JPS59214851A - 乾式リソグラフイ・パタ−ン製法 - Google Patents
乾式リソグラフイ・パタ−ン製法Info
- Publication number
- JPS59214851A JPS59214851A JP8989283A JP8989283A JPS59214851A JP S59214851 A JPS59214851 A JP S59214851A JP 8989283 A JP8989283 A JP 8989283A JP 8989283 A JP8989283 A JP 8989283A JP S59214851 A JPS59214851 A JP S59214851A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- substrate
- exposed
- polymerization
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はドライプロセスで露光レゾスト／Ｊ？ ｐ−ン
をつくる方法に関［７、詳しくは基板の温度を制ｔｆｌ
Ｌ、て露光レジストツヤターンをつくる乾式リソグラフ
ィ・パターン製法に関する。
をつくる方法に関［７、詳しくは基板の温度を制ｔｆｌ
Ｌ、て露光レジストツヤターンをつくる乾式リソグラフ
ィ・パターン製法に関する。
一般Ｋ、半導体デバイスやジョセフソン接合デバイスな
どの高集積度、高密度デ／々イスの製造に用いられる露
光レジストパターンの製造には、王として湿式処理法が
採用されている。すなわち、基板にＰＭＭ＾、ポリスチ
レン、ＡＺ１３５０などのレジストを溶剤に溶かしてス
ピナー塗布してレジスト被膜をつくり、これを露光装置
に搬入して所要のパターンに露光し、しかる後露光装置
から基板を取り出しエツチング処理液（現像液）に浸漬
して露光レジストノやターンを得る方法である。
どの高集積度、高密度デ／々イスの製造に用いられる露
光レジストパターンの製造には、王として湿式処理法が
採用されている。すなわち、基板にＰＭＭ＾、ポリスチ
レン、ＡＺ１３５０などのレジストを溶剤に溶かしてス
ピナー塗布してレジスト被膜をつくり、これを露光装置
に搬入して所要のパターンに露光し、しかる後露光装置
から基板を取り出しエツチング処理液（現像液）に浸漬
して露光レジストノやターンを得る方法である。
そして、得られた露光レジスト／クターンをマスクとし
て蒸着、スパッタリング、プラズマエツチング又はイオ
ン注入々ど所要の処置を行い、Ｌ７）−る後露光レジス
ト／ぞターンマスクラ化学エッチンク又ハプラズマエッ
チングによシ除去する。
て蒸着、スパッタリング、プラズマエツチング又はイオ
ン注入々ど所要の処置を行い、Ｌ７）−る後露光レジス
ト／ぞターンマスクラ化学エッチンク又ハプラズマエッ
チングによシ除去する。
ところで、このような湿式処理による露光レジストパタ
ーンの製法では、露光工程は真空中で行な因、ｆＪ！像
エツチング処理工程は大気中で行なう。
ーンの製法では、露光工程は真空中で行な因、ｆＪ！像
エツチング処理工程は大気中で行なう。
デバイスの措成によってはパターンを積み重ね々ければ
ならず、それに応じて露光、現体工程を場所を異にして
繰返し行なわなければならず製造時間の増大と表面の汚
染の危険性が高くなジブバイス製造の歩留やも悪い。
ならず、それに応じて露光、現体工程を場所を異にして
繰返し行なわなければならず製造時間の増大と表面の汚
染の危険性が高くなジブバイス製造の歩留やも悪い。
本発明は上記に鑑み々されたものであり、ドライプロセ
スで露光レジストパターンをつくる方法を提供すること
を目的とする。
スで露光レジストパターンをつくる方法を提供すること
を目的とする。
この目的は、基板９戸・１λ席を２段階に制御して低重
合度のレジスト？ｍＭへの露光及び前記のレジスト被膜
の除去を行うことにより達成される。基板にはシリコン
々どの半導体、ニオブなどの超伝導体、水晶々どの絶縁
体がデバイスの種類に応じて用いられる。また、レジス
ｌ−はスチレン、ポリスチレンなど低重合度のし・ソス
トであり、その単量体、２月体、３量体を基板との付着
性から適宜選択シ、或いはカテコール、ジビニルベンゼ
ンなどを酪化してその重合度を適宜８周節したものが用
いられる。
合度のレジスト？ｍＭへの露光及び前記のレジスト被膜
の除去を行うことにより達成される。基板にはシリコン
々どの半導体、ニオブなどの超伝導体、水晶々どの絶縁
体がデバイスの種類に応じて用いられる。また、レジス
ｌ−はスチレン、ポリスチレンなど低重合度のし・ソス
トであり、その単量体、２月体、３量体を基板との付着
性から適宜選択シ、或いはカテコール、ジビニルベンゼ
ンなどを酪化してその重合度を適宜８周節したものが用
いられる。
」ソ下、添付図面を着服して本発明を詳述する。
■ スピンナー塗布などにより低重合度のレジスト被膜
２を形成した基板ｌを露光装置（図示せず）内に配置し
、低重合度のレジストの蒸気圧が充分に低い（例えＣば
スチレン単量体で一１００Ｃ，スチレン３量体で＋１０
℃）比較的低い温度（−１００℃）に維持する。
２を形成した基板ｌを露光装置（図示せず）内に配置し
、低重合度のレジストの蒸気圧が充分に低い（例えＣば
スチレン単量体で一１００Ｃ，スチレン３量体で＋１０
℃）比較的低い温度（−１００℃）に維持する。
■ 前記のａ度に基板を維持した状態でレジスト被膜２
を露光して７５ｉ要の高ｊ丁１合度の露光レジストノや
ターフ３をつくる。
を露光して７５ｉ要の高ｊ丁１合度の露光レジストノや
ターフ３をつくる。
■ 基板の温度を比較的高い温度（２０℃以上、例えｔ
Ｉｉ、ヌチレン単愈体で２０℃、スチレン３鍛体で１０
０℃以上）に上げると、窩重合度の露光レジストパター
ン３のみが基板上に残り、未露光部分の低重合度のレジ
スト２が離脱除去されレジスト／クターンが形成される
。
Ｉｉ、ヌチレン単愈体で２０℃、スチレン３鍛体で１０
０℃以上）に上げると、窩重合度の露光レジストパター
ン３のみが基板上に残り、未露光部分の低重合度のレジ
スト２が離脱除去されレジスト／クターンが形成される
。
本発明はこのように基板温度を低温から高温に上げるだ
けで露光レジストパターンをつくるので、湿式処理にお
けるように基板を真空中から大気中へ移すことなく露光
装置内で一貫して作業することができる・このため製作
時間が短１陥され、又基板表面の汚染の危険性が全くな
くなり、集積度の高いデバイスＧ１１ｊ造の歩留りもよ
くなる。さらに湿式プロセスでは現像に使用する溶剤に
よる膨潤のため・やターンの精度が低下するが、本発明
によるとこのような欠点がなくパターンの精度が向上す
る利点がある。
けで露光レジストパターンをつくるので、湿式処理にお
けるように基板を真空中から大気中へ移すことなく露光
装置内で一貫して作業することができる・このため製作
時間が短１陥され、又基板表面の汚染の危険性が全くな
くなり、集積度の高いデバイスＧ１１ｊ造の歩留りもよ
くなる。さらに湿式プロセスでは現像に使用する溶剤に
よる膨潤のため・やターンの精度が低下するが、本発明
によるとこのような欠点がなくパターンの精度が向上す
る利点がある。
■ 得られたｇ光Ｉ／シストパターン３をマスクとして
、蒸着、スパッタリング、ケミカル・デポジション、イ
オン注入、又はプラズマエツチングなどの所外の処置を
目的とするデバイス製作に応じて行う。
、蒸着、スパッタリング、ケミカル・デポジション、イ
オン注入、又はプラズマエツチングなどの所外の処置を
目的とするデバイス製作に応じて行う。
■ その後基板の温度を上げる（スチレンの場合は約２
５０℃）か或いはプラズマエツチングにより冒重合度の
レジストパターン３のマスクを除去し、所要のデバイス
パターン４をつくる・（段階■の最右端の図の破線はプ
ラズマエツチング前の形態（段階■の形態に和尚）を示
している。） 以上詳述したように・本発明は全工程力；乾燥状態で行
われるので、従来の湿式処理方式に比較して工程が簡単
且つ容易であシ、汚染の危険性も極めて少くなく結果と
してデ・々イ製造の歩留シを向上させるなど多くの利点
を有する。
５０℃）か或いはプラズマエツチングにより冒重合度の
レジストパターン３のマスクを除去し、所要のデバイス
パターン４をつくる・（段階■の最右端の図の破線はプ
ラズマエツチング前の形態（段階■の形態に和尚）を示
している。） 以上詳述したように・本発明は全工程力；乾燥状態で行
われるので、従来の湿式処理方式に比較して工程が簡単
且つ容易であシ、汚染の危険性も極めて少くなく結果と
してデ・々イ製造の歩留シを向上させるなど多くの利点
を有する。
添付図は本発明の製法の工程説明図である。
（図中の符号）
１・・・基板、２・・・低重合庁のレジスト被膜、３・
・・高重合度の露光レジストノぐターン、４・・・デフ
９イス・ノぐターン。 特許出願人： 理化学研究所 手 続 補 正 書（方式） ５８゜９．２９ 昭和 年 月 日 特許庁長官若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第８９８９２号 ２、発明の名称 乾式リソグラフィ・パターン製法３
、補正をする者 事件との関係 出 願 人 名称 （６７９）理化学研究所 ４、代理人 ５、補正命令の［］付 昭和５８年８月３０日１、添
付図を別紙のとおり訂正する。 ２、明細書第８頁第８行“添付図は本発明の製法の工程
説明図である。”を次のように訂正する。 「第１図は本発明の製法の工程中段階■を、第２図は段
階■を、第３図は段階■をそれぞれ示す。第４図は本発
明の製法の工程中段階■を示し、特に第４図（ａＪは蒸
着、スパックリング、ケミカル・デポジションを行なっ
た場合、第４図（ｂｌはイオン注入の場合そして第４図
（Ｃ１はプラズマエツチングの場合をそれぞれ示す。 第５図は本発明の製法の工程中段階■を示し、第５図（
２Ｉ）、（ｂ）、（Ｃ）は第４図（ａｌ、（ｂ）、ｆｃ
）にそれぞれ対応し、ている。」 ３、明細書中火の箇所の誤記を訂正する。 第３図 ス 第５図 （０）
・・高重合度の露光レジストノぐターン、４・・・デフ
９イス・ノぐターン。 特許出願人： 理化学研究所 手 続 補 正 書（方式） ５８゜９．２９ 昭和 年 月 日 特許庁長官若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第８９８９２号 ２、発明の名称 乾式リソグラフィ・パターン製法３
、補正をする者 事件との関係 出 願 人 名称 （６７９）理化学研究所 ４、代理人 ５、補正命令の［］付 昭和５８年８月３０日１、添
付図を別紙のとおり訂正する。 ２、明細書第８頁第８行“添付図は本発明の製法の工程
説明図である。”を次のように訂正する。 「第１図は本発明の製法の工程中段階■を、第２図は段
階■を、第３図は段階■をそれぞれ示す。第４図は本発
明の製法の工程中段階■を示し、特に第４図（ａＪは蒸
着、スパックリング、ケミカル・デポジションを行なっ
た場合、第４図（ｂｌはイオン注入の場合そして第４図
（Ｃ１はプラズマエツチングの場合をそれぞれ示す。 第５図は本発明の製法の工程中段階■を示し、第５図（
２Ｉ）、（ｂ）、（Ｃ）は第４図（ａｌ、（ｂ）、ｆｃ
）にそれぞれ対応し、ている。」 ３、明細書中火の箇所の誤記を訂正する。 第３図 ス 第５図 （０）
Claims (5)
- （１） 低重合度のレジスト被Ｍを形成した基板を比
戟的低い温度に維持したま＼レジストＭ膜を露光して高
重合度の露光レジーストノやターンをつくり、 前記の低重合度のレジストが離脱する比較的高い＠度に
前記の基板の温度を上げて未露光部分のレジスト′ｆ：
基板から離脱させて前記の高重合度の露光レジストパタ
ーンを基板上に残すことを特徴とする乾式リングフライ
・・やターン製法０ - （２）低重合度のレジスト検膜を形成した基板を比較的
低い温度に維持したま＼レジスト被膜を露光して高重合
度の露光レジストパターンをつくり、 前記の低重合度のレジストが離脱する比較的高い温度に
前記の基板の温度を上げて未露光部分のレジストを基板
から離脱させて前記の高重合度の露光レジストノやター
ンを基板上に残し、未露光部分へ所要の処置を施し、そ
して前記の比較的高い温度よシも高い前記の高重合度の
露光レジストが離脱する温度に前記の基板の温度を上げ
て露光パターンを除去することを特徴とする乾式リソグ
ラフィ・／４ターン製法。 - （３） 低重合度のレジストｉ膜を形成した基板を比
較的低い温度に維持したま＼レジスト畿膜を露光して高
重合度の露光レジストノやターンをつ〈シ、 前記の低重合度のレジストが離脱する比較的高い温度に
前記の基板の温度を上げて未露光部分のレジストを基板
から離脱させて前記の高重合度の露光レジス） ｔ！タ
ーンを基板上に残し、未露光部分へ所要の処置を施し、
そしてプラズマエツチングによシ露光パターンを除去す
ることを特徴とする乾式リングラフィ・パターン製法。 - （４）前記の所要の処置が蒸着、スパッタリング、イオ
ン注入又はケミカル・デポジションである特許請求の範
囲第１、第２又は第３頂に記載の乾式リソグラフィ・ノ
ぐターン製法。 - （５） 前記のレジストがスチレン又はポリスチレン
である特許請求の範囲第１、第２又は第３項に記載の乾
式リングラフィ・パターン製法。 ＜６） 前’？＝己のレジストがスチ〜レンにカテコ
ール、ジビニルベンゼンを添加したものである特許請求
の範囲液１、第２又は第３頂に記爬ユの乾式リソグラフ
ィ・パターン製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8989283A JPS59214851A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 乾式リソグラフイ・パタ−ン製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8989283A JPS59214851A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 乾式リソグラフイ・パタ−ン製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59214851A true JPS59214851A (ja) | 1984-12-04 |
Family
ID=13983387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8989283A Pending JPS59214851A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 乾式リソグラフイ・パタ−ン製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59214851A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS649448A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Kuraray Co | Pattern forming process |
| JPS649447A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Kuraray Co | Pattern forming process |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP8989283A patent/JPS59214851A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS649448A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Kuraray Co | Pattern forming process |
| JPS649447A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Kuraray Co | Pattern forming process |
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