JPS59208409A - 光ヘテロダイン干渉法による表面粗さ測定装置 - Google Patents
光ヘテロダイン干渉法による表面粗さ測定装置Info
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- JPS59208409A JPS59208409A JP8375683A JP8375683A JPS59208409A JP S59208409 A JPS59208409 A JP S59208409A JP 8375683 A JP8375683 A JP 8375683A JP 8375683 A JP8375683 A JP 8375683A JP S59208409 A JPS59208409 A JP S59208409A
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- light
- light beams
- measuring device
- optical
- object surface
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
- G01B11/303—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces using photoelectric detection means
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザな用いた光へテロダイン干渉法による表
面粗さ測定システムに関するものである。
面粗さ測定システムに関するものである。
従来行なわれている光干渉による表面状態の測定では単
一周波数成分を持つ2つの光波の干渉による、いわゆる
ホモダイン光干渉で、測定量は0.1ミクロンメートル
のオーダーである。
一周波数成分を持つ2つの光波の干渉による、いわゆる
ホモダイン光干渉で、測定量は0.1ミクロンメートル
のオーダーである。
近年機械加工等の精度が向上し、0.(11ミクロンメ
ートルオーダーの表面粗さ測定の要求も増し、新たな高
精度測定器の開発が待たれている。光ヘテロゲイン干渉
はホモダイン干渉に比べて2桁以上も高精度に表面粗さ
を計ることができる方法である。光ヘテロダイン干渉は
2つの異なる周波数成分を持つ光を干渉させて、その強
度を光電変換して、差の周波数のビート信号を得る方法
である。
ートルオーダーの表面粗さ測定の要求も増し、新たな高
精度測定器の開発が待たれている。光ヘテロゲイン干渉
はホモダイン干渉に比べて2桁以上も高精度に表面粗さ
を計ることができる方法である。光ヘテロダイン干渉は
2つの異なる周波数成分を持つ光を干渉させて、その強
度を光電変換して、差の周波数のビート信号を得る方法
である。
例えば周波数11、f2の光波をE、、E2とすれば
E、 (t)=A、 (t)cos (2π「1t1−
〆、 1ll)E、、(11=A2(1)cos (2
yr f 2 t +’12II)ここで、A、+
A2は振幅、yl、〆2は位相を示す。
〆、 1ll)E、、(11=A2(1)cos (2
yr f 2 t +’12II)ここで、A、+
A2は振幅、yl、〆2は位相を示す。
この2つの光波を干渉させると、その強度1(t)は
1(1)= l E、 (1)+E、、 (1) +
2 どなる。
2 どなる。
これを光検出器で電流i (t)に変換すると1(1)
”A+” +A、” −1−2A、 A2cos(2π
Δf1+Δグ)但し Δf = r、 −r2、 ΔV
=1−ダ。
”A+” +A、” −1−2A、 A2cos(2π
Δf1+Δグ)但し Δf = r、 −r2、 ΔV
=1−ダ。
なる電気信号が得られる。
ここでΔfは105〜lo’fTzのオーダーで十分に
電気的検出が可能で−このビート□信号の周波数、位相
の変化を検出することにより、もとの光波が持っている
光の周波数領域での情報を高精度に取り出すことかで゛
きる。
電気的検出が可能で−このビート□信号の周波数、位相
の変化を検出することにより、もとの光波が持っている
光の周波数領域での情報を高精度に取り出すことかで゛
きる。
光ヘテロダイン干渉を行なわせる手段としては。
ゼーマンレーザを用いる方法、音響光学素子(以下にA
・0とする)を用いる方法が一般的であるが、本発明に
よる光ヘテロダイン干渉法による表面粗さ測定装置では
、A−0を用い−」二記ビー1・信号のうちで、位相検
出を行ない、測定された位相を表面粗さ肝として換算す
る表面粗さ測定装置を実現するものである。
・0とする)を用いる方法が一般的であるが、本発明に
よる光ヘテロダイン干渉法による表面粗さ測定装置では
、A−0を用い−」二記ビー1・信号のうちで、位相検
出を行ない、測定された位相を表面粗さ肝として換算す
る表面粗さ測定装置を実現するものである。
第1図は従来行なわれているA・0を用いた表面粗さ測
定装置のブロック線図であり、100はレーザ発振部で
例えばI−1e −N eレーザである。
定装置のブロック線図であり、100はレーザ発振部で
例えばI−1e −N eレーザである。
101はレーザ発振部100から発射された光線で−そ
の周波数は(0である。102はビームスプリッター−
106は音響光学素子(A・0)である。
の周波数は(0である。102はビームスプリッター−
106は音響光学素子(A・0)である。
このA・0103は電気信号の駆動により、内部の媒質
に超音波進行波を発生させ、光と超音波の相互作用によ
り、偏向・光周波数シフト等の作用を行なうものである
。
に超音波進行波を発生させ、光と超音波の相互作用によ
り、偏向・光周波数シフト等の作用を行なうものである
。
111は周波数fmの正弦波発振器、112はA−0ド
ライバーで−ダブルバランスミキサー構成をなし、超音
波の周波数をfaとしたとき、f a ]−f m、f
a −f mなろ2つの周波数成分を持つ信号を作成
する。乙のような信号をA・0103に印加するとA・
0106への入射光線101は偏向・変調され、各々の
周波数がf Ol−f a 十f m及びfo−1−f
a−fmなる2つの光ビーム104,105が得られる
。
ライバーで−ダブルバランスミキサー構成をなし、超音
波の周波数をfaとしたとき、f a ]−f m、f
a −f mなろ2つの周波数成分を持つ信号を作成
する。乙のような信号をA・0103に印加するとA・
0106への入射光線101は偏向・変調され、各々の
周波数がf Ol−f a 十f m及びfo−1−f
a−fmなる2つの光ビーム104,105が得られる
。
この2つのビーム104及び105はレンズ106によ
り集光されて物体面107に照射される。この照射され
た2つの光ビーム104.105は物体面107の凹凸
の差に応じた光路差により、各々の位相が異なるよう位
相変調される。
り集光されて物体面107に照射される。この照射され
た2つの光ビーム104.105は物体面107の凹凸
の差に応じた光路差により、各々の位相が異なるよう位
相変調される。
この位相変調された2本の光ビーム104.105は物
体面107で反射して再びA・0103に帰され、再び
偏向・変調され、4本のビーム108になり、ビームス
プリッタ−102により進路を変え、レンズ109によ
って集光されて受光器110で光電変換され、ビート信
号となる。このビート信号の電流信号は ’−Io C2+0.5 拳cosθ−1−CO32r
c 11 2 f m t −4−cos(2π−2f
mt+θ)+0.5 acos(2πeJ fmt+θ
)〕で表わすことができる。θは位相差である。
体面107で反射して再びA・0103に帰され、再び
偏向・変調され、4本のビーム108になり、ビームス
プリッタ−102により進路を変え、レンズ109によ
って集光されて受光器110で光電変換され、ビート信
号となる。このビート信号の電流信号は ’−Io C2+0.5 拳cosθ−1−CO32r
c 11 2 f m t −4−cos(2π−2f
mt+θ)+0.5 acos(2πeJ fmt+θ
)〕で表わすことができる。θは位相差である。
ここで電流信号をフィルタリングして4fmの周波数成
分を受光器110から取り出す。113は発振器111
0周波数てい倍器で4fmの周波数を有する正弦波信号
を作成する。
分を受光器110から取り出す。113は発振器111
0周波数てい倍器で4fmの周波数を有する正弦波信号
を作成する。
干渉信号の4fm+θ成分の信号を電流−電圧変換して
、位相検出器114で、基準とする発振器111から作
ったcos (2rc −4f m t )と物体反射
光の信号cos (2π・4fmt+θ)の位相検出を
行ない位相差θを求め、表面凹凸量をデータ処理部12
6で演算する。
、位相検出器114で、基準とする発振器111から作
ったcos (2rc −4f m t )と物体反射
光の信号cos (2π・4fmt+θ)の位相検出を
行ない位相差θを求め、表面凹凸量をデータ処理部12
6で演算する。
以上の方法においては、物体面107からの反射光を再
びA・0103に帰して4ビームの干渉となしているた
め反射光のバスが長くなり光軸の調整が複雑になること
及び、電気信号と光信号の位相を比較することによる振
動等による外乱をふくみやすくなること−さらに受光器
110の個所で周波数フィルターを用いること、4倍の
周波数てい倍をすることによる電気回路の複雑化によっ
て実用的とは言えない欠点を有する。
びA・0103に帰して4ビームの干渉となしているた
め反射光のバスが長くなり光軸の調整が複雑になること
及び、電気信号と光信号の位相を比較することによる振
動等による外乱をふくみやすくなること−さらに受光器
110の個所で周波数フィルターを用いること、4倍の
周波数てい倍をすることによる電気回路の複雑化によっ
て実用的とは言えない欠点を有する。
第2図に本発明の実施例である表面粗さ測定装置のブロ
ック線図を示す。
ック線図を示す。
He −N eレーザ管あるいは半導体レーザ等による
レーザ発振部100から放射された周波数(oをもつ1
本の光ビーム101は音響光学素子(A・0)103に
入射されろ。A−0103は(mなる周波数の正弦波発
振器111を入力とするA・0ドライバー112によっ
て超音波進行波をその内部に発生させ、光と超音波の相
互作用により光ヘテロゲイン干渉の基礎となる周波数の
異なる2本の光ビーム104及び105の2ビームを発
生させる。ここでA・0ドライバー112はVCO,高
周波パワーアンプ、平衡変調器等から構成され、ある高
周波信号の周波数faに対してAM変調を行ない−キャ
リアー周波数fa成分を抑圧して、f a −f m及
びf a −(−f mの周波数成分を持つサイドバン
ドバクを発生させることが必要である。
レーザ発振部100から放射された周波数(oをもつ1
本の光ビーム101は音響光学素子(A・0)103に
入射されろ。A−0103は(mなる周波数の正弦波発
振器111を入力とするA・0ドライバー112によっ
て超音波進行波をその内部に発生させ、光と超音波の相
互作用により光ヘテロゲイン干渉の基礎となる周波数の
異なる2本の光ビーム104及び105の2ビームを発
生させる。ここでA・0ドライバー112はVCO,高
周波パワーアンプ、平衡変調器等から構成され、ある高
周波信号の周波数faに対してAM変調を行ない−キャ
リアー周波数fa成分を抑圧して、f a −f m及
びf a −(−f mの周波数成分を持つサイドバン
ドバクを発生させることが必要である。
この様にして光ビーム104はfo−1−fa−fm光
ビーム105はf o 十f a + f mなる周波
数成分を有する。
ビーム105はf o 十f a + f mなる周波
数成分を有する。
さらにこのときの光ビーム104と105との間の距離
は周波数fmに比例するため、周波数fmを可変とすれ
ば表面粗さ測定のプローブ光の間かくを変えることがで
きる。
は周波数fmに比例するため、周波数fmを可変とすれ
ば表面粗さ測定のプローブ光の間かくを変えることがで
きる。
102は偏光ビームスプリッタ−及び1/4波長板から
構成される光アイソレータで、A・0103と測定する
物体面107の間に設置する。
構成される光アイソレータで、A・0103と測定する
物体面107の間に設置する。
2つの光ビーム104及び105は光アイソレータ10
2で2つの方向に分割する。一方は物体面107に照射
しない参照光104.105となし、他方は集光用レン
ズ106を通して物体面107に照射する。物体面10
7からの反射光を再び集光用レンズ106を通して光ア
イソレータ102により再び進路を曲げ物体反射光12
0.121とする。122及び123は参照光104.
105及び物体反射光120,121の干渉を行なわせ
る光電変換部で、例えばPINフォトダイオード及び電
流−電圧変換器等で構成され、PINフォトダイオード
から得られたビート電流信号を電流−電圧変換する。
2で2つの方向に分割する。一方は物体面107に照射
しない参照光104.105となし、他方は集光用レン
ズ106を通して物体面107に照射する。物体面10
7からの反射光を再び集光用レンズ106を通して光ア
イソレータ102により再び進路を曲げ物体反射光12
0.121とする。122及び123は参照光104.
105及び物体反射光120,121の干渉を行なわせ
る光電変換部で、例えばPINフォトダイオード及び電
流−電圧変換器等で構成され、PINフォトダイオード
から得られたビート電流信号を電流−電圧変換する。
ことで参照光104.105に対して物体反射光120
,121は物体面1070表面粗さの凹凸による2つの
光ビーム間の光路長の差により、両者の位相が異なり、
干渉されたビート信号の位相の変化としてそのまま現わ
れてくる。光電変換部122及び126の電圧信号の直
流カットをすれば、得られる交流電圧信号124及び1
25は各々 A、’cos(2πe 2 f m を十〇、)
及びA2’cos(2yt a 2fm t+02)
で表わされる。
,121は物体面1070表面粗さの凹凸による2つの
光ビーム間の光路長の差により、両者の位相が異なり、
干渉されたビート信号の位相の変化としてそのまま現わ
れてくる。光電変換部122及び126の電圧信号の直
流カットをすれば、得られる交流電圧信号124及び1
25は各々 A、’cos(2πe 2 f m を十〇、)
及びA2’cos(2yt a 2fm t+02)
で表わされる。
θ1は参照信号の初期位相で一定量であり、θ2は物体
の表面凹凸量により変化する量で、この差θ2−0.が
実際の表面凹凸量に相当し、位相比較器114で検出す
る。
の表面凹凸量により変化する量で、この差θ2−0.が
実際の表面凹凸量に相当し、位相比較器114で検出す
る。
今、2つの光ビーム104及び105が物体面107に
照射されたときZなろ表面凹凸量があれば、 Z二λ・θ/4π で表わされる。
照射されたときZなろ表面凹凸量があれば、 Z二λ・θ/4π で表わされる。
λはレーザ波長、θは位相である。レーザとして1(e
−Neし7−ザな用いれば、λ=0.6328ミクロン
メートルであるから、一度の測定量としては、−0,1
5842≦0.158ミクロンメートルの凹凸測定量が
得られる。位相差1°当りのZは8.8オングストロー
ムであり、電気的に1°の位相測定は十分に可能である
ため、従来のホモダイン干渉法による測定に比べて10
0倍以上の高精度で表面粗さの計測が可能である。
−Neし7−ザな用いれば、λ=0.6328ミクロン
メートルであるから、一度の測定量としては、−0,1
5842≦0.158ミクロンメートルの凹凸測定量が
得られる。位相差1°当りのZは8.8オングストロー
ムであり、電気的に1°の位相測定は十分に可能である
ため、従来のホモダイン干渉法による測定に比べて10
0倍以上の高精度で表面粗さの計測が可能である。
2つの光ビームによる物体面上を走査することにより線
上、あるいは面上の計測を行ない、参照信号の初期位相
との差をマイクロプロセンサー等のデータ処理部126
で演算処理すれば表面粗さのプロフィールが容易に得ら
れる。
上、あるいは面上の計測を行ない、参照信号の初期位相
との差をマイクロプロセンサー等のデータ処理部126
で演算処理すれば表面粗さのプロフィールが容易に得ら
れる。
尚、線上、あるいは面上の走査を行なうには。
■XYステージの移動、■電磁ミラーによる光ビームの
走査、■A・0103の偏向走査による方法がある。
走査、■A・0103の偏向走査による方法がある。
以上述べた如く、本発明による表面粗さ測定システムに
よれば、2ビーム干渉による光信号で位相を比較するた
め振動等の外乱の影響を受は難く、しかも反射光の光路
が短くなり、光学系の調整が容易になり、さらにフィル
ター、周波数てい倍器等の電気回路が不要になり、装置
がコンパクトになる等の利点がある。
よれば、2ビーム干渉による光信号で位相を比較するた
め振動等の外乱の影響を受は難く、しかも反射光の光路
が短くなり、光学系の調整が容易になり、さらにフィル
ター、周波数てい倍器等の電気回路が不要になり、装置
がコンパクトになる等の利点がある。
第3図は第2図に用いられる光ヘテロダイン干渉の光学
系を詳細示す模式図であり、160及び164はシリン
ドリカルレンズで各々の焦点距離はl、とする。161
及び132は平凸レンズで各々の焦点距離は12とする
。166は偏光ビームスプリッタ−1135は1/4波
長板、106はレーザ集光レンズで焦点距離はl。とす
る。
系を詳細示す模式図であり、160及び164はシリン
ドリカルレンズで各々の焦点距離はl、とする。161
及び132は平凸レンズで各々の焦点距離は12とする
。166は偏光ビームスプリッタ−1135は1/4波
長板、106はレーザ集光レンズで焦点距離はl。とす
る。
一般にA・0103は光と超音波の相互作用により、光
波の変調を行なうもので、A・0106に入射する光の
ビーム幅は広いのが好ましいため、シリンドリカルレン
ズ130と平凸レンズ131の組み合せで幅の広いだ円
ビームを発生させる。
波の変調を行なうもので、A・0106に入射する光の
ビーム幅は広いのが好ましいため、シリンドリカルレン
ズ130と平凸レンズ131の組み合せで幅の広いだ円
ビームを発生させる。
さらに直線偏光レーザを用いることにより、偏光ビーム
スプリッタ−136と1/4波長板165の組み合せか
ら参照光と物体光の分離を行なう。
スプリッタ−136と1/4波長板165の組み合せか
ら参照光と物体光の分離を行なう。
光電変換部122及び123からのビート信号124と
125は一般に振幅が異なり、位相比較器114にはで
きるだけ振幅が近い状態の電気信号を入力するのが好ま
しいため、照射する物体面107の反射率に応じて、例
えばレーザ管を回転させ直線偏光の′軸を調整すればよ
い。あるいは偏光板を回転させて直線偏光軸を回転して
もよい。
125は一般に振幅が異なり、位相比較器114にはで
きるだけ振幅が近い状態の電気信号を入力するのが好ま
しいため、照射する物体面107の反射率に応じて、例
えばレーザ管を回転させ直線偏光の′軸を調整すればよ
い。あるいは偏光板を回転させて直線偏光軸を回転して
もよい。
さらにビート信号124.125のS/N比を良くする
ため、偏光ビームスプリッタ−133は干渉光がだ円ビ
ームとなる場所に設置するのが好ましい。
ため、偏光ビームスプリッタ−133は干渉光がだ円ビ
ームとなる場所に設置するのが好ましい。
第3図の実施例ではA・0106によって分離された2
つの光ビームは図示していないが、実際には非常に接近
した2ビームに分離している。
つの光ビームは図示していないが、実際には非常に接近
した2ビームに分離している。
この2ビ一ム分離を与える周波数をfmとしたとき、物
体面上での分離距離dは 11 ・■ で与えられる。
体面上での分離距離dは 11 ・■ で与えられる。
但し■はA−0103を伝わる超音波の速度である。し
かも■はA・0103の媒質で決まるもので、例えばV
=3.8km/sec、 l、 =15mm、l、、
−500mm、 llo = 7mmとすれば、f m
= l OOk llzで、d=7ミクロンメートル
である。
かも■はA・0103の媒質で決まるもので、例えばV
=3.8km/sec、 l、 =15mm、l、、
−500mm、 llo = 7mmとすれば、f m
= l OOk llzで、d=7ミクロンメートル
である。
また物体照射面でのビームスポット径は集光レンズ10
6に入射されるビームの径(このときは円形ガウスビー
ムに変換されている)とレンズの焦点距離l。に関係す
るが、小さいビーム径及び2ビームの間かくdをより小
さくするには、シリンドリカルレンズ134と焦光レン
ズ106の間にビームエクスパンダ−を入れればよい。
6に入射されるビームの径(このときは円形ガウスビー
ムに変換されている)とレンズの焦点距離l。に関係す
るが、小さいビーム径及び2ビームの間かくdをより小
さくするには、シリンドリカルレンズ134と焦光レン
ズ106の間にビームエクスパンダ−を入れればよい。
このような手段により数100kHzのビート信号で2
〜3ミクロンメートル領域の表面粗さを数10オングス
トロームの精度で測定することが可能となる。
〜3ミクロンメートル領域の表面粗さを数10オングス
トロームの精度で測定することが可能となる。
以上述べた如く本発明による表面粗さ測定装置では従来
に比べ、高精度な測定装置を、簡単な構成で実現できる
。
に比べ、高精度な測定装置を、簡単な構成で実現できる
。
第1図は従来の光ヘテロゲイン干渉法による表面粗さ測
定装置のブロック線図、第2図は本発明の実施例による
光ヘテロダイン干渉法による表面粗さ測定装置のブロッ
ク線図、第3図は第2図に用いられる光ヘテロゲイン干
渉法の光学系の詳細を示す模式図である。 100・・・・・・レーザ発振部、 102・・・・・・光アイソレータ、 106・・・・・・音響光学素子、 104.105・・・・・・参照光、 107・・・・・・物体面、114・・・・・・位相比
較器、120.121・・・・・・物体反射光、122
.123・・・・・・光電変換部、126・・・・・・
データ処理部、 136・・・・・・偏光ビームスプリッタ−1135・
・・・・・1/4波長板。
定装置のブロック線図、第2図は本発明の実施例による
光ヘテロダイン干渉法による表面粗さ測定装置のブロッ
ク線図、第3図は第2図に用いられる光ヘテロゲイン干
渉法の光学系の詳細を示す模式図である。 100・・・・・・レーザ発振部、 102・・・・・・光アイソレータ、 106・・・・・・音響光学素子、 104.105・・・・・・参照光、 107・・・・・・物体面、114・・・・・・位相比
較器、120.121・・・・・・物体反射光、122
.123・・・・・・光電変換部、126・・・・・・
データ処理部、 136・・・・・・偏光ビームスプリッタ−1135・
・・・・・1/4波長板。
Claims (1)
- レーザ発振部から放射される光を音響光学素子により周
波数の異なる2つの光線に分割し、該2つの周波数成分
を有する2つの光線を被測定面である物体面に照射する
光ヘテロダイン干渉法による表面粗さ測定装置において
、前記音響光学素子と前記物体面との間に設けられた偏
光ビームスプリッタ−及び1/4波長板からなる光アイ
ソレータと、前記2つの周波数成分を有する2つの光線
を一前記光アイソレータにより2つの方向に分割し、一
方は前記物体面に照射しない参照光となし、他方は前記
物体面に照射し且つ前記物体面からの反射光を前記光ア
イソレータにより再び進路を曲げ物体反射光となし、前
記参照光及び前記物体反射光を各々光電変換してビート
信号を作成する各光電変換部と、該各党電変換部からの
信号相互の位相差を検出する位相比較器と、該位相比較
器からの位相差情報に基づき前記物体面の凹凸量を演算
するデータ処理部とから構成される光ヘテロダイン干渉
法による表面粗さ測定装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8375683A JPS59208409A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 光ヘテロダイン干渉法による表面粗さ測定装置 |
US06/608,744 US4650330A (en) | 1983-05-13 | 1984-05-10 | Surface condition measurement apparatus |
GB08412312A GB2146116B (en) | 1983-05-13 | 1984-05-14 | Surface condition measurement apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8375683A JPS59208409A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 光ヘテロダイン干渉法による表面粗さ測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59208409A true JPS59208409A (ja) | 1984-11-26 |
Family
ID=13811391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8375683A Pending JPS59208409A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 光ヘテロダイン干渉法による表面粗さ測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59208409A (ja) |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP8375683A patent/JPS59208409A/ja active Pending
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