JPS5922370B2 - 集積回路用マスクの位置合わせ方法 - Google Patents
集積回路用マスクの位置合わせ方法Info
- Publication number
- JPS5922370B2 JPS5922370B2 JP50075913A JP7591375A JPS5922370B2 JP S5922370 B2 JPS5922370 B2 JP S5922370B2 JP 50075913 A JP50075913 A JP 50075913A JP 7591375 A JP7591375 A JP 7591375A JP S5922370 B2 JPS5922370 B2 JP S5922370B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- mask
- alignment key
- integrated circuits
- key
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路の製造に於いて数回のフォトエッチン
グを行う場合のマスク位置合せ方法に関する。
グを行う場合のマスク位置合せ方法に関する。
従来、半導体装置、特に集積回路の製造において、拡散
マスクとして例えばＳｉＯ２などを選択的に除去する場
合、所望パターンの光透過領域或いは不透過領域を有す
る光マスクによりまず感光性樹脂被膜に所望パターンを
形成し、しかる後弗酸系溶液によりＳｉＯ２を蝕刻する
フォトエッチング方法が用いられている。
マスクとして例えばＳｉＯ２などを選択的に除去する場
合、所望パターンの光透過領域或いは不透過領域を有す
る光マスクによりまず感光性樹脂被膜に所望パターンを
形成し、しかる後弗酸系溶液によりＳｉＯ２を蝕刻する
フォトエッチング方法が用いられている。
集積回路の製造においては通常数回のフォトエッチング
を行うが、その際各回ごとにマスク位置合わせを行つて
いる。
を行うが、その際各回ごとにマスク位置合わせを行つて
いる。
このマスク位置合わせの為、アライメントキーが設けら
れておわ、このアライメントキーを合わせる事により、
各回のパターンや合わせていた。このパターン合せが確
実に、又、合わせずれを少くするため従来は、以下に述
べるようなアライメントキーが用いられている。
れておわ、このアライメントキーを合わせる事により、
各回のパターンや合わせていた。このパターン合せが確
実に、又、合わせずれを少くするため従来は、以下に述
べるようなアライメントキーが用いられている。
第１図は従来のマスク位置合わせ方法に使用するアライ
メントキーの構成図である。
メントキーの構成図である。
以下、図面を用いて従来のマスク位置合わせ方法につい
て説明する。
て説明する。
まず、光の不透過領域が残留するポジタイプフォトレジ
ストを用い、第１図ａに示す正方形（例えば一辺が２０
μｍ）の光不透過領域のアライメントキーを有する光マ
スクでパターンを形成し、ウェハー土のＳｉＯ２をフォ
トエッチングすれば、アライメントキーと同じ寸法の一
辺２０Ｉｔｍの正方形領域のＳｉＯ２が残留する。
ストを用い、第１図ａに示す正方形（例えば一辺が２０
μｍ）の光不透過領域のアライメントキーを有する光マ
スクでパターンを形成し、ウェハー土のＳｉＯ２をフォ
トエッチングすれば、アライメントキーと同じ寸法の一
辺２０Ｉｔｍの正方形領域のＳｉＯ２が残留する。
次に第１図ｂに示す一辺１８μｍの正方形の光不透過領
域のアライメントキーを有する光マスクを前記残留した
一辺２０μｍの正方形領域のＳｉＯ２に重ね、第１図ｃ
に示すようにそれぞれの正方形の各辺の間隔が等しくな
るように調整する。その後、露光、現像、エッチングを
行なつて一辺２０μｍの正方形のＳｉＯ２を形成する。
以下、同様に一辺１６μｍ、１４μｍ ・・・のアライ
メントキーを用いマスク合わせを行なえば第１図ｄに示
すようにウェハー上にＳｉＯ２が形成されることになる
。しかるに、上記マスク位置合わせ方法は、谷アライメ
ントキーの正方形のそれぞれの辺が等間隔になつている
かどうかを見て調整を行なつている為、精度の良いマス
ク位置合わせが出来ない。
域のアライメントキーを有する光マスクを前記残留した
一辺２０μｍの正方形領域のＳｉＯ２に重ね、第１図ｃ
に示すようにそれぞれの正方形の各辺の間隔が等しくな
るように調整する。その後、露光、現像、エッチングを
行なつて一辺２０μｍの正方形のＳｉＯ２を形成する。
以下、同様に一辺１６μｍ、１４μｍ ・・・のアライ
メントキーを用いマスク合わせを行なえば第１図ｄに示
すようにウェハー上にＳｉＯ２が形成されることになる
。しかるに、上記マスク位置合わせ方法は、谷アライメ
ントキーの正方形のそれぞれの辺が等間隔になつている
かどうかを見て調整を行なつている為、精度の良いマス
ク位置合わせが出来ない。
又−枚マスクを飛ばしても分からず、更に集積回路の完
成後写真等で何番目のマスクでどれだけマスク位置がず
れているかを調べるのも困難である。本発明は、上記問
題点を解決し、マスク位置合わせの精度を向上し、マス
ク合わせ順序を正しく認識でき、しかも集積回路の完成
後、マスク合わせのずれの検出、測定の容易なマスク位
置合わせ方法を提供する事を目的とする。以下、図面と
共に本発明の一実施例について説明する。
成後写真等で何番目のマスクでどれだけマスク位置がず
れているかを調べるのも困難である。本発明は、上記問
題点を解決し、マスク位置合わせの精度を向上し、マス
ク合わせ順序を正しく認識でき、しかも集積回路の完成
後、マスク合わせのずれの検出、測定の容易なマスク位
置合わせ方法を提供する事を目的とする。以下、図面と
共に本発明の一実施例について説明する。
第２図は本発明のマスク位置合わせ方法に使用するアラ
イメントキーの構成図である。
イメントキーの構成図である。
なお本実施例は拡散マスクとして例えばＳｉＯ２膜を、
光の不透過領域が残留する感光性樹脂すなわちポジタイ
プフオトレジストでフオトエツチングを行なう場合につ
いてである。
光の不透過領域が残留する感光性樹脂すなわちポジタイ
プフオトレジストでフオトエツチングを行なう場合につ
いてである。
まず第２図ｂに示す如く縦５μＭ，横２０μｍの長方形
で、５μｍの間隔をあけて並列に配置されたアライメン
トキー２，３を有する第１のマスクを使用してフオトエ
ツチングを行なう。
で、５μｍの間隔をあけて並列に配置されたアライメン
トキー２，３を有する第１のマスクを使用してフオトエ
ツチングを行なう。
次に第２図ａに示す如く、縦５μＭ，横２０μｍである
長辺１０，１１を有する長方形の第２のマスクを、前記
アライメントキー２，３の空隙部に嵌合させるとともに
それぞれの長辺２１，３０とアライメントキー１の長辺
１０，１１が直線上になるようにしてたとえば横方向を
調整する。しかるのち、縦方向も同様のアライメントキ
ーを用いて位置合せを行う。こうして直線上に調整され
た後、第２の光マスクを使用してフォトエッチングを行
なう。このように各アライメントキーの各長辺が一直線
状にあるかどうかにより光マスクを調整するのでマスク
位置合わせが確実、且つ容易である。なお、アライメン
トキー１とアライメントキー２，３の横方向の位置関係
は、第２図ｃの如く、各長辺１０，２１と１１，３０が
それぞれ重なつた状態であつても良い。なお、第２図ｂ
に示すように離れた状態では、位置合わせが良好に行な
うことができない。この場合には、基準となる線１４を
マスク位置合わせに使用する顕微鏡の接眼側に設け、こ
の線を基準としてマスク位置合わせを行なう等の特別の
くふうが必要であ抵あまり好ましい方法ではない。又、
この基準線を用いれば、アライメントキー１とアライメ
ントキー２，３とがたとえばズレた状態で光マスクが調
整されたとしても、第２図ｅに示す第３の光マスクのア
ライメントキー４の長辺４０，４１とアライメントキー
１の長辺１０，１１とを直線状になるよう第３の光マス
クを調整すればズレが累積されない。
長辺１０，１１を有する長方形の第２のマスクを、前記
アライメントキー２，３の空隙部に嵌合させるとともに
それぞれの長辺２１，３０とアライメントキー１の長辺
１０，１１が直線上になるようにしてたとえば横方向を
調整する。しかるのち、縦方向も同様のアライメントキ
ーを用いて位置合せを行う。こうして直線上に調整され
た後、第２の光マスクを使用してフォトエッチングを行
なう。このように各アライメントキーの各長辺が一直線
状にあるかどうかにより光マスクを調整するのでマスク
位置合わせが確実、且つ容易である。なお、アライメン
トキー１とアライメントキー２，３の横方向の位置関係
は、第２図ｃの如く、各長辺１０，２１と１１，３０が
それぞれ重なつた状態であつても良い。なお、第２図ｂ
に示すように離れた状態では、位置合わせが良好に行な
うことができない。この場合には、基準となる線１４を
マスク位置合わせに使用する顕微鏡の接眼側に設け、こ
の線を基準としてマスク位置合わせを行なう等の特別の
くふうが必要であ抵あまり好ましい方法ではない。又、
この基準線を用いれば、アライメントキー１とアライメ
ントキー２，３とがたとえばズレた状態で光マスクが調
整されたとしても、第２図ｅに示す第３の光マスクのア
ライメントキー４の長辺４０，４１とアライメントキー
１の長辺１０，１１とを直線状になるよう第３の光マス
クを調整すればズレが累積されない。
第３図は、本発明のマスク位置合わせ方法に使用するア
ライメントキーの他の実施例の構成図である。
ライメントキーの他の実施例の構成図である。
本実施例において使用されるアライメントキー５は第３
図ｂに示すように直線状の辺５２，５３と辺５４，５５
からなる空隙部と、辺５０，５１によ勺形成される凸部
とよ）形成される凹部とより構成されている。
図ｂに示すように直線状の辺５２，５３と辺５４，５５
からなる空隙部と、辺５０，５１によ勺形成される凸部
とよ）形成される凹部とより構成されている。
各光マスクの有するこのアライメントキー５を第３図ａ
に示すように辺５２，５３がそれぞれ一直線状になるよ
う光マスクを調整することにより、確実且つ容易にマス
ク位置合わせを行なう事ができる。
に示すように辺５２，５３がそれぞれ一直線状になるよ
う光マスクを調整することにより、確実且つ容易にマス
ク位置合わせを行なう事ができる。
第４図Ａ，ｂ，ｃはそれぞれ従来のアライメントキーを
用いた場合と、本発明の第１及び第２のアライメントキ
ーを用いた場合のマスク位置合わせに卦いて、アライメ
ントキーを一部縦方向にずらして調整された例を示して
いる。
用いた場合と、本発明の第１及び第２のアライメントキ
ーを用いた場合のマスク位置合わせに卦いて、アライメ
ントキーを一部縦方向にずらして調整された例を示して
いる。
図からも明らかな如く、従来のアライメントキーでは、
ほとんどずれを検出できず、一方、本発明の実施例にお
いては容易にずれを検出できることがわかる。以上、本
発明の詳細な説明の項で述べた如く、本発明によればマ
スク位置合わせの精度を向上しマスク合わせ順序を正し
く認識でき、しかも集積回路の完成後、マスク合わせの
ずれの検出、測定の容易なマスク位置合わせを行えるも
のである。
ほとんどずれを検出できず、一方、本発明の実施例にお
いては容易にずれを検出できることがわかる。以上、本
発明の詳細な説明の項で述べた如く、本発明によればマ
スク位置合わせの精度を向上しマスク合わせ順序を正し
く認識でき、しかも集積回路の完成後、マスク合わせの
ずれの検出、測定の容易なマスク位置合わせを行えるも
のである。
第１図ａ−ｄは従来のマスク位置合わせ方法に使用する
アライメントキーの構成図、第２図ａ〜ｅは本発明の一
実施例であるマスク位置合わせ方法に使用するアライメ
ントキーの構成図、第３図Ａ，ｂは本発明の他の実施例
であるマスク位置合わせ方法に使用するアライメントキ
ーの構成図、第４図ａは従来のマスク位置合わせ方法に
おけるアライメントキーの組立図、同図Ｂ，ｃは本発明
のマスク位置合わせ方法におけるアライメントキーの組
立図である。 １・・・アライメントキー、４・・・基準となる線、１
０，１１，２１，３０，４０，４１・・・長辺、５２，
５３・・・辺。
アライメントキーの構成図、第２図ａ〜ｅは本発明の一
実施例であるマスク位置合わせ方法に使用するアライメ
ントキーの構成図、第３図Ａ，ｂは本発明の他の実施例
であるマスク位置合わせ方法に使用するアライメントキ
ーの構成図、第４図ａは従来のマスク位置合わせ方法に
おけるアライメントキーの組立図、同図Ｂ，ｃは本発明
のマスク位置合わせ方法におけるアライメントキーの組
立図である。 １・・・アライメントキー、４・・・基準となる線、１
０，１１，２１，３０，４０，４１・・・長辺、５２，
５３・・・辺。
Claims (1)
- １ 直線状の辺と、空隙部を有する第１のアライメント
キーの前記空隙部に、凸部と直線状の辺を有する第２の
アライメントキーの前記凸部を嵌合させ、その際前記第
１のアライメントキーの直線状の辺と前記第２のアライ
メントキーの直線状の辺が一直線状になるようにするこ
とにより前記第１のアライメントキーと前記第２のアラ
イメントキーの位置合わせをすることを特徴とする集積
回路用マスクの位置合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50075913A JPS5922370B2 (ja) | 1975-06-20 | 1975-06-20 | 集積回路用マスクの位置合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50075913A JPS5922370B2 (ja) | 1975-06-20 | 1975-06-20 | 集積回路用マスクの位置合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51151073A JPS51151073A (en) | 1976-12-25 |
| JPS5922370B2 true JPS5922370B2 (ja) | 1984-05-26 |
Family
ID=13590031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50075913A Expired JPS5922370B2 (ja) | 1975-06-20 | 1975-06-20 | 集積回路用マスクの位置合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922370B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622764Y2 (ja) * | 1980-12-02 | 1987-01-22 | ||
| JPS62271427A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マスク位置合わせ方法 |
| JPS62271426A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マスク位置合わせ方法 |
| KR101250786B1 (ko) | 2006-06-30 | 2013-04-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반도체 장비의 스캔 구동방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5147028A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-22 | Fukuda Metal Foil Powder | Dodenseitoryo |
-
1975
- 1975-06-20 JP JP50075913A patent/JPS5922370B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5147028A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-22 | Fukuda Metal Foil Powder | Dodenseitoryo |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51151073A (en) | 1976-12-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3042639B2 (ja) | 半導体装置製造用フォトレティクル | |
| JP2988393B2 (ja) | 露光方法 | |
| JPS5922370B2 (ja) | 集積回路用マスクの位置合わせ方法 | |
| JPS5944827A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5928820A (en) | Method for measuring pattern line width during manufacture of a semiconductor device | |
| JP2007194357A (ja) | 重ね合わせマークおよびその製造方法 | |
| KR960002287B1 (ko) | 정렬/노광장치의 스텝핑 정밀도 측정방법 | |
| JP2975871B2 (ja) | 合わせマークの位置ずれ検査方法 | |
| KR20070038301A (ko) | 오버레이 측정마크 | |
| JP4023983B2 (ja) | パターン寸法検査方法及び画像認識補助パターン | |
| JPS59188648A (ja) | マスク合せキ− | |
| JP2676572B2 (ja) | フォトマスク | |
| JPS622764Y2 (ja) | ||
| JP4013727B2 (ja) | バーニアパターン及びそれを用いたマスク合わせ方法、パターン測長方法 | |
| JPH0555111A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6232783B2 (ja) | ||
| KR0161594B1 (ko) | 사진공정용 레티클 | |
| JP3111996B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0116281Y1 (ko) | 반도체 체조장치의 개량 마스크 | |
| JPS588132B2 (ja) | 集積回路製造方法 | |
| KR100270476B1 (ko) | 반도체 소자 제조용 얼라인 키 | |
| JPH0523490B2 (ja) | ||
| KR20090109352A (ko) | 오버레이 버니어 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법 | |
| JPH0770575B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100685597B1 (ko) | 반도체소자의 측정마크 및 그 형성방법 |