JPS59217202A - 高密度磁気記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高密度でしかも高精度に記録、再生の行える
新規な磁気記録方法に関する。

従来の磁気記録装置には、記録を記録媒体の長手方向に
記録する水平記録装置と、記録媒体の磁性層の厚さ方向
に記録する垂直記録装置とがある。

第１図（ａ）は従来の水平記録装置の一例の概略図、第
１図（ｂ）は記録媒体を説明するための概略図である。

水平記録装置は、記録媒体１とリングヘツド２とから構
成される。

記録媒体１は、基板３とヘツド２に接する面に設けられ
る磁性層４とから成る。

磁性層４は、第１図（ｂ）に示す如く、長さｌ、厚さｄ
の磁石上にＮ極（＋）とＳ極（−）が、Ｎ極とＮ極、Ｓ
極とＳ極とを突き合わせて並べた形になつている。

第１図（ｂ）に示した長さＡ−Ａ′部分が第１図（ａ）
の磁性層４として示してある。

リングヘツド２は、リング型磁心５と、信号の入力端子
６、７を有するコイル８とから成る。

この装置における記録は、入力端子６、７に外部より入
力する入力信号に応じ、リングヘツド２の磁心の空隙９
から生じるフラツクス１０により、記録媒体１の走行方
向Ｖに磁化力を変化させて行われる。

従来の水平記録装置は第１図（ｂ）に示した距離ｌを短
くすればする程、要するに記録密度を増そうとすればす
る程、減磁作用の影響が多くなる大きな欠点を有してい
る。

第２図（ａ）は、従来の垂直記録装置の一例の概略図、
第２図（ｂ）は記録媒体を説明するための概略図である
。

垂直記録装置は、一例をあげると記録媒体１１と主磁極
１２、補助磁極１３とから構成される。

記録媒体１１は、基板１４と磁性層１５とから成る。

磁性層１５は、水平方向記録の場合と異り、磁石を媒体
面に垂直に立て、Ｎ極とＳ極とが交互に表面にでるよう
並べた形になつている。

第２図（ｂ）に示した長さＢ−Ｂ′部分が第２図（ａ）
の磁性層１５として示してある。

この装置において、水平記録装置のリングへツドの空隙
（第１図（ａ）の９）は、軟磁性薄膜の短冊（厚み１μ
ｍ以下）でできた主磁極１２に置き換えられている。

主磁極１２は、非磁性体によつて保持される。

補助磁極１３は、主磁極１２に対向しく設けられ、入力
端子１６、１７を有するコイル１８を外部に有し形成さ
れている。

記録の際、記録媒体１１は、その磁性層１５が主磁極１
２に接触して図中矢印Ｖ方向に移動するが、この時補助
磁極１３からの励磁によつて生じた主磁極１２の垂直磁
界１９で、信号は磁性層１５に、その厚さ方向に記録さ
れる。

従つて、この装置における記録は、隣り合う磁石（信号
）同士には全て吸引か働き、減磁作用をＯにする利点を
有しているが、主磁極１１、補助磁極１３間か離れてい
るので、その距離に応じて、電流を多く流す必要が生じ
たり、更に実用の際磁性層１５は、内部にＦｅ−Ｎｉ膜
、パーマロイ層を０．５μｍ程度を必要とする等の大き
な欠点を有している。

第３図は、従来の垂直記録装置の他の一例の概略図であ
る。

この装置は、記録媒体２１、主磁極２２、補助磁極２３
とから構成されるが、第２図（ａ）に示した例と異り、
主磁極２２、補助磁極２３が、記録媒体２１に対向して
おらず、記録媒体２１の一方の面方向に両方共設けられ
ている。

記録媒体２１は、基板２４の一方の側面に磁性層２５、
その上にＦｅ−Ｎｉ膜２６を有し形成される。

磁性層２５は、第２図（ｂ）に示した磁性層１５と同様
、Ｎ極とＳ極とが交互に表面にでるように並べた形状、
即ち垂直異方性を有する如く形成される。

この例に示した装置の特徴は、第１図（ａ）に示した水
平記録装置用のリングヘツド２とほぼ同じ構成であるが
水平記録用のものより空隙２７（第１図（ａ）では９）
を広く（≒１５μｍ）しており、かつ主磁極２２の膜厚
を補助磁極２３に比較してずつと薄くしてあることにあ
る。この構造のものは、コイル２８を有する主磁極２２
の先端部の記録媒体２１の面に垂直な磁界成分が急峻に
なる利点を有する共に、Ｆｅ−Ｎｉ膜２６をヘツドの一
部として積極的に利用している。つまり、記録媒体２１
のＦｅ−Ｎｉ膜２６が主磁極２２と補助磁極２３間の磁
路２９になり、磁束は主磁極２２の下に集まる。

補助磁極２３の下では、磁束が広がつくいるので、ここ
で記録、再生が行われることはないがトラツクを逆方向
に移動させて記録させることはできない欠点を有してい
る。

前記従来の磁気記録方式に対して、本発明は全く異なる
新規の記録方式を提案し、記録密度の倍増、多トラツク
での優位性等を実現した。

本発明の動作原理は磁気テープや磁気デイスク等の記録
トラツクに情報を記録する際、第５図に示す様にトラツ
クに走行方向に対し直角方向に磁化を行う様に磁気ヘツ
ドが設置される。従つて磁化パターンは第４図に示す様
にトラツク走行方向を横切る形状でならび又、記録媒体
の磁化膜層の下に高透磁率層を配置することにより垂直
方向にも磁化される。

従来の水平記録方式において記録密度を高めるために磁
石の長さを短かくした場合（第１図（ｂ）Ａ−Ａ′）、
減磁界が大きくなつてしまい、それを解決する為にはト
ラツク幅を狭く、又、膜厚を薄く、かつ抗磁力を大きく
する必要がありこの事は技術的にも又、材料の抗磁力の
点でも限界があり、従つて記録密度を上げるには限界が
あつた。

本発明の磁化構造にすると磁石の長さは走行トラツクの
幅方向及び垂直方向になる為上記の欠点が全く無視でき
る利点を有している。ストラツク走行方向に対して直角
方向に磁界が閉磁路を形成して記録する為、マルチトラ
ツクを形成した場合、各トラツク間の相互干渉は極端に
少ない。例えば１トラツク１００μｍ程度の幅で構成し
た場合、マルチトラツク走行面が１ｃｍであれば１００
以上のチヤンネル数を構成でき走行方向の磁化区分は０
．５μｍ以下の幅で記録できることから１ｃｍ２当り２
００００００ビツト以上の記録ができる特徴を有する。

又水平記録方式で記録密度の限界が生じる為、前記説明
した垂直磁化記録方式が提案されている。垂直磁化記録
方式の垂直ヘツドとしては記録媒体をはさむ形で構成さ
れる補助磁極励磁型、補助磁極付き主磁極励磁型等があ
り特に補助磁極励磁型（第２図（ａ））は主磁極に高透
磁率材料を使用することで再生感度を上げ高記録密度を
達成しているが、この方式は記録媒体をはさむ構造（開
磁路）であるため磁気テープやフロツピーデイスク用と
しては有力であるがハードデイスク装置には使用できな
い。又磁気テープやフロツピーデイスクの強度を増す為
基板層を厚くした場合にも使用が困難となる。又マルチ
トラツク記録方式には開磁路を形成している為相互干渉
が起り非常に使用しにくい欠点を有している。

これに比較して本発明は上面より垂直磁化、又水平直角
方向磁化を閉磁路で行うため叙上の欠点は全くなく、又
閉磁路を構成することによりマルチトラツク記録方式に
はすぐれた特性を示す。

又垂直磁化記録方式では第３図に示す如く上面より記録
媒体の高透磁率層を磁気ヘツドの一部として使用し裏面
に補助磁極を置かずに垂直磁化を行う方式が提案されて
いるが、この場合トラツクの進行方向に対して磁束が形
成されるためトラツクの進行方向が一方向に限定され逆
方向に記録することはできない欠点を有している。

これに対し本発明に於いては磁束はトラツク進行方向に
対し直角方向に形成される為、進行方向に対し無関係に
高密度で記録できる利点を有している。

第５図は本発明の一実施例である。トラツク走行方向に
対して直角方向に磁界を発生する磁気ヘツドが設置され
記録媒体は第４図に示す様にＣｏ−Ｃｒ膜などの磁化膜
４０にＮｉ−Ｆｅ（パーマロイ）層などの高透磁率層４
１を裏打ちしてある。この高透磁率層４１はＮｉ、Ｆｅ
の外にＭｏ、Ｍｎ、Ｃｒ等を加えたスーパーパーマロイ
等を使用すれば透磁率はさらに向上し磁化膜４０の磁化
がさらに良好となる。又高透磁率層の有しない媒体の場
合媒体の裏面に同作用を行うパーマロイ等の高透磁率で
形成される補助磁極を置けば垂直磁化ができる。磁気ヘ
ツドは２つの主磁極Ａ４３、及びＢ４４から構成され、
磁束は主磁極Ａ４３より記録媒体の磁化膜４０、高透磁
率層４１を通過し再度磁化膜４０を通つて主磁極Ｂ４４
へつながり閉磁路を構成する。又当然この逆の径路でも
構成される。

従つて記録媒体上の磁化膜４０には第４図に示される如
く垂直方向に＋、−の対の極が、又、トラツク走行方向
水平成分の直角方向にも＋、−の対の極が記録される。

この主磁極ＡとＢとの間際は非常に狭く構成することが
でき、２つの主磁極は磁束が集中した状態で閉磁路を構
成する為単位断面積当りの磁束密度が非常に大きく、従
つて再生時の検出電圧も非常に大きい利点をもつ。又記
録媒体の裏面に補助磁極を設け垂直磁化を大きくとるこ
ともできる。この実施例の具体的製造方法等は後の実施
例で詳しく説明する。

主磁極の断面はトラツク走行方向に対し長い形状であつ
ても又、逆に走行方向に対し短かい形状であつても良い
。

トラツク走行方向に対し短かい形状の主磁極でマルチヘ
ツドを構成すると第６図に示す如くとなりのトラツクの
磁束に各々が影響しない程度に重複させながら配置がで
きる。このことは各トラツク間の距離を縮める事ができ
尚一層高密度化が可能となる。又、各主磁極対は閉磁路
で構成される為、トラツク間同志の影響は非常に少ない
。

第７図は片方の主磁極の代りに断面積の大きい補助磁極
を使用した一例である。この場合トラツク走行方向水平
成分には一つの極だけが記録され、垂直磁化記録だけと
なる。しかし従来の垂直磁化方式とは異なりトラツクの
進行方向がどちらでも記録が可能である。第８図は主磁
極を補助磁極の両側に設置した例の平面図である。この
場合磁化媒体には第４図で示した構造とは異なり第９図
の様に、水平成分方向には同極が記録される。従つて再
生出力電圧は非常は大きな値が得られる。

第１０図は第８図の構造をマルチトラツクに構成した例
の平面図である。この場合に於いても各主磁極と補助磁
極は閉磁路で構成される為、隣りのトラツクの主磁極が
防接しても影響は起らない特徴をもつ。

第１１図はマルチトラツクの場合の記録及び再生の一回
路実施例である。本発明は前述した様に各トラツクの分
離にすぐれており、又非常に多くのトラツク数を構成で
きることから、記録媒体の走行方向にはトラツク移動、
又直角方向へは順次記録が電気的に行う事が可能であり
、任意の位置に信号を記録でき、走行方向及び直角方向
でのマトリツクス記録ができる。逆方向への記録、再生
ができるのも言うまでもない。

本発明の磁気記録再生装置に使用する磁気へツドについ
て説明する。第１２図は、磁気テープあるいは磁気デイ
スクの進行方向に直角な方向に２主磁極からなるヘツド
が多数配列されたマルチヘツドの先端部の構造が示され
ている。

非磁性材料基板、たとえば融溶石英基板あるいはガラス
基板１２１上に設けられた２つの主磁極１１１、１１２
により記録・再生は行なわれる。主磁極対の数は、対象
となる磁気テープや磁気デイスクの寸法及び所望の記録
チヤンネル数から決定する。図中の矢印は、磁気テープ
や磁気デイスクの進行方向を示している。主磁極間のギ
ヤツプｇ、主磁極の進行方向厚さｄ、幅Ｗ及び各ヘツド
間の間隔ｌは、それぞれ所望の値に設計する。１２２は
、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）法等により堆積されるＳｉＯ２である。あ
るいは、比較的低温で硬化する樹脂、たとえばポリイミ
ド樹脂のようなものでもよい。

第１２図に示された２主磁極マルチヘツドを上から見た
時のヘツドの平面図を第１３図に示す。ヘツド１個分の
平面図が第１３図には示されている。主磁極１１１、１
１２は図に示されているように、いわばリング状に磁性
材料１１３によつてつながつている。１１１、１１２、
１１３は通常同一の材料で形成される。記録時の起磁力
が小さくできて、かつ再生電圧が大きくできるためには
、この材料は特に飽和磁束密度Ｂｓが大きくかつ初透磁
率μｉの高いことが要求される。通常、Ｃｕ−Ｍｏパー
マロイ膜あるいはＣｏ−Ｚｒアモルフアス膜等である。

Ｃｕ−Ｍｏパーマロイ膜のＢｓは６０００Ｇａｕｓｓ、
μｉは２６００、抗磁力Ｈｃは０．１０ｅ、最大透磁率
μｍａｘ１３０００である。一方、Ｃｏ−Ｚｒアモルフ
アス膜では、Ｂｓ＝１３０００Ｇａｕｓｓ、Ｈｃ＝０．
１２０ｅ、μｉ＝４０００、μｍａｘ＝７５００である
。Ｆｅ−Ｎｉ系パーマロイにＭｏ、Ｃｒ、Ｍｕ等を少量
添加したスーパーパーマロイの初透磁率はさらに大きく
なる。スーパーパーマロイ膜も当然主磁極材料として使
用できる。主磁極１１１、１１２に直接接触する形で、
ベース材料の上に高透磁率材料すなわちパーマロイある
いはスーパーパーマロイ、もしくはＣｏ−Ｚｒアモルフ
アス等の薄膜を設け、更にその上に、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ
−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｖ等の垂直磁気異方性を有す
る材料の薄膜が設けられた磁気テープや磁気デイスクは
配置されるわけである。第１３図で点線で示される１１
４は、主磁極薄膜１１１、１１２、１１３の下にＳｉＯ
２等の絶縁層を介して設けられているＡｌ等の金属配線
である。

実線で示されている１１５は、主磁極薄膜１１１、１１
２、１１３上に、ＳｉＯ２等の絶縁層薄膜を設けその上
に設けられたＡｌ等の金属配線である。上下２層の金属
配線は主磁極材料薄膜の外部の重なつた部分１１６……
１１７……でコンタクトホールを通して接触している。

第１３図では、リング状主磁極に２１ターンのコイルが
巻かれた構造になつている。寸法の概略を次に記述する
。磁気テープ、磁気デイスクの進行方向記録密度を高く
するためには、主磁極薄膜の厚さｄは薄い程望ましい。

たとえば、０．１μｍ〜数μｍ程度に設定する。再生電
圧を数１０μＶから数１００μＶにするためには、主磁
極の幅Ｗは数１．０μｍから数１００μｍ程度必要であ
る。記録密度を高くするためには当然、この幅は小さい
方が望ましい。磁気デイスクのように横振れのない装置
にあつては、検出系の増幅器能力さえ高くすれば、主磁
極の幅Ｗは、小さくする方が、記録密度が上つて望まし
い。磁気テープにおいても、横振れを少なくするような
機械系にすれば、主磁極の幅を小さくする程トラツク数
が増して、記録密度は高くなる。垂直磁荷をほぼ飽和さ
せる起磁力として、本発明の装置では、殆んど完全な閉
磁路系となるため、０．１５〜０．２Ａターン程度あれ
ば、十分である。第１３図に示すように２１ターンのコ
イルが主磁極に巻かれていれば、コイルに流れる電流は
最大１０ｍＡ程度で十分である。金属配線にＡｌを用い
た場合には、マイグレーシヨンを考えるとＡｌ配線中の
最大許容電流密度は１×１０５Ａ／ｃｍ２程度である。

従つて、第１３図で主磁極に巻かれる部分のＡｌの幅付
６μｍ、厚さ２μｍのものを用いている。１０ｍＡ流れ
た時のＡｌ中の電流密度は８×１０４Ａ／ｃｍ２である
。ヘツド部への電流導入部のＡｌ配線の幅は略々１５μ
ｍ程度、厚さ２μｍ程度になされている。第１３図での
主磁極の幅Ｗは略々５０μｍ、ギヤツプは略々１μｍで
ある。リング状磁性薄膜の幅は略々１５μｍである。ギ
ヤツプはもちろん１μｍより狭くすることもできる。こ
れらの値は、もちろんそれぞれ所望の値に設定できる。

主磁極の厚さ１μｍのこのヘツドで、記録媒体のスーパ
ーパーマロイ高透磁率層の厚さ１μｍ、Ｃｏ−Ｃｎ垂直
磁荷磁性層の厚さ０．５μｍに構成された記録媒体を用
いることにより、１００μＶ程度の再生電圧が得られて
いる。

金属配線１１４、１１５はヘツドの主磁極導入部まで幅
広く形成されている。抵抗値を小さくするためである。

金属配線１１４、１１５はその上部で記録信号発生器及
び再生電圧増幅器にそれぞれ接続されている。記録時に
比較的大きな起磁力を要求されるために、第１３図から
も分るように、励磁用コイルの配線電極が幅広になる。

これは主として、金属のマイグレーシヨンから沢まる。

さらに、小さなへツドにしたりする場合には、マイグレ
ーシヨンが起こる許容電流の大きいＡｌ−Ｃｕ金属を用
いたりすればよい。やや高価にはなるがＡｕを用いれば
、マイグレーシヨンの起こる最大許容電流はＡｌにくら
べて１桁大きくなる。すなわち、微細化ヘツドには最適
である。第１２図、第１３図で示されるヘツドの構造は
ほんの一例である。リング状主磁極の構造は、いわば閉
磁路になればいいわけで、どんな形状にでもできる。ま
た、巻線も、第１３図に示されるものに限らない。

リング状主磁極に巻き付く構造であれば何でもよい。取
り出し配線１１４、１１５はリング状ヘツドの外側に配
置させた。さらに高密度にへツドを詰め込む時には、金
属の４層配線を用いれば、取り出し配線１１４、１１５
をリング状主磁極の上下に配置できるようになる。

第１３図で、隣接するヘツドの取り出し配線は第１３図
の配線１１４、１１５にすぐ隣接させればよい。電気的
絶縁が確保されていればよい。

その他のヘツドの構造を次に説明する。第１４図乃至第
１６図はヘツドの先端構造である。

いずれも、非磁性材料１０３の中に主磁極１０１、１０
２、１０５若しくは補助磁極１０４が埋込まれている。

主磁極、補助磁極材料はすでに述べたような高透磁率材
料により形成される。いずれの図においても、矢印は磁
気テープ或いは磁気テイスクの走行方向を示す。第１４
図では、同じ寸法の主磁極が対向している。もちろん紙
面垂直方向で主磁極１０１、１０２はリング状に接続さ
れており、コイルが必要巻数、巻かれている。図示され
た、寸法ｌ１、ｌ２、ｄ１、ｇ１、Ｗ１はそれぞれの目
的に応じて設計すればよい。第１４図のヘツドを上下方
向に多数重ねれば、第１２図と同じ、マルチへツドにな
る。

第１５図の構造は、主磁極の一方の面積が大きくなされ
たものであり、それを一応補助磁極１０４と呼ぶ。主磁
極１０１と補助磁極が紙面垂直方向でリング上に接続さ
れコイルが巻かれる状況は同じである。この例では、主
として記録は、主磁極１０１で行なわれる。第１４図の
例では、１０１、１０２のいずれもが書き込みを行なつ
たわけである。第１５図で、主磁極１０１の上方にも補
助磁極を設けることもある。

いわば左右の方向に見るとＥ字型になつているわけであ
る。コイルがそれぞれに巻かれることはいうまでもない
。

逆に、補助磁極１０４の上下に主磁極１０１、１０５を
設けたものが第１６図である。１０１と１０４、１０５
と１０４はそれぞれれリング状に接続される。この場合
は、互いの信号が相手方に漏れる可能性がある。

いずれにしても、基本的動作は第１２図、第１３図のも
のと同様である。

次に第１２図、第１３図のマルチへツドの製造の一例を
簡単に述べる。

融溶石英基板（２００〜５００μｍ厚）を用いた場合に
ついて説明する。十分に洗浄して汚染層を無くした後、
Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｕ等の金属を蒸着、スパツタリン
グ、ＣＶＤ（プラズマＣＶＤ、光励起ＣＶＤ含む）、或
いは無電解メツキ、光照射による溶液からのプレーテイ
ング等で石英板上に堆積する。溶液からのレーザプレー
テイングなどの場合には、パターンを持つたプレーテイ
ングが行なえる。全面金属を堆積した場合には、通常の
フオトリソグラフ工程により、第１３図の点線で示され
た取り出し電極及びコイル巻線用一層目のパターンを残
して、他はエツチングで除去する。そのままレジストを
金属配線上に残して、光励起ＣＶＤによりＳｉＯ２膜を
金属膜と同じ厚さ堆積する。例えば、ソースガスにＳｉ
Ｈ４、Ｎ２Ｏを用いる場合には、同時に水銀蒸気をソー
スガスに添加して、外部から低圧水銀ランプの２５３７
．５Åを照射するとＨｇガスが励起状態に励起され、励
起されたＨｇ分子がＮ２Ｏと反応して、酸素ラデイカル
を発生させ、この酸素ラデイカルがＳｉＨ４と反応して
、ＳｉＯ２が堆積する。この光励起ＣＶＤでは、５０℃
〜１５０℃程度の基板温度で比較的良好なＳｉＯ２が得
られる。

この後、レジストをエツチングすると、ソフトオフによ
りレジスト上のＳｉＯ２膜も取れてしまうから、金属膜
とＳｉＯ２ＣＶＤ膜は殆んど平担になる。この状態の上
に、さらにＳｉＯ２膜をＣＶＤで堆積する。厚さは０．
２μｍ程度から２μｍ程度の間任意に選べばよい。この
厚さが薄い程、記録電流は小さく、再生電圧は大きい。

このＣＶＤは、既に述べた光励起ＣＶＤでもよいが、Ｓ
ｉＨ４とＯ２系の通常のＣＶＤでもよい。３００〜３５
０℃程度の基板温度で十分良好な膜質のＳｉＯ２膜が得
られる。０．２μｍの厚さで、その耐圧電界は８×１０
６Ｖ／ｃｍを越えている。さらに、このＳｉＯ２膜の上
に、所要の高透磁率を持つ主磁極材料例えば、パーマロ
イ膜、スーパーパーマロイ膜、Ｃｕ−Ｃｏパーマロイ膜
、Ｃｏ−Ｚｎアモルフアス膜を通常高周波スパツタリン
グ法で堆積する。場合によつてい蒸着で付けることもで
きる。フオトレジストを塗布し、通常のフオトリソグラ
フイ工程により不必要な部分の高透磁率膜をエツチング
する。膜厚は、０．１μｍ〜３μｍ程度、所要の厚さに
すればよい。パターニングされた高透磁率膜上のレジス
トをそのまま残して、再び光励起ＣＶＤによりＳｉＯ２
膜を高透磁率膜と同じたけ堆積する。レジストを除去す
るとソフトオフによりレジスト上のＳｉＯ２も除去され
、高透磁率層とＳｉＯ２層表面には殆んど凹凸がなく平
担である。さらに、その上にＳｉＯ２膜をＣＶＤ或いは
光励起ＣＶＤにより所要の厚さ堆積する。０．１〜１μ
ｍ程度のうち、必要な値を選べばよい。フオトリソグラ
フ工程で、下地のＡｌとのコンタクトが取れるように、
ＳｉＯ２膜にコンタクトホールをエツチングで設けてあ
いてから、Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ等の金属を前述した方法で
堆積する。フオトリソグラフ工程で不必要な部分のＡｌ
をエツテングしてしまえば第１３図に示されるようなパ
ターンが得られる。さらに、その上にＳｉＯ２のＣＶＤ
膜を堆積したりすればよい。他の樹脂膜等を使うことも
有効である。

ここでは、絶縁膜はＳｉＯ２の場合を述べた。基板がＳ
ｉＯ２なので、熱膨張係数が一致し大変に具合がよい。

他のものを使うことも可能である。

ここで説明してきたように、マルチへツドの製法ははぼ
完全なセルフアライン工程で行え、かつほとんど平担面
を常に確保しながらのプロセスであるため、微細化が極
めて行い易い。ＶＬＳＩレベルの微細化技術の導入によ
りヘツドの大きさを数μｍレベルにすることも十分行な
える。特に、既に説明したように、ヘツドを多層に構成
すれば、マルチへツドの密度は十分に高くでき、かつ、
記録再生時の特性を十分良好に保つことができる。要す
るに十分特性の良好な集積化マルチヘツドが容易に作れ
るのである。

以上に記述してきたように、ベース材に少なくとも一層
の薄い磁化膜層を備えた記録媒体に、トラツク走行方向
に直角な水平面内方向に記録し、再生するようになした
ものであり、特に集積化マルチヘツドを用いた時には極
めて高密度の記録が行えて、その工業的価値は高い。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は水平記録装置の従来例、（ｂ）は水平記
録方式による磁化パターン、第２図（ａ）は垂直記録装
置の従来例、（ｂ）は垂直記録方式による磁化パターン
、第３図はリングヘツド構造による垂直記録装置の従来
例、第４図は本発明による記録媒体の磁化パターン、第
５図は本発明の一実施例、第６図は本発明を用いたマル
チヘツド構造の一実施例、第７図は補助磁極を使用した
一実施例、第８図は２主磁極、１補助磁極方式の一実施
例、第９図は２主磁極、１補助磁極方式による磁化パタ
ーン例、第１０図は補助磁極を用いたマルチトラツク構
造の一実施例、第１１図はマルチトラツク構造の記録、
再生回路の一実施例、第１２図は２主磁極マルチへツド
の先端構造、第１３図は２主磁極マルチヘツドを構成す
る一つのヘツドの平面図、第１４図は２主磁極補助磁極
方式ヘツドの先端構造、第１６図は２主磁極、補助磁極
方式ヘツドの先端構造を示す図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 記録媒体が少くとも一層の磁化膜より構成され上記記録
   媒体の記録トラツクの進行方向の水平面上の直角方向に
   磁化するように磁気ヘツドを設置し、上記記録媒体の記
   録トラツク走向方向を上記磁気へツトより出力される磁
   束が横切る形状で上記記録媒体に記録することを特徴と
   する高密度磁気記録方法。