JPS59217696A - 液相結晶成長装置 - Google Patents
液相結晶成長装置Info
- Publication number
- JPS59217696A JPS59217696A JP9095783A JP9095783A JPS59217696A JP S59217696 A JPS59217696 A JP S59217696A JP 9095783 A JP9095783 A JP 9095783A JP 9095783 A JP9095783 A JP 9095783A JP S59217696 A JPS59217696 A JP S59217696A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- boat
- crystal growth
- rotary
- molten liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
- C30B19/064—Rotating sliding boat system
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は化合物半導体の液相結晶成長装置に係り、特に
、回転式の液相結晶成長装置に関するものである。
、回転式の液相結晶成長装置に関するものである。
液相結晶成長装置はその構成及び操作が比較的簡便なこ
と、得られる成長層の均一性や純度が高いこと等の理由
から、Ｉ−Ｖ族化合物半導体の膜形成に広く利用されて
おり、現在連続結晶成長及び三元素以上からなるヘテロ
エピタキシー等への応用が進み、ＧａＡｓ系、■ｎＰ等
の発光ダイオードや半導体レーザの優れた特性を実現さ
せるに到っている。これらの発光ダイオ−１や半導体レ
ーザの製造装置としては、スライド方式による液相結晶
成長装置、或いは回転式の液相結晶成長装置が現在使用
されている。
と、得られる成長層の均一性や純度が高いこと等の理由
から、Ｉ−Ｖ族化合物半導体の膜形成に広く利用されて
おり、現在連続結晶成長及び三元素以上からなるヘテロ
エピタキシー等への応用が進み、ＧａＡｓ系、■ｎＰ等
の発光ダイオードや半導体レーザの優れた特性を実現さ
せるに到っている。これらの発光ダイオ−１や半導体レ
ーザの製造装置としては、スライド方式による液相結晶
成長装置、或いは回転式の液相結晶成長装置が現在使用
されている。
第１図は従来のスライド方式のダゾルへテロエピタキシ
ャル膜の製造装置の断面図である。１はＧａＡａ基板、
２はグラファイト製のスライ）Ｓ昶−ド、３はグラファ
イト製の基板ホルダ、４゛は押し棒である。まだ、スラ
イｐｚ−１’２の融液溜９゜１０．１１．１２には各種
の融液９，１０，１１．１２が収容されている。
ャル膜の製造装置の断面図である。１はＧａＡａ基板、
２はグラファイト製のスライ）Ｓ昶−ド、３はグラファ
イト製の基板ホルダ、４゛は押し棒である。まだ、スラ
イｐｚ−１’２の融液溜９゜１０．１１．１２には各種
の融液９，１０，１１．１２が収容されている。
この装置では、例えばＧａＡｊ２Ａｓの結晶成長を行わ
せるには、この装置を収容した炉をヒータによってダラ
イド、’−Ｆ？ ２が９００℃となる迄昇温させ、融に
９．５〜８中のＧａＡｊ２Ａｓを十分融解させる。その
後基板ホルダ３を右に移動させ、その凹所に設置しであ
るＧａＡｓ基板１を融液５の下部に移行させ、ＧａＡｓ
基板］の上にＧａＡｆｉＡｓの融液５を被覆させ一定速
度で降温してｎ型ＧａＡＲＡｓを成長させる。
せるには、この装置を収容した炉をヒータによってダラ
イド、’−Ｆ？ ２が９００℃となる迄昇温させ、融に
９．５〜８中のＧａＡｊ２Ａｓを十分融解させる。その
後基板ホルダ３を右に移動させ、その凹所に設置しであ
るＧａＡｓ基板１を融液５の下部に移行させ、ＧａＡｓ
基板］の上にＧａＡｆｉＡｓの融液５を被覆させ一定速
度で降温してｎ型ＧａＡＲＡｓを成長させる。
つづいて基板ボルダ３を再び右にスライドさせ、上記ｎ
型ＧａＡｎＡｓの上に融液６を被覆させてＰ型Ｇ ａ
Ａ、 ４２ Ａ ｓを成長させる。
型ＧａＡｎＡｓの上に融液６を被覆させてＰ型Ｇ ａ
Ａ、 ４２ Ａ ｓを成長させる。
同様にして上記Ｐ型ＧａＡｆｌＡｓの上に融液７を被覆
させて再びＰ型ＧａＡＩＶ、Ａｓ層を成長させ、更にそ
の七に融液８で被覆してＰ型Ｇａ Ａｓ層を最上層に被
ｔ’ａ ＋成長させる。この装置は構造は簡単であるが
これらを収容する大形の炉を必要とし、基板ホルダ３の
動きが不円滑になり易い等の欠点をもっていた。
させて再びＰ型ＧａＡＩＶ、Ａｓ層を成長させ、更にそ
の七に融液８で被覆してＰ型Ｇａ Ａｓ層を最上層に被
ｔ’ａ ＋成長させる。この装置は構造は簡単であるが
これらを収容する大形の炉を必要とし、基板ホルダ３の
動きが不円滑になり易い等の欠点をもっていた。
第２図は従来の回転式液相結晶成長装置の垂直１祈而図
である。結晶成長の順序は第１図のスライド方式の場合
と同睡であるが、装置が縦型である・７ ノこめ
床面積が少なくてすむというメリットを有し、’＋？ｉ
帝に適している。この装置においては、まずＧａＡｓ基
板１を基板ホルダ１３の凹所に設置し、複数の縦孔をも
つ回転ダート１４を載せてその中心に回転棒１７を挿入
しその上端に一定した板に回転ダート１４接続する。回
転ボート１４のＧａＡｓ基板１の位置とは同一半径の距
離にある４本の縦孔は第１図の融液溜９〜１２に相当す
るものであり、これらはすべて石英反応管１６内に収容
されている。なお、この石英反応管１６にはガスの流入
、流出口が設けられて石英反応管１６内の雰囲気を調節
し、石英反応管１６の周囲は円筒形の加熱炉１５で包囲
している。上記雰囲気は材料の酸化を防止するために水
素ガス等が用いられる。
である。結晶成長の順序は第１図のスライド方式の場合
と同睡であるが、装置が縦型である・７ ノこめ
床面積が少なくてすむというメリットを有し、’＋？ｉ
帝に適している。この装置においては、まずＧａＡｓ基
板１を基板ホルダ１３の凹所に設置し、複数の縦孔をも
つ回転ダート１４を載せてその中心に回転棒１７を挿入
しその上端に一定した板に回転ダート１４接続する。回
転ボート１４のＧａＡｓ基板１の位置とは同一半径の距
離にある４本の縦孔は第１図の融液溜９〜１２に相当す
るものであり、これらはすべて石英反応管１６内に収容
されている。なお、この石英反応管１６にはガスの流入
、流出口が設けられて石英反応管１６内の雰囲気を調節
し、石英反応管１６の周囲は円筒形の加熱炉１５で包囲
している。上記雰囲気は材料の酸化を防止するために水
素ガス等が用いられる。
しかるに此の装置は成長層の厚さの均一性を得ることや
特性の制御の面で問題があった。即ち、単位時間当シの
成長層の厚みは融液の組成、例え ９ばＧａ中に溶は
込ませたＧａＡｓ０量や融液溜９付近の雰囲気の状態等
にょシ微妙な影響を受けて均一な製品を得ることが困難
である。製品の均一化を図るために原料材量を正確に抄
着し、成員時間を微妙に調節し、酸化防止の雰囲気を確
保する等の注意が必要であり、生産効率は低いという欠
点をもっていた。
特性の制御の面で問題があった。即ち、単位時間当シの
成長層の厚みは融液の組成、例え ９ばＧａ中に溶は
込ませたＧａＡｓ０量や融液溜９付近の雰囲気の状態等
にょシ微妙な影響を受けて均一な製品を得ることが困難
である。製品の均一化を図るために原料材量を正確に抄
着し、成員時間を微妙に調節し、酸化防止の雰囲気を確
保する等の注意が必要であり、生産効率は低いという欠
点をもっていた。
本発明は上記従来技術の欠点を解消し、エピタキシャル
層の厚さ及び組成を均一にして特性を揃え、滑動性の良
好な液相結晶成長装置を提供することを目的とし、その
特徴とするところは、回転目ミートを上下２段に形成し
、上段の回転テートのみの回転及び上下２段の回転デー
トの同時回転を可能にするごとく構成したことにある。
層の厚さ及び組成を均一にして特性を揃え、滑動性の良
好な液相結晶成長装置を提供することを目的とし、その
特徴とするところは、回転目ミートを上下２段に形成し
、上段の回転テートのみの回転及び上下２段の回転デー
トの同時回転を可能にするごとく構成したことにある。
第３図は本発明の一実施例である液相結晶成長装置の断
面図であり、第４図は第３図の装置の各部の平面図であ
る。ＧａＡｓ基板１を上面の凹所に収容した基板ホルダ
１３の上部には複数個の融液溜９等の孔を形成した下側
回転ｚ −ト１ ｓが同軸に設置され、この下側回転♂
−ト１８の上には更に上側回転ボート１９が同軸に設置
されている。
面図であり、第４図は第３図の装置の各部の平面図であ
る。ＧａＡｓ基板１を上面の凹所に収容した基板ホルダ
１３の上部には複数個の融液溜９等の孔を形成した下側
回転ｚ −ト１ ｓが同軸に設置され、この下側回転♂
−ト１８の上には更に上側回転ボート１９が同軸に設置
されている。
これら３部品の中心孔には上側回転棒２１と上側回転棒
２０とが同心に設置され、上側回転棒２１を回転させた
時は上側回転ｚ−ト１９が回転し、−ド側回転棒２０を
回転させると上側回転ｚ −ト１９も一緒に回転する。
２０とが同心に設置され、上側回転棒２１を回転させた
時は上側回転ｚ−ト１９が回転し、−ド側回転棒２０を
回転させると上側回転ｚ −ト１９も一緒に回転する。
即ち、下側回転ｚ−ト１ｇと上側回転ｚ−４１９とを任
意に回転させることが可能となる。
意に回転させることが可能となる。
第４図に示すごとく、基板ホルダ１３にはＧａＡｓ基板
１を収容した矩形の凹所が設けられ、下側回転ｚ−ト１
ｇには５本の矩形孔ａ −ｅが設けられ、上側回転ｚ
−） １９には５本の矩形孔ａ′〜ｅ′が設けられ、上
記ＧａＡ ｓ基板１の凹所と下側回転ボート１８の矩形
孔及び上側回転ｚ−４１９の矩形孔との位置は合致する
よダになっている。
１を収容した矩形の凹所が設けられ、下側回転ｚ−ト１
ｇには５本の矩形孔ａ −ｅが設けられ、上側回転ｚ
−） １９には５本の矩形孔ａ′〜ｅ′が設けられ、上
記ＧａＡ ｓ基板１の凹所と下側回転ボート１８の矩形
孔及び上側回転ｚ−４１９の矩形孔との位置は合致する
よダになっている。
第５図、第６図及び第７図は第３図の液相結晶成長装置
の操作状態を示す図である。第５図は上側回転ボート１
９の融液溜ａ′と下側回転ダート１８の融液溜ａとを合
致させた状態で、この時は各融液溜に融液５の原料を入
れる。次に、第６図のように上側回転ｚ−ト１９を矢印
方向に回動させた状態である。また、第７図は第６図の
状態から上側回転ｚ−トｔ９と下側回転Ｚ−Ｚ８とを一
緒に矢印方向に回動させ、ＧａＡｓ基板１の上面に融液
溜ａを移動させて融液５をＧ ａ Ａ ｓ基板１に接触
させだ状態である。なお、これらを収容する眠気炉内の
温度は結晶成長温度より僅かに上昇させてその温度での
ＧａＡｓ飽和融液としている。
の操作状態を示す図である。第５図は上側回転ボート１
９の融液溜ａ′と下側回転ダート１８の融液溜ａとを合
致させた状態で、この時は各融液溜に融液５の原料を入
れる。次に、第６図のように上側回転ｚ−ト１９を矢印
方向に回動させた状態である。また、第７図は第６図の
状態から上側回転ｚ−トｔ９と下側回転Ｚ−Ｚ８とを一
緒に矢印方向に回動させ、ＧａＡｓ基板１の上面に融液
溜ａを移動させて融液５をＧ ａ Ａ ｓ基板１に接触
させだ状態である。なお、これらを収容する眠気炉内の
温度は結晶成長温度より僅かに上昇させてその温度での
ＧａＡｓ飽和融液としている。
とのＧａＡ、ｓ飽和融液はＧａＡｓ基板１に飽和量だけ
ＧａＡｓを心は込捷せる。更に上側回転目？−ト１９と
下側回転ボート１８を同時に矢印方向に回転させると、
融液溜すがＧａＡｓ基板１と接触して再びＧａＡｓを溶
は込ませる。このようにして順次に融液をＧａＡｓ基板
１に溶は込寸せて結晶を成長させる。
ＧａＡｓを心は込捷せる。更に上側回転目？−ト１９と
下側回転ボート１８を同時に矢印方向に回転させると、
融液溜すがＧａＡｓ基板１と接触して再びＧａＡｓを溶
は込ませる。このようにして順次に融液をＧａＡｓ基板
１に溶は込寸せて結晶を成長させる。
ＧａＡｓ基板１の組成は成長させる結晶の融点、格子定
数、熱膨張率等により適切なものが選定される。通常成
長させる結晶がＧａＡｓ 、 ＧａＡ４Ａｓ系の場合に
はＧａＡｓ基板が用いられ、成長させる結晶がＩｎＰや
ＧａＩｎＡｓ等の場合にはＩｎＰ基板を用いると良好な
結晶を得易い、其の他、■ｎＳｂ基板等も用いることが
できる。また、成長温度は成長させる結晶の組成によっ
て異なるが、ＧａＡｓ系では７５０℃〜１１００℃、Ｇ
ａＡ４Ａｓ系では７５０℃〜１２００℃、ＩｎＰ系では
５５０℃〜９００℃で良好な薄膜結晶が得られた。
数、熱膨張率等により適切なものが選定される。通常成
長させる結晶がＧａＡｓ 、 ＧａＡ４Ａｓ系の場合に
はＧａＡｓ基板が用いられ、成長させる結晶がＩｎＰや
ＧａＩｎＡｓ等の場合にはＩｎＰ基板を用いると良好な
結晶を得易い、其の他、■ｎＳｂ基板等も用いることが
できる。また、成長温度は成長させる結晶の組成によっ
て異なるが、ＧａＡｓ系では７５０℃〜１１００℃、Ｇ
ａＡ４Ａｓ系では７５０℃〜１２００℃、ＩｎＰ系では
５５０℃〜９００℃で良好な薄膜結晶が得られた。
次に上記の装置を用いた実験例について述べることにす
る。
る。
実験例（１）、２０ Ｘ ２０ Ｘ ０．５ｍｍの寸法
で［００）面を有するｎ−ＧａＡｓ基板を基板支持台に
設置し、第１の融液溜にＧａ ４０ ｊｉｇ、 ＧａＡ
ｓ ５Ｐ、ＸＴｅ １７ｎ９を入れ、第２の融液溜には
Ｇａ ４０ ｙ、 ＧａＡｓ ７ ｙ。
で［００）面を有するｎ−ＧａＡｓ基板を基板支持台に
設置し、第１の融液溜にＧａ ４０ ｊｉｇ、 ＧａＡ
ｓ ５Ｐ、ＸＴｅ １７ｎ９を入れ、第２の融液溜には
Ｇａ ４０ ｙ、 ＧａＡｓ ７ ｙ。
Ａｎｔｏｏｑを入れたグラフアイ）・治具を透明石英管
の中にセットし水素ガスを流し乍ら９００℃に加熱した
。この９００℃の加熱を３時間行って融液が十分に均一
な組成となってか、ら石英製の下側回転棒２１を回転さ
せて上側回転ｚ−ト１８を第６図に示す如く回動させ、
次に第７図に示すごとく融液をＧａＡｓ基板１に接触さ
せて２０分間結晶を成長させる。基の後下饅回転棒２０
を回転させて第２の融液と１０分間接触させて成長させ
る。最後に下側回転棒２０を回転させて融液とＧａＡｓ
基板１との接触を断ち成長を終了させて冷却させた。
の中にセットし水素ガスを流し乍ら９００℃に加熱した
。この９００℃の加熱を３時間行って融液が十分に均一
な組成となってか、ら石英製の下側回転棒２１を回転さ
せて上側回転ｚ−ト１８を第６図に示す如く回動させ、
次に第７図に示すごとく融液をＧａＡｓ基板１に接触さ
せて２０分間結晶を成長させる。基の後下饅回転棒２０
を回転させて第２の融液と１０分間接触させて成長させ
る。最後に下側回転棒２０を回転させて融液とＧａＡｓ
基板１との接触を断ち成長を終了させて冷却させた。
この装置を収容した醒気炉が冷却した後に成長した結晶
を取り出したところ、ＧａＡｓ基板１上部にＧａＡｓ層
２０ μ、ＧａＡｆｉＡｓ層１５μの層全１５μ覆させ
ることができだ。これに亜鉛を拡散してｐ −−ｎ接合
し太陽電池を作成したところ５ｍ’Ｗ／ｃｍ２の出力が
得られた。なお、この装置の床面積は間口１．２ｙｎ、
奥行１．２ｍで、その設置床面積は１．４４ｍ２である
。
を取り出したところ、ＧａＡｓ基板１上部にＧａＡｓ層
２０ μ、ＧａＡｆｉＡｓ層１５μの層全１５μ覆させ
ることができだ。これに亜鉛を拡散してｐ −−ｎ接合
し太陽電池を作成したところ５ｍ’Ｗ／ｃｍ２の出力が
得られた。なお、この装置の床面積は間口１．２ｙｎ、
奥行１．２ｍで、その設置床面積は１．４４ｍ２である
。
上記実施例と比較するために第１図の装置を用いて次の
実ｊ倹を行った。
実ｊ倹を行った。
実験例（２）、１０Ｘ１０Ｘ０．５ｍｍの寸法のｎ−Ｇ
ａＡｓ基板１上に実験例（１）と同様にＧａＡｓ 、
ＧａＡｆｉＡｓ結晶を成長させた。特性上は実験例（１
）と同じ（５ｍＷ／ｃｍ２の出力が港られだが、融液支
持台であるスライｒｓ；−４２の形状を大きくしても最
大２０Ｘ２０ Ｘ ０．５ ＋ｎｍ寸法の基板を得るの
が限度であった。
ａＡｓ基板１上に実験例（１）と同様にＧａＡｓ 、
ＧａＡｆｉＡｓ結晶を成長させた。特性上は実験例（１
）と同じ（５ｍＷ／ｃｍ２の出力が港られだが、融液支
持台であるスライｒｓ；−４２の形状を大きくしても最
大２０Ｘ２０ Ｘ ０．５ ＋ｎｍ寸法の基板を得るの
が限度であった。
この時の床面積は間口１．８７７１．、奥行０．９ｍで
、設置床面積は１．６２７７Ｚ２であった。
、設置床面積は１．６２７７Ｚ２であった。
次に本実施例の第３図の装置を用いて製作した多層成長
結晶の購造を表示する。
結晶の購造を表示する。
本実施例の液相結晶成長装置は、融液溜を形成した回転
ゼ〜トを上下２部分として夫々回転可能とし、最下段の
基板ホルダに設置したＧａＡｓ基板上に順次に輸液を接
触させることによって、任意の組成の腹数の結晶層をＧ
ａＡｓ基板上に形成させることができる。したがって、
従来の回転式結晶成長装置に比べて結晶組成の調節が精
密に可能であると共にぐ生産能率を向上させることがで
きるという効果をもっている。
ゼ〜トを上下２部分として夫々回転可能とし、最下段の
基板ホルダに設置したＧａＡｓ基板上に順次に輸液を接
触させることによって、任意の組成の腹数の結晶層をＧ
ａＡｓ基板上に形成させることができる。したがって、
従来の回転式結晶成長装置に比べて結晶組成の調節が精
密に可能であると共にぐ生産能率を向上させることがで
きるという効果をもっている。
一ヒ記実施列は１枚の基板上に結晶を順次に成長させる
ものであるが、基板の大きさを調節して適当な位置に複
数枚設置し、回転ゼートの融・液溜の位置と数を調節す
ることによシ、同時に２枚以上の基板に結晶を成長させ
ることも可能である。
ものであるが、基板の大きさを調節して適当な位置に複
数枚設置し、回転ゼートの融・液溜の位置と数を調節す
ることによシ、同時に２枚以上の基板に結晶を成長させ
ることも可能である。
本発明の液相結晶成長装置は、従来困難であった多層結
晶成長の調節が精密となり、比較的小形に構成できる。
晶成長の調節が精密となり、比較的小形に構成できる。
また、その操作法や加熱・冷却法が容易であるので量産
性が向上する等の効果が得・２ られる。
性が向上する等の効果が得・２ られる。
第１図は従来のスライド方式のダブルへテロエピタキシ
ャル膜の製造装置の断面図、第２図は従来の回転式液相
結晶成長装置の垂直断面図、第３図は本発明の一実施例
である液相結晶成長装置の断面図、第４図は第３図の装
置の各部の平面図、第５図、第６図及び第７図は第３図
の液相結晶成長装置の操作状態を示す図である。 １ ・ＧａＡｓ基板、２・・スライド方式ト、３・・・
基板ホルダ、４・・・押し棒、５〜８・・・融液、９〜
１２・・・融液溜、１３・・・基板ホルダ、１４・・回
転ホード、１５・・加熱炉、１６・・・石英反応管、１
７・回転棒、１８ ・下側回転Ｎ−１，１９・・・上側
回転トート、２０・下側回転棒、２１ ・上側回転棒。 第 １ 図 第 Ｚ 図 看 豫４日
ャル膜の製造装置の断面図、第２図は従来の回転式液相
結晶成長装置の垂直断面図、第３図は本発明の一実施例
である液相結晶成長装置の断面図、第４図は第３図の装
置の各部の平面図、第５図、第６図及び第７図は第３図
の液相結晶成長装置の操作状態を示す図である。 １ ・ＧａＡｓ基板、２・・スライド方式ト、３・・・
基板ホルダ、４・・・押し棒、５〜８・・・融液、９〜
１２・・・融液溜、１３・・・基板ホルダ、１４・・回
転ホード、１５・・加熱炉、１６・・・石英反応管、１
７・回転棒、１８ ・下側回転Ｎ−１，１９・・・上側
回転トート、２０・下側回転棒、２１ ・上側回転棒。 第 １ 図 第 Ｚ 図 看 豫４日
Claims (1)
- １、 化合物半導体の基板を上面に設置した基板ホルダ
と、この基板ホルダの上面に回転自在に設置して複数個
の縦孔を形成した回転昶−トと、これらの雰囲気を還元
ガスで満して加熱する手段とを有し、上記回転セードを
回転させて上記縦孔に収容した各種化合物半導体の融液
膜で上記基板を順次に被覆する液相結晶成長装置におい
て、上記回転セードを上下２段に形成し、上段の回転セ
ードのみの回転及び上下２段の回転セードの同時回転を
可能にすることく構成したことを特徴とする液相結晶成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9095783A JPS59217696A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 液相結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9095783A JPS59217696A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 液相結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59217696A true JPS59217696A (ja) | 1984-12-07 |
Family
ID=14012964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9095783A Pending JPS59217696A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 液相結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59217696A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5144478A (ja) * | 1974-10-14 | 1976-04-16 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS5144870A (ja) * | 1974-10-15 | 1976-04-16 | Sharp Kk | Ekisoseichoyobooto |
| JPS51140561A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Fujitsu Ltd | Liquid phase epitaxial growing method |
| JPS5440234A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-29 | Daido Steel Co Ltd | Method of operating apparatus for continuous anneal and acid clean of metal strips |
-
1983
- 1983-05-24 JP JP9095783A patent/JPS59217696A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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