JPS59189341A - 基材上に光硬化した物質の独立部分を形成させる方法 - Google Patents

基材上に光硬化した物質の独立部分を形成させる方法

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JPS59189341A
JPS59189341A JP59057510A JP5751084A JPS59189341A JP S59189341 A JPS59189341 A JP S59189341A JP 59057510 A JP59057510 A JP 59057510A JP 5751084 A JP5751084 A JP 5751084A JP S59189341 A JPS59189341 A JP S59189341A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 印刷回路、グラフイツクアーツおよび関連産業において
は、原画(ボジオたはネガ)ホトマスクから光感受性シ
ートの一方捷たは両方の側に写真的K11IiI像転写
させる必要性が依然として存在している。多くの重要な
」揚台に、これら画仰げエレメント上の前以って確立き
れている位置に正確に軸合せ才た1は整合されなくては
ならない。画魂がエレメントの画引II K転写される
場合には、往々にして前面および背面画像もまた相弘に
正確に略台されていることが史V(要求される。すべて
の場合、写真操作は望ましくない捷たは偽の特性の転写
を最小にしつつ画像特性の定義および相対的位置の両方
全可及的最大の正確さ金もって保持きせるようl/r 
(、て実施される。
印刷回路は往々にして幹燥フイルムホトレジストヲ使用
した反復画像転写法により製造される。ホトレジスト法
の実施のために便用される装置は一般に、@被覆基材板
の清浄化のためのクリーナー贅たはスクラバー、板の予
備加熱のだめのオーブン、フィルムおよび板を一緒に積
層させる場合にそれらに熱を加えるだめのロールラミネ
ーター、活性放射露光ステーションおよび銅基材」二の
レジスト画像現窪のための溶媒洗去装置のような独立し
た部分より構成きれている。そのような工程および装置
は[Pr1ntθdC1rcuits Handboo
kJ第2版(1979)および1Photoresis
t Materials ancl Processe
sJ (1975)に完全に記穴されている。
典型的には装置の各部分の間で手動的な基材板の移動お
よび位置づけが行われるがこれは費用を上昇させそして
再現性を低下させて工程の収出損失を導く。
ホトレジスト工程を自動化させる/こめの枠々の試みが
なされた。しかしながら自動化は限定された程度にしか
採用されなかった。しかし近年米国特許第4.293.
635号、ヨーロッパ特許出願第81104013.8
号および米国的許出願第 9− 153.636号および同第153,637号各明細書
に開示のように一体化高生産性清浄化および積嘴系中に
板トリミングが成功裡に包含された。更に最近、高生産
性整合ふ−よび露光法が米国特許出願第68ス534号
明細書に開示された。自動化におけるこれらの進歩は使
用者に対する実窟的コスト節約の結果となる。
ホトマスク整合および露光と同時に基材上に光辞;受性
液体全コーティングする方法は米国特許出願第387.
535号明細書K [8ii1示されている。
この方法ははんだ操作の前に+m+路板に水入コーティ
ング全適用するにあたって特に有用である。
より厚いコーティング1的に対しては優れた保護が得ら
れるけれども、より薄いコーティング層による同様の保
護は達成がより困難である。よす薄いコーティングが望
ましいのであるから、印刷回路パターン上の光分なコー
ティング厚さ10− を確実ならしめるための要求が存在している。
本発明(徒、光硬化性物質をシイ1材に適用しそして露
光させて基材上に光硬化した物1(の独立部分を生成さ
せるにあたり、 (at  変形可能なそして固体として存在しない光硬
化性物質の者全ホトマスクに適用すること、(bl 光
硬化性物質の層をホトマスク全通して活性線放射に露光
させそれによってホトマスクから離れて面した光硬化性
物質表面を変形回前Pに留めること、 (cl  ホトマスクと共に露光)@全基材に適用しそ
れによって変形可能に留まっている光硬化性物°質の表
面を基材に面するようにすること、(tll  光硬化
性液体質を含有する層をホトマスクを通して活性線放射
に再露光させてそれによって光硬化した物I質の結合し
た独立部分を基材上に生成させること の各段階を包含する方法に関する。
本発明の好捷しい4体例は、光硬化性物質全シート基材
に適用しそして露光させてシート基材上に光硬化した物
1質の独立部分を生成させるにあたり、 (at  壷形可能なそして固体として存在しない光硬
化性物質の層をホトマスクに適用すること、(bl  
光硬化性物質全ホトマスクラ涌して活性線放射に露光さ
せそれによってホトマスクから離れて面した光硬化性物
質表面全変形可能に留めさせそしてそれによって光硬化
した物質および光硬化性物質全ホトマスクに接触状態で
存在させること、 (cl  ホトマスク上の露光させた光硬化性物J質を
基材に接触させてそれによって前記接触の間に光硬化性
物質の除去による一層緊密な接触以外の基材に対して実
質的なホトマスクの移動が生じないようにすること、そ
してその場合界面力または粘張力の少くとも一方が基材
とホトマスクとを相互に固定した位置に保持するのを助
けるようにすること、 (cll  光硬化性物質全含有する層をホトマスクを
通して活性線放射に再露光させてそれによって光硬化し
た物質の結合した独立部分を基材上に生成させること の各段階を包含する方法に関する。
第1図は光硬化性液体を予め像形成(以下場合により「
前画像形成」と称する)させ、この予め像形成せしめた
液体を実質的に均一な表面に適用し、適用された液体層
を再度像形成(以下場合により「再画像形成」と称する
)させ、未硬化液体を除去しそして場合により表面の非
被覆部分を変性させるプロセス工程を説明する一連の図
面である。
13− 第2図は光硬化性液体を予め像形成させ、この予め像形
成せしめた液体を盛り上ったレリーフパターンを有する
表面に整合適用し、適用された液体1層全再度像形成さ
せそして未硬化液体全除去するだめのプロセス工程全示
す一連の図面である。
第3図は本発明の好ましい方法の模式的図である。
本発明の教示によりコーティングさせそして像形成させ
るべきシート基材は種々でありそしてこれは最終物品の
用途に依存する。基材は剛性または可撓性、粗荒性また
は平滑性、均質または非均質、電気伝導性または非電気
伝導性でありうる。この基材の一方1i111または両
側に光感受性液体全コーティングしそして像形成させる
ことができ、そして基材表面はそれ自体光感受性液体の
適用の前に光感・Z性でありうる。
14− 本発明の方法は像形成せしめられた光硬化性液体でコー
ティングされたシート基材表面にわたって適正な一貫し
た光硬化部分ノリさを与えるにあたって有用である。光
硬化性成体を使用した場合、本発明の方法はf硬化性液
体から均一厚さの商解像レジスト像を生成させるに有用
であり一そしてこれ(は光硬化した液体による貫通孔の
塞栓形成全減少させるという別の利点を有している。こ
の方法は印刷回路パターン上に以後のはんだ操作の開回
路を保存する永久マスク全形成させるに特に有用である
。この151合、予備的像形成段階は、盛り上ったlo
i回路回路パターン光硬化液体の以後のはんだ操作の間
パターンを4¥護するに光分な最小厚さを確実ならしめ
る。
本発月の方法はまたプレート表面にわたって均一な画像
厚さを有する石版印刷プレートの製造においてもまた実
用である。
本発明は基材へのホトマスクの’l’lll @Wがそ
れ稈臨界的ではない表材の一つの表面への光硬化性液体
の適用、例えば単一石版印刷プレー)−Jたは陰画ホト
マスクの生成に対して有用であるけれども、本発明は例
えは「テント」レジスト寸た1dflんだマスクとして
の基材の両側1へのホトレジスト像の正確な整合適用に
対して特に有用である。基材の一方捷たは両方の側への
光硬化性液体の整合、適用および像形成のための好まし
い方法(はここに参照として包含されている米国特許出
願第387,535J明細訃に開示されている。
添付図面ri−いては、IF確な整合がΦ要な基材の一
方1111jで実施された本発明の方法が示されている
。基材は水平配向で示されているけれども、それは垂直
を含む仔ヤの配向で仙1持させることができ、そして基
材の両1111またけ両表面全同時にかまたは連続的に
像形成させることができる。
第1図は本発明の光硬化性液体および予備的像形成(p
reimaging)法を使用しためつき貫通孔を有す
る印刷回路板の製造方法を示す。
第1図Aに関して、その上に光硬化性液体層(21ヲコ
ーテイングしたホトマスク(1)ヲ低水準活性線放射(
3)に露光させる。ホトマスクの透明部分(4)を通過
する活性線放射はその下の光硬化性液体を一部硬化させ
てホトマスク表面に隣接した均一厚さの薄い硬化基層(
5)全生成せしめる。
その場合ホトマスクから遠い方を向いた光硬化性物質表
面(6)は変形可能に留まる。基層の厚さは光硬化性層
の厚さのわずか数分の1であり、そしてその光硬化性層
の厚さの少くとも一部そして好1しくけその半分はホト
マスクから遠い方に面した表面(6)上に未硬化して留
まっていて17− 厚さ均一性全確実ならしめる。予備的像形成された光硬
化性層を令するホトマスクを銅被覆基材(8)のめつき
F1…孔(ハに整合または正確に?$軸させる。
第1図BK訃いては、整合された予め像形成せしめられ
た光硬化性噛分例えば加圧ローラー(10)’を使用し
てホトマスクの外側表面にノルマルの圧全〕蘭用しそし
て圧をマスクを1黄切って前進させて幣会さnた予備的
像形成積層体を生成させることによって基材の鋼表面(
9)に連用する。
単1図Cにおいては、前画像形成光硬化性液体層を高水
準活性線放射(11)に露光させるがこれはホトマスク
の汚明部分全通過して銅表面の深さまでその下にある光
硬化性液体會硬化させて鋼表面に固く整合接層した再画
像形成層(12)を生成させる。第1図りにおいてはホ
トマスク(1)を硬化再画像形成部分(14)k全く除
去すること18− なしに再画像形成層(12)から除去する。再画像形成
層の表面を現像液例えば溶媒にかけた際、未硬化部分(
15)に除去されて銅表面上の硬化再画像形成部分(1
4)よりなる第1図Eに記載のステンシルレジスト画像
を生成させる。貫通孔(7)上に位置する硬化部分は「
テント」と称される。
例えば本発明の方法によシ製造されたようなステンシル
レジスト画像を使用する典型的方法はレジスト画像によ
り保護されていないすべてのvJ、aされていない銅表
面部分(91′ft:エッチングし去ることによって印
刷回路パターンを生成させることである。第1図Fは基
材の絶縁表面(18)上のエツチングさせたそのような
回路パターン(17)’!r示す。残存する硬化レジス
ト画像(14)および(16) il’j:典型的には
ストリッピング溶液により除去されて第1図Gの印刷回
路パターン全生成する。典型的には硬化物置による聞通
孔の塞枠形欣は光硬化性液体を1[47用する場合問題
点でありうる。この問題は本発明の前画像形成(pr+
うimaging)法により減少する。
第2図は本発明の光硬化性液体おまひ前画像形成法を便
用して印刷[lTl1Mに水入稈護コーティングのはん
だマスクを適用する方法を示す。
第2図A (C関してはその上に重粘度光硬化性液体層
(22)’にコーティングしたホトマスク(21)を低
水準活性線放射(26)に露光させる。ホトマスクの透
明部分(24)を通過する活性線放射はその下の光硬化
性液体を一部硬化させてホトマスク表面に接した一定の
最低厚さの湧い硬化−$1@(25)全生成させる。こ
の場合、硬化基層の厚さははんだの間の充分な保d全僅
実ならしめるためには光硬化性層の厚さの実Jf的剖分
でありうる。しかしなから層厚さの少くとも一部、好ま
しくはその半分はホトマスク(26)から遠い方に面し
ている表面上で未硬化にそして変形可能に留まっている
。前画像形成した光硬化性液体有するホトマスクを例え
ば第1図G記載の印刷回路パターン(17)のめつき貫
通孔(7)に整合または正確に軸合せさせる。特に好才
しい操作様式においては、印刷回路パターン(17)と
基材の絶縁表面(18)k場合により低粘度液体でコー
ティングして以下に開示のように空気捕集を減少または
除外させる。
第2図Bにおいては、整合し前画像形成された光硬化性
層を加圧ローラー(10)を例えば使用してホトマスク
の外側表面にノルマルの正金適用しそして圧をマスク金
横切って前進させて整合前画像形成積層体を生成させる
ことによって印刷回路パターンに適用する。適用の間盛
り上った回路レリーフパターンによシ形成されるすべて
の空隙全光硬化性液体で充填させるに充分21− な圧が要求される。使用される場合には低粘度液体はこ
の空隙の充填を助ける。適用のi:i′1%前露光によ
り形成された薄い硬化基層(25)は盛り上った回路パ
ターンが一定に厚い光硬化物質の「キャップ」で保護さ
れること全確実ならしめる。
第2図CK訃いては、前画像形成せしめられた光硬化性
液体層をホトマスクの透明部分を通過する高水準活性線
放射(61)に露光させて銅およびその下の基材表面深
さ1で光硬化性液体を硬化させて回路板全封入させそし
てそれに固く接着した再画像形成1m(32)を生成さ
せる。第2図りにおいては、ホトマスク(21)k再画
像形成層(32)から硬化再画像部分(2B)Th除去
することなしに除去する。ある場合には未露光硬化性物
質(29)はホトマスク表面に接着しそしてこれと共に
除去される。
22− 再画像形成層の表面が現像液例えば溶媒に曝された際未
硬化部分(60)は除去されてめっきされた貫・山荘(
7)およびまわりの「パッド」部分全裸にする。印刷回
路パターンの残余の部分に光硬化した物質すなわち(は
んだマスク中に封入される。封入された印刷回路は次い
で更に一般に使用されている方法により処理してめっき
された貫通孔に電気成分を挿入させそして(はんだ処理
することができる。
填2図は永久はんだマスク形成を記載しているけれども
%記載の方法はすべての低レリーフ画像を永久的せたは
一時的ベースでの盛9上った部分に最低の保護を確実な
らしめるだめの封入に対して有用であることが明白であ
る。
添付図面の記載から前画像形成露光程度ll′lj:製
造される物品の利用および光硬化性液体層のタイプおよ
び厚さに依存することが明白である。
基材表面が比較的平滑でありかつ液体の平滑な薄い’@
(0,0001〜0002インチ)が適用される場合に
は、前画像形成露光は実穎的なものでありうる。そのよ
うな場合、硬化の勾配は通常層の厚さ全体にわたって延
びている。そしてホトマスクに最も近い基If4は実質
的に硬化されておりそして外側表面に最も近い基層は積
層圧下では少くとも変形可能である。液体の厚いJ偕(
0,001〜0.005インチ)が適用される場合そし
て基材表面が不均一で低いレリーフまたはステンシルを
含有する場合、4たはコーティングされた液体層表面が
不均一である場合にI’1. 、露光はホトマスクに隣
接する基層に限定される。そして層の外側基層には硬化
は実質的に生じない。その他の場合としては、所望され
る使用に応じて厚い層の深部(indθpth)硬化ま
たは薄い層中の非常に薄い基層の形成があけられる。す
べての場合に対する第一義的基準は層の外側基層が以後
の再露光に対して変形可能にそして光硬化性に留まると
いうことである(場合により接着剤液体の存在下V)。
光硬化性層内の硬化勾配の程度は活性線放射水準、層中
の吸収成分および層の厚さに依存する。任意の特定の光
感受性層に対しては、勾配は活性線放射の強度、露光の
持続および/または放射スはクトル竹性の調整によって
調節することができる。層の前画像形成に使用される低
水準露光は、強度またはその持続のどちらかにおいて通
常層の再画像形成に使用される高水準露光とは異ってい
る。層成分により強く吸収される放射はまた前画像形成
のために肩用であり再画像形成に対してはあま9有用で
はない。
本発明の方法においては、1枚または一連の多数のシー
ト基材が整合および露光装置に導入25− される。装置前の整合部分は一般に長方形の基材の正確
な軸合せにおけるホトマスクへの整合全可能ならしめる
。ホトマスクは活性線放射への光感受性j@の像様露光
を可能ならしめる。
ホトマスクは活性線放射水準鍋させる可撓性シートであ
る。1個またQゴ2個のホトマスクを使用することがで
きる。その理由はシートX材の両側1を一連にまたげ同
時にli]i′i像形成させることができるからである
。2個のホトマスクを使用して各先行端?平行な蝶つか
い(ヒンジ)関係で基材の厚さに近似した厚さの薄いキ
ャリアの一方の1H11で納会させることができる。ホ
トマスクは共辿のキャリアへのそれらの蝶つがい関係の
故に相互に正確に整合保持されうる。
2個のホトマスク全使用して基材をホトマスクの間に位
置させまたは軸合せさせて1個の基材部分がキャリアお
裏ひ少くとも1備1のホトマ26− スフと整合されるようにする。整合接触は基材とギヤリ
アとの顎片な縁−縁接触でありうるが、この場合の唯一
の付加的判定:Jl(準はホトマスクの所望の画像パタ
ーンが画像形成させるべきシート部分中に完全に含有さ
れていることである。
しかしながらより一般的には整合は基材上に含有されて
いる細部のホトマスク画像の細部との正確な軸合せを必
要とする。この場合少くとも2個のシート上の接触点を
キャリアに固定させた2個の相当する接触点に固定関係
となるようにする。そのような小ハシートおよびキャリ
ア縁部、の適当に間隔全おいたノツチ(切欠け)および
タブでありうる。あるいはまた、膚は整合ビンと孔との
組合せより構成されうる。この場合シートは整合ビンに
よってバーに対して所望の配向で位置づけされた正確に
ドリル穿孔した整合孔を含有している。多数の基材全使
用する場合整合は基材ごとに同一であって、多数の基材
上の実質的に同一の露光光感受性層を以後の処理に対し
て生成づせる。
基材がキャリアに対して整合関係になったならば、煉つ
がい形成した縁部了たはその付近でホトマスクの外側表
面上でキャリアには0頁“平行なうインでノルマル圧ヲ
適用することによって、そして蝶つがいラインに垂直な
そして基材表面に平行な方向に加圧ラインを(相対的に
)前進させそしてその前進と同時にホトマスクの内側表
面ケコーティングすることりこより前画像形成光感受性
液体を適用しそしてコーティングされた層をホトマスク
全通して低水準活性線放射に露光させることによって可
撓性フィルムホトマスク金前画像形成光感受性液体中間
嘴の存在下に基材の少くとも一方の1則に適用する。実
1余には前進直線圧により形成される基材とホトマスク
との間のニップは光感受性中間層をカレンダー捷たは成
形するように作用する。この厚さはコーティングされた
層の前露光子局により制御されて前画仰形成光感受性層
が基材表面とホトマスクとを分離させている整合ザンド
イツチ構造を生成する。基材の2表面の各々に前画像形
成光感受性液体ヲ適用することによって、この積層また
はカレンダ一工程は好ましくU1組の加圧ローラーを通
して蝶つがい形成ホトマスク−整合シート集成体を通過
させることによυ実施される。ニップ圧ハ液体の粘度、
ニップ全通しての基材の通過速度、前露光程度および要
求される層厚さにより調節される。この操作様式におい
ては、整合は第一に圧を基材と可撓性ホトマスクの蝶つ
がい形成先行端育たはその付近で適用し、谷ホトマスク
の後続部分を各加圧ロールのカーブした表面の1わりに
一部巻付ける。
29− 光感受性好捷しく(1光1便化性数体を欠いてホトマス
クの表面にコーティングさせそしてそれ全通して低水準
活性線放射源を使用して前露光させる。ある場、合に(
・ゴ尤感受性液体はこれ捷だ光感受性でありうる低粘度
液体が築材に゛適用されているrfs’l Kオドマス
クに適用される。好1しくに整合装置は一齢的方向が上
昇方向となるように配置されている。すなわち基材は加
圧ロールおよび液体アプリケーターに相対的に上方向に
移動する。そのように配置きぜた場合、基材上の低粘度
液体の調祭なたは清伊北作用が達成されうる。その理由
は′A剰の液体を使用しうるからであり、そしてこれは
それと共にすべての外来性物質全還ひつつ受答等器中に
卑に流下するからである。更に活性露光が好捷しくは行
われる液体アプリケーター上の部分(1より容易に不要
の液体なしとなりうる。コーティングされた30− 基材とホトマスクとの軸合せを生成させるだめのこの方
法は一般に真空の助けなしで得られる。
基材の一面のみがコーティングされる必要がありそして
ホトマスクおよび別圧手段ニ連材の一方側のみに存在さ
せる必臂があることが理解されよう。
本明絆1書中で「実質的に移動なし」ということは基材
とホトマスクとの表面がそれらの表面に平行な方向に相
互に相対的に動かないこと、すなわち表面が相互にスラ
イドして基材に対するホトマスクの軸合せ全変化さ一+
!:ないこと’jr−tA味している。しかしながら「
実質的に移動なし」ということは、例えば基材とホトマ
スクとの間の界1mから鍋剰の未硬化液体がスクイーズ
されて前画像形成光感受性層全形敗する時または前画像
形成ノ曽の外側基層を変形させる時のホトマスクと基材
層のそれらの表向vC1で直な方向での(1互移動ll
″j: 、vf谷するものである。しかしながら前進加
圧ラインにより前画像形成光感受性層に接触させに基材
層およびホトマスク6ケそれらの表面に−IL行なそし
て垂1目な六回において固定された関係に留壕る。
昔だ本明細書においては前画像形成光感受性液体’m 
全通して基材とホトマスク全「竪触させる」ということ
は中間r=−e除外するものではないことを理解された
い。例えば基材全光感受性層液体の適用の前に非光感受
性嗜で湿潤化させることができる。
コーティングされた光感受性1!!i低水準活性線放射
に前露光させるためには、そのコーティングされた液体
層を基材表面に、接触させる前に前露光か生ずる限りは
すべての方法全使用することができる。整合ホトマスク
と基材が加圧ローラーのニップ甲に移動する一つの操作
様式においては、ホトマスクの内側表面をアプリケータ
ーステーションにおいて光感受性液体層で最初にコーテ
ィングせしめる。次いで加圧ローラーとアプリケ−クー
ステーションとの間に位置させた活性線放射領域全コー
ティングされたホトマスクの外側表面が通溝する1祭に
コーティングされた層が前画像形成される。この動的操
作様式においては、低水準露光は照射の強度およびスは
クトル特性ならびにコーティングされたマスクのそれが
照射領域全通過する時の輸送速度により決定される。こ
の様式においては、照射をハンドに、焦点合せさせるこ
とができるし捷たけ光感受性層の露光特性にマツチさせ
てその強度を調節した横方向に走査する強い活性線放射
のスポラトラ使用することができる。その他の操作様式
においては、アプリケーターステーションから出てくる
コーティングされたホトマス−33= りを停止さぜ、そして固定位tで懸垂きせ、そして次い
でホトマスクを通して低水準の3000〜4000A寸
たけそれ以上の領域の均一活性線放射に露光させる。こ
の静的操作様式においては、次いで前画像形成コーティ
ングの輸送は加圧ローラーのニップ中捷でつづけること
ができる。アプリケーターステーションが加圧ローラー
と照射領域との間に位tiLtシておりそしてホトマス
クが力1圧ローラーから輸送されるその他のM? nN
、 においては、ホトマスクの内911表面を第一にア
プリケーターステーション中でコーティングはせ、アプ
リケーターステーションから出てくるコーティングされ
た、ホトマスク6ケ止させそして固定位置に睦垂させ、
そして次いでこのホトマスク全通して均一低水準照射に
露光させる。アプリケーターステーション全引込壕せて
輸送方向を逆転式ぜ、そして前画像形成きせた34− コーティングしたホトマスクを基材と整合をせて加圧ロ
ーラーに通過させる。
前画像形成光感受性液体中間層でコーティングさせた基
材上にホトマスクが整合固定されたならば前取って処方
された時1410間、光感受性液体に対して活性な任意
の放射源を使用して高水率再露光全実施する。放射源は
前画像形成に使用されたものと同一光源でありうるし贅
だけそれfluつだ光源でもありうる。第一義的判定基
準はそれが前記定義の旨水準露光を実施させるに充分な
ものであるということである。好ましい操作様式におい
ては加圧ローラーから出てくる積I曽ニレメンlf停止
させ、そして固定たて形(ff’!で懸垂させ、そして
次いでホトマスクを通1−て6000〜4000Aまた
はそれ以上の領域の均一な活性線放射に露光させる。基
材の両側が光感受性液体111している場合には、両側
全好゛チしくけ同時υで曙光ブせる。ぞオ1−I/r代
る操作様式において0よ、光感・ジ1/を液体中111
1層を、そnが加圧ロールから出てきてそしてそれが放
射領域ゲ+fll )7:4する時に活性線放射で・べ
1芽1さぜる。
この様式に、1−′−いて(σ、照シ;iをハンドに焦
点合せさせることができるし丑グCは光感′ン性嗜の無
光!1′ケ性および輸送速度にマツチさせてその強度全
調節した横方向に走査する怖い活性線放射のスポットを
使用することができる。また整合−μ置から基材全完全
に、栄去しそしてそれをいずれかの適当な蕗光ユニット
上でνlft、さぜることも可能である。ホトマスクと
キャリアは界面の、枝体により誘導された界面方寸たは
粘すIv力の作用によって基材およびその光感受性層に
’1合さ扛て固定残留する。界面力と枯張力との両方か
存在しうることが、N14 Wlされている。
ホトマスクから13 造される材料によって、活性線放
射はホトマスクへの液体の光接着を誘導させうる。露光
させそして硬化させた液体の容易な離型?確実ならしめ
るためには、マスク表面を活性線放射Vζ対して本質的
に込明な、Jい購型(レリース)層で保護葦たは変性さ
せることができる。この離型層はマスク画像表面に対し
ては強い接着力を■しているべきであるがしかしこれは
硬化された光感受性液体に対してはより弱い接着力を有
しているべきである。この離型層の厚さは露光画像の高
い解像全確実ならしめるためには最小に例えば好寸しく
はマスク画像の厚さセ11えば約0.001インチまた
はそれ以下にすべきである。一つの有用な離型層は接漸
剤でマスク画イ象に接着させたo、ooosインチのポ
リエチレンテレツクレートフィルムである。その他のも
のとしては鋪々のワックスおよび通常のそ−ルドHLf
M剤があけられる。ホトマスクの37− T1しい特性としてUコーティング/積層過程に従わせ
るに充分な可撓性、液体甲成物1との長期接触における
寸法安定性、液体毛日成物に対する化学的安定性、各易
な離型性、卓光重合体からの帰室コーティングとの光加
合体共存性および応力に対する機械的馴久性があげられ
る。
再画像形成露光が完了した時例えば露光光感受性曽の表
面から剥離してすなわち画像形成エレメント全整合から
解放させることによるホトマスクの除云を行う。画像形
成ニレメントラ次いでコーティング−整合−露光装置か
ら送り出す。ぞして一連の基材を画像形成きせる場合に
はホトマスク−キャリア集成体ケその最初の位置に戻し
て次の基材を受けとるようにすることができる。好せし
い操作様式I//i=−いては一連の基材に対しては犬
gかの方法工程が露光段階の後逆転される。すなわち露
光積層エレメントを38− 加圧手段例えばローラーを通して逆に通退させそして各
ホトマスクをそのそれぞれの加圧ローラー上でキャリア
上の喋つがい部分に?lする寸で後方1で引張って保存
領域中に戻す。圧の適用のためにはローラー以外の手段
例えはスクイージ−全使用することができる。この点寸
たばその付近でホトマスク−キャリア渠成体全停止させ
、そして画像形成基材をコーティング−整合−露光装置
から運び出す装置に基材を放出させる。また加圧手段が
移動可能でありうる。そしてホトマスクを有する整合基
材が静止的でありうる。そのような操作様式においては
、装置は実質的に露光させるべき一連の次のシートを受
入れるべく準備されている。好ましい操作様式に卦いて
は、露光後の画像形成基材の運動は下降方向であり、そ
して加圧ローラーを分備させて画像形成基材を輸送手段
上VCC上下せる。ホトマス〃(はそれらを画像形成シ
ートから剥ディさせン際いずれかの多数の方法で保存す
ることができる。一つのイ早存様式ハ菓上げドラムであ
りこの土にホトマスク表面は像画接触なしで保存される
。あるいは捷だホトマスクは前6ピの前蕗光照射↑1域
中に懸垂保存させることができる。
この後者の保存様式はI材の反彷画1g゛形成に対して
特に有用である。
整合および像様露光法の1141シート基材は水平また
は垂旧を包含する任訃の配置でありうる。
好寸しくは基材は圭11才たは大賀的に垂面な面にある
。本発明の方法においては、ツ;置中では任慧の手段全
使用して基材全整合位置にそしてそこから移動させるこ
とができる。上昇−下降方向の好寸しい操作様式におい
ては、寿−羽はキャリアの下の位置寸ではベルトによっ
てその縁に立って水平に運はれる。そしてこの片方でそ
れはリフト装置によって整合接触に持ち上げられる。露
光後画像形成シートはコンベアベルト上に落され、そし
てこれがそれをその縁に立てて水平に装置から運び出す
ホトマスクに適用される光感受性液体は好ましくはネガ
として働くものである。ネガとして働く液体は光硬化性
組成物であり、それにおける活性線放射の効果は、露光
画像部分を面接または間接に硬化させるかまたはそれ以
外の様式でそのレオロジー全変化させる。好壕しくに不
溶化も壕だ生ずる。典型的光硬化反応としては、遊離ラ
ジカル連鎖付加重合、交叉結合反応およびプレポリマー
の二量化戊応その他かあげられる。そのような光硬化性
組成物は全般的に「Li小tSensitive Sy
stsmj (1965)に開示されている。
光感受性液体は一般に積層圧および/または41− 重力が作用した場合に基材とホトマスクとの間に均一の
厚妊の連続層を形成しそしてこれ全保持するV?″適当
な未露光状態粘度を有しているべきである。本発明の前
謂光照射の故に、低粘度液体をここで使用しうる。すな
わち最適液体粘度は階体層の厚さ、前画像形成照射の程
度、基材とホトマスクとの間の前i■i像形成液体中間
層の形成に連用される圧、前画像形成液体中間層の形成
速度、温度および例えば垂直に対する水平の基材の配向
によって影響される。低い方の粘度限界は前画像形成照
射、積層圧、噴層ロールデュロメーター(捷たは接触面
積)および積層速度の選ばれた条件下にホトマスクと基
材との間に許容しつる、厚さのそして安定な光感受性液
体中間1噌を与える粘度および適用条件により規定され
る。上限は同一の噴l@条件下にホトマスクに充分な厚
さの平滑な均一なコーティング42− を送り出す装置の性能ならびに大−計の窒気の捕集また
はかさ茜い低粘度液体なしに存在させる場合の回路貫た
は盛り」二つだレリーフに合致する液体の能力により規
定される。
好寸しいネガとして働く光感受性液体は好捷しくけ1細
首たけそれ以上の末端エナレン基を含有する付加重合性
エチレン性不飽和化合物である少くとも1種の単量体、
および活性線放射により活性化可能な遊離ラジカル生成
性付加重合開始剤系を含有する光重合性液体である。一
般にこの液体にはまた重合体結合剤、充填剤物質および
その他の単量体を単独でまたは組合せで含有させて光感
受性液体の粘度およびその他の性質全[整させる。この
液体は1だその他の成分例えば染料、顔料、可塑剤、接
着助剤、熱阻害剤コーティング物品の特定の用途に対し
て要求されうるその他のものをも含有しうる。有用な印
量体、開始剤、結合剤およびその他の成分の例σ以下に
列nriされている。
単イ・体:第3gブチルアクリレ−)、1.5−ペンタ
ンジオールジアクリレー)、N、N−ジエチルアミノエ
チルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート
、1.4−ブタンジオールジアクリレート、ジエチレン
グリコールジアクリレート、ヘキサメチレングリコール
ジアクリレート、1,3−プロパンジオールジアクリレ
ート、デカメチレングリコールジアクリレート、デカメ
チレングリコールジメタクリレート、1,4−シクロヘ
キサンジオールジアクリレー) 、 2.2−ジメチロ
ールプロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレ
ート、トリプロピレングリコールジアクリレート、グリ
セロールトリアクリレート、トリメチロールプロパント
リアクリレート、はンタエリスリトールトリアクリレー
ト、2,2−ジ(p−ヒドロキシフェニル)−プロパン
ジアクリレート、はンタエリスリトールテトラアクリレ
ート、2,2−ジー(p−ヒドロキシフェニル)−プロ
パンジメタクリレート、トリエチレングリコールジアク
リレート、ポリオキシエチル−2,2−ジー(p−ヒド
ロキシフェニル)−プロパンジメタクリレート、ビスフ
ェノールAのジー(5−メタクリルオキシ−2−ヒドロ
キシプロピル)エーテル、ビスフェノールAのジー(2
−メタクリルオキシエチル)エーテル、ビスフェノール
Aのジー(6−アクリルオキシ−2−ヒドロキシプロピ
ル)エーテル、ビスフェノールAのジー(2−アクリル
オキシエチル)エーテル、テトラクロロビスフェノール
Aのジー(3−メタクリルオキシ−2−ヒドロキシプロ
ピル)エーテル、テトラクロロ−ビスフェノールAのジ
ー(2−メタクリルオ45− キシエチル)エーテル、テトラブロモビスフェノールA
のジー(6−メタクリルオキシ−2−ヒドロキシプロピ
ル)エーテル、テトラブロモビスフェノールAのジー(
2−メタクリルオキシエチル)エーテル、1.4−−7
’タンジオールのジ(3−メタクリルオキシ−2−ヒド
ロキシプロピル)エーテル、ジフェノール酸のジー(3
−メタクリルオキシ−2−ヒドロキシプロピル)エーテ
ル、トリエチレングリコールジメタクリレート、ポリオ
キシプロビルトリメチロールプロノセントリアクリレー
ト(462) 、エチレングリコールジメタクリレート
、ブチレングリコールジメタクリレート、1,3−プロ
パンジオールジメタクリレート、  1,2.4−ブタ
ントリオールトリメタクリレート、2,2.4− )リ
フチル−1,3−ベンタンジオールジメタクリレート、
ペンタエリスリトールトリメタクリレート、1−フエ4
6− ニルエチレン−1,2−ジメタクリレート、深ンタエリ
スリトールテトラメタクリレート、トリメチロールプロ
パントリメタクリレート、1,5−oンタンジオールジ
メタクリレート、ジアリルフマレート、スチレン、1.
、ペンセンジオールジメタクリレート、1,4−ジイソ
プロペニルベンゼンおよび1.3.5−トリイソプロペ
ニルインイン。
前記エチレン性不飽和単量体の佃に光硬化性層はまた少
くとも300の分子量を有する次の遊離ラジカル開始連
鎖延長付加重合性エチレン性化合物の少くとも1種を含
有しつる。これら単量体としては好ましくは2〜15個
の炭素原子全含有するアルキレングリコール捷たは1〜
10個のエーテル結合のポリアルキレンエーテルグリコ
ールから製造されたアルキレンまたはポリアルキレング
リコールジアクリレートおよびここに勾照として色名さ
れている米国特許第2.927,022号明細書に開示
のもの例えば特に末端結合としで存在しでいる場合の複
数の付加重合性エチレン結合を有するもの、そして判に
そのような結合の少くとも1 (triそして好差しく
けそのほとんどが炭素−1力素二重結合および炭素とへ
テロ原子(例えば9素、酸素および硫黄)との二重結合
を含む二重結合炭素と共役しているものがあげられる。
顕著なものはエチレン性不飽和基特にビニリチン基がエ
ステル寸たはアミド構造と共役しているものである。
開始剤:共役炭素環系中に2個の環共有炭素原子を有す
る置換または非置換の多核キノン。
適当なそのような開始剤としては9,10−アント°゛
ラキノン、1−クロロアントラキノン、2−クロロアン
トラキノン、2−メチル−アントラキノン、2−エチル
アントラキノン、2−第6級ブチルアントラキノン、オ
クタメチルアントラキノン、1,4−ナフトキノン、9
.10−フェナントレンキノン、1.2−ベンズアント
ラキノン、2.3−ベンズアントラキノン、2−メチル
−1,4−ナフトキノン、2,5−ジクロロナフトキノ
ン、1,4−ジメチルアントラキノン、2.3−ジメチ
ルアントラキノン、2−フェニルアントラキノン、2,
3−ジフェニルアントラキノン、アントラキノンα−ス
ルホン酸のナトリウム塩、3−クロロ−2−メチルアン
トラキノン、レチンキノン、7,8,9.10−テトラ
ヒドロナフタセンキノンおよび1,2,3.4−テトラ
ヒドロベンズta+アントラセン−7,12−ジオンが
あげられる。それらのあるものは85℃の低い温度でも
熱的に活性でありうるにしてもこれまた有用なその他の
光開始剤は米国特許第2,760,863号明細書に記
載されており、これらとしてはビシナルケト49− アルドニル化合物例えばジアセチル、ベンジルその他、
α−ケトアルドニルアルコールf1.l エバベンゾイ
ン、ビはロインその仲、アシロインエーテル例えばベン
ゾインメチルおよびエチルエーテルその他、α−メチル
ベンゾイン、α−アリルベンゾインおよびα−フェニル
ベンゾインを含むα−炭化水素置換芳香族アシロインが
あげられる。更に米国特許第2,850,445号、同
第2.875,047号、同第3.097.096号、
同第3,074,974号、同第3.097. [19
7号および同第3,145,104号各明細鉗に開示の
光還元性染料および還元剤ならびにフェナジン、オキサ
ジンおよびキノン群の染料全便用しうる。その他の適当
な重合開示剤はミヒラーのケトン、はンゾフエノン2,
4.5−トリフェニルイミダゾリルニ軟体と水素ドナー
丸−よびその混合物で米国特許第3.427.161号
、同第3.479.185号および同車3.549.3
67号も明50− 雑書に記載のものである。前記すべての米国特許および
出願はここに参照として包含されている。
結合剤:結合剤は光感受性液体の粘度訓整のために単独
でかまたは組合せで、またけ充填剤との組合せて使用し
うる。典型的結合剤としては以下のものがあげられる。
ポリアクリレートおよびα−アルキルポリアクリレート
エステル例えばポリメチルメタクリレートおよびポリエ
チルメタクリレート、ポリビニルエステル例工ばポリビ
ニルアセテート、ポリビニルアセテート/アクリレート
、ポリビニルアセテート/メタクリレートおよび氷解ポ
リビニルアセテート、エチレン/ビニルアセテート共重
合体、ポリスチレン、ビニリチンクロリド共重合体例え
ばビニリデンクロリド/アクリロニトリル、ビニリデン
クロリド/メタクリレートおよびビニリデンクロリド/
ヒ゛ニルアセテートJ+:重合イ木、ポリ塩化ビニルお
よび共重合体例えばポリ塩化ビニル/アセテート、約4
.1100〜1. [] OO,OO[1の平均分子量
を有するポリグリコールの高分子量ポリエチレンオキシ
ド、エポキシド、コポリエステル例えば式HO(CH2
)n−OH(式中nH2〜10の整数である)のポリメ
チレングリコールと(1)へキサヒドロテレフタル酸、
セバシン酸およびテレフタル酸、(2:テレフタル酸、
イソフタル酸およびセバシン酸、(3)テレフタル酸お
よびセパシンW 、(41テレフタル醪およびインフタ
ル酸との反応生成物から製造されたものおよび(5)前
記グリコールと(1)テレフタル酸、イソフタル酸およ
びセバシン酸および++++テレフタル酸、イソフタル
酸、セバシン酸およびアジピン酸から製造されたコポリ
エステル混合物、合成ゴム例えばブタジェン/アクリロ
ニトリル、アクリロニトリル/ブタジェン(カルボキシ
変性、例えば6%)、アクリロニトリル/ブタジェン/
スチレン、アルキル(1〜4個の炭素原子)メタクリレ
ート/アクリロニトリル/ブタジェン、アルキル(1〜
4個の炭素原子)メタクリレート/スチレン/アクリロ
ニトリル/ブタジェン共重合体、2−クロロプタジエン
/1,3−重合体、鳴素化ゴム、スチレン/フタジエン
/スチレン、スチレン/イソプレン/スチレンブロック
共重合体およびここに参照として包含されている米国特
許第3.2’65,765号明細書記載のその他のブロ
ック共重合体、n−ブチルメタクリレート、ポリエーテ
ルポリウレタン樹脂その他、ナイロンまたはポリアミド
例えばN−メトキシメチルポリヘキサメチレンアジパミ
ド、セルロースエステル例えばセルロースアセテート、
セルロースアセテートサクシネートおよびセルロースア
セテ−53− トブチレート、セルロースエーテル例えばメチルセルロ
ース、エチルセルロースおよびベンジルセルロース、ポ
リカーボネート、ポリビニルアセタール例えばポリビニ
ルブチラール、ポリビニルホルマル、ポリホルムアルデ
ヒド。
充填剤:所望により光重合性層はまた光重合体物質の露
光に使用される波長では本質的に透明な非a和件の重合
体状または非重合体状有機捷たは無機充填剤または補強
剤例えば親有機性シリカ、ベントナイト、シリカ、粉末
ガラス、コロイドカーボンならひに神々のタイプの染料
および顔料を光重合性1曽の所望の性質に関して紳々の
量で含有することができる。米国特許第3、754.9
20号および同第3,785,877号各明細書に開示
の粒子状物の大きさはこの目的に対してM用である。
その他の任意成分としての添加剤としては阻94− 害剤、染料、顔料、可塑剤その仙があげられる。
適当な熱重合阻害剤としてはp−メトキシフェノール、
ヒドロキノンおよびアルキルおよびアリール置換ヒドロ
キノンおよびキノン、第6級ブチルカテコール、ピロガ
ロール、樹脂酸銀、ナフチルアミン、β−ナフトール、
塩化第1銅、2.6一ジ第5級ブチルーp−クレゾール
、フェノチアジン、ピリジン、二訃ロソ二景体例えば1
,4.4−トリメチル−2,5−ジアザビシクロ−C3
,2,2:]−]ノンー2−二ンー2,3−ジオキシド
ジニトo /< ンーWン%p−トルキノンおよびクロ
ラニルがあげられる。
枠々の染料を加えて形成画像の可視付全上昇させること
ができる。顔料もまたこの能力において使用しうる。使
用されるすべての着色剤は好ましくは使用される活性線
放射に対して透明であるべきである。
有用な可塑剤は使用される重合体状結合剤と共存性の任
意の一般的可中剤例えばジアルキルフタレート、ポリエ
チレングリコールおよびアルキルホスフェートでありう
る。
光感受性液体は前画像形成用にホトマスクに適用される
がこの液体はホトマスクおよび基材の両方に適用するこ
とができる。あるいはまた異った光感受性液体全同時に
各表面に適用して特性勾配を有する層を生成させること
ができる。
更に異った系を基材の前面および背面に適用することが
できる。
本発明の更にその他の具体例においては基材全―整(コ
ンディショニング)液で処理することができる。そのよ
うな調整液はごみまたは不要の表面酸化物その他を除去
する清浄化作用またはエツチング作用溶液であシうる。
そのような清浄化用液体は米国特許出願第153,63
7号(再出願第341,618号)明細書に開示のよう
に機械的清浄化と組合せて使用することができる。調整
液は下塗り溶液または例えば米国特許第3,645,7
72号明細書に開示の接着促進剤の溶液であシうる。光
感受性層をレリーフ表面全有する基材に例えばはんだマ
スク全回路板に適用する場合には1調整液例えば単量体
、可塑剤才たは米国特許第4.069.076号明細書
に開示の液体を基材に適用して積層の間のレリーフ表面
での泡または空気捕集を除外させることができる。
液体を基材表面に適用するためにはいずれかの手段で使
用することができる。適用手段に対する第一義的要求は
それらが表面を損傷させないこと、そしてそれらが適用
される沿体の交叉汚染fa11導しないということであ
る。
第3図は光感受性液体を前画像形成の前にホトマスクの
一方または両方に適用するためそし57− て基材の一方または両(II: K @f(画像形成さ
れた液体全適用するための好捷しい方法を示している。
ホトマスク(41)と整合固定されたキャリアバー(4
0)は、ホトマスク(41)がロール(42)のまわり
に巻き増られると下方に移動して懸垂位置となる。光感
受性液体(46)はアプリケーターロール(44)K重
カフィーダー(45)および供給ノξン(46)から適
用される。ドクターナイフ(48)の適当な位置づけに
よってアプリケーターロール(44)の上に形成される
光感受性液体(47)の層はそれらがロール(42)の
1わりを巻き戻されるとホトマスク(41)に移される
。キャリアバー(40)カロール(42)の間の位置に
達するとアプリケーターロール(44)はホトマスク(
41)の表面から除去されそして次いでコーティングさ
れたホトマスクを有するキャリアバーを露光ランプ(4
9)の間の位置に上昇させる。上昇、露光およびそれに
続く58− 再巻戻し操作の間、ロール(42)は別の位置に惺持さ
れている光感受性層(47)の相互表面接触は阻止され
る。キャリアバー(40)およびホトマスク(aD’e
露光ランプ(49)との間の位置に固定させたら、ラン
プを前以って処方した時間の間活性化づせて光感受性層
(47)’に前露光させる。前露光完了後、キャリアバ
ー (40) +ロール(42)の間の位置に戻しそし
てホトマスク(41)を部平位置に再び巻き上げる。基
材(50)例えば2面印刷回路板全キャリアバー(40
)と整合接触させて上昇させる。この上昇操作の前また
はそのjulに基材(50)の表面を低粘度液体(51
)で例えばスプレーまたはプラッシュアプリケーター(
52)’、r使用して処理することができる。整合接触
がなされたならば、ロール(42)’(r−緒に動かし
て前以って処方された積層圧を与え、そしてキャリアバ
ー(40)を基材(50)、ホトマスク(41)および
前面像形成光感受性層(47)と共に上昇させそして露
光ランプ(49)の間の位置に幣合作持きせる。V−合
された積層障合体is光ランプ(49)の間の位置に固
定させたらランプを前以って処方させた時間の141活
性化させて光感受性ノ曽(47)’に完全に画像形成さ
せる。再飲光完了後、ロール(42)をそれらの最初の
位置に分け、そしてキャリアバー (40) ffi下
げそしてホトマスク(41)kそれらの@垂位置に戻し
それによってその中に光硬化させた画像部分を有する基
材全放出させる。画像形成基材が放出されそしてホトマ
スクがロール(42)の捷わりに巻き取られ2)と、ア
プリケーターロール(44)は係合されそして光感受性
層(47)は後の基材の画像形成用にコーティングされ
ることかできる。
本発明の方法は一連の同様のシート基材の増感および画
像形成において肋に有用である。そのような反彷過稈は
銅′$覆基材(−次画像形成として知られる)からの印
刷回路板の製造ならびにはんだ処理の前の印刷回路板へ
の永久的マスキング層(ハんだマスクとして知られる)
の適用があげられる。ある特定の場合には、本発明の反
復過程は例えば米国特許第3.469.982号明細書
に開示のような標準乾燥フィルムレジスト法と組合せて
改善されたレジスト画像例えば「テント」レジスト全生
成させることができる。
すなわち優れた接着性全方する乾燥フイルムホトレジス
If積層させた一連の@被覆基材全本発明の方法によっ
て画像形成併合レジスト層に優れた処理性を与える光感
受性液体で処理することができる。
本発明の方法は1だ改善された表面性を有する石版印刷
プレートおよび平版印刷プレートラ製造するだめのグラ
フイツクアーツ産業におい61− ても捷だ有用である。本発明の方法を使用してアルミニ
ウムプレートラその捷1の光重合性液体でコーティング
しそして画像形成させることによって、より少い労力と
時IM1で、液体全便用して通常に製造される石版プレ
ートよりも一層均一なそして−;脅大なる庫耗酬性葡有
するリスプレート−+ jl造することができる。本発
明の方法によってその寸捷の光重合性溶体を光重合性テ
ィープレリーフ印刷プレート、特に米国特許第4,32
3,636号明細書記1或のタイプのフレキングラフプ
レートに適用して印刷表面%性を修正させそして/また
は製造、保存または取扱の間に生成された表1m欠陥を
補正させることができる。
例  1 印刷回路板の年−11111を帳付させ、室温で前画像
形成光重合性液体でコーティングし、そして62− 次いでイφ様a1之光させる。ここでは米国特許出願第
387.535号明細書例1記載の粘稠液体の逆ロール
コーティングが使用される。容器中で成分を合しそして
均質溶液が得られる壕でエアモーター、l@動プロはラ
タイプ攪拌機で攪拌することによって次の組成を有する
粘稠光重合性液体が製造される。4′!rに記滅されな
い限り成分量は重量部で与えられており、そして粘度は
スピンドル黒5で6 rpmで25℃において測定され
たブルックフィールド粘度計を使用してfil+定され
たポアズで与えられている。
粘稠光重合性液体A トリプロピレングリコールジアクリレート    62
.1「カーボセット(Oa、rbo8et■)1515
ア     6・5酸価66、分子量7. [J 00
、町14℃)第6級プチルアントラホノン      
      1.9ンエチルヒドロキシルアミン   
         023−メルカプト−1,5,4−
)リアゾール       02HVTグI+ −7i
JI科          6液体粘度       
      857低粘度液体は次の成分を使用して製
造される。
低粘度液体AA トリプロピレングリコールジアクリレート     4
2第6級ブチルアントラキノン     220℃での
屈折指数1,573) ジシアンジアミド           45−メルカ
プトトリアゾール      0.2i11記成分を機
椋的攪拌機で混合し、そして次いで兎インチセラミック
棒で24時間ミル処理して液体中に難溶性ジシアンシア
ばドを分散させる。
ホトマスクは通常のジアゾ物質から製造される。ホトマ
スクの画像表面は0.0005インチ接着剤層を有する
。、ooosインチ透明ポリエステルフィルムであるタ
ブコル(Tapcor)エマルジョン保訛フィルム(タ
ブコル社製品)シートラ接浴させることr(よシ保護さ
れている。ホトマスクウェブには、その上に整合タブヲ
@有しそして画像形成させるべき印刷回路板と近似した
厚さを有する回路板ガイドが整合接続されている。
ホトマスクの保護された表面は次の方法によって粘稠液
体Aの層によりコーティングされている。時計方向に回
転するアプリケーターロールは供紬パンから液体をとり
あげる。アプリケ65− −ターロール表面十に位渦させた側帯ナイフはコーティ
ング厚さおよびコーテイング幅を制御し、そして両端の
2個のスフラッパーはホトマスク上に過剰の液体バンク
が沈着するのを阻止する。ホトマスクか時計方向に第2
のロールの1わりに巻きつく際、ホトマスクの保護され
た表面はp1転アプリケーターロールのコーティングさ
れた表面全スキムしてコーティングされた液体を保護さ
れた表面に移して約0.00 フインチ厚さのコーティ
ング1@全生成させる。
コーティングされたホトマスクi DMVL−HP 露
光源(コーライト社の製品)中に置きそして光重合性層
全空気の存在下にホトマスクを通して前露光させる。
0、062インチノ阜さのファイバーグラスエポキシ板
の一方の仰1に約0.003インチ茜さの回路パターン
を有する印刷回路板は回路板ガイドの整b 6− 合タブに合致する整合ノツチを先行端に有している。印
刷回路板を低粘度液「AAJ中に浸漬させそして液体を
ブラシでこの印刷回路パターン上にひろげる。前露光後
、前露光されたコーティングホトマスク’t[するこの
回路板ガイド全加圧ロールにより形成されたニップに通
過させそしてホトマスクを第20−ルの甘わりに巻き取
る。ガイドがニップ會通過する際、コーティングされた
印刷回路板のノツチ全ガイドの整合タブ上に嵌合させて
、印刷回路板がホトマスクの画像と整合状態でニップ全
通って引張られるようにする。板がニップを通る際、コ
ーティングされた回路表面は前露光粘稠液体層に整合接
触しそしてニップからすべての過剰の液体を絞シ出すこ
とによって前画像形成された均一にコーティングされた
印刷回路板が生成する。得られるコーティングのQ、 
OO4インチの所望の厚さは積層が実施される速度およ
び/または加圧ロールにより適用される圧の調節により
得られる。
印刷pj路踏板ホトマスクの#経端とがニップを通:i
いすると複合体エレメントは増り去られそして再びDM
VL−HP 露光源中で接着させたホトマスク全通して
光重合性層のすべての露光部分全硬化させるに充分な活
性線放射に像様露光せしめられる。
活性線放射による再露光が完了した後で、(ロ)踏板は
ホトマスクから分離される。光硬化した画像はホトマス
クの保護表面から先金に分離しそして回路板表面にしっ
かりと接着残留する。
前記の方法全便用して一連の異った前露光および後露光
を実施する。使用された相対的活性露光は任意の単位で
以下の表に示されている。
コーティング#  前露光  再露光 1      なし   14 2     3   14 3     4   14 4     6   26 5     2   53 コーティング1は前露光されない。そしてこれは積層層
の硬化に必要な露光の水準を示すことのみを意図してい
る。前露光の直後に、各前画像形成層の覆われていない
表面を手で触れて調べて、それが画像部分で変形可能(
未硬化)であるかどうかを測定する。斜前画像形成表面
は手で触れて粘着性(変形可能)に留唸る。コーティン
グの各々から生ずる画像形成された板’k iINべた
場合、0.0[]03インチ以下の泡全検出しうる顕微
鏡検査(X30)Kよってさえも回路線に沿っては空気
捕集気泡は検出できない。泡69− 不含のイ〉1憔コーテイングは(1んだの間に便用され
る保西マスクすなわちはんだマスクに対する重要な判定
基準である。同様の印刷回路板を前画像形成粘稠液体r
AJのみでコーティングさせ、すなわち低粘度液体「A
A」による前コーティングなしでそして再画像形成させ
た場合には泡の形の空気捕集がコーティング通路に垂直
の回路線に沿って観察される。
画像形成回路板上に残存する未硬化液体(d3〜4フィ
ート/分のプロセツザー速度で95下で1%Na2CO
3浴液會1史用して市場的に入手可能なADEI −2
4プロセツサー中で除去されて電包、成分をその中には
んだづけすべき貫通孔に相当するパット部分以外は全回
路パターン上に硬化させた保護コーティングを有するそ
れぞれの印刷回路板全生成する。各々の場合、コーティ
ングを前露光させた場合には、液体「A」のみが使70
− 用され/こ男合でさえも回路ラインの頂部は少くとも0
.001インチの硬化光重合体で保持されている。
現像体保護コーティングf500’Fのオーブン中で1
時間イ反全焼成させ次いで10フイ一ト/分で市場的に
入手可能なUV硬化装骸に2回通週させることによって
硬化させる。この回路板はこの時点で通常のフィニツシ
ユ、フラックス処理、営気成分挿入およびはんだ処理に
対して準備される。
例  2 印刷回路板の両(141i ’jc整合させ、顔料添加
光重合性液体の薄い層でコーティングしそして次いで第
3図記載の装置中で像様露光爆せる。
例1記載の方法によって次の組成を有する粘稠な光重合
性液体が製造される。
71− 粘稠光重合性液体B トリプロピレングリコールジアクリレート      
64約76〜85、TG37つ 子希7.O[][l、’rcz4℃) 第3級ブチルアントラキノン            
 2ジエチルヒドロキシルアミン          
   0,26−メルカブトー1.5.44リアゾール
       0.2ジシアンジアミド       
    0.5ソルベントレツド109       
−0.1液体粘度             800低
粘度液体は例1記載の方法によって次の成分から製造さ
れる。
低粘度液体BB トリプロピレングリコールジアクリレート      
42第3級ブチルアントラキノン      2ポアズ
(ASTM D−445)を有する〕6−メルカブトー
1.2.4−トリアゾール       1ジシアンジ
アミド           2各基材両而を画像形成
させるために便用されるべきホトマスク(41)は例1
におけるようにして保ね表面を使用して製造されそして
ビンバー整合機構(40)に整合状態で取付けられる。
0.062インチ厚さのファイバーグラスエポキシ板の
各面上に約0.005インチ高さの回路パターンを有し
そして一]路パターンに整合させた銅めっき貫通孔/ξ
ターンを有する印刷り銘板(50)−’73− は先行端上にビンバー機構の整合ビンに合致した2個の
整合孔全清している。
両ホトマスクの保護表面金欠の方法によって粘稠液体f
BJの薄い嗜で同時にコーティングさせる。第6図を参
照して述べるに、整合されたホトマスク(41)を有す
るビンバー(4n)?最初露光ランプ(49)間の上昇
された位置に位置させてホトマスクの保護された表面が
内偵1を向くようにする。ホトマスクの後続部分はそれ
ぞれロール(42)の寸わりに巻き付けられそして平行
なロール(42)は保護表面の接触全阻止するために別
の位置にある。バーおよびホトマスクか下方向に移動す
る際、ホトマスクはロール(42)から巻き戻され、そ
して平行ステンレススチールアプリケーターロール(そ
れぞれ直径約2.5インチ)(44)によって粘稠な液
体の層(47) ’にコーティングされそしてコーティ
ング芒れたマスクは懸垂=74− 位置に送ちれる。コーティング法においては光感受性液
体fBJ(4,3)が重力フィーダー(45)および供
給ノξン(46)から回転アプリケーターロール(44
)に適用される。アプリケーターロール(44)上に形
成される光感受性液体の層(47)はドクターナイフ(
48)全適当に位置づけすることによって約0.00フ
インチ厚さに制御されそしてそれらがロール(42)の
まわりにほどかれるにつれてホトマスク(41)の保循
表面に移される。整合パー(40)がロール(42)の
間の位置に達すると、アプリケーターロール(44)’
eホトマスク(41)の表面から1余去し、そして次い
でコーティングされたホトマスクkliifする整合パ
ー全上昇させて露光ランプ間の最初の位置とする。各ド
クターナイフとアプリケーターロールとの間のギャップ
全閉じ、アプリケーターロールの回転全停止させそして
各アプリケーターロール全それぞれのホトマスクの表面
から約0.002インチの位置に戻す。パー(40)を
再び下方r箇かし、そして各々のコーティングされたホ
トマスクをロール(42)と静11ニアプリケーターロ
ール(44)の間で巻きほぐして懸垂位置としそれに1
つ−CCココ−ティングれた層(47)’e約[1,0
02インチ厚きにドクターナイフ調整させる。バー(4
0)が再びロール(42)の間の位Ptに達したらアプ
リケーターロール(44)全ドクターナイフ処理し、た
表面から除去しそして次いでコーティングされたホトマ
スクを有するキャリアパーk 21R1iの露光ランプ
バンクの間の最初の位置に上昇させる(谷バンクは10
個のランプよりなり、これらはホトマスクの面から4イ
ンチである)。定位置に固定されたならばコーティング
されたホトマスクを100秒間ランプを付勢することに
より前露光させる。
前露光完了後、キャリア整合バー(40) 全ロール(
42)の間の位置に戻しそしてホトマスク(41) ’
に懸垂位置に再び巻きあげる。
低粘、度液体rBBJ k印刷回路板(50)の両(f
ilにブラシかけしそして回路板の先行端全上昇させて
バー(40)に接触させそして磯措の整合ビンによって
パーに整合させる(ビンバー機構(は米国特許出願第5
87.534号明細書開示のものと同様である)。整合
接触がなされたならば、ロール(42)を−緒に勤かし
て中等度の積層圧を与えそしてキャリアバー(40) 
’に回路板(50) 、ホトマスク(41)および前画
像形成光感受性層(47)と共に上昇させそして露光ラ
ンプの間の位置で整合保持させる。この整合積層初合体
が露光ランプ(49)の間の位置に固定されたら、ラン
プ全50秒間付勢する。これは光感受性層を完全に画像
形成せしめる。再露光完了後、ロール(42)k分離さ
せてそれらの最初の位置に置き、そしてキ77− ヤリアバ−(40)’を降下させそしてホトマスク(4
1)をそれらの懸垂位置に戻しそれによってその上に光
市合画像部分分有しそしてコーティングされた画像形成
、した層中に小さな泡を示さない回路板を放出させる。
画像形成回路板上の残存する未硬化液体を除去しそして
保護コーティングを例1記載のようにして硬化させる。
画像形成した採音コーティング全有する第2の回路板を
前記のようにして訓製したがただしコーティングされた
ホトマスクは活性線放射に100秒露光させることによ
り前画像形成されなかった。
回路ライン上の硬化重合体の厚さは(3MD−3厚さゲ
ージ(UPA社製品)を使用して製造された各回路板の
両@11の数ケ所で測定される。谷側についての平均辱
さは次の表に与えられている。
78− 回路ライン上のザ均重合体厚さ く0.001インチ) Alli       1.38          
   0.78B@i!     1.14     
    0.76回路ライン上の0.001インチ以上
の平均重合体厚さは通常その回路板が以後のけんだ操作
の間充分に保護されていることを示すに充分である。前
記の辿1定から、前画像形成法は薄いコーティングが使
用される場合でさえも反彷基準で実施された場合には常
に優れたはんだマスクの保護を与えることが予期される
例  3 それぞれの銅被覆基材を整合させそして例2肥載の粘稠
液体「B」のコーティングおよび前画像形成を使用して
基材の両イロ1]に同時にコーティングしそして画像形
成させることによって一連の同様の印刷的1路板が製造
される。
谷ツメ材の両l111.のllt+l像形成のために使
用されるホトマスクは例1記載のようにして保伶表面を
使用して・す造されそしてビンバー整合機構に整合状態
で取りつけられる。
各銅被覆基材は両11jに銅被覆をれそして基材の一端
の2個の整合孔に整合された鋼めっき貫通孔パターンを
有する長方形のファイバーグラス板よりなっている。コ
ーティングの前に各基材の両@A表面全化学的に清浄化
させそして場合により基材全コーティングのために持上
けられつつある間に表面処理液体をスプレーさせること
ができる。
両ホトマスクの仙′揮された表面全同時に[1,002
インチの粘稠液体「B」の層で実質的に例2記・戒のコ
ーティング法によってコーティングする。
そしてその例におけるようにしてコーティングさせた層
を前画像形成させるがしかしこの場合10秒露光のみ全
使用する。
各コーティングおよび画像形成サイクルに対しては、前
画像形成段階の完了後、次の方法に従う。最初に加圧ロ
ール(42)’に外側にずらし、その結果ホトマスク上
の′前画像形成されたコーティングされた表面のニップ
が開きそして例2記載のようにアプリケーターロール(
44)から各前画像形成表面を移動させる。ビンバー整
合機構に開いたニップの上の位置で除去される。清浄化
された銅被覆基材全基材リフト装置(図示されていない
)上に縁様式で整合孔を含有する頂部端を整合バーに軸
合せさせて位置させる。
基材をビン整合させそしてそれを捕えるビンバー機構に
結合するまで基材を上昇させる。この整合された基材と
バーとを開放ニップのところまで下降移動させ、そして
加圧ロール(42) k同一日 1一 方に移tIFII−gせてパー基材機1’l*lc結合
させることによってニップを閉鎖させる。次いで整合さ
れた部材と前画像形成されたコーティングされたホトマ
スクとを次いでニップ全通して上昇させそしてコーティ
ングされた複合ニレメントラ露光ランプの2個のバンク
の曲の位fI′IK懸垂させる。
0.001インチの均一コーティング厚さを生成させる
に充分な圧ゲロール(42)により適用する。
複合エレメントの両1則を例2に記載のようにして10
0秒間紫外線ランプに照射させる。次いで加圧ロール(
42)?それらの最初の位置に除去させそしてビンバー
機構およびホトマスクをそれらの最初の位置に戻す。こ
の点でビンバー機構は画像形成基材を開放させそして基
材はリフト装置により降下される。画像形成基材は更に
処理するために除去されそして画像形成させる82− べき次の基材で置換されそしてこのザイクルをくりかえ
す。画像形成露光後の下降移動の間、両ホトマスクを画
像形成された光硬化表面から剥離させる。いくらかの未
硬化光重合体がホトマスクの保護表面に接附しているけ
れども、すべての硬化した画像部分は銅基材表面に固く
接層残留する。
画像形成基材をコーティングおよび露光ユニットから除
去したら、それら’e95”Fにおいて3フイ一ト/分
のプロセッサー速度で1%Na2CX)3水性浴液を使
用してADS−24プロセツサー中で埃像させて画像形
成鋼被覆基材上に残存するすべての未硬化光重合性液体
を除去する。現像後ホトレジスト保護基材全通常のプレ
ートおよびエツチング法を使用して処理して同−二面印
刷師i踏板を生成させる。
ある場合には例えば米l特許第3,645,772号明
細書に開示の接着促進剤を含有する液体を清浄化された
基材の銅衿覆衣1@にそれがノズル(52)を上昇辿禍
する1mにスプレーさせて朝1理の間の最終レジスト接
着全促進させる。同様に低粘度溶沿によるスプレーによ
って@表面に対する接着は改善されうる。
その他の場合に(l″j基材表面クリーニングステーシ
ョンをコーティングおよび画像形成ユニットとインライ
ンで位置させる。この場合、鋼被覆基材はこのステーシ
ョン全通ってコーティングおよび画像形成ユニットのニ
ップ中に供給される。それによってコーティングさせる
べき銅表面の均一性は確実ならしめられそして得られる
印刷回路板中により一定の品質が生成される。
例  4 印刷回路板の両1tl+ k整合させ、前画像形成せし
められた光重合性液体の薄い層でコーティングさせ、そ
して次いで第3図記載の装置中で像様露光させる。
粘稠な光重合性液体rBJおよび低粘度液体F’ BB
J は例2におけるようにして製造される。
各基材の両側に画像形成させるために使用されるべきホ
トマスク(41)は通常のジアゾ物質から製造される。
各ホトマスクの画像表面は、0.001インチの厚さの
テフロン■FEPフルオロカーボンフィルムタイプC(
デュポン社製品)で保護されている。ホトマスクの画像
側は通常のスプレー接着剤でスプレーされそしてフルオ
ロカーボンのフィルムの処理側は加圧ロールを使用して
ホトマスクに積層される。ホトマスクは保護された表面
を内側に向けてビンパー整合機構(40)に整合状態で
取り付けられる。
0.062インチ厚さのファイバーグラスエポキシ板の
各側に約0.003インチ高さの回路バター85− ンを有しそして回路ノ々ターンと整合させた銅めっき貫
通孔パターン全、督する印刷回路板(50)は先行端に
ビンパー機構の整合ビンに合致させた2個の整合孔を潰
している。
両ホトマスクの保護表面を次の方法によって粘稠液体r
BJの薄い層で同時にコーティングさせる。第3図につ
いて述べるに、ホトマスク(41)k有するビンパー(
40)’に最初露光ランプ(49)間の上昇された位置
に位置させて、ホトマスクの保護された表面が内111
i1を向くようにする。
ホトマスクの後続部分はそれぞれロール(42)のまわ
りに巻き付けられており、そして平行ロール(42)は
8護表面との接触を1泪止するために別の位置にある。
パーおよびホトマスクが下降移動する間にホトマスクは
ロール(42)から巻きほぐされ、そして平行アプリケ
ーターロール(それぞれ直径約2.5インチ) (44
)によって粘稠な86− 液体の層(47)でコーティングされ、そしてコーティ
ングされたホトマスクは懸垂位置に送られる。この場合
、各アプリケーターロール(44)は90Aのデュロメ
ター硬度を有する0、25インチ厚さのシリコーンゴム
スリーブヲ有するアルミニウムコアよりなっている。コ
ーティング法においては、光感受性液体rBJ(45)
が重力フィーダー(45)および供給パン(46)から
回転アプリケーターロール(44)に適用される。アプ
リケーターロール(44)上に形成される光感受性液体
の層(47)はドクターナイフ(4B) ’!r適当に
位置づけすることによって約0.002インチ厚さに制
御されそしてそれらがロール(42)のまわりでほどか
れるにつれてホトマスク(41)の保護表面に移される
。この場合、各ドクターナイフは静止ステンレススチー
ル丸形バーよりなっている。整合バー(40)がロール
(42)の間の位置に達したら、アプリケーターロール
(44)iホトマスク(41)の表面から除去しそして
次いで均一にコーティングしたホトマスクを巾する整合
バー全上昇させて胸元ランプの2個のバンクの1■の最
初の位置とする。各バンクはホトマスクの面から4イン
チの10のランプよりなっている。定位置に固定された
らこのコーティングされたホトマスク全5秒間、ランプ
を付勢することにより前露光させる。前露光の完了後、
キャリア整合バー(40)kO−ル(42)の間の位置
に戻し、そしてホトマスク(41)を再び懸半位口に巻
きめげる。
低粘度液体[BBJ  全印刷回路板(50)の両側の
先行表面にブラシかけしそして回路板の先行端をバー(
40) K上昇させて接触させ、そして機構の整合ビン
によってバーに被合させる(ビンバー機構は米国特許出
願第387.534号明細書開示のものと同様である)
。整合接触がなされたならば、ロール(42)を−緒に
動かして中等度の積層圧を生成させそしてキャリアバー
(40)k回路板(50) 、ホトマスク(41)およ
び前画像形成光感受性層(47)と共に上昇させそして
露光ランプの間の位置に整合状態で保持させる。この整
合積層複合体が露光ランプ(49)の間の位置に固定さ
れたらランプを30秒間付勢する。これは光感受性層を
完全に画像形成させる。再露光の完了後、ロール(42
)?分離させてそれらの最初の位置に置き、そしてキャ
リアバー(40)’e上下降せそしてホトマスク(41
)eそれらの懸垂位置に戻し、それによってその上に光
重合画像部分を有しそしてコーティングした画像形成し
た。1−中に小さな泡を示さない回路板を放出させる。
画像形成回路板上に残存する未硬化液体全除去しそして
保護コーティングを例1に記載のようにして硬化させる
89− 画像形成した保護コーティングを有する第2の回路板を
前記のようにして調製するがただしコーティングされた
ホトマスクは活件線放射に5秒露光させることにより前
画像形成されない。
回路ライン上の硬化重合体の厚さはOMD −3厚さゲ
ージ(UPA社製品)を使用して製造された各回路板の
数ケ所で11114定される。回路板[30秒の単一画
像形成霧光のみ全与えた場合には回路ライン上の硬化重
合体の厚さは0.0012±0、0002インチであり
、そして粘稠液体を5秒間前露光させた場合には回ドロ
ライン上の硬化重合体の淳さUO,[1023±0.0
01インチである。
前露光は回路ライン上に硬化重合体の「キャップ」を与
える。これは単一露光により得られる硬化重合体より2
倍厚く、そして実質的により均一である。改善きれたキ
ャップ厚さおよび均−付に加えて、前画像形成は実質的
に低粘度90− 液体と高粘度液体との間の相互汚染’k 11止し、そ
れによって2個の基層のホトレジストの形成全可能なら
しめる。
【図面の簡単な説明】
第1図は光硬化性液体を予め像形成させ、この予め像形
成せしめた液体全実質的に均一な表面に適用し、適用さ
れた液体層を再度像形成させ、未硬化液体を除去しそし
て場合によ9表面の非被覆部分を変性させるプロセスエ
8(A〜G)を説明する一連の図面であり、第2図は光
硬化性液体を予め像形成させ、この予め像形成せしめた
液体を盛し上ったレリーフノモターンを有する表面に整
合適用し、適用された液体層を再度像形成させそして未
硬化液体を除去するためのプロセスエH(A−E)k示
す一連の図面でありそして第6図は本発明の好ましい方
法の模式図である。 91− FIG、1 FIG、1(jtさ)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)光硬化性物・質を基材に適用しそして露光させて基
    材上に光硬化した物質の独立部分を生成させるにあたp
    。 (al  変形可能なそして固体として存在しない光硬
    化性物質の智をホトマスクに適用すること、 (bl  光硬化性物質の嘴をホトマスク全通して活性
    綴放射ニ露光させそれによってホトマスクから離れて面
    した光硬化性物質表面を変形可能に留めること、 (cl  ホトマスクと共vCE光・@を基材に適用し
    それによって変形角印に留まっている光硬化性物質の表
    面を券材に面するようにすること、 (di  光硬化性物質を含有する嘴全ホトマスク全7
    所して活性純放射に再露光させてそれによって光硬化し
    た物質の結合した独立部分ヲ基材上に生成させること の各段階を包含する方法。 2)光硬化性物質が光感受性ρ体である前記特許請求の
    範囲第1項記載の方法。 6)基材表面が実質的に平滑である前記乍←許請求の範
    囲第1項記載の方法。 4)基材表面が盛り上った部分を含有している前記特許
    請求の範囲第1項記1戒の方法。 5)盛り上った部分が電気伝導性である前記特許請求の
    範囲第4項記載の方法。 6)盛り上った部分がち気絶縁性である前記特許請求の
    範囲第4項^ビ載の方法。 7)光硬化性物質を基材の両側に適用しそしてこれを活
    性線放射に露光させろ前記特許請求の範囲第1項F、載
    の方法。 8)光硬化性物質がネガとして働く前記特許請求の範囲
    第1項記載の方法。 9)低粘度液体が(C1段階の前に基材に適用される前
    記特許請求の範囲第1項記載の方法。 10)光硬化性物質が付加光重合性成分全含有している
    前記特許請求の範囲第1項記戦の方法。 11)段階(d9)の後でホトマスク’tB光光硬化性
    物質の表面から除去しそして現像液を光硬化物質の表面
    に適用しそれによって未露光未硬化独立部分を除去する
    前記特許請求の範囲第1項記載の方法。 12)光硬化性物質を基材に適用しそして露光させてシ
    ート基村上に光硬化した物質の独立部分を生成させるに
    あたり、 (al  変形可能なそして固体として存在しない光硬
    化性物1゛霞の層全ホトマスクに適用すること、 (bl  光硬化性物・′めの層全ホトマスク全通して
    活性線放射に露光させそれによってホトマスクから嬉れ
    て而した光硬化性物質表面全変形可能に留めそしてそれ
    によって光硬化した物1實および光硬化性物質全ホトマ
    スクに接触状態で存在させること、 (cl  ホトマスク上の露光させた光硬化性物質を基
    材に接触させてそれによって前記接触の間に光硬化性物
    I員の除去による一ノー緊密な接触以外には基材に対し
    て実質的なホトマスクの移動が生じないようにすること
    、そしてその場合界面力または粘張力の少くとも一方が
    基材とホトマスクと全相互に(6)定した位置に保持す
    るのを助けるようにすること、 (al  光硬化性物質を含有する層をホトマスクを通
    して活性線放射に再露光させてそれによって光硬化した
    物質の結合した独立部分を基材上に生成させること の各段階を包宮する方法。 16)光硬化性物質が光感受性液体である前記特許請求
    の範囲第12項記載の方法。 14)基材表面が実質的に平滑である前記特許請求の範
    囲第12項記載の方法。 15)基材表面が盛り上った部分を含有している前記特
    許請求の範囲第12項記載の方法。 16)盛や上った部分が電気伝導性である前記特許請求
    の範囲第15項記載の方法。 17)盛り上った部分が電気絶縁性である前記特許請求
    の範囲第15項記載の方法。 18)光硬化性物質全基材の両側に適用しそしてこれ全
    活性線放射に露光させる前記特許請求 5− の範囲第12項記載の方法。 19)光硬化性I$−1″Gがネガとして1+tl+ 
    (@*ri特許請求の範囲第12173記或の方法。 20)低粘度液体が(c1段階の前に基材V連用される
    前記舜許請求の仲、囲第15項記載の方法。 21)光重合性物質が付加光重合性ル・1分を含有して
    いる前記特許請求の範囲第12項記載の方法。 22)段階(diの後でホトマスクラ露光光硬化性物質
    の表面から除去し、そして瑠像液を光硬化物質の表面に
    適用しそれによって未露光未硬化独立部分を除去する前
    記特許請求の範囲第12項記戦の方法。 23)基材とホトマスクとの間の光硬化性物質を除去さ
    せそして基材とホトマスクを前進ニップにより一層緊密
    に接着させる、前記特許請求の範囲第12項記載の方法
    。  6− 24)光硬化性I吻質の適用が実質的に垂面面に保持さ
    れている基材表向に対して行われる、前記!!5許訃求
    の範囲第12項記載の方法。 25)光硬化性物′直の適用がT5f的に水平面に保持
    されている基材表面に対して行われる、前記特許請求の
    範囲第12項記載の方法。 26)基材とホトマスクとの1ト1の光硬化性物質全基
    材とホトマスクを前進ライン圧によって一層緊密に接触
    させる時に除去する、前記特許請求の範囲第12項記戦
    の方法。 27)前記前進ライン圧がニップ全使用している前記特
    許請求の範囲第26項記載の方法。
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SG (1) SG25390G (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63109090A (ja) * 1986-10-21 1988-05-13 バスフ アクチェンゲゼルシャフト フレキソ印刷用多層レリーフ印刷版体の装着方法
JP2002166218A (ja) * 2000-09-22 2002-06-11 Teijin Ltd 両面同時塗工方法
JP2007534012A (ja) * 2004-04-10 2007-11-22 イーストマン コダック カンパニー レリーフ画像の製造方法
JP2009032912A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Sony Corp 半導体装置の製造方法および有機発光装置の製造方法
CN106269014A (zh) * 2016-08-22 2017-01-04 杭州迈的智能科技有限公司 能够实现固化溶液自动转换的试管箱机构及其控制方法

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4954421A (en) * 1980-05-08 1990-09-04 M&T Chemicals Inc. Photoflashing a liquid polymer layer on a phototool surface exposed to air
US4971895A (en) * 1981-10-20 1990-11-20 Sullivan Donald F Double exposure method of photoprinting with liquid photopolymers
US4618567A (en) * 1985-01-14 1986-10-21 Sullivan Donald F High resolution liquid photopolymer coating patterns over irregular printed wiring board surface conductors
US4752553A (en) * 1982-04-01 1988-06-21 M&T Chemicals Inc. High resolution solder mask photopolymers for screen coating over circuit traces
US4732829A (en) * 1982-04-01 1988-03-22 Donald Sullivan Polymer printing
US4647524A (en) * 1982-04-01 1987-03-03 Sullivan Donald F Transferring polymer from thin plastic films to photodevelop insulation patterns on printed wiring boards
EP0172583A3 (en) * 1984-08-24 1987-11-04 Nec Corporation Method of x-ray lithography
US4699859A (en) * 1984-09-07 1987-10-13 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha Dot-etchable image-containing element useful in lithographic mask formation and its production
EP0258497A1 (en) * 1986-09-01 1988-03-09 Donald Fort Sullivan High resolution liquid photopolymer coating patterns over irregular printed wiring board surface conductors
US4610941A (en) * 1985-03-19 1986-09-09 Sullivan Donald F Method for photographically improving the resolution of screen printed photopolymer images
US5194365A (en) * 1985-06-19 1993-03-16 Ciba-Geigy Corporation Method for forming images
EP0228671A1 (en) * 1985-12-23 1987-07-15 General Electric Company Method for the production of a coated substrate with controlled surface characteristics
US4693959A (en) * 1986-03-07 1987-09-15 E.I. Du Pont De Nemours And Company Adhesion promotion in photoresist lamination and processing
US4845019A (en) * 1986-06-06 1989-07-04 Visicon Laboratories, Inc. Method for exposing and developing photosensitive materials
SE458248B (sv) * 1987-06-30 1989-03-06 Svensson Lars Goeran Saett foer tillverkning av ett moensterkort samt anordning foer anvaendning vid tillverkning av moensterkort
JPH01236207A (ja) * 1987-07-24 1989-09-21 Nippon Steel Corp ポリジアセチレン薄膜の製造法
US5189081A (en) * 1988-07-04 1993-02-23 Somar Corporation Penetrable, epoxy resin composition comprising glycidyl ether of bisphenol modified with glycol or urethane, and inorganic filler
EP0350232A3 (en) * 1988-07-04 1991-04-10 Somar Corporation Penetrable, epoxy resin composition
US5102491A (en) * 1988-12-09 1992-04-07 Morton International, Inc. Wet lamination process and apparatus
US4976817A (en) * 1988-12-09 1990-12-11 Morton International, Inc. Wet lamination process and apparatus
US5271968A (en) * 1990-02-20 1993-12-21 General Electric Company Method for production of an acrylic coated polycarbonate article
US5085976A (en) * 1990-06-11 1992-02-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for dimensionally stabilizing photopolymer flexographic printing plates
US6300042B1 (en) 1998-11-24 2001-10-09 Motorola, Inc. Lithographic printing method using a low surface energy layer
DE69910335T2 (de) 1998-12-11 2004-07-01 E.I. Du Pont De Nemours And Co., Wilmington Zusammensetzung für ein Silber enthaltendes, lichtempfindliches, leitendes Band und das damit behandelte Band
WO2001029835A1 (en) * 1999-10-15 2001-04-26 Trid Store Ip, Llc Apparatus for information retrieval from a multilayer fluorescent optical clear card
TW508985B (en) * 2000-12-19 2002-11-01 Kolon Inc Method of using dry film photoresist to manufacture print circuit board
DE10260235B4 (de) * 2002-12-20 2010-10-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Strukturieren einer Resistschicht und Negativ-Resistschicht
JP4310266B2 (ja) * 2004-12-06 2009-08-05 パナソニック株式会社 感光性硬化樹脂の塗布方法および接着方法
KR101293879B1 (ko) * 2010-02-26 2013-08-07 주식회사 엘지화학 점착제 조성물
US20130122247A1 (en) * 2011-11-10 2013-05-16 Omnivision Technologies, Inc. Spacer Wafer For Wafer-Level Camera And Method For Manufacturing Same
CN102799070B (zh) * 2012-08-27 2014-03-05 珠海市能动科技光学产业有限公司 双层涂布的负性光致抗蚀干膜
US10449568B2 (en) 2013-01-08 2019-10-22 Hzo, Inc. Masking substrates for application of protective coatings

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5664344A (en) * 1979-10-30 1981-06-01 Asahi Chem Ind Co Ltd Preparation of belt-shaped photosensitive resin printing master
JPS5665137A (en) * 1979-10-31 1981-06-02 Asahi Chem Ind Co Ltd Preparation of photosensitive resin printing master

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL273451A (ja) * 1961-01-13
US3408191A (en) * 1964-10-28 1968-10-29 Du Pont Process of double exposing a photo-polymerizable stratum laminated between two supports, said double exposure determining the support which retains the positive image
US3629036A (en) * 1969-02-14 1971-12-21 Shipley Co The method coating of photoresist on circuit boards
US4323636A (en) * 1971-04-01 1982-04-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive block copolymer composition and elements
US3784378A (en) * 1971-10-18 1974-01-08 Du Pont Double-exposure method for producing reverse images in photopolymers
US4291118A (en) * 1979-12-26 1981-09-22 W. R. Grace & Co. Relief imaging liquids
US4424089A (en) * 1980-05-08 1984-01-03 Sullivan Donald F Photoprinting process and apparatus for exposing paste-consistency photopolymers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5664344A (en) * 1979-10-30 1981-06-01 Asahi Chem Ind Co Ltd Preparation of belt-shaped photosensitive resin printing master
JPS5665137A (en) * 1979-10-31 1981-06-02 Asahi Chem Ind Co Ltd Preparation of photosensitive resin printing master

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63109090A (ja) * 1986-10-21 1988-05-13 バスフ アクチェンゲゼルシャフト フレキソ印刷用多層レリーフ印刷版体の装着方法
JP2002166218A (ja) * 2000-09-22 2002-06-11 Teijin Ltd 両面同時塗工方法
JP4712251B2 (ja) * 2000-09-22 2011-06-29 帝人株式会社 両面同時塗工方法
JP2007534012A (ja) * 2004-04-10 2007-11-22 イーストマン コダック カンパニー レリーフ画像の製造方法
JP2009032912A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Sony Corp 半導体装置の製造方法および有機発光装置の製造方法
CN106269014A (zh) * 2016-08-22 2017-01-04 杭州迈的智能科技有限公司 能够实现固化溶液自动转换的试管箱机构及其控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0123158A3 (en) 1987-02-25
US4528261B1 (ja) 1988-11-15
EP0123158B1 (en) 1989-12-13
HK38690A (en) 1990-05-25
US4528261A (en) 1985-07-09
EP0123158A2 (en) 1984-10-31
JPH0426464B2 (ja) 1992-05-07
SG25390G (en) 1990-07-13
DE3480737D1 (de) 1990-01-18
CA1208811A (en) 1986-07-29

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