JPS59207820A - 高導電性炭素系熱処理物 - Google Patents
高導電性炭素系熱処理物Info
- Publication number
- JPS59207820A JPS59207820A JP58082804A JP8280483A JPS59207820A JP S59207820 A JPS59207820 A JP S59207820A JP 58082804 A JP58082804 A JP 58082804A JP 8280483 A JP8280483 A JP 8280483A JP S59207820 A JPS59207820 A JP S59207820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carbon
- heat
- temperature
- conductivity
- treated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Or Physical Treatment Of Fibers (AREA)
- Inorganic Fibers (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高い電気伝導度を有する炭素系熱処理物に関す
る。さらに詳しくは、ハロゲン置換有機化合物を気相熱
分解させて得られる熱分解物を該熱分解より高い温度で
熱処理することを特徴とする高導電性炭素系熱処理物に
関する。
る。さらに詳しくは、ハロゲン置換有機化合物を気相熱
分解させて得られる熱分解物を該熱分解より高い温度で
熱処理することを特徴とする高導電性炭素系熱処理物に
関する。
近年、天然もしくは人工の高純度のグラフ1イトと電子
受容体もしくは電子供与体(以下ドーパントと称する)
との錯化合物が金属並みの高い電導度を示すことが発見
され、高導電性材料として注目されるようになってきた
。
受容体もしくは電子供与体(以下ドーパントと称する)
との錯化合物が金属並みの高い電導度を示すことが発見
され、高導電性材料として注目されるようになってきた
。
この種の高導電性炭素材料として、炭化水素化合物を気
相熱分解し、さらに超高温で熱処理して得られる高配向
高純度熱分解グラファイトが知られている。たとえば、
メタンなどの炭化水素を高温熱分解した生成物を一軸性
の圧力を加えながら、2800℃以上の超高温で熱処理
することにより製造される。
相熱分解し、さらに超高温で熱処理して得られる高配向
高純度熱分解グラファイトが知られている。たとえば、
メタンなどの炭化水素を高温熱分解した生成物を一軸性
の圧力を加えながら、2800℃以上の超高温で熱処理
することにより製造される。
また、メタンやベンゼンのような炭化水素を、950℃
〜1300℃で、鉄微粒子を触媒として用い、繊維状の
熱分解炭素が生成することが知られ、熱処理をおこなう
ことにより電導度が向上することも知られている。
〜1300℃で、鉄微粒子を触媒として用い、繊維状の
熱分解炭素が生成することが知られ、熱処理をおこなう
ことにより電導度が向上することも知られている。
このような炭素と水素のみを含む炭化水素化合物を気相
熱分解して得られる炭素材料は2800℃以上の熱処理
をおこなうことによってはじめてグラファイト構造にな
る。
熱分解して得られる炭素材料は2800℃以上の熱処理
をおこなうことによってはじめてグラファイト構造にな
る。
また、ドーパントと層間化合物を生成し、高導電性材料
となることが知られていた。すなわち、従来金属なみの
高導電材料として知′られている炭素材料は炭化水素化
合物を出発系料とするグラファイト構造が高度に発達し
たものに限られており、ドーパントとの錯化合物の形成
により、さらに高導電性を発起するものであった。
となることが知られていた。すなわち、従来金属なみの
高導電材料として知′られている炭素材料は炭化水素化
合物を出発系料とするグラファイト構造が高度に発達し
たものに限られており、ドーパントとの錯化合物の形成
により、さらに高導電性を発起するものであった。
しかしながら炭素原料を高温で熱処理することにより必
らずグラファイト構造になるとは限らないのであって、
出発炭素材料の種類があとの熱処理効果に大きな影響を
与えることも知られている。
らずグラファイト構造になるとは限らないのであって、
出発炭素材料の種類があとの熱処理効果に大きな影響を
与えることも知られている。
たとえは、ポリアクリロニトリル、ピッチ、シーヨ′ン
等の有機物繊維を熱処理して得られる炭素繊維をさらに
高温で熱処理をおこなっても殆んど導電性は向上せず、
8000℃で熱処理しても電導度はIQ3s/a+++
以下の電導度を示すだけであり、またドーパントの錯化
合物形成による一驚性の向上効果は殆んどみられない。
等の有機物繊維を熱処理して得られる炭素繊維をさらに
高温で熱処理をおこなっても殆んど導電性は向上せず、
8000℃で熱処理しても電導度はIQ3s/a+++
以下の電導度を示すだけであり、またドーパントの錯化
合物形成による一驚性の向上効果は殆んどみられない。
炭素繊維は軽量で、強度、弾性に優れた工業材料として
広く用いられるが導電性は金属材料に比し劣っているた
め発熱体や高導電性の必要のない静電防止材としての使
用にとどまっているのが現状である。
広く用いられるが導電性は金属材料に比し劣っているた
め発熱体や高導電性の必要のない静電防止材としての使
用にとどまっているのが現状である。
一方、ハロゲンを含有する化合物の熱分解に関しては、
日本化学会誌494.1690(1979)に黒鉛基す
上、700℃〜1ioo℃のallで1.2−ジクロル
エチレンの熱分解をおこない、炭素被覆体を製造する方
法が知られている。しかしこの方法で得られた熱分解炭
素化物は最高850S/m程度の亀導度を示すもので高
導電性とはいえない。
日本化学会誌494.1690(1979)に黒鉛基す
上、700℃〜1ioo℃のallで1.2−ジクロル
エチレンの熱分解をおこない、炭素被覆体を製造する方
法が知られている。しかしこの方法で得られた熱分解炭
素化物は最高850S/m程度の亀導度を示すもので高
導電性とはいえない。
本発明者らはハロゲンを含有する化合物を広く検討した
結果、新らしい事実を発見し本発明に到った。
結果、新らしい事実を発見し本発明に到った。
すなわち、1.2ジクロルエチレンのみならず、ハロゲ
ンを含有する化合物、ながでも飽和または炭素−炭素二
重結合を有し、かつハロゲンを含有する有機化合物を用
いると、炭化水素よりより低温で熱分解を受は易く、9
50℃以下で耐熱性成形体基材上に均一に光沢ある熱分
解炭素沈着物ができることを見出した。これは、ドーパ
ントを作用させても電導度は殆んど変化しないものであ
った。しかも意外なこきに熱分解温度よりさらに高い温
度で熱処理を行うと導電性が著しく向上することを見出
した。
ンを含有する化合物、ながでも飽和または炭素−炭素二
重結合を有し、かつハロゲンを含有する有機化合物を用
いると、炭化水素よりより低温で熱分解を受は易く、9
50℃以下で耐熱性成形体基材上に均一に光沢ある熱分
解炭素沈着物ができることを見出した。これは、ドーパ
ントを作用させても電導度は殆んど変化しないものであ
った。しかも意外なこきに熱分解温度よりさらに高い温
度で熱処理を行うと導電性が著しく向上することを見出
した。
さらにこのような2次的な熱処理された熱分解炭素化物
はドーパントとの錯化が容易に起り、電導度がさらに向
上することを見出し本発明に達した。
はドーパントとの錯化が容易に起り、電導度がさらに向
上することを見出し本発明に達した。
このようなハロゲン化合物の熱分解物の熱処理によって
、著しく導電性が向上し、しがもドーパントとの作用で
電導度がさらに向上することは従来知られていないこと
であった。
、著しく導電性が向上し、しがもドーパントとの作用で
電導度がさらに向上することは従来知られていないこと
であった。
すなわち、本発明の目的は飽和または炭素−炭素二重結
合を有り、かつハロゲン原子を一含有する有機化合物を
不活性雰囲気下500℃以上の温度で熱分解し、これを
さらに高温で熱処理することを特徴とする高導電性炭素
系熱処理物および炭素系熱処理物とドーパントを必須成
分とする高導電性組成物を提供することにある。
合を有り、かつハロゲン原子を一含有する有機化合物を
不活性雰囲気下500℃以上の温度で熱分解し、これを
さらに高温で熱処理することを特徴とする高導電性炭素
系熱処理物および炭素系熱処理物とドーパントを必須成
分とする高導電性組成物を提供することにある。
本発明のハロゲン化合物は少なくとも1つ以上のハロゲ
ン原子を有する有機化合物を用いることができる。ハロ
ゲン原子は塩素、臭素ヨウ素が好ましい。
ン原子を有する有機化合物を用いることができる。ハロ
ゲン原子は塩素、臭素ヨウ素が好ましい。
本発明のでは、飽和または炭紫−炭素二重結合を有する
不飽和有機ハロゲン化合物一般が広く用いられる。飽和
有機ハロゲン化合物としてはエチルヨーシト、プロピル
ヨーシト等が例示される。導電性に与える熱処理効果が
特に大きいものはハロゲン置換不飽和化合物である。す
なわち、芳香環に直接ハロゲン原子が置換されたハロゲ
ン置換芳香族類;例エバクロルベンゼン、ブロムベンセ
ン、ヨードベンゼン、p−ジブロムベンセン、p−ショ
ートベンゼン、0−ショート ベンセン、 芳香環に隣接する炭素にハロゲン原子が置換された化合
物類; 例えはベンジルクロリド、ベンジルプロミド、ベンジル
ヨーシト、ペンジリテンジブロミド、ベンジリプインド
リクロリド、 p−キシリレンジクロリド、p−キシ リレンジブロミド、O−キシリレンク ロリド、0−キシリレンジブロミド、 p−キシリデンテトラプロミド、 二重結合に直接ハロゲン原子が置換されたハロゲン@換
脂肪族類; 例えば塩化ビニル、臭化ビニル、1.2−ジクロルエチ
レン、L、2−シフロムエ チレン、 二重結合に隣接する炭素にノ\ロゲン原子が置換された
脂肪族化合物類; 例えはアリルクロリド、アリルプロミド、アリルヨーシ
ト、■、4−ジブロムー2 −ブテン、■、4−ジクロルー2−ブ デン、あるいは脂環族、ペテロ環化合 物であってもよく3.6−ジクロル− 1−シクロヘキセン、■−クロロメチ ルシクロペンテン、1−クロロメチル ノルポルナジエニ等が例示される。
不飽和有機ハロゲン化合物一般が広く用いられる。飽和
有機ハロゲン化合物としてはエチルヨーシト、プロピル
ヨーシト等が例示される。導電性に与える熱処理効果が
特に大きいものはハロゲン置換不飽和化合物である。す
なわち、芳香環に直接ハロゲン原子が置換されたハロゲ
ン置換芳香族類;例エバクロルベンゼン、ブロムベンセ
ン、ヨードベンゼン、p−ジブロムベンセン、p−ショ
ートベンゼン、0−ショート ベンセン、 芳香環に隣接する炭素にハロゲン原子が置換された化合
物類; 例えはベンジルクロリド、ベンジルプロミド、ベンジル
ヨーシト、ペンジリテンジブロミド、ベンジリプインド
リクロリド、 p−キシリレンジクロリド、p−キシ リレンジブロミド、O−キシリレンク ロリド、0−キシリレンジブロミド、 p−キシリデンテトラプロミド、 二重結合に直接ハロゲン原子が置換されたハロゲン@換
脂肪族類; 例えば塩化ビニル、臭化ビニル、1.2−ジクロルエチ
レン、L、2−シフロムエ チレン、 二重結合に隣接する炭素にノ\ロゲン原子が置換された
脂肪族化合物類; 例えはアリルクロリド、アリルプロミド、アリルヨーシ
ト、■、4−ジブロムー2 −ブテン、■、4−ジクロルー2−ブ デン、あるいは脂環族、ペテロ環化合 物であってもよく3.6−ジクロル− 1−シクロヘキセン、■−クロロメチ ルシクロペンテン、1−クロロメチル ノルポルナジエニ等が例示される。
なかでもハロゲン置換不飽和化合物は1000°C以下
の熱分解温度で均質に、光沢のある熱力群炭素か容易に
沈積生成し、熱処理による効果が著しい。特に二重結合
に隣接する炭素にハロケンを有する化合物、例えば芳香
環に隣接する炭素にハロケン原子が置換する化合物、あ
るいは脂肪族二重結合に隣接する炭素にハロゲン原子が
置換する化合物が特に好ましい。すなわち、アリールハ
ライド、ベンジルハライドなどに代表される化合物群で
ある。
の熱分解温度で均質に、光沢のある熱力群炭素か容易に
沈積生成し、熱処理による効果が著しい。特に二重結合
に隣接する炭素にハロケンを有する化合物、例えば芳香
環に隣接する炭素にハロケン原子が置換する化合物、あ
るいは脂肪族二重結合に隣接する炭素にハロゲン原子が
置換する化合物が特に好ましい。すなわち、アリールハ
ライド、ベンジルハライドなどに代表される化合物群で
ある。
熱分解おこなうにあたっては、例えは粉末状に分解性成
物が得られるような場合には特に基材が存在していてな
くても目的物を独立に取得することができる。炭素被覆
成形体とする場合には基材の形状、孤類は任意に選べる
。例えは成形体基材には粉状、球状、不定形状、繊維状
、シート状、テープ状、管状、その他任意の異形成形体
などの形状を有するものを用いる仁とができる。
物が得られるような場合には特に基材が存在していてな
くても目的物を独立に取得することができる。炭素被覆
成形体とする場合には基材の形状、孤類は任意に選べる
。例えは成形体基材には粉状、球状、不定形状、繊維状
、シート状、テープ状、管状、その他任意の異形成形体
などの形状を有するものを用いる仁とができる。
本発明では、耐熱性を有する基材が好ましく、例えは耐
熱性樹脂、石英ガラス、アルミナ、窒化ケイ素、炭化ケ
イ素、窒化ホウ素、炭素等の次の熱処理工程で基材の形
態が保持される成形体をあげることができる。
熱性樹脂、石英ガラス、アルミナ、窒化ケイ素、炭化ケ
イ素、窒化ホウ素、炭素等の次の熱処理工程で基材の形
態が保持される成形体をあげることができる。
熱分解温度はそれぞれの化合物によって異るが一般に5
00℃以上が用いられる。特にできるだけ低温で熱分解
を行なうと煤の発生が抑制され、光沢ある炭素沈積物を
生成させることができる。この現象は炭化水素化合物が
煤になりやすいのと対象的であり、ハロゲン化合物の一
つの特徴である。高導電性を賦与するための熱処理は、
ハロゲン化合物の熱分解より高い温度、3500℃以下
の温度範囲で行なわれる。炭素系被覆物を均一に沈積さ
せるためには外熱式間接加熱法が好ましい。
00℃以上が用いられる。特にできるだけ低温で熱分解
を行なうと煤の発生が抑制され、光沢ある炭素沈積物を
生成させることができる。この現象は炭化水素化合物が
煤になりやすいのと対象的であり、ハロゲン化合物の一
つの特徴である。高導電性を賦与するための熱処理は、
ハロゲン化合物の熱分解より高い温度、3500℃以下
の温度範囲で行なわれる。炭素系被覆物を均一に沈積さ
せるためには外熱式間接加熱法が好ましい。
熱分解および熱処理は不活性雰囲気でこれを行なう必要
がある。
がある。
熱分解においてはハロゲン置換化合物をそのままあるい
は不活性雰囲気ガス、例えばアルゴン、窒素等に同伴さ
せ加熱部へ導入してもよいし、あるいは減圧した加熱部
に導入することができる。
は不活性雰囲気ガス、例えばアルゴン、窒素等に同伴さ
せ加熱部へ導入してもよいし、あるいは減圧した加熱部
に導入することができる。
このようにして得られた熱分解物は10〜10”S/(
Jの電導性を示すものとなる。留意すべきことは、この
まま常法によりドーピングをおこなっても殆んど導電性
が向上しないことである。
Jの電導性を示すものとなる。留意すべきことは、この
まま常法によりドーピングをおこなっても殆んど導電性
が向上しないことである。
すなわち、次の熱処理工程を経ることによりはじめて高
導電性が発現し、さらにドーピング゛による導電性向上
効果が現われる。
導電性が発現し、さらにドーピング゛による導電性向上
効果が現われる。
熱処理温度は基材の形態が保持される温度により制限さ
れるが、例えば石英ガラス成形基材では1200°C以
下、セラミック成形基材では2000℃以下、さらに炭
素系成形暴利では3500℃以下でおこなうことができ
る。熱処理時間には特に限定するものはないが、一般に
は1分〜120分の範囲で充分である。
れるが、例えば石英ガラス成形基材では1200°C以
下、セラミック成形基材では2000℃以下、さらに炭
素系成形暴利では3500℃以下でおこなうことができ
る。熱処理時間には特に限定するものはないが、一般に
は1分〜120分の範囲で充分である。
この様にして得られる炭素系熱処理物の電導性はもとの
熱分解物よりも著しく大きく102〜IO’s/am
に向上する。すなわち易黒鉛化炭素構造を有すると考え
られる。800℃〜2500℃というような比較的低温
でこのような導電性を示すことは全く予想もしないこと
であった。
熱分解物よりも著しく大きく102〜IO’s/am
に向上する。すなわち易黒鉛化炭素構造を有すると考え
られる。800℃〜2500℃というような比較的低温
でこのような導電性を示すことは全く予想もしないこと
であった。
さらに重要なことは、この熱処理物の重子受容体もしく
は電子供与体によるドーピング処理により、電導度がさ
らに向上し、103〜IQ’51011に達することで
ある。ドーパントについては特に限定しないが、従来グ
ラファイトあるいはポリアセチレン、ポリピロールなど
の共役系高分子において高導電性が見出されている化合
物を効果的に用いることができる。
は電子供与体によるドーピング処理により、電導度がさ
らに向上し、103〜IQ’51011に達することで
ある。ドーパントについては特に限定しないが、従来グ
ラファイトあるいはポリアセチレン、ポリピロールなど
の共役系高分子において高導電性が見出されている化合
物を効果的に用いることができる。
そのドーピングの方法は、公知の方法すなわち、ドーパ
ントと直接気相もしくは液相で接触させる方法、電気化
学的な方法、イオンインプランテーション等により実施
することができる。
ントと直接気相もしくは液相で接触させる方法、電気化
学的な方法、イオンインプランテーション等により実施
することができる。
具体的には電子受容体としてはハロゲン化合物類:臭紫
等、ルイス酸@:三塙化鉄、五フッ化砒紫、五フッ化ア
ンチモン、三フッ化ホウ紫、三酸化硫黄、三塩化アルミ
、五塩化アンテモン等、プロトン酸類:硝酸、硫酸、ク
ロルスルポン酸等、 電子供与体としては、アルカリ金属類:リチウム、カリ
ウム、ルビジウム、セシウム等、アルカリ土類金属類:
カルシウム、ストロンチウム、バリウム等、その他希土
類金属:(Sm、Eu、Yo )、酸アミド類:カリウ
ムアミド、カルシウムアミド等が例示される。ドーピン
グ量は特に制限はないが、好ましい含有量は熱処理物の
重凰当り011%〜160%、特には10%〜100%
である。
等、ルイス酸@:三塙化鉄、五フッ化砒紫、五フッ化ア
ンチモン、三フッ化ホウ紫、三酸化硫黄、三塩化アルミ
、五塩化アンテモン等、プロトン酸類:硝酸、硫酸、ク
ロルスルポン酸等、 電子供与体としては、アルカリ金属類:リチウム、カリ
ウム、ルビジウム、セシウム等、アルカリ土類金属類:
カルシウム、ストロンチウム、バリウム等、その他希土
類金属:(Sm、Eu、Yo )、酸アミド類:カリウ
ムアミド、カルシウムアミド等が例示される。ドーピン
グ量は特に制限はないが、好ましい含有量は熱処理物の
重凰当り011%〜160%、特には10%〜100%
である。
本発明における炭素系熱処理物ぶよびドーパントとの高
導電性組成物は導電性を与える各種の用途に用いること
ができる。また炭素系基材の導電性をさらに高めるばか
りでなく、石英ガラス、セラミック等の絶縁性成形基材
の表面の著しい高導電化処理が容易にできることが特徴
であり、電子、電気材料の種々の応用が可能である。
導電性組成物は導電性を与える各種の用途に用いること
ができる。また炭素系基材の導電性をさらに高めるばか
りでなく、石英ガラス、セラミック等の絶縁性成形基材
の表面の著しい高導電化処理が容易にできることが特徴
であり、電子、電気材料の種々の応用が可能である。
以下に実施例によって本発明をさらに詳しく述べるが本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
実施例1
抵抗線加熱式横型管状電気炉(450mmL )に石英
ガラス製炉芯管(80tsD X 700mmL )を
挿入し、一方の炉芯管端部に原料を貯え供給するための
ガラス製容器を入れ、さらにその上手より不活性ガスが
導入できるように装 ・置を組立てた。電気炉中央の炉
芯管内に石英板(2am X 5 am )基材として
置いた。
ガラス製炉芯管(80tsD X 700mmL )を
挿入し、一方の炉芯管端部に原料を貯え供給するための
ガラス製容器を入れ、さらにその上手より不活性ガスが
導入できるように装 ・置を組立てた。電気炉中央の炉
芯管内に石英板(2am X 5 am )基材として
置いた。
p−キシリレンジクロリド2 gr を原料として上
記ガラス製容器に入れ、窒素ガスを毎分1001nt流
通させ電気炉内を950℃に昇温した。さらに石英ガラ
ス製炉芯管の電気炉より露出した部分に原料加熱用のリ
ボンヒーターを巻きつけ、その後p−キシリレンジクロ
リドをリボンヒーターで、180℃に加熱し、気相で炉
芯管内に流し込み熱分解をおこなった。1時間熱分解を
継続した後、電気炉およびリボンヒーターの電源を切り
室温に冷却した後サンプルを取り出した。石英板上には
均質な銀白色の光沢ある熱分解炭素の沈積物が生じてい
た。この熱分解沈積物の電導度は84/S/LMを示し
た。
記ガラス製容器に入れ、窒素ガスを毎分1001nt流
通させ電気炉内を950℃に昇温した。さらに石英ガラ
ス製炉芯管の電気炉より露出した部分に原料加熱用のリ
ボンヒーターを巻きつけ、その後p−キシリレンジクロ
リドをリボンヒーターで、180℃に加熱し、気相で炉
芯管内に流し込み熱分解をおこなった。1時間熱分解を
継続した後、電気炉およびリボンヒーターの電源を切り
室温に冷却した後サンプルを取り出した。石英板上には
均質な銀白色の光沢ある熱分解炭素の沈積物が生じてい
た。この熱分解沈積物の電導度は84/S/LMを示し
た。
得られた沈積物は薄膜フィルム状で石英板上より剥ぐこ
とができた。これをクラファイト通電加熱型管状炉を用
いて、アルゴンガス芥囲気下、2500℃、および27
50℃で15分間熱処理をおこなった。
とができた。これをクラファイト通電加熱型管状炉を用
いて、アルゴンガス芥囲気下、2500℃、および27
50℃で15分間熱処理をおこなった。
得られた熱処理物の電導度は各々5.7X103S/c
m 、 9.7X l 03S/l!In に向上し
た。さらに電子受容体化合物として無水硫酸を併用し、
常法により室温で3日間気相ドーピングをおこなったと
ころ各々の電導度は9.9 X l O’ S/am。
m 、 9.7X l 03S/l!In に向上し
た。さらに電子受容体化合物として無水硫酸を併用し、
常法により室温で3日間気相ドーピングをおこなったと
ころ各々の電導度は9.9 X l O’ S/am。
7、 l X 10’ s/、xとさらに向上した。
熱処理をおこなわない熱分解沈積物は無水硫酸の気相ド
ーピング操作により電導度は向上しなかった。
ーピング操作により電導度は向上しなかった。
実施例2
実施例1で石英板のかわりに、ポリアクリロニトリル系
炭素繊維(直径7μ)を基材に用いた以外は同様の条件
で、p−キシリレンジクロリドの950℃熱分解を1時
間ふこなった。得られた熱分解炭素被覆炭素繊維を走査
型電子顕微鏡で観察すると、約O15μの厚みの炭素層
か均質に被覆されていた。
炭素繊維(直径7μ)を基材に用いた以外は同様の条件
で、p−キシリレンジクロリドの950℃熱分解を1時
間ふこなった。得られた熱分解炭素被覆炭素繊維を走査
型電子顕微鏡で観察すると、約O15μの厚みの炭素層
か均質に被覆されていた。
これをクラファイト通電加熱型管状炉を用いてアルゴン
雰囲気下2500℃で15分間熱処理をおこなった。得
られた熱処理物の電導度は1.7 X l 03S/c
+nに向上した。さらにこれを無水硫酸で3日間気相ド
ーピングをおこなったところ、1.4 X lO’S/
側とさらに向上した。また、硝酸でドーピングをおこな
ったものは2. OX 10’ S/amであった。一
方基材に用いた炭素線維は同一条件で2500℃熱処理
したところ1.2 X I O3S /LMであったが
、無水硫酸でドーピングしたものは5X103S/’礪
硝酸でドーピングしたものは6X103S /cyn
と電導度の向上は少なかった。この事実は熱分解炭
素被覆炭素繊維の導電性向上への寄与が大きいことを示
している。
雰囲気下2500℃で15分間熱処理をおこなった。得
られた熱処理物の電導度は1.7 X l 03S/c
+nに向上した。さらにこれを無水硫酸で3日間気相ド
ーピングをおこなったところ、1.4 X lO’S/
側とさらに向上した。また、硝酸でドーピングをおこな
ったものは2. OX 10’ S/amであった。一
方基材に用いた炭素線維は同一条件で2500℃熱処理
したところ1.2 X I O3S /LMであったが
、無水硫酸でドーピングしたものは5X103S/’礪
硝酸でドーピングしたものは6X103S /cyn
と電導度の向上は少なかった。この事実は熱分解炭
素被覆炭素繊維の導電性向上への寄与が大きいことを示
している。
実施例3
実施例1で石英板のかわりにアルミナ繊維(直径20μ
)、および石英短繊維(径101)を基材に用いた以外
″は同様の条件でp −キシリレンジクロリドの950
℃熱分解を1時間おこなった。いずれも各繊維上に均質
な熱分解炭素被覆ができた。得られた、各繊維の電導度
は各々l 20 S/側、1803/σであった。
)、および石英短繊維(径101)を基材に用いた以外
″は同様の条件でp −キシリレンジクロリドの950
℃熱分解を1時間おこなった。いずれも各繊維上に均質
な熱分解炭素被覆ができた。得られた、各繊維の電導度
は各々l 20 S/側、1803/σであった。
熱分解炭素被覆アルミナ繊維を1600°Cで、また熱
分解炭素被覆石英ウールを1200℃で熱処理したとこ
ろ前者は1.7XIO5/a、後者は87 (l S/
c+i に電導度が向上した。
分解炭素被覆石英ウールを1200℃で熱処理したとこ
ろ前者は1.7XIO5/a、後者は87 (l S/
c+i に電導度が向上した。
これを無水硫酸でドーピングしたものは電導度が各々8
.OX l03s/am、1. OX l O”S /
amとさらに向上した。
.OX l03s/am、1. OX l O”S /
amとさらに向上した。
熱処理をおこなわない炭素被覆各繊維は無水硫酸でドー
ピングを行なっても電導度は向上しなかった。
ピングを行なっても電導度は向上しなかった。
実施例4
実施例1のp−キシリレンジクロリドのかわりにアリル
クロリドあるいはエチルヨーシトを用い、蒸発加熱リホ
ンヒーターは用いず室温で蒸発させたほかは実施例1と
同様に熱分解を実施した。900°C,1時間での熱分
解沈積物の電導度は各々668S/ひ、2108/cd
であった。石英板基材より剥がしたフィルム状物を2
500℃で15分間熱処理をおこなった物の電導度は各
々7.6 X l 08/lan 。
クロリドあるいはエチルヨーシトを用い、蒸発加熱リホ
ンヒーターは用いず室温で蒸発させたほかは実施例1と
同様に熱分解を実施した。900°C,1時間での熱分
解沈積物の電導度は各々668S/ひ、2108/cd
であった。石英板基材より剥がしたフィルム状物を2
500℃で15分間熱処理をおこなった物の電導度は各
々7.6 X l 08/lan 。
2、 L X 103S/関に向上した。
実施例5
実施例1のp−キシリレンクロリドのかわりにp−ショ
ートベンゼンを用いた。900℃、1時間熱分解を実施
した。熱分解沈積物の電導度は800 S/側であった
。石英板基材より剥がしたフィルム状物を2500℃で
15分間熱処理をおこなった物の電導度は6、8 X
10 37wに向上した。
ートベンゼンを用いた。900℃、1時間熱分解を実施
した。熱分解沈積物の電導度は800 S/側であった
。石英板基材より剥がしたフィルム状物を2500℃で
15分間熱処理をおこなった物の電導度は6、8 X
10 37wに向上した。
Claims (2)
- (1)飽和または炭素−炭素二重結合を有し、かつハロ
ゲン原子を含有する有機化合物を不活性雰囲気下、50
0℃以上の温度で熱分解し、ついでさらに高温でか一’
′:?8500℃以下の温度で熱処理することにより得
られる高導電性炭素系熱処理物。 - (2)飽和または炭素−炭素二重結合を有し、かつハロ
ゲン原子を含有する有機化合物を不活性雰囲気下500
℃以上の温度で熱分解し、ついでさらに高温でかつ35
00℃以下の温度で熱処理することにより得られる炭素
系熱処理物・とドーパントを必須成分とする高導電性組
成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58082804A JPS59207820A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 高導電性炭素系熱処理物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58082804A JPS59207820A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 高導電性炭素系熱処理物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59207820A true JPS59207820A (ja) | 1984-11-26 |
JPH0147405B2 JPH0147405B2 (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=13784593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58082804A Granted JPS59207820A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 高導電性炭素系熱処理物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59207820A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2636196A1 (fr) * | 1988-08-24 | 1990-03-09 | Mitsubishi Pencil Co | Procede de production d'une membrane acoustique en carbone |
FR2636197A1 (fr) * | 1988-08-24 | 1990-03-09 | Mitsubishi Pencil Co | Procede de production d'une membrane acoustique en carbone |
EP0477297A1 (en) * | 1989-06-14 | 1992-04-01 | Temple University | Process for production of graphite flakes and films via low temperature pyrolysis |
JP2008088050A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-04-17 | Univ Of Tsukuba | フィルム状炭素材料を製造する方法およびフィルム状炭素材料 |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP58082804A patent/JPS59207820A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2636196A1 (fr) * | 1988-08-24 | 1990-03-09 | Mitsubishi Pencil Co | Procede de production d'une membrane acoustique en carbone |
FR2636197A1 (fr) * | 1988-08-24 | 1990-03-09 | Mitsubishi Pencil Co | Procede de production d'une membrane acoustique en carbone |
EP0477297A1 (en) * | 1989-06-14 | 1992-04-01 | Temple University | Process for production of graphite flakes and films via low temperature pyrolysis |
JP2008088050A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-04-17 | Univ Of Tsukuba | フィルム状炭素材料を製造する方法およびフィルム状炭素材料 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0147405B2 (ja) | 1989-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4701317A (en) | Highly electroconductive films and process for preparing same | |
US4666736A (en) | Highly electroconductive graphite continuous filament and process for preparation thereof | |
US4645713A (en) | Method for forming conductive graphite film and film formed thereby | |
WO2002049412A1 (en) | Branched vapor-grown carbon fiber, electrically conductive transparent composition and use thereof | |
JPH0157044B2 (ja) | ||
JPS6221867B2 (ja) | ||
JPS59207820A (ja) | 高導電性炭素系熱処理物 | |
JPS60181129A (ja) | 高導電性ポリイミド熱処理物及びその組成物の製造法 | |
CN110079996B (zh) | 一种碳化硅纤维表面缺陷的修复方法及其修复后碳化硅纤维 | |
JP2566244B2 (ja) | 可撓性黒鉛シ−ト材料 | |
JP2777903B2 (ja) | 耐熱耐食性無機材料およびその製造方法 | |
EP0477297A1 (en) | Process for production of graphite flakes and films via low temperature pyrolysis | |
EP0308907B1 (en) | Transition-metal-carbon composites and methods for making | |
JPS61275115A (ja) | グラフアイトの製造方法 | |
JPS62124273A (ja) | 導電性グラフアイト膜の形成方法 | |
JPS60131783A (ja) | 炭素発熱体の製造法 | |
JPH05209365A (ja) | 導電性気相成長炭素繊維の製造方法 | |
JPH0372750B2 (ja) | ||
JPH0147404B2 (ja) | ||
JPS61197422A (ja) | 導電性チタン酸アルカリ金属塩及び製法 | |
Van Quy et al. | SWNT–SOG composite for transparent field emission device | |
JPS63293164A (ja) | 炭素材料の製造法 | |
JPH02229785A (ja) | 単結晶引き上げ装置用ガス整流部材 | |
CN118651849A (zh) | 一种氮硫共掺杂石墨烯柔性膜及其制备方法和应用 | |
JPS639044B2 (ja) |