JPS59213124A - 複合部品 - Google Patents
複合部品Info
- Publication number
- JPS59213124A JPS59213124A JP8730383A JP8730383A JPS59213124A JP S59213124 A JPS59213124 A JP S59213124A JP 8730383 A JP8730383 A JP 8730383A JP 8730383 A JP8730383 A JP 8730383A JP S59213124 A JPS59213124 A JP S59213124A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- section
- wiring pattern
- present
- resistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複合部品に関し、特に固定抵抗器をセラミック
基板中に内蔵した複合部品に関するものでおる。
基板中に内蔵した複合部品に関するものでおる。
従来、この種の複合部品は、ディスクリート方式からハ
イブリッド方式へと小形化、高集積化が急速に進んだ。
イブリッド方式へと小形化、高集積化が急速に進んだ。
しかし、ディスクリート方式は勿論のこと、従来のハイ
ブリッド方式でさえ、セラミック等の絶縁基板上に蒸着
或いは印刷法で抵抗。
ブリッド方式でさえ、セラミック等の絶縁基板上に蒸着
或いは印刷法で抵抗。
電極および配線パターンの形成を行ない、かつ同一面上
にチップコンデンサおよび半導体ＩＣ等を搭載している
ため、小形化、高集積化には成る程度の限界があり、よ
り高密度のパターンを形成した場合には、品質の低下若
しくはコストの上昇を引き起す原因にもなっていた。一
方、電子機器の小形化、高集積化、低価格化は今後ます
ます促進される状況にあり、その開発は一層強く望まれ
ている。
にチップコンデンサおよび半導体ＩＣ等を搭載している
ため、小形化、高集積化には成る程度の限界があり、よ
り高密度のパターンを形成した場合には、品質の低下若
しくはコストの上昇を引き起す原因にもなっていた。一
方、電子機器の小形化、高集積化、低価格化は今後ます
ます促進される状況にあり、その開発は一層強く望まれ
ている。
本発明は、このような従来技術の実情および将来動向に
鑑みなされたものであって、その目的は超小形かつ高性
能で低価格の複合部品を提供することにある。
鑑みなされたものであって、その目的は超小形かつ高性
能で低価格の複合部品を提供することにある。
本発明によれば、複数個の孔部を有する同一、若しくは
別々の絶縁シートの表裏面の少くとも一面に１個以上の
シート状抵抗体を圧着形成し、誘電体と端子電極部およ
び配線パターンをそれぞれ印刷形成したのち積層し、上
記孔部を介し各配線パターンを電気的に接続して成る立
体電子回路ブロックの少くとも一面に電子部品を電気的
に接続搭載したことを特徴とする複合部品が得られる。
別々の絶縁シートの表裏面の少くとも一面に１個以上の
シート状抵抗体を圧着形成し、誘電体と端子電極部およ
び配線パターンをそれぞれ印刷形成したのち積層し、上
記孔部を介し各配線パターンを電気的に接続して成る立
体電子回路ブロックの少くとも一面に電子部品を電気的
に接続搭載したことを特徴とする複合部品が得られる。
以下、本発明の一実施例について図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明にょる一実施例であるアクティブＲＣフ
ィルタの製造工程図を表わし、第２図はその構造を示す
斜視図である。
ィルタの製造工程図を表わし、第２図はその構造を示す
斜視図である。
先ず第１表に例示するように酸化アルミニウム（Ａ１２
０３）から成る無機粉末Ａと酸化珪素（８１０２） 。
０３）から成る無機粉末Ａと酸化珪素（８１０２） 。
酸化鉛（ＰｂＯ）および酸化硼素（Ｂ２０Ｂ）ｔ−主成
分とする無機粉末Ｂとを、第２表に例示するような混合
比で混合した無機粉末Ａ＋Ｈの１００ＰＫ対し、有機溶
媒であるエチルセルソルブ６０〜１００ Ｃ（＋プチル
カービトール１０〜２０８Ｏおよびブチルフタリルグリ
コール厳ブチル１．５〜ａＣＣと、有機バインダーであ
るポリビニルブチラール５〜２０９を加え、充分混合し
て泥漿化する。この泥漿をドクターブレードを用いたキ
ャスティング成膜法によって成膜し乾燥させて未焼成の
絶縁シー）１（第２図）を形成し、ステンレス等から成
る金型でパンチングして同時に数種の孔部（図示省略）
を形成する。
分とする無機粉末Ｂとを、第２表に例示するような混合
比で混合した無機粉末Ａ＋Ｈの１００ＰＫ対し、有機溶
媒であるエチルセルソルブ６０〜１００ Ｃ（＋プチル
カービトール１０〜２０８Ｏおよびブチルフタリルグリ
コール厳ブチル１．５〜ａＣＣと、有機バインダーであ
るポリビニルブチラール５〜２０９を加え、充分混合し
て泥漿化する。この泥漿をドクターブレードを用いたキ
ャスティング成膜法によって成膜し乾燥させて未焼成の
絶縁シー）１（第２図）を形成し、ステンレス等から成
る金型でパンチングして同時に数種の孔部（図示省略）
を形成する。
第 １ 表
第２表 第３表
次に絶縁シート１の少くとも一面にアクティブＲＣフィ
ルタの回路構成要素である抵抗体。
ルタの回路構成要素である抵抗体。
コンデンサ、端子電極部および接続配線ノくターンから
成る１部を形成すべく、第３表に示すように無機粉末Ａ
＋Ｂに酸化ルテニウム（Ｒｕ ０２ ）を主成分とする
金属酸化物粉末を１０〜４０％混合した粉末０１００ｇ
ニ対ジエチルセルソルブ６０〜１００ｃｃ。
成る１部を形成すべく、第３表に示すように無機粉末Ａ
＋Ｂに酸化ルテニウム（Ｒｕ ０２ ）を主成分とする
金属酸化物粉末を１０〜４０％混合した粉末０１００ｇ
ニ対ジエチルセルソルブ６０〜１００ｃｃ。
プチルカービトールｌＯ〜２０ＣＣおよびブチルフタリ
ルグリコール酸ブチルｔ５〜３ＣＣと有機バインダーで
あるポリビニルブチラール５〜２０ｇを加え充分混合し
て泥漿化し絶縁シート１の製造と同様の方法で抵抗体シ
ートを製造し圧着形成し、さらにチタン酸系或いはジル
コン酸系等の誘電体粉末とガラスフリットを主成分とす
る誘電体ペーストおよび金 ＠ｌ −バッジｆ） Ａ
。
ルグリコール酸ブチルｔ５〜３ＣＣと有機バインダーで
あるポリビニルブチラール５〜２０ｇを加え充分混合し
て泥漿化し絶縁シート１の製造と同様の方法で抵抗体シ
ートを製造し圧着形成し、さらにチタン酸系或いはジル
コン酸系等の誘電体粉末とガラスフリットを主成分とす
る誘電体ペーストおよび金 ＠ｌ −バッジｆ） Ａ
。
白金−銀或いは銅等の金属粉＊を主成
分とする導体ペーストを印刷法によシ被着形成させる。
次に図示省略したこれらの抵抗体、コンデンサ。
端子電極部および接続配線パターンの各部分を形成した
絶縁シート１を全体としてアクティブＲＣフィルタの回
路を構成するように複数枚を積層し、熱プレス機等を用
いて、温度１００〜１５０℃、圧力２００〜３００υの
条件のもとて約２０分間熱圧着したのち、第２図に示す
如くナイフ等を用いて切断線１ａの位置で切断分離して
個片２を得る。この個片２をピーク温度が８００〜１０
００℃で約１０分間保持する領域を持つ温度条件のもと
て焼成して焼成個片２ａを得る。
絶縁シート１を全体としてアクティブＲＣフィルタの回
路を構成するように複数枚を積層し、熱プレス機等を用
いて、温度１００〜１５０℃、圧力２００〜３００υの
条件のもとて約２０分間熱圧着したのち、第２図に示す
如くナイフ等を用いて切断線１ａの位置で切断分離して
個片２を得る。この個片２をピーク温度が８００〜１０
００℃で約１０分間保持する領域を持つ温度条件のもと
て焼成して焼成個片２ａを得る。
次にこの焼成個片２ａの一面に１個以上の増幅器を有す
半導体ＩＣチップ或いは、ミニフラットＩＣ等の半導体
ＩＣＦｔ−所定の位置に仮固定し、ワイヤボンディング
或いは半田付は等の手段で電気的に接続し、かつ半田メ
ッキ或いは金メッキ等を表面に施した金属線を半田付は
等で焼成個片２ａの１部に接続固定して外部接続用のリ
ード端子４を設ける。
半導体ＩＣチップ或いは、ミニフラットＩＣ等の半導体
ＩＣＦｔ−所定の位置に仮固定し、ワイヤボンディング
或いは半田付は等の手段で電気的に接続し、かつ半田メ
ッキ或いは金メッキ等を表面に施した金属線を半田付は
等で焼成個片２ａの１部に接続固定して外部接続用のリ
ード端子４を設ける。
本実施例では、第３図に例示する接続配線図のように商
品名μｐｃ４５８ＧのミニフラットＩＣ１−１個と抵抗
値が１０にΩの圧着形成した抵抗体５ａ。
品名μｐｃ４５８ＧのミニフラットＩＣ１−１個と抵抗
値が１０にΩの圧着形成した抵抗体５ａ。
５ｂ、５ｃ、５ｄ、５’ｅ、５ｆおよび５６０Ωの圧着
形成した抵抗体５ｆと容量が０．０１μＦの印刷形成し
たコンデンサ５ａ 、 （ｉｂおよび０．０２２μＦの
印刷形成したコンデンサ６ｃ、６ｄと回路網を形成した
絶縁シートの積層数が１０層から成る状態変数形アクテ
ィブＲＣフィルタを試作し、その結果第４図に示す周波
数特性を得た。第４図の周波数特性図は第３図の接続配
線図に示す入力部４ａ−グランド部４６間に入力信号と
、電圧印加部４ｂ−グランド部４ｅ間に＋１５■、電圧
印加部４Ｃ−グランド部４６間に一１５Ｖの直流電圧を
印加した時の出力部４ｄ−グランド部４６関に現われた
バンドパスフィルタの周波数特性を示したものでＴｏ夛
、中心周波数ｆ。＝７２３Ｈｚ ｒ Ｑ−９，９３を利
得Ｇ−一１で設計値に殆んど近い電気的特性が得られた
。
形成した抵抗体５ｆと容量が０．０１μＦの印刷形成し
たコンデンサ５ａ 、 （ｉｂおよび０．０２２μＦの
印刷形成したコンデンサ６ｃ、６ｄと回路網を形成した
絶縁シートの積層数が１０層から成る状態変数形アクテ
ィブＲＣフィルタを試作し、その結果第４図に示す周波
数特性を得た。第４図の周波数特性図は第３図の接続配
線図に示す入力部４ａ−グランド部４６間に入力信号と
、電圧印加部４ｂ−グランド部４ｅ間に＋１５■、電圧
印加部４Ｃ−グランド部４６間に一１５Ｖの直流電圧を
印加した時の出力部４ｄ−グランド部４６関に現われた
バンドパスフィルタの周波数特性を示したものでＴｏ夛
、中心周波数ｆ。＝７２３Ｈｚ ｒ Ｑ−９，９３を利
得Ｇ−一１で設計値に殆んど近い電気的特性が得られた
。
なお第３図において第２層、第４層、第６層、第９層は
グランド層を示す。
グランド層を示す。
以上、本発明によると、第５図の断面図に示すように絶
縁シート１の表面および孔部内の導体７ ・によシ
抵抗体８およびその他の電子素子を縦横に形成できるた
め、従来の７１イブリツト技術よりもさらに小形化、集
積化が容易で、高性能かつ材料所要量が従来品よシも少
なくて済むため、低価格の複合部品が得られる。
縁シート１の表面および孔部内の導体７ ・によシ
抵抗体８およびその他の電子素子を縦横に形成できるた
め、従来の７１イブリツト技術よりもさらに小形化、集
積化が容易で、高性能かつ材料所要量が従来品よシも少
なくて済むため、低価格の複合部品が得られる。
なお、本発明がアクティブＲＣフィルタのみならず、低
周波増幅回路、高周波増幅回路等のアナログ回路をはじ
めとして、各種ディジタル回路にも応用できることは容
易に類推される。
周波増幅回路、高周波増幅回路等のアナログ回路をはじ
めとして、各種ディジタル回路にも応用できることは容
易に類推される。
第１図〜第５図は本発明の一実施例であるアクティブＲ
Ｃフィルタを示し、第１図はその製造工程図、第２図は
その構造の斜視図、第３図はその試作品の接続配線図、
第４図はその周波数特性図、第５図は本発明主要部の積
層状態の断面図を示す。 １・・・・・・絶縁シート、２・・・・・・未焼成個片
、２ａ・・・・・・焼成個片、３・・・・・・半導体Ｉ
Ｃ，４・・・・・・リード端子、４ａ・・・・・・入力
部、４ｂ、４ｃ・・・・・・電圧印加部、４ｄ・・・・
・・出力部、４ｅ・・・・・・グランド部、５ｍ、５ｂ
。 ５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆ、５ｇ・・・・・・圧着形成し
た抵抗体、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ・・・・・・印刷形
成した抵抗体、７・・・・・・導体部、８・・・・・・
圧着形成した抵抗体。
Ｃフィルタを示し、第１図はその製造工程図、第２図は
その構造の斜視図、第３図はその試作品の接続配線図、
第４図はその周波数特性図、第５図は本発明主要部の積
層状態の断面図を示す。 １・・・・・・絶縁シート、２・・・・・・未焼成個片
、２ａ・・・・・・焼成個片、３・・・・・・半導体Ｉ
Ｃ，４・・・・・・リード端子、４ａ・・・・・・入力
部、４ｂ、４ｃ・・・・・・電圧印加部、４ｄ・・・・
・・出力部、４ｅ・・・・・・グランド部、５ｍ、５ｂ
。 ５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆ、５ｇ・・・・・・圧着形成し
た抵抗体、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ・・・・・・印刷形
成した抵抗体、７・・・・・・導体部、８・・・・・・
圧着形成した抵抗体。
Claims (1)
- 複数個の孔部を有する同一、若しくは別々の絶縁シート
の表裏面の少くとも一面に、１個以上のシート状抵抗体
を形成し、誘電体と端子電極部および配線パターンをそ
れぞれ形成したのち積層し、前記孔部を介し各配線パタ
ーンを電気的に接続して成る立体電子回路ブロックの少
くとも一面に電子部品を電気的に接続搭載したことを特
徴とする複合部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8730383A JPS59213124A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 複合部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8730383A JPS59213124A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 複合部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59213124A true JPS59213124A (ja) | 1984-12-03 |
Family
ID=13911055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8730383A Pending JPS59213124A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | 複合部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59213124A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821390A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | 株式会社日立製作所 | セラミツク基板の製造方法 |
| JPS5830119A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | ティーディーケイ株式会社 | 複合型回路部品 |
-
1983
- 1983-05-18 JP JP8730383A patent/JPS59213124A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821390A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | 株式会社日立製作所 | セラミツク基板の製造方法 |
| JPS5830119A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | ティーディーケイ株式会社 | 複合型回路部品 |
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