JPS59213123A - 複合部品 - Google Patents
複合部品Info
- Publication number
- JPS59213123A JPS59213123A JP8730283A JP8730283A JPS59213123A JP S59213123 A JPS59213123 A JP S59213123A JP 8730283 A JP8730283 A JP 8730283A JP 8730283 A JP8730283 A JP 8730283A JP S59213123 A JPS59213123 A JP S59213123A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holes
- wiring pattern
- resistor
- powder
- sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複合部品に関し、特に固定抵抗器およびコンデ
ンサをセラミック基板中に内蔵した複合部品に関するも
のである。
ンサをセラミック基板中に内蔵した複合部品に関するも
のである。
従来、この種の複合部品は、ディスクリート方式からハ
イブリッド方式へと小形化、高集積化が急速に進んだ。
イブリッド方式へと小形化、高集積化が急速に進んだ。
しかし、ディスクリート方式は勿論のこと従来のハイブ
リッド方式では、セラミック等の絶縁基板上に蒸着或い
は印刷法で抵抗、電極および配線パターンの形成を行な
い、かつ同一面上にチップコンデンサおよび半導体ＩＣ
等を搭載していたので、小形化、高集積化には成る程度
の限界があシ、よシ高密度のパターンを形成した場合に
は、品質の低下若しくはコストの上昇を引き起す原因に
もなっていた。また一方では電子機器の外形化、高集積
化、低価格化は奇抜ますます促進される状況にあり、そ
の開発は一層強く望まれている。
リッド方式では、セラミック等の絶縁基板上に蒸着或い
は印刷法で抵抗、電極および配線パターンの形成を行な
い、かつ同一面上にチップコンデンサおよび半導体ＩＣ
等を搭載していたので、小形化、高集積化には成る程度
の限界があシ、よシ高密度のパターンを形成した場合に
は、品質の低下若しくはコストの上昇を引き起す原因に
もなっていた。また一方では電子機器の外形化、高集積
化、低価格化は奇抜ますます促進される状況にあり、そ
の開発は一層強く望まれている。
本発明は、このような従来技術の実情および将来動向に
鑑みなされたものであって、その目的は超小形かつ高性
能で低価格の複合部品を提供することにある。
鑑みなされたものであって、その目的は超小形かつ高性
能で低価格の複合部品を提供することにある。
本発明によれば、複数個の孔部を有し、かつ表裏面の少
くとも一面に１個以上の抵抗体シートを圧着形成し、さ
らに端子電極部および配線パターンを印刷形成した少く
とも１枚の絶縁シートと、複数個の孔部を有し、かつ１
部に電極部を印刷形成した少くとも１枚の誘電体シート
を積層し、上記孔部を介し各配線パターンを電気的に接
続して成る立体電子回路ブロックの少くとも一面に電子
部品を電気的に接続搭載したことｔ−特徴とする複合部
品が得られる。
くとも一面に１個以上の抵抗体シートを圧着形成し、さ
らに端子電極部および配線パターンを印刷形成した少く
とも１枚の絶縁シートと、複数個の孔部を有し、かつ１
部に電極部を印刷形成した少くとも１枚の誘電体シート
を積層し、上記孔部を介し各配線パターンを電気的に接
続して成る立体電子回路ブロックの少くとも一面に電子
部品を電気的に接続搭載したことｔ−特徴とする複合部
品が得られる。
以下、本発明の一実施例について図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明による一実施例であるアクティブＲｅフ
ィルタの製造工程図を表わし、第２図はその構造を示す
斜視図である。
ィルタの製造工程図を表わし、第２図はその構造を示す
斜視図である。
先ず第１表に例示するように酸化アルミニウム（Ａ１．
０３）から成る無機粉求人と酸化珪素（ＳｉＯ２）、酸
化鉛（ＰｂＯ）および酸化硼素（Ｂ２０３）を主成分と
する無機粉末Ｂとを、第２表に例示するような混合比で
混合した無機粉末Ａ＋Ｂの１００ｔｖｃ対し、有機溶媒
でおるエチルセルソルブ６０〜１００ｃｃ、 プチル
カービトール１０〜２０ｃｃおよびブチルフタリルグリ
コール酸ブチル１．５〜３ｅｅと、有機バインダーでお
るポリビニルブチラール５〜２０ｔ’を加え、充分混合
して泥漿化する。
０３）から成る無機粉求人と酸化珪素（ＳｉＯ２）、酸
化鉛（ＰｂＯ）および酸化硼素（Ｂ２０３）を主成分と
する無機粉末Ｂとを、第２表に例示するような混合比で
混合した無機粉末Ａ＋Ｂの１００ｔｖｃ対し、有機溶媒
でおるエチルセルソルブ６０〜１００ｃｃ、 プチル
カービトール１０〜２０ｃｃおよびブチルフタリルグリ
コール酸ブチル１．５〜３ｅｅと、有機バインダーでお
るポリビニルブチラール５〜２０ｔ’を加え、充分混合
して泥漿化する。
この泥漿をドクターブレードを用すたキャスティング成
膜法によって成膜し乾燥させて未焼成の絶縁シート１（
第２図）を形成する。
膜法によって成膜し乾燥させて未焼成の絶縁シート１（
第２図）を形成する。
第２表 第３表
同様に鉄・タングステン酸鉛粉末と鉄・ニオブ酸鉛粉末
を重量比約２−：１の割合で混合した二成分化合物粉末
１００Ｆに対しエチルセルソルブ約３７ＣＣ＋プチルカ
ービトール約５．５ｃｃ＋ブチルフタリルグリコール酸
ブチル約１．２ ｃｃとポリビニルブチラール約５．３
ｔｆ加え成膜した未焼成の誘電シート２ｔｌ−形成する
。そしてこれら二種のシートをステンレス等から成る金
製でパンチングして同時に数種の孔部（図示省略）を形
成する。
を重量比約２−：１の割合で混合した二成分化合物粉末
１００Ｆに対しエチルセルソルブ約３７ＣＣ＋プチルカ
ービトール約５．５ｃｃ＋ブチルフタリルグリコール酸
ブチル約１．２ ｃｃとポリビニルブチラール約５．３
ｔｆ加え成膜した未焼成の誘電シート２ｔｌ−形成する
。そしてこれら二種のシートをステンレス等から成る金
製でパンチングして同時に数種の孔部（図示省略）を形
成する。
次に絶縁シート１の少くとも一面にアクティブＲｅフィ
ルタの回路構成要素である抵抗体、端子電極部および接
続配線パターンから成る１部を形成すべく、第３表に示
すように無機粉末Ａ＋ＢＫ酸化ルテニウム（ＲｕＯｚ）
を主成分とする金属酸化物粉末１０〜４０ｗｔ％を混合
した粉末０１００ＰＫ対し、エチルセルソルブ６０〜１
００ ｃｃ ＋ブチルヵービトール１０〜２０ｃｃおよ
びブチル７タリルグリコール酸ブチル１．５〜３ｃｃと
ポリビニルブチラール５〜２０ｆを加え充分混合して泥
漿化し絶縁シート１の製造と同様の方法で抵抗シートラ
製造し圧着形成させ、さらに金、銀−パラジウム、白金
−銀或いは銅等の金属粉末を主成分とする導体ペースト
全印刷法によシ被着形成させる。また誘電シート２にも
電極部を印刷形成する。（図示省略）次にこれらシート
を全体としてアクティブＲｅフィルタの回路を構成する
ように複数枚を積層し、熱プレス機等を用いて温度１０
０〜１５０℃、圧力２００〜３００製の条件のもとで約
２０分間熱圧着したのち、第２図に示すようにナイフ等
で切断線１ａの位置で切断分離して個片３ｔ−得る。こ
の個片３をピーク温度が８００〜１０００℃で約１０分
間保持する領域を持つ温度条件のもとて焼成して個片３
ａｆｔ得る。
ルタの回路構成要素である抵抗体、端子電極部および接
続配線パターンから成る１部を形成すべく、第３表に示
すように無機粉末Ａ＋ＢＫ酸化ルテニウム（ＲｕＯｚ）
を主成分とする金属酸化物粉末１０〜４０ｗｔ％を混合
した粉末０１００ＰＫ対し、エチルセルソルブ６０〜１
００ ｃｃ ＋ブチルヵービトール１０〜２０ｃｃおよ
びブチル７タリルグリコール酸ブチル１．５〜３ｃｃと
ポリビニルブチラール５〜２０ｆを加え充分混合して泥
漿化し絶縁シート１の製造と同様の方法で抵抗シートラ
製造し圧着形成させ、さらに金、銀−パラジウム、白金
−銀或いは銅等の金属粉末を主成分とする導体ペースト
全印刷法によシ被着形成させる。また誘電シート２にも
電極部を印刷形成する。（図示省略）次にこれらシート
を全体としてアクティブＲｅフィルタの回路を構成する
ように複数枚を積層し、熱プレス機等を用いて温度１０
０〜１５０℃、圧力２００〜３００製の条件のもとで約
２０分間熱圧着したのち、第２図に示すようにナイフ等
で切断線１ａの位置で切断分離して個片３ｔ−得る。こ
の個片３をピーク温度が８００〜１０００℃で約１０分
間保持する領域を持つ温度条件のもとて焼成して個片３
ａｆｔ得る。
次に、この焼成個片３＆の一面に１個以上の増幅器を有
する半導体ＩＣチップ或いはミニフラツ）ＩＣ等の半導
体ＩＣ４を所定の位置に固定し、ワイヤポンディング或
いは半田付は等の手段で電気的に接続し固定する。さら
忙半田メッキ或いは金メッキ等を表＠忙施した金属線を
半田付は等で個片３ａの１部に接続固定して外部接続用
のリード端子５を設ける。
する半導体ＩＣチップ或いはミニフラツ）ＩＣ等の半導
体ＩＣ４を所定の位置に固定し、ワイヤポンディング或
いは半田付は等の手段で電気的に接続し固定する。さら
忙半田メッキ或いは金メッキ等を表＠忙施した金属線を
半田付は等で個片３ａの１部に接続固定して外部接続用
のリード端子５を設ける。
本実施例では、第３図に例示する接続配線図のように商
品名μｐｃ４５８ＧのミニフラットＩＣを１個と、抵抗
値が１０にΩの圧着形成した抵抗体６ａ、６ｂ、６ｃ、
６ｄ、６ｅ、６ｆおよび５６０Ωの圧着形成した抵抗体
６２と、容量が０，０１μＦのコンデンサ７ａ、７ｂお
よび０．０２２μＦのコンデンサ７ｃ。
品名μｐｃ４５８ＧのミニフラットＩＣを１個と、抵抗
値が１０にΩの圧着形成した抵抗体６ａ、６ｂ、６ｃ、
６ｄ、６ｅ、６ｆおよび５６０Ωの圧着形成した抵抗体
６２と、容量が０，０１μＦのコンデンサ７ａ、７ｂお
よび０．０２２μＦのコンデンサ７ｃ。
７ｄを形成した絶縁シート、誘電シートの積層数が１０
層から成る状態変数形アクティブＲｅフィルタを試作し
、第４図に示す周波数特性を得た。
層から成る状態変数形アクティブＲｅフィルタを試作し
、第４図に示す周波数特性を得た。
第４図の周波数特性図は、第３図の接続配線図に示す入
力部５ａ−グランド部５０間に入力信号と、電圧印加部
５ｂ−グランド部５０間に＋１５ｖ１電圧印加部５ｃｍ
グランド部５０間に一１５Ｖの直流電圧を印加した時の
出力部５ｄ−グランド部５ｅ間に現われたバンドパスフ
ィルタの周波数特性を示したものであり、中心周波数ｆ
（１＝ ７２３Ｈｚ＋Ｑ−９，９３，利得Ｇａ１ｎ
＝ １で設計値に殆んど近い電気特性が得られた。なお
第３図において第２層。
力部５ａ−グランド部５０間に入力信号と、電圧印加部
５ｂ−グランド部５０間に＋１５ｖ１電圧印加部５ｃｍ
グランド部５０間に一１５Ｖの直流電圧を印加した時の
出力部５ｄ−グランド部５ｅ間に現われたバンドパスフ
ィルタの周波数特性を示したものであり、中心周波数ｆ
（１＝ ７２３Ｈｚ＋Ｑ−９，９３，利得Ｇａ１ｎ
＝ １で設計値に殆んど近い電気特性が得られた。なお
第３図において第２層。
第４層、第６Ｍ、第９層はグランド層を示し、第１１層
は絶縁保護層である。
は絶縁保護層である。
以上、本発明によると、第５図の断面図に示すように絶
縁シート１．（誘電シート２）の表面および孔部内の導
体８により抵抗体９およびその他の電子素子を縦横に形
成できるため、従来のハイブリッド技術よりもさらに小
形化、集積化が容易で高性能かつ材料所要量が従来品よ
りも少なく済むため低価格の複合部品が得られる。
縁シート１．（誘電シート２）の表面および孔部内の導
体８により抵抗体９およびその他の電子素子を縦横に形
成できるため、従来のハイブリッド技術よりもさらに小
形化、集積化が容易で高性能かつ材料所要量が従来品よ
りも少なく済むため低価格の複合部品が得られる。
なお、本発明がアクティブＲｅフィルタのみならず、低
周波増幅回路、高周波増幅回路等のアナログ回路をはじ
めとして各種ディジタル回路にも応用できることは容易
に類推される。
周波増幅回路、高周波増幅回路等のアナログ回路をはじ
めとして各種ディジタル回路にも応用できることは容易
に類推される。
第１図〜第５図は本発明の一実施例でめるアクティブＲ
ｅフィルタを示し、第１図はその製造工層状態の断面図
を示す。 １・・・・・・絶縁シート、２・・・・・・誘電シート
、３・・・・・・未焼成個片、３ａ・・・・・・焼成個
片、４・・・・・・半導体ＩＣ，５・・・・・・リード
端子、５ａ・・・・・・入力部、５ｂ。 ５Ｃ・・・・・・電圧印加部、５ｄ・・・・・・出力部
、５ｅ・・・・・・グランド部、６ａ、６ｂ、６ｃ、６
ｄ、６ｔＢ６１．６ｇ−・−・−・抵抗体、７ａ＋７ｂ
、７ｃ、７ｄ・・・・・・コンデンサ、８・・・・・・
導体、９・・・・・・抵抗体。
ｅフィルタを示し、第１図はその製造工層状態の断面図
を示す。 １・・・・・・絶縁シート、２・・・・・・誘電シート
、３・・・・・・未焼成個片、３ａ・・・・・・焼成個
片、４・・・・・・半導体ＩＣ，５・・・・・・リード
端子、５ａ・・・・・・入力部、５ｂ。 ５Ｃ・・・・・・電圧印加部、５ｄ・・・・・・出力部
、５ｅ・・・・・・グランド部、６ａ、６ｂ、６ｃ、６
ｄ、６ｔＢ６１．６ｇ−・−・−・抵抗体、７ａ＋７ｂ
、７ｃ、７ｄ・・・・・・コンデンサ、８・・・・・・
導体、９・・・・・・抵抗体。
Claims (1)
- 複数個の孔部を有し、かつ表裏面の少くとも一面に１個
以上ｄ抵抗体シートを形成し、さらに端子電極部および
配線パターンを形成した少くとも１枚の絶縁シートと、
複数個の孔部を有し、かつ１部に電極部を形成した少く
とも１枚の誘電体シートラ積層し、前記孔ｉｔ介し、各
配線パターンを電気的に接続して成る立体電子回路ブロ
ックの少くとも一面に電子部品を電気的に接続搭載した
ことを特徴とする複合部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8730283A JPS59213123A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 複合部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8730283A JPS59213123A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 複合部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59213123A true JPS59213123A (ja) | 1984-12-03 |
Family
ID=13911027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8730283A Pending JPS59213123A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 複合部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59213123A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821390A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | 株式会社日立製作所 | セラミツク基板の製造方法 |
| JPS5830119A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | ティーディーケイ株式会社 | 複合型回路部品 |
-
1983
- 1983-05-18 JP JP8730283A patent/JPS59213123A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821390A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | 株式会社日立製作所 | セラミツク基板の製造方法 |
| JPS5830119A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | ティーディーケイ株式会社 | 複合型回路部品 |
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