JPS5921598A - カ−ボン部材の純化処理方法 - Google Patents
カ−ボン部材の純化処理方法Info
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- JPS5921598A JPS5921598A JP57130826A JP13082682A JPS5921598A JP S5921598 A JPS5921598 A JP S5921598A JP 57130826 A JP57130826 A JP 57130826A JP 13082682 A JP13082682 A JP 13082682A JP S5921598 A JPS5921598 A JP S5921598A
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- Japan
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- purification
- tube
- carbon
- treatment
- heating
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
;’(/−=i i、i、燐化力I) !7 ノ、(G
aP )、filL化ガリウl、(GaAs )などの
IIl、−V族化合物半導体素子の形成に際しては、出
発Hf・Iとなるl1l−V族゛1″導体基板士に1ビ
タキンヤル層を、成長させることが不可欠であり、この
エビタへ−ン−・ル成長時にボートが心安とされる。寸
だ、ボートは血1熱t4gに富み、し7かも高純度でな
けれQ」]ならず、これを形成−4゛るための部材とし
で、カーボッ部材が広く用いらJlでいる。
aP )、filL化ガリウl、(GaAs )などの
IIl、−V族化合物半導体素子の形成に際しては、出
発Hf・Iとなるl1l−V族゛1″導体基板士に1ビ
タキンヤル層を、成長させることが不可欠であり、この
エビタへ−ン−・ル成長時にボートが心安とされる。寸
だ、ボートは血1熱t4gに富み、し7かも高純度でな
けれQ」]ならず、これを形成−4゛るための部材とし
で、カーボッ部材が広く用いらJlでいる。
本発明は、この上うシこ、高純度であることが9求され
る分野でJ’l’Jいられるカーボン部イ」を゛高純度
化するだめの、高純度処理方法に関する。
る分野でJ’l’Jいられるカーボン部イ」を゛高純度
化するだめの、高純度処理方法に関する。
元来例の構成表問題点
エビタギンヤル成長におし′)て、トナーやフ′クセフ
リと(7て種々の不純物がドーピングさJLl、)。−
そして、このエビタギシャル成長上稈でしト一般にカー
ボンが用いられる。ところが、ボ 1・の形成部4Nで
あるカーボンには不純物に対しで、jfliい吸危作J
月があり、この/拉め、カーボンホー1−&;[エビタ
ギンA・ル成長中にこれらの不純物乞・多早G′(′吸
危シ゛る1、ところでカーボンボートはエビタギノート
ル成J(1程でくり返して使用されるものであり、そ−
の純l′し。
リと(7て種々の不純物がドーピングさJLl、)。−
そして、このエビタギシャル成長上稈でしト一般にカー
ボンが用いられる。ところが、ボ 1・の形成部4Nで
あるカーボンには不純物に対しで、jfliい吸危作J
月があり、この/拉め、カーボンホー1−&;[エビタ
ギンA・ル成長中にこれらの不純物乞・多早G′(′吸
危シ゛る1、ところでカーボンボートはエビタギノート
ル成J(1程でくり返して使用されるものであり、そ−
の純l′し。
処理が不汁分であると、次に成長するエビタキ/ヤル層
が汚染され、得られる半導体素−rの特性り:大きな影
響を受ける。
が汚染され、得られる半導体素−rの特性り:大きな影
響を受ける。
たとλ−ば、窒素(N)ドープGaP(緑色)発光ダイ
勇−ド(LED)あるいはGaAsP (黄色)LE
Dはn層のドナー濃度金低丁させる程、発光出力は向l
二する1、し2かし、カーボンボートの純化処理が不十
分でドナー不純物が残っていると、低ドナー濃度のエピ
タギン′ヤル層の成長は不OJ能であり、LEDの発光
出力は低重する。寸たブクセグタ不純物が残っていた場
合には、このアクセグタ不純物によっ−(n層の一部が
p層に反転する特性不良が発生する。
勇−ド(LED)あるいはGaAsP (黄色)LE
Dはn層のドナー濃度金低丁させる程、発光出力は向l
二する1、し2かし、カーボンボートの純化処理が不十
分でドナー不純物が残っていると、低ドナー濃度のエピ
タギン′ヤル層の成長は不OJ能であり、LEDの発光
出力は低重する。寸たブクセグタ不純物が残っていた場
合には、このアクセグタ不純物によっ−(n層の一部が
p層に反転する特性不良が発生する。
このように、エピタキンヤル成長においては、カーボン
ボートの純化処理が必要不可欠となる6、従来←j、こ
の純化処理のために、抵抗加熱炉内でカーボンボート全
熱処理する方法が採用されてい/こ。この方法で&j、
石英テー−ゾが直接加熱されるグこめ、熱処理温度ケ石
英の融点(約1200°C)以−ヒには」−げることが
できず、純化処理効果は小さがった。このため、熱処理
を水素中、貞をど中あるいQ−j、・・ロダンガス中で
長時間にわ/(−)−C屏1−2、力=−ボンボートヲ
−純化し−rいろ1、この方法−ご仁j純化処l′ll
′に時間がかかり、4′1業1′1か蓄るに〈川hiす
る。。
ボートの純化処理が必要不可欠となる6、従来←j、こ
の純化処理のために、抵抗加熱炉内でカーボンボート全
熱処理する方法が採用されてい/こ。この方法で&j、
石英テー−ゾが直接加熱されるグこめ、熱処理温度ケ石
英の融点(約1200°C)以−ヒには」−げることが
できず、純化処理効果は小さがった。このため、熱処理
を水素中、貞をど中あるいQ−j、・・ロダンガス中で
長時間にわ/(−)−C屏1−2、力=−ボンボートヲ
−純化し−rいろ1、この方法−ご仁j純化処l′ll
′に時間がかかり、4′1業1′1か蓄るに〈川hiす
る。。
4に石英チ・・−ゾヶ直接加熱−するkめ、石ゲ・−か
らのシリコン(81)7′’j染かili’;&lらノ
I−4、このンリコ/の汚ψ・に起因した!持↑41−
劣fL、 fう+/1−t−る問題イ、あ−)ン′ら) 発明の1−1的 本発明は1ノ−ボ2・ボー) A、にのカーボン部イー
」に1吸着され/C不純物を冗全に除去する占とも((
−、イ1英からのソリコン汚染をなり一部゛るこJ:か
てき、特に高靜[i/隻な玉ビタキンヤ/L層台−1戊
成ず乙/(−+V’、1のカホンボ−1・の純化処理に
好適なカーボン部()の純化側」]1方法金(に供する
もの−Cある0、発明の(74成 本発明のカーボン部Hの純f1:処理力法で(・」、I
If米1−Jわれでいた、抵抗加熱力式V(二よ乙ツノ
11熱処jljにかえて、力−ツ、゛ン部月のみ栄選1
1〈的((υ11熱ず6 (とのできる高周波誘導加熱
方式な一採用し、この加熱方式によるカーボン部Hの加
熱処理を真空中あるいは減圧中で施J゛ことが行われる
。この方法によJl、ば、抵抗加熱方式のように石英チ
ューブ全重接、jJII熱することかないため、加熱処
理温度を石英の融点百−超える温度に設定することがi
jJ能となり、純化効率を・高めることができるばかり
でなく、6妊−・−ブの加熱幅度が低Fすることにより
、石英チ・・−ブからのノリコンの汚染を太幅Vこ低下
させることか−Cきる6、また、真空中あるいは減圧中
で力11熱処理がなされる/こめ、不純物の蒸発が容易
になり、カーボン部拐の奥深くに吸着されている不純物
を除去することもできる。
らのシリコン(81)7′’j染かili’;&lらノ
I−4、このンリコ/の汚ψ・に起因した!持↑41−
劣fL、 fう+/1−t−る問題イ、あ−)ン′ら) 発明の1−1的 本発明は1ノ−ボ2・ボー) A、にのカーボン部イー
」に1吸着され/C不純物を冗全に除去する占とも((
−、イ1英からのソリコン汚染をなり一部゛るこJ:か
てき、特に高靜[i/隻な玉ビタキンヤ/L層台−1戊
成ず乙/(−+V’、1のカホンボ−1・の純化処理に
好適なカーボン部()の純化側」]1方法金(に供する
もの−Cある0、発明の(74成 本発明のカーボン部Hの純f1:処理力法で(・」、I
If米1−Jわれでいた、抵抗加熱力式V(二よ乙ツノ
11熱処jljにかえて、力−ツ、゛ン部月のみ栄選1
1〈的((υ11熱ず6 (とのできる高周波誘導加熱
方式な一採用し、この加熱方式によるカーボン部Hの加
熱処理を真空中あるいは減圧中で施J゛ことが行われる
。この方法によJl、ば、抵抗加熱方式のように石英チ
ューブ全重接、jJII熱することかないため、加熱処
理温度を石英の融点百−超える温度に設定することがi
jJ能となり、純化効率を・高めることができるばかり
でなく、6妊−・−ブの加熱幅度が低Fすることにより
、石英チ・・−ブからのノリコンの汚染を太幅Vこ低下
させることか−Cきる6、また、真空中あるいは減圧中
で力11熱処理がなされる/こめ、不純物の蒸発が容易
になり、カーボン部拐の奥深くに吸着されている不純物
を除去することもできる。
実施例の説明
本発明の純化処理方法全可能にするカーボン部(・4の
純化処理装置の概略図を第1図iQ”:小才。図示する
ようにカーボン部拐の純化処理ツノ八は、石英チューブ
1、この外周全包囲して設けられた高周波コイル2、石
英チ=−−プの開[」端金閉塞するフランジ3、不1英
チユーブ1の一方の端に繋るU[気パイプ4、同排気パ
イプに繋るξ′先りとボ/ゾ51らひVこ3 )5−フ
ックらとで(j4成さf’L −r it”す、純化処
理が施さiするカーボン部I(拐7 tj、断熱体に、
Lつ−C石莢−y−」−グ1とは熱的に絶縁さ!1′7
−111置さ7t−7−いる0、との」、つ(・(溝成
Δh、i(−純化処理装置をIllいる本発明の純化処
理力法てt−11、イIφ−J−7−ブ1がUll熱さ
!Iることはなく、この中に西1冒6″さt1/7−ノ
ルーホ゛/′部(′A7のみが加熱さ71る6、し2k
か−)−(、抵j)1カ11熱ノjIい1′よイ)従来
の純化処理ツノ2)、−(′問題とる一部たイ1英ブニ
・−−−プ1からのンl) 、777の蒸定か効果的い
:抑月さIt z、Nl c−ろとlす、ノリコン・汚
染/jハ(1剣ぐ、”l;((二減少する。
純化処理装置の概略図を第1図iQ”:小才。図示する
ようにカーボン部拐の純化処理ツノ八は、石英チューブ
1、この外周全包囲して設けられた高周波コイル2、石
英チ=−−プの開[」端金閉塞するフランジ3、不1英
チユーブ1の一方の端に繋るU[気パイプ4、同排気パ
イプに繋るξ′先りとボ/ゾ51らひVこ3 )5−フ
ックらとで(j4成さf’L −r it”す、純化処
理が施さiするカーボン部I(拐7 tj、断熱体に、
Lつ−C石莢−y−」−グ1とは熱的に絶縁さ!1′7
−111置さ7t−7−いる0、との」、つ(・(溝成
Δh、i(−純化処理装置をIllいる本発明の純化処
理力法てt−11、イIφ−J−7−ブ1がUll熱さ
!Iることはなく、この中に西1冒6″さt1/7−ノ
ルーホ゛/′部(′A7のみが加熱さ71る6、し2k
か−)−(、抵j)1カ11熱ノjIい1′よイ)従来
の純化処理ツノ2)、−(′問題とる一部たイ1英ブニ
・−−−プ1からのンl) 、777の蒸定か効果的い
:抑月さIt z、Nl c−ろとlす、ノリコン・汚
染/jハ(1剣ぐ、”l;((二減少する。
寸/、−、カーボン部H7のみか選11〈的に]Jl1
熱さ、1する′A−め、カーボン部f、f 7 ’f3
1500−(Jl)、L (1’) 副+a寸で加熱す
ることが【月能(・(二なり、純りIl処理効ニーiL
+−,+飛躍的に向LJ−ya−、ナオ、Ill −、
V IAfL rq、物’F導14=のエビタギンヤル
成長に4.・い−こに11、〕′り+ブタ不純物として
、 1ll)鉛(Zn)、マグネ7・ウノ、(Mg)等
が、−方、トナー不純物として、イオウ(S)、テルル
(Te)等が用いられる3、これらの不紳物に−・吸a
LA−カーボン部旧からこれ(っを取除くためしく−
は、沸点以上の高温で熱処理することが望1しく・)3
、Zn(1)711−1、ζ&:L 90了°゛(゛、
Mqの沸点は1107′(゛、Sの沸点は444”(ゾ
、まグ4−Teの沸点は1390゛(′である。) 一1ルし、Zr、1500”Cの温度いはずh、の沸点
をも超・え−C,にり、各処fI41温度とし、−τ−
Q、■オ分−Cある1、しかし7.1気斤のガス中−C
熱処理したの′Cはカーボン部4」7の史深くに吸着さ
71./こ不純物を除去するの’z;、1.’ f利難
−Cある。本発明でfz;、1:、さらにカ江−熱処理
をt4を空又は減圧中で施すことにより不純物の蒸発を
肋間[7、カーボン部(・」の純化処理時間を大幅に蝮
縮し2.でいる4−3 次tC1本発明の力〃、に1.るカーボンボー トの純
化処理の具体例を説明する。
熱さ、1する′A−め、カーボン部f、f 7 ’f3
1500−(Jl)、L (1’) 副+a寸で加熱す
ることが【月能(・(二なり、純りIl処理効ニーiL
+−,+飛躍的に向LJ−ya−、ナオ、Ill −、
V IAfL rq、物’F導14=のエビタギンヤル
成長に4.・い−こに11、〕′り+ブタ不純物として
、 1ll)鉛(Zn)、マグネ7・ウノ、(Mg)等
が、−方、トナー不純物として、イオウ(S)、テルル
(Te)等が用いられる3、これらの不紳物に−・吸a
LA−カーボン部旧からこれ(っを取除くためしく−
は、沸点以上の高温で熱処理することが望1しく・)3
、Zn(1)711−1、ζ&:L 90了°゛(゛、
Mqの沸点は1107′(゛、Sの沸点は444”(ゾ
、まグ4−Teの沸点は1390゛(′である。) 一1ルし、Zr、1500”Cの温度いはずh、の沸点
をも超・え−C,にり、各処fI41温度とし、−τ−
Q、■オ分−Cある1、しかし7.1気斤のガス中−C
熱処理したの′Cはカーボン部4」7の史深くに吸着さ
71./こ不純物を除去するの’z;、1.’ f利難
−Cある。本発明でfz;、1:、さらにカ江−熱処理
をt4を空又は減圧中で施すことにより不純物の蒸発を
肋間[7、カーボン部(・」の純化処理時間を大幅に蝮
縮し2.でいる4−3 次tC1本発明の力〃、に1.るカーボンボー トの純
化処理の具体例を説明する。
第2図はエピタキシャル成長上程で一度使用され/、−
カーボンボー 1・を高周波誘導力ll熱によって15
0 o”Cにn11熱し7.5×10づTorrの真空
中て熱処理し/こ後、(二のカーボンボー トを用い、
液相θ、て[成長させ/(−GaPエビタギシャル層の
表面か(・20μmの深さの缶1Nに」、・ける本絹r
吻儂10とカーボンボー 1・に対し−(b’v L
iv、 l: n12の熱処理の1情間との関係を示−
を図である9、 図示−1゛るように熱処理時間か噌ずにつ!して、カー
ボンボートの純化が進み、成1(さぜ/7GaPエビタ
尤ソヤル層のトシーイ・純物濃18が低l−4゛る1、
イして、熱処fψ時間が3時間を超えイ)と、1゛ナー
・f・細物濃度(・−1高い究)(、Ii冒Jをf;)
る、パζめ(、で心安々低011t (i x 1o”
cm、−’ )t−C(氏1” 1.−(イ4> 、t
7 ワi’、、)、3時間の熱処理(r(″よ−・−
C1カーボンボー1− f+:J、高純度処理さ〕!、
る、 パ03図は、」ノ、1′のような検d・1結果をふまえ
、第1図で7it L fj純化処J′ll! N置を
用い、1500 ”(: ’i晶度T5\10−′To
rrの−(1、りF l’ −C3if;−間熱処理[
A−カ ボ/′ボー1・と、rtY来の抵抗ツノ11熱
・す・を用い、1 1 00−(’の7AX 101
f、 1r1己と回[ニー+’t、 ? m二、 同
1]t’7間熱処Jll’ L/こカーボンボー1−
4・用いてGaPエピタギ/ヤル層を液相成l(さ+J
7 p−ときの不純物濃1g−分イ[iの比軸結宋を示
−4゛。図中、へのイ・細物d1這!J: 、5.)、
イ1」が本発明の純化処理を堂υ)、/!−ボー1・4
11Jj用し2−(゛−成1・+、\u−7’i= G
a P :LビターN−/vル層の不純物濃度分イl]
う・・1、し、++ 4=、Bのト細物語度分布が抵抗
加熱炉;1カ用い−C紳化処理されたカーボンボー ト
を使用しで成1.2さ(−汗f; GaP :rピクキ
/ヤル層の不純物濃度鋒イ1jを小している5) イ\発明のり法に(JLは、純化処理時間がずこふる友
きく ’、r Zr rJかり−Cなく、石英ヂ・−−
ブからのノリコンγli染か大幅に低卜するA−め、図
・]ミー[るよつ成長さ(シニだGaPエビタギンヤル
層のドナーイ・細物(濃度は、釘′来の方法て純化処理
し、たカーボンボー1−4−使用し5−こ成長させたG
aPエビタA/ヤル層の約5分の1−土で低I;(7で
いる1、さ”)&(一本発明のJ)法で純化処、I′l
IIをイ″1っ/こカ ボン部 1・を月]い/1一液
相エビタキンヤル成長で窒素ド ブGaP C11d色
) L EDを・形成士・テ)と、11層を低ドナ 濃
度に一4゛ることが−nl能と、a、す、樹脂旧市1.
2て完成さす窒素1・−ブGaP (lj、f色)LE
D(、’)発)1′、効率がr子来の発効効率(0,3
%)K<らべ−(約5 () %向1・−1−るCとが
確認てき/4−1発明の′七ノ11L 以1−説明シ、7でき/(−と(二ろか1.明f:、か
な」、うに本発明の純化処理1jθr、 1li−,1
,111丁、7〕 ボン部(」に1及着さt1/1−
す−\てのf・細物t tV u眉ji] T 1.l
Qり除<(ニーか−Cき、しかもイ1乾か[〕のシ′す
=+ン/fμ(lコもなく4”;f;、/jM)、エビ
Jギ/ヤル成長月jの1ノーボンボー トロ本発明のノ
j7去で処理する(−とM″、Lす、高純度に−[ビ、
タギ/トル層のIJk長かIj]’ t!fが−71:
る0、かかる]X発明のb法によ11.l:jい高純度
な」8ビク・N−ンヤノB層をイJする高効井・’i7
; 、)’l、ダイA1・父゛他の’l・、+”+体素
1’ %41戸T、’−J′7.J CIカ”J能(”
: 乙、る1、
カーボンボー 1・を高周波誘導力ll熱によって15
0 o”Cにn11熱し7.5×10づTorrの真空
中て熱処理し/こ後、(二のカーボンボー トを用い、
液相θ、て[成長させ/(−GaPエビタギシャル層の
表面か(・20μmの深さの缶1Nに」、・ける本絹r
吻儂10とカーボンボー 1・に対し−(b’v L
iv、 l: n12の熱処理の1情間との関係を示−
を図である9、 図示−1゛るように熱処理時間か噌ずにつ!して、カー
ボンボートの純化が進み、成1(さぜ/7GaPエビタ
尤ソヤル層のトシーイ・純物濃18が低l−4゛る1、
イして、熱処fψ時間が3時間を超えイ)と、1゛ナー
・f・細物濃度(・−1高い究)(、Ii冒Jをf;)
る、パζめ(、で心安々低011t (i x 1o”
cm、−’ )t−C(氏1” 1.−(イ4> 、t
7 ワi’、、)、3時間の熱処理(r(″よ−・−
C1カーボンボー1− f+:J、高純度処理さ〕!、
る、 パ03図は、」ノ、1′のような検d・1結果をふまえ
、第1図で7it L fj純化処J′ll! N置を
用い、1500 ”(: ’i晶度T5\10−′To
rrの−(1、りF l’ −C3if;−間熱処理[
A−カ ボ/′ボー1・と、rtY来の抵抗ツノ11熱
・す・を用い、1 1 00−(’の7AX 101
f、 1r1己と回[ニー+’t、 ? m二、 同
1]t’7間熱処Jll’ L/こカーボンボー1−
4・用いてGaPエピタギ/ヤル層を液相成l(さ+J
7 p−ときの不純物濃1g−分イ[iの比軸結宋を示
−4゛。図中、へのイ・細物d1這!J: 、5.)、
イ1」が本発明の純化処理を堂υ)、/!−ボー1・4
11Jj用し2−(゛−成1・+、\u−7’i= G
a P :LビターN−/vル層の不純物濃度分イl]
う・・1、し、++ 4=、Bのト細物語度分布が抵抗
加熱炉;1カ用い−C紳化処理されたカーボンボー ト
を使用しで成1.2さ(−汗f; GaP :rピクキ
/ヤル層の不純物濃度鋒イ1jを小している5) イ\発明のり法に(JLは、純化処理時間がずこふる友
きく ’、r Zr rJかり−Cなく、石英ヂ・−−
ブからのノリコンγli染か大幅に低卜するA−め、図
・]ミー[るよつ成長さ(シニだGaPエビタギンヤル
層のドナーイ・細物(濃度は、釘′来の方法て純化処理
し、たカーボンボー1−4−使用し5−こ成長させたG
aPエビタA/ヤル層の約5分の1−土で低I;(7で
いる1、さ”)&(一本発明のJ)法で純化処、I′l
IIをイ″1っ/こカ ボン部 1・を月]い/1一液
相エビタキンヤル成長で窒素ド ブGaP C11d色
) L EDを・形成士・テ)と、11層を低ドナ 濃
度に一4゛ることが−nl能と、a、す、樹脂旧市1.
2て完成さす窒素1・−ブGaP (lj、f色)LE
D(、’)発)1′、効率がr子来の発効効率(0,3
%)K<らべ−(約5 () %向1・−1−るCとが
確認てき/4−1発明の′七ノ11L 以1−説明シ、7でき/(−と(二ろか1.明f:、か
な」、うに本発明の純化処理1jθr、 1li−,1
,111丁、7〕 ボン部(」に1及着さt1/1−
す−\てのf・細物t tV u眉ji] T 1.l
Qり除<(ニーか−Cき、しかもイ1乾か[〕のシ′す
=+ン/fμ(lコもなく4”;f;、/jM)、エビ
Jギ/ヤル成長月jの1ノーボンボー トロ本発明のノ
j7去で処理する(−とM″、Lす、高純度に−[ビ、
タギ/トル層のIJk長かIj]’ t!fが−71:
る0、かかる]X発明のb法によ11.l:jい高純度
な」8ビク・N−ンヤノB層をイJする高効井・’i7
; 、)’l、ダイA1・父゛他の’l・、+”+体素
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第1図Ql、本発明の純化処J”lすJl):イ7)
”I’flfこC(二ずろ純化処I’11!シ、置の概
略6−)j、−4゛図、第2図11第11゛ノ「C小J
−純化処理装置′〈°純化処理?+”r I’ −’
/i−カ ボンホトを用いて成長しl(7,Ga Pエ
ビ々キ/ヤル層の小細物σ度の純化処理時間(べrf−
1〕I(1小4−図、第3図はjit米(J) 4J(
抗7.111熱炉と第1図−C21、(岸−純化処理装
置により純化処理がlさ71/こカ ボ、ボ 1・を用
い−(l GaP (ZJ ’tri 4’tl 、T
−ビタに’/+ル成1〈6言]−〉f−場合の不純物葭
IJJ−分布の比軸6示11ノ1−Cある1、1°°゛
・・石英チューブ、2・ ・・高周波:Iイル、3・・
・・・・フランツ、4・・・−排気ノニーfブ、6・・
・・・・真空ボンゾ、6・・・・・・3方コツク、7・
・・カーボッ部4」、8・・・・・断熱体〇
”I’flfこC(二ずろ純化処I’11!シ、置の概
略6−)j、−4゛図、第2図11第11゛ノ「C小J
−純化処理装置′〈°純化処理?+”r I’ −’
/i−カ ボンホトを用いて成長しl(7,Ga Pエ
ビ々キ/ヤル層の小細物σ度の純化処理時間(べrf−
1〕I(1小4−図、第3図はjit米(J) 4J(
抗7.111熱炉と第1図−C21、(岸−純化処理装
置により純化処理がlさ71/こカ ボ、ボ 1・を用
い−(l GaP (ZJ ’tri 4’tl 、T
−ビタに’/+ル成1〈6言]−〉f−場合の不純物葭
IJJ−分布の比軸6示11ノ1−Cある1、1°°゛
・・石英チューブ、2・ ・・高周波:Iイル、3・・
・・・・フランツ、4・・・−排気ノニーfブ、6・・
・・・・真空ボンゾ、6・・・・・・3方コツク、7・
・・カーボッ部4」、8・・・・・断熱体〇
Claims (3)
- (1)a空中ま/こは成用雰囲気中にツノ−ボン部材を
配置し2にのち、同カーボン部拐全高周波誘導加熱シフ
、て所定の温度までH渦させ、これに吸着された不純物
全除去すること全判徴とするカーボン部材の純化処Jy
J1方法。 - (2) カーボッ部材がエピタキンヤル成長で使用さ
jLるボー 1・であること金q!f徴とする特、li
/r品求の範囲第1頃に記載のカーボン部材の純化処理
方法。 - (3) 力・−ボッ部材の加熱湿度が、吸着不純物の
融点を・超に−る温度に設定されること全特徴とする特
許i!Ni求の範囲第1rAに記載のカーボン部材の純
化処理方法0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57130826A JPS5921598A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | カ−ボン部材の純化処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57130826A JPS5921598A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | カ−ボン部材の純化処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5921598A true JPS5921598A (ja) | 1984-02-03 |
JPH0355432B2 JPH0355432B2 (ja) | 1991-08-23 |
Family
ID=15043608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57130826A Granted JPS5921598A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | カ−ボン部材の純化処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5921598A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6252928U (ja) * | 1985-09-20 | 1987-04-02 | ||
JPS6379759A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-09 | 東洋炭素株式会社 | 高純度黒鉛材の製造方法 |
JPH01145312A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-07 | Toshiro Yamashina | アウトガスの少ない炭素材料の製造方法及びその製法で得られた炭素材料を使用した炭素構造材料 |
JPH01167210A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-06-30 | Toyo Tanso Kk | 炭素質フェルト加工品並びにその製造方法 |
JPH0421509A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-24 | Toyo Tanso Kk | 高純度可撓性膨張黒鉛シート及びその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5884181A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-20 | 松下電器産業株式会社 | カ−ボン部材の純化処理方法 |
-
1982
- 1982-07-27 JP JP57130826A patent/JPS5921598A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5884181A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-20 | 松下電器産業株式会社 | カ−ボン部材の純化処理方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6252928U (ja) * | 1985-09-20 | 1987-04-02 | ||
JPS6379759A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-09 | 東洋炭素株式会社 | 高純度黒鉛材の製造方法 |
JPH05294725A (ja) * | 1986-09-22 | 1993-11-09 | Toyo Tanso Kk | 高純度黒鉛材の製造装置 |
JPH01145312A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-07 | Toshiro Yamashina | アウトガスの少ない炭素材料の製造方法及びその製法で得られた炭素材料を使用した炭素構造材料 |
JPH01167210A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-06-30 | Toyo Tanso Kk | 炭素質フェルト加工品並びにその製造方法 |
JPH0421509A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-24 | Toyo Tanso Kk | 高純度可撓性膨張黒鉛シート及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0355432B2 (ja) | 1991-08-23 |
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