。
第3の実施例においては、前述の適正、不適正
をチエツクするための手段として、第8図に示し
た2次微分回路86とピーク間隔チエツク回路8
7を備えている。この2つの回路の動作を第12
図a,b,cおよび第13図a,b,cを用いて
説明する。第12図aおよび第13図aは第9図
および第10図に示された照合度曲線(波形)で
ある。この曲線の鋭さをチエツクするために2次
微分回路86は第12図aおよび第13図aの曲
線に対して第12図cおよび第13図cに示すよ
うな2次微分曲線を作成する。第12図bおよび
第13図bはその中間段部の1次微分曲線が示さ
れる。この2次微分曲線はそれぞれ2つのピーク
を有しており、このピーク間隔laおよびlbは、も
との曲線(第12図aおよび第13図a)の鋭さ
を示すことになる。すなわち、この間隔la,lbを
ピーク間隔チエツク回路87でチエツクし、設定
許容値以下であれば、作成されたマスタパターン
は適正とし、もし許容値以上であれば、選択され
たマスタパターン以外の例えば類似パターン照合
度M2の次に小さい値をもつマスタパターンを採
用する。以上のように第3の実施例を用いれば、
位置決め精度のよいマスタパターンを作成できる
という効果がある。
をチエツクするための手段として、第8図に示し
た2次微分回路86とピーク間隔チエツク回路8
7を備えている。この2つの回路の動作を第12
図a,b,cおよび第13図a,b,cを用いて
説明する。第12図aおよび第13図aは第9図
および第10図に示された照合度曲線(波形)で
ある。この曲線の鋭さをチエツクするために2次
微分回路86は第12図aおよび第13図aの曲
線に対して第12図cおよび第13図cに示すよ
うな2次微分曲線を作成する。第12図bおよび
第13図bはその中間段部の1次微分曲線が示さ
れる。この2次微分曲線はそれぞれ2つのピーク
を有しており、このピーク間隔laおよびlbは、も
との曲線(第12図aおよび第13図a)の鋭さ
を示すことになる。すなわち、この間隔la,lbを
ピーク間隔チエツク回路87でチエツクし、設定
許容値以下であれば、作成されたマスタパターン
は適正とし、もし許容値以上であれば、選択され
たマスタパターン以外の例えば類似パターン照合
度M2の次に小さい値をもつマスタパターンを採
用する。以上のように第3の実施例を用いれば、
位置決め精度のよいマスタパターンを作成できる
という効果がある。
次に前述の第2の実施例における切出し回路8
1、切出しサイズ指定回路84、およびパターン
マツチング制御回路82の詳細について第14図
を用いて説明する。上述の回路は他の実施例にも
部分的に応用可能である。第14図は切出し回路
81、切出しサイズ指定回路84およびパターン
マツチング制御回路82のブロツク回路図であ
る。X切出し初期値レジスタ811およびY切出
し初期値レジスタ812は切出し領域の走査開始
点(図においては左上隅の点)の座標値を格納
し、Xアドレスカウンタ813およびYアドレス
カウンタ814へ、それぞれ情報を供給する。X
アドレスカウンタ813およびYアドレスカウン
タ814はフレームメモリ6に対してアドレスを
指定する。Xサイズレジスタ815およびYサイ
ズレジスタ816は、それぞれX方向およびY方
向の切出しサイズを前述のアドレスカウンタに指
定する。切出しサイズ指定回路84はXサイズカ
ウンタ841およびYサイズカウンタ842を具
備し、それぞれXサイズレジスタ815およびY
サイズレジスタ816に切出しサイズを指定する
情報を供給する。パターンマツチング制御回路8
2はフリツプフロツプ821を具備し、フリツプ
フロツプ821はYサイズレジスタ816からの
信号を受けてセツトされパターンマツチング回路
9へスタート信号を送り、パターンマツチング回
路9からの終了信号によりリセツトされる。
1、切出しサイズ指定回路84、およびパターン
マツチング制御回路82の詳細について第14図
を用いて説明する。上述の回路は他の実施例にも
部分的に応用可能である。第14図は切出し回路
81、切出しサイズ指定回路84およびパターン
マツチング制御回路82のブロツク回路図であ
る。X切出し初期値レジスタ811およびY切出
し初期値レジスタ812は切出し領域の走査開始
点(図においては左上隅の点)の座標値を格納
し、Xアドレスカウンタ813およびYアドレス
カウンタ814へ、それぞれ情報を供給する。X
アドレスカウンタ813およびYアドレスカウン
タ814はフレームメモリ6に対してアドレスを
指定する。Xサイズレジスタ815およびYサイ
ズレジスタ816は、それぞれX方向およびY方
向の切出しサイズを前述のアドレスカウンタに指
定する。切出しサイズ指定回路84はXサイズカ
ウンタ841およびYサイズカウンタ842を具
備し、それぞれXサイズレジスタ815およびY
サイズレジスタ816に切出しサイズを指定する
情報を供給する。パターンマツチング制御回路8
2はフリツプフロツプ821を具備し、フリツプ
フロツプ821はYサイズレジスタ816からの
信号を受けてセツトされパターンマツチング回路
9へスタート信号を送り、パターンマツチング回
路9からの終了信号によりリセツトされる。
第15図には第1ないし第3の実施例において
用いられる類似パターン検出回路83のブロツク
回路図が示される。パターンマツチング回路9か
らの照合度信号S92はコンパレータ831に供
給され同時にMaxレジスタ832にも供給され
る。コンパレータ831において照合度信号S9
2の内容AとMaxレジスタ832の内容Bが比
較され、A≧Bであればコンパレータ831から
Maxレジスタ832へラツチ信号が出されMax
レジスタ832へ信号S92の値Aが格納され
る。コンパレータ834においてMaxレジスタ
832の内容CとMinレジスタ833の内容Dと
が比較されC≦Dであればコンパレータ834か
らラツチ信号がMinレジスタ833へ出され、
Maxレジスタ832からのデータがMinレジス
タ833へ格納される。前述のM2minのデータ
はMinレジスタ833の内容として得られる。
用いられる類似パターン検出回路83のブロツク
回路図が示される。パターンマツチング回路9か
らの照合度信号S92はコンパレータ831に供
給され同時にMaxレジスタ832にも供給され
る。コンパレータ831において照合度信号S9
2の内容AとMaxレジスタ832の内容Bが比
較され、A≧Bであればコンパレータ831から
Maxレジスタ832へラツチ信号が出されMax
レジスタ832へ信号S92の値Aが格納され
る。コンパレータ834においてMaxレジスタ
832の内容CとMinレジスタ833の内容Dと
が比較されC≦Dであればコンパレータ834か
らラツチ信号がMinレジスタ833へ出され、
Maxレジスタ832からのデータがMinレジス
タ833へ格納される。前述のM2minのデータ
はMinレジスタ833の内容として得られる。
第16図には第1ないし第3の実施例において
用いられるパターンマツチング回路9のブロツク
回路図が示される。フレームメモリ6はメモリコ
ントロールにデータバツフアDBからの信号およ
びデコーダDCからの信号を受け制御されて、被
認識パターンのデータをシフトレジスタ91を介
して並列信号を直列信号に変換して、相関器−1
93および相関器−294のシフトレジスタ93
1および941に供給する。マスタパターンメモ
リ7のマスタパターンデータも同様にシフトレジ
スタ92を介してシフトレジスタ933および9
43に供給される。シフトレジスタ931および
941の出力とシフトレジスタ933および94
3の出力は排他的ノアゲート932および942
によつて1つずつ排他的論理和がとられ、加算器
951において加算される。これによりフレーム
メモリ6のパターンとマスタメモリ7のパターン
の各画素の照合の結果一致するものの数が得られ
る。パターンの1ラインについての加算結果が得
られると、その値はデータメモリ90に格納さ
れ、データメモリ90の内容はメモリコントロー
ル901によつて制御されてデータレジスタを介
して加算器952に加えられ、次の1ラインの照
合度の加算値(加算器951の出力)と加算され
る。該加算された値はデータメモリ90の値を更
新する。このようにしてデータメモリ90にはフ
レームメモリ6のパターンとマスタパターンとの
1フレームにおける照合度が得られる。該照合度
は信号S92として類似パターン検出回路83へ
送られる。またメモリコントロール901からは
走査位置信号S91が類似パターン検出回路83
へ送られる。
用いられるパターンマツチング回路9のブロツク
回路図が示される。フレームメモリ6はメモリコ
ントロールにデータバツフアDBからの信号およ
びデコーダDCからの信号を受け制御されて、被
認識パターンのデータをシフトレジスタ91を介
して並列信号を直列信号に変換して、相関器−1
93および相関器−294のシフトレジスタ93
1および941に供給する。マスタパターンメモ
リ7のマスタパターンデータも同様にシフトレジ
スタ92を介してシフトレジスタ933および9
43に供給される。シフトレジスタ931および
941の出力とシフトレジスタ933および94
3の出力は排他的ノアゲート932および942
によつて1つずつ排他的論理和がとられ、加算器
951において加算される。これによりフレーム
メモリ6のパターンとマスタメモリ7のパターン
の各画素の照合の結果一致するものの数が得られ
る。パターンの1ラインについての加算結果が得
られると、その値はデータメモリ90に格納さ
れ、データメモリ90の内容はメモリコントロー
ル901によつて制御されてデータレジスタを介
して加算器952に加えられ、次の1ラインの照
合度の加算値(加算器951の出力)と加算され
る。該加算された値はデータメモリ90の値を更
新する。このようにしてデータメモリ90にはフ
レームメモリ6のパターンとマスタパターンとの
1フレームにおける照合度が得られる。該照合度
は信号S92として類似パターン検出回路83へ
送られる。またメモリコントロール901からは
走査位置信号S91が類似パターン検出回路83
へ送られる。
発明の効果
本発明によれば、作業者の手をわずらわせるこ
となく、しかも最適なマスタパターン、すなわち
マスタ画像内で他のパターンとの比較照合度が最
も低い特徴的なマスタパターンを作成し、それに
より認識率の高いパターンマツチング方法および
装置を得ることができる。
となく、しかも最適なマスタパターン、すなわち
マスタ画像内で他のパターンとの比較照合度が最
も低い特徴的なマスタパターンを作成し、それに
より認識率の高いパターンマツチング方法および
装置を得ることができる。
第1図は本発明の第1の実施例としてのパター
ンマツチング方法および装置を用いた全自動ワイ
ヤボンダ用パツドパターン位置認識装置のブロツ
ク回路図、第2図は第1図の装置におけるマスタ
パターン作成回路のブロツク回路図、第3図は第
1図の装置のフレームメモリ内に格納された画像
の一例を示す図、第4図a,b,cは第3図の切
出しエリアと照合度の関係を説明する図、第5図
は本発明の第2の実施例におけるマスタパターン
作成回路のブロツク回路図、第6図は第5図の回
路を説明するためのマスタサンプル画像を示す
図、第7図は第5図の回路における各切出しサイ
ズと類似パターン照合度の関係の一例を示す特性
図、第8図は本発明の第3の実施例におけるマス
タパターン作成回路のブロツク回路図、第9図、
第10図および第11図はパターンの形状とマス
タパターンの移動方向による照合度曲線の相関を
説明する図、第12図a,b,cおよび第13図
a,b,cは第8図の回路を説明するための照合
度曲線の微分曲線を示す波形図、第14図は第5
図の回路における切出し回路、切出しサイズ指定
回路およびパターンマツチング制御回路のブロツ
ク回路図、第15図は第2図の回路における類似
パターン検出回路のブロツク回路図、および第1
6図は第2図の回路におけるパターンマツチング
回路のブロツク回路図である。 1…試料送り機構、2…マスタサンプル、3…
被認識サンプル、4…TVカメラ、5…A/D変
換回路、6…フレームメモリ、7…マスタパター
ンメモリ、8…マスタパターン作成回路、9…パ
ターンマツチング回路、10…制御回路、11…
ボンデイング機構、60…被認識パターンの画
像、61…ICチツプの画像、62…パツドの画
像、65,66,67…切出しエリア、81…切
出し回路、82…パターンマツチング制御回路、
83…類似パターン検出回路、84…切出しサイ
ズ指示回路、85…切出しサイズ決定回路、86
…2次微分回路、87…ピーク間隔チエツク回
路。
ンマツチング方法および装置を用いた全自動ワイ
ヤボンダ用パツドパターン位置認識装置のブロツ
ク回路図、第2図は第1図の装置におけるマスタ
パターン作成回路のブロツク回路図、第3図は第
1図の装置のフレームメモリ内に格納された画像
の一例を示す図、第4図a,b,cは第3図の切
出しエリアと照合度の関係を説明する図、第5図
は本発明の第2の実施例におけるマスタパターン
作成回路のブロツク回路図、第6図は第5図の回
路を説明するためのマスタサンプル画像を示す
図、第7図は第5図の回路における各切出しサイ
ズと類似パターン照合度の関係の一例を示す特性
図、第8図は本発明の第3の実施例におけるマス
タパターン作成回路のブロツク回路図、第9図、
第10図および第11図はパターンの形状とマス
タパターンの移動方向による照合度曲線の相関を
説明する図、第12図a,b,cおよび第13図
a,b,cは第8図の回路を説明するための照合
度曲線の微分曲線を示す波形図、第14図は第5
図の回路における切出し回路、切出しサイズ指定
回路およびパターンマツチング制御回路のブロツ
ク回路図、第15図は第2図の回路における類似
パターン検出回路のブロツク回路図、および第1
6図は第2図の回路におけるパターンマツチング
回路のブロツク回路図である。 1…試料送り機構、2…マスタサンプル、3…
被認識サンプル、4…TVカメラ、5…A/D変
換回路、6…フレームメモリ、7…マスタパター
ンメモリ、8…マスタパターン作成回路、9…パ
ターンマツチング回路、10…制御回路、11…
ボンデイング機構、60…被認識パターンの画
像、61…ICチツプの画像、62…パツドの画
像、65,66,67…切出しエリア、81…切
出し回路、82…パターンマツチング制御回路、
83…類似パターン検出回路、84…切出しサイ
ズ指示回路、85…切出しサイズ決定回路、86
…2次微分回路、87…ピーク間隔チエツク回
路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 マスタパターンを用意し、これと被認識パタ
ーンとを比較照合して、これら両者間の比較照合
度からマツチングの有無を得るパターンマツチン
グ方法において、 マスタサンプルを撮像し、撮像信号からあるサ
イズのパターンを順次切り出し、パターン相互間
の比較照合度が最小となるようなパターンを抽出
し、これをマスタパターンとし、 被認識パターンを撮像し、撮像信号から前記マ
スタパターンと同じサイズのパターンを順次切り
出し、前記マスタパターンと比較照合度が最大と
なる被認識パターンの部分を求め、該比較照合度
があるしきい値以上である時マツチング有と判定
することを特徴とするパターンマツチング方法。 2 前記マスタパターンの抽出は、所定のマスタ
パターンサイズに相当するエリアを前記マスタサ
ンプル撮像信号画像の端部から順次切り出し、1
つの基準パターンに対し他のパターンとの第1位
の類似パターンの比較照合度を求め、基準パター
ンを順次入れ換えて比較照合度を求めて比較照合
度の最小のパターンをマスタパターンと決定する
特許請求の範囲第1項に記載のパターンマツチン
グ方法。 3 前記所定のパターンサイズに相当するエリア
はそのサイズを順次変更させて異なるサイズの切
り出しパターンとする特許請求の範囲第2項に記
載のパターンマツチング方法。 4 前記第1位の類似パターンの比較照合度の決
定は前記照合度から照合度波形を求め、前記照合
度波形を2次微分し、前記2次微分波形のピーク
値間隔を測定し、前記測定値があるあらかじめ定
められた範囲内にあるような前記第1位の類似パ
ターンの比較照合度の最も小さい切り出しパター
ンを前記マスタパターンとする特許請求の範囲第
2項または第3項に記載のパターンマツチング方
法。 5 試料送り機構の上に載置されたサンプルを撮
像する撮像系、前記撮像系からの撮像信号をアナ
ログ−デイジタル変換するアナログ−デイジタル
変換回路、前記アナログ−デイジタル変換回路の
出力を受ける被認識パターンメモリ、前記被認識
パターンメモリに接続されたマスタパターン作成
回路、前記マスタパターン作成回路に接続された
マスタパターンメモリ、および前記被認識パター
ンメモリおよびマスタパターンメモリに接続され
たパターンマツチング回路を備えたパターンマツ
チング装置において、 前記マスタパターン作成回路に、前記被認識パ
ターンメモリ内から最も特徴のあるパターン部分
を検出し、前記検出されたパターン部分を前記マ
スタパターンメモリに格納するための特徴パター
ン検出回路を備え、 前記特徴パターン検出回路は、前記被認識パタ
ーンメモリから順次マスタパターンサイズに相当
するエリアのパターン信号を切出すための切出し
回路、各切出しエリア内の切出しパターン信号と
被認識パターンメモリ内のパターン信号との間で
比較照合度を計数するための前記パターンマツチ
ング回路を駆動するパターンマツチング制御回
路、パターンマツチング処理において前記各切出
しパターンに対する第1位の類似パターンおよび
比較照合度を検出する類似パターン検出回路、お
よび前記切出しパターンに対する第1位類似パタ
ーンの比較照合度のうち最も低い値をもつものを
検出し、前記検出された比較照合度に対応する切
出しパターンをマスタパターンとするマスタ決定
回路を具備することを特徴とするパターンマツチ
ング装置。 6 前記マスタ決定回路は、切出しエリアサイズ
を順次変更し、異なるサイズの切出しパターンに
対する比較照合度を求める回路を具備する特許請
求の範囲第5項に記載のパターンマツチング装
置。 7 前記特徴パターン検出回路は、各走査位置と
その位置に対する照合度から作られる照合度波形
を2次微分する2次微分手段および前記2次微分
波形のピーク値間隔を測定し、設定値と比較およ
び判定するピーク値間隔判定手段を具備する特許
請求の範囲第5項、または第6項に記載のパター
ンマツチング装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58100962A JPS59226981A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | パタ−ンマツチング方法および装置 |
EP84401153A EP0128820B2 (en) | 1983-06-08 | 1984-06-06 | Pattern matching method and apparatus |
DE8484401153T DE3484522D1 (de) | 1983-06-08 | 1984-06-06 | Verfahren und anlage zum mustervergleich. |
KR1019840003221A KR890002287B1 (ko) | 1983-06-08 | 1984-06-08 | 패턴 매칭방법 및 장치 |
US07/020,201 US4805224A (en) | 1983-06-08 | 1987-02-27 | Pattern matching method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58100962A JPS59226981A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | パタ−ンマツチング方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59226981A JPS59226981A (ja) | 1984-12-20 |
JPH0215102B2 true JPH0215102B2 (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=14287975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58100962A Granted JPS59226981A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | パタ−ンマツチング方法および装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4805224A (ja) |
EP (1) | EP0128820B2 (ja) |
JP (1) | JPS59226981A (ja) |
KR (1) | KR890002287B1 (ja) |
DE (1) | DE3484522D1 (ja) |
Families Citing this family (67)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3621056A1 (de) * | 1986-06-24 | 1988-01-14 | Polygram Gmbh | Verfahren zum ausrichten der drehlage von drehbaren oder positionieren von verschieblichen gegenstaenden |
JPS6346583A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-02-27 | Toshiba Seiki Kk | パタ−ン認識方法 |
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