JPS5918902A - レ−ザ光学部品 - Google Patents
レ−ザ光学部品Info
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- JPS5918902A JPS5918902A JP58011780A JP1178083A JPS5918902A JP S5918902 A JPS5918902 A JP S5918902A JP 58011780 A JP58011780 A JP 58011780A JP 1178083 A JP1178083 A JP 1178083A JP S5918902 A JPS5918902 A JP S5918902A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
帝業上の１層１用分野
、１【発明（寸、１．〈酸カスレーザ光（波長１ｏ、６
μｍ）に付して低吸収であってなお・かつ０．６３２８
μｍ彼長ＯＨｅ−Ｎｅレーザ’１Ｌｉ（対しても良好な
る透過１′１を灯し、史には而１４（性をも兼ね備えた
レーザ光学部品に関するものである。
μｍ）に付して低吸収であってなお・かつ０．６３２８
μｍ彼長ＯＨｅ−Ｎｅレーザ’１Ｌｉ（対しても良好な
る透過１′１を灯し、史には而１４（性をも兼ね備えた
レーザ光学部品に関するものである。
ｆＬ来例の１苛或どその間頂点
一般に、レーザ発振装置内部位ひその）７５辺にて使用
される光学部品用誘電体膜は、発１ｈ＋波長に付して光
吸収が微少である事、光軸調整作業時に採用されるＨｅ
−Ｎｅ ｖ−ザ光（波長０．６３２８ μｍ）にても良
好なる透過性で代表される高品位光学特性を有し、史に
は、耐薬品性（耐水性を含む）であるところの化学的安
定性に冨む総合的特性を具備していなければならない。
される光学部品用誘電体膜は、発１ｈ＋波長に付して光
吸収が微少である事、光軸調整作業時に採用されるＨｅ
−Ｎｅ ｖ−ザ光（波長０．６３２８ μｍ）にても良
好なる透過性で代表される高品位光学特性を有し、史に
は、耐薬品性（耐水性を含む）であるところの化学的安
定性に冨む総合的特性を具備していなければならない。
特に加「用炭酸ガスレーザの出力レベルが増加するにつ
れて光学部品用誘電体膜での熱発生が重要視される。光
軸調整作業で広く採用されているＨｅ−Ｎｅレーサ光追
跡法を容易ならしめる０、６３２８μｍ波長光透明性（
は被）Ｊｉ 、’ｒ−物の最終化上り寸法積厚に、耐水
性は光学部品の寿命に直接的影響を与える因子であるた
め、現場作業担当者から強く要望され、ている誘電体膜
特性である。
れて光学部品用誘電体膜での熱発生が重要視される。光
軸調整作業で広く採用されているＨｅ−Ｎｅレーサ光追
跡法を容易ならしめる０、６３２８μｍ波長光透明性（
は被）Ｊｉ 、’ｒ−物の最終化上り寸法積厚に、耐水
性は光学部品の寿命に直接的影響を与える因子であるた
め、現場作業担当者から強く要望され、ている誘電体膜
特性である。
以下に反射防１１−膜を例に従来例について説明する。
従来、炭酸ガスレーザ用のＺｎＳｅ用反射防由膜には、
単層膜構造、二層膜構造、圧層膜構１貨等が１．１（ノ
ン２Ｌ゛、＋１−Ｃいる。そ−Ｊ］以１−の多層でも反
Ｑ・ｆ ＩＩ）Ｊ＋ｌ−膜に、Ｉ−、Ｉ’ｉｌ成１ｊ
＞４＜るが久々）−膜形成時の作聚芥易性に難点か牛じ
たり、レーザ光に対する膜１ワ増加に供う吸１１ｙ 贈
−ｊｌ、；・ＩＩ′（い／ζりするという問題か生する
ので特殊−ｊｉ： Ｊ’ｌ’１合ローｌ！よき反年１防
山膜の層数に１、■；層が限度でちる。
単層膜構造、二層膜構造、圧層膜構１貨等が１．１（ノ
ン２Ｌ゛、＋１−Ｃいる。そ−Ｊ］以１−の多層でも反
Ｑ・ｆ ＩＩ）Ｊ＋ｌ−膜に、Ｉ−、Ｉ’ｉｌ成１ｊ
＞４＜るが久々）−膜形成時の作聚芥易性に難点か牛じ
たり、レーザ光に対する膜１ワ増加に供う吸１１ｙ 贈
−ｊｌ、；・ＩＩ′（い／ζりするという問題か生する
ので特殊−ｊｉ： Ｊ’ｌ’１合ローｌ！よき反年１防
山膜の層数に１、■；層が限度でちる。
中層膜構１；５がも−３とも製作１−容しｈである。光
学ｔ、７）理論によれは、１１１１折率ｎが基板のＪｉ
ｉ４折率ｎｓのｉＦ’Ｊ ｉｉ＼！、ｂ市−に等しい条
件を満足すわば、光学的厚みｎｄ＝λ／イ（λ＝１０，
６ ｌｔ ｖｎの場合、ｎｄ＝＝２．６５１１７ｎ）で
基板Ｉ−に蒸着しプこ場合の反９・１率ｄ：零になり中
層反射防１１−膜となる。自然界に附、なかなか」二層
の条件を満足するものが存ｆＥしないか、幸なことに弗
化’ＩＡ） （ＰｂＦ２ ）なる物質Ｎ： Ｉｔ＋！折
率ｎが約１．６６−ｒＺｎｓｅ）ｌ（板の屈折率ｎｓＯ
平）５ 根５−％今１．５５に等１〜くト記条件を満足
する。さらにＰｂＦ２蒸着膜の吸収係数βは約２ＣｗＬ
の程度と低く充分、大出力Ｃ０２レーザ尤にも使用
出来、さら（・でＨｅ−Ｎｅ光にも透過性が良いという
利点があるか、残念ながら水に対し、で弱く、あやまっ
て表面に水をかけたりするとＰｂＦ２ 膜に０・び：１
１１け１か牛したり、１！！ｌ乱か増加し使用出来なく
なるという欠点を有した。
学ｔ、７）理論によれは、１１１１折率ｎが基板のＪｉ
ｉ４折率ｎｓのｉＦ’Ｊ ｉｉ＼！、ｂ市−に等しい条
件を満足すわば、光学的厚みｎｄ＝λ／イ（λ＝１０，
６ ｌｔ ｖｎの場合、ｎｄ＝＝２．６５１１７ｎ）で
基板Ｉ−に蒸着しプこ場合の反９・１率ｄ：零になり中
層反射防１１−膜となる。自然界に附、なかなか」二層
の条件を満足するものが存ｆＥしないか、幸なことに弗
化’ＩＡ） （ＰｂＦ２ ）なる物質Ｎ： Ｉｔ＋！折
率ｎが約１．６６−ｒＺｎｓｅ）ｌ（板の屈折率ｎｓＯ
平）５ 根５−％今１．５５に等１〜くト記条件を満足
する。さらにＰｂＦ２蒸着膜の吸収係数βは約２ＣｗＬ
の程度と低く充分、大出力Ｃ０２レーザ尤にも使用
出来、さら（・でＨｅ−Ｎｅ光にも透過性が良いという
利点があるか、残念ながら水に対し、で弱く、あやまっ
て表面に水をかけたりするとＰｂＦ２ 膜に０・び：１
１１け１か牛したり、１！！ｌ乱か増加し使用出来なく
なるという欠点を有した。
１−記の欠点を改良するために二層膜構Ｊ１５のＪｉ
射防山、膜が考えられた。二層膜構造に関する５ｃｈｕ
ｓｔｅｒの関係式を満足する様に二種類の誘電体物質と
そねそれの丸学的膜［９か求められた。すなわち（イ）
ＺｎＳｅ基板上に丑ず弗化バリウド（ＢａＦ２）をｎｄ
＝ １．５４５６ μｒｎ、 、さらにその」−にＺｎ
５ｅをｎｄ−０，４９６１ｐｒｎ例ける−１１により、
膜の吸収か無いとすれば反射率を零にすることが出来る
。現実にｄ：、Ｂａ Ｆ２膜の吸収係数がβ−１５（Ｊ
＝と大きく大出力ＣＯ２レーザ用とし、てにＪ［不適当
であることが結論された。仲）他の組合せとしてＢａＦ
２の替りに四弗化トリウムを使用した二層反射防１１−
１摸としてＺｎ５ｅ基板トにＴｈＦ、、をｎｄ＝＝＝
１ 。３９９２ ｐｍイマ］けさらにＺｎＳ３をｎ ｄ
＝ ０．５５６６ ｐ ｖｎ付けるｉｔが考えられる
。この方法の欠点はＴｈＦ４が放射慴っ物質であるため
に作業上の安全性におとり、さら（て我が国においては
放射性規制給費の指定を受けてＬ−１１？／、律的にも
使用が知かしく、かつ１１）、純度のＴｈＦ４：ｊ・友
−トすることがｌＡ４’Ｊｄｔな状況にある。現在氏４
・が友「出来る純度のＴｈＦ、、の蒸着膜の吸収係数（
佳βニー１５〜３０ｃｍ−１と大きく）〈出力００２レ
ー−リＬｌ、ｌ 、Ｊ−してｄ、不適当であることか結
１倫された。
射防山、膜が考えられた。二層膜構造に関する５ｃｈｕ
ｓｔｅｒの関係式を満足する様に二種類の誘電体物質と
そねそれの丸学的膜［９か求められた。すなわち（イ）
ＺｎＳｅ基板上に丑ず弗化バリウド（ＢａＦ２）をｎｄ
＝ １．５４５６ μｒｎ、 、さらにその」−にＺｎ
５ｅをｎｄ−０，４９６１ｐｒｎ例ける−１１により、
膜の吸収か無いとすれば反射率を零にすることが出来る
。現実にｄ：、Ｂａ Ｆ２膜の吸収係数がβ−１５（Ｊ
＝と大きく大出力ＣＯ２レーザ用とし、てにＪ［不適当
であることが結論された。仲）他の組合せとしてＢａＦ
２の替りに四弗化トリウムを使用した二層反射防１１−
１摸としてＺｎ５ｅ基板トにＴｈＦ、、をｎｄ＝＝＝
１ 。３９９２ ｐｍイマ］けさらにＺｎＳ３をｎ ｄ
＝ ０．５５６６ ｐ ｖｎ付けるｉｔが考えられる
。この方法の欠点はＴｈＦ４が放射慴っ物質であるため
に作業上の安全性におとり、さら（て我が国においては
放射性規制給費の指定を受けてＬ−１１？／、律的にも
使用が知かしく、かつ１１）、純度のＴｈＦ４：ｊ・友
−トすることがｌＡ４’Ｊｄｔな状況にある。現在氏４
・が友「出来る純度のＴｈＦ、、の蒸着膜の吸収係数（
佳βニー１５〜３０ｃｍ−１と大きく）〈出力００２レ
ー−リＬｌ、ｌ 、Ｊ−してｄ、不適当であることか結
１倫された。
［ヅ１−の従来例を１とめると表の様になる。
表 従来例にあるＺｎ５ｅ用
反躬防１１−膜の種類と特性
１一層表から判る様に吸収が少なく大パワー用に（・ｋ
ｌ（１出来るもの目、ＰｂＦ２ にかきら、＃するが面
口猿境性に劣るため総合的に満足なものは無い。
ｌ（１出来るもの目、ＰｂＦ２ にかきら、＃するが面
口猿境性に劣るため総合的に満足なものは無い。
発明の１−１的
本発明の１−１的（＋１−ＡＳ２ Ｓｅ ３がピンホー
ルの出来にくいというアモルファス状態の膜であるとい
う利点とＰｂＦ２の持つ低吸収ゼ１の利点を利用するこ
とにより、化学的安定性が］ψＩＩり、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザ）１−に肘しても良好な透過特性を有し、太パ１７−
炭酸ガスレーザにも使用出来る吸収の少ない従って面、
１光力の高いレーザ光学部品を程供するものである。
ルの出来にくいというアモルファス状態の膜であるとい
う利点とＰｂＦ２の持つ低吸収ゼ１の利点を利用するこ
とにより、化学的安定性が］ψＩＩり、Ｈｅ−Ｎｅレー
ザ）１−に肘しても良好な透過特性を有し、太パ１７−
炭酸ガスレーザにも使用出来る吸収の少ない従って面、
１光力の高いレーザ光学部品を程供するものである。
発明の構成
本発明のレーザ光学部品ｄ：、ＡＳ２Ｓ６３であられさ
れるカルコケナイドガラス層を、セレン化曲鉛（ＺｎＳ
ｅ ）基板上に形成し、その上に１層以」−の誘電体層
を形成し、さらに最外誘電体層上に、ＡＳ２Ｓ６３であ
られされる三七レン化ヒ素なるカルコゲナイドガラス層
を設けるようＫ ｔ、たものである。Ａｓ２Ｓｅ３より
なる膜はアモルファス状態を示し本質的にピンホールか
出来にくい特性を有するため中間のｒｉ％電体層の化学
的不安定性を保護し、結果として光学部品の化学的安定
性を増加するものである。
れるカルコケナイドガラス層を、セレン化曲鉛（ＺｎＳ
ｅ ）基板上に形成し、その上に１層以」−の誘電体層
を形成し、さらに最外誘電体層上に、ＡＳ２Ｓ６３であ
られされる三七レン化ヒ素なるカルコゲナイドガラス層
を設けるようＫ ｔ、たものである。Ａｓ２Ｓｅ３より
なる膜はアモルファス状態を示し本質的にピンホールか
出来にくい特性を有するため中間のｒｉ％電体層の化学
的不安定性を保護し、結果として光学部品の化学的安定
性を増加するものである。
実施例の説明
Ａｓ２Ｓｅ３とＰｂＦ２を使用したＺｎ５ｅ用反’Ａ−
Ｊ防１１膜を実施例１に、部分反Ｉ、Ｉ−Ｊ′膜を実施
例２．３に示す。
Ｊ防１１膜を実施例１に、部分反Ｉ、Ｉ−Ｊ′膜を実施
例２．３に示す。
〈実施例１〉
第１ト（ｉ Ｑ−１：Ｚ ｎ Ｓｅ Ｊ、（板１−の：
層反射ｌ（１，＋ｌ−膜の膜構造６・示を図でｒｐ）る
。図中、１ｉ、ｌ、両面が超精密に研磨；’； ？１
／（−Ｚ ｎ Ｓ ｅ Ｊ、（’ｔ＆、２に１、Ｉ＋ｒ
！折率約２．８なる玉セレ） ｆＬヒ素（Ａｓ２Ｓｅ３
）ノブラスであり、光学的Ｙ９みｎ（１＝ ２，６５７
．ｎｎ７’：ある。３は肋折率約１．５５なる化１ヒ沿
（ＰｂＦ２）で光学的Ｆ！みｎｄ ＝ １．４１６１ｔ
ｔｎである。９４は２と同じＡｓ２Ｓｅ３で、光学的厚
みｎ ｄ −０，６１３２／１ｒｒＩである。以上の様
にそれぞれの物Ｖ」をＺｎ５ｅ基板１上に順次抵抗加熱
真空蒸着法等を用い形成する。このような三層構造によ
る反射１１ｊ＋ｌ・膜の分′に特性１１各膜の吸収を零
とし／こ近似において第２図に示す様になり波長１０．
６μｍにおいて反射率か零になる事が示される。各蒸着
膜の吸１１又［糸数をち一寄し反射膜１ト膜の全吸収を
ｎｆｔ定すると以下の様になる。三層反ｑｔ防市膜の場
合、反射１；１）１１膜内の電１ノー強度を考！（Ｗす
ると金吸１（ｙ（ｎｄ）ｔｏｔａｌ （は各膜の吸収（
β１ｄｌ）の総相の約２分の１、、に近（１゛４出来る
。ここでβ１は、各膜の吸収係数、ｄｉ （・」、各模
の即みである。本実施例の場合第一層の吸収β１ｄ１Ｑ
、 ２ＣＩ１１． Ｘｏ、９５ Ｘ １０ Ｃｍ＝、
１．９Ｘ１０ 。
層反射ｌ（１，＋ｌ−膜の膜構造６・示を図でｒｐ）る
。図中、１ｉ、ｌ、両面が超精密に研磨；’； ？１
／（−Ｚ ｎ Ｓ ｅ Ｊ、（’ｔ＆、２に１、Ｉ＋ｒ
！折率約２．８なる玉セレ） ｆＬヒ素（Ａｓ２Ｓｅ３
）ノブラスであり、光学的Ｙ９みｎ（１＝ ２，６５７
．ｎｎ７’：ある。３は肋折率約１．５５なる化１ヒ沿
（ＰｂＦ２）で光学的Ｆ！みｎｄ ＝ １．４１６１ｔ
ｔｎである。９４は２と同じＡｓ２Ｓｅ３で、光学的厚
みｎ ｄ −０，６１３２／１ｒｒＩである。以上の様
にそれぞれの物Ｖ」をＺｎ５ｅ基板１上に順次抵抗加熱
真空蒸着法等を用い形成する。このような三層構造によ
る反射１１ｊ＋ｌ・膜の分′に特性１１各膜の吸収を零
とし／こ近似において第２図に示す様になり波長１０．
６μｍにおいて反射率か零になる事が示される。各蒸着
膜の吸１１又［糸数をち一寄し反射膜１ト膜の全吸収を
ｎｆｔ定すると以下の様になる。三層反ｑｔ防市膜の場
合、反射１；１）１１膜内の電１ノー強度を考！（Ｗす
ると金吸１（ｙ（ｎｄ）ｔｏｔａｌ （は各膜の吸収（
β１ｄｌ）の総相の約２分の１、、に近（１゛４出来る
。ここでβ１は、各膜の吸収係数、ｄｉ （・」、各模
の即みである。本実施例の場合第一層の吸収β１ｄ１Ｑ
、 ２ＣＩ１１． Ｘｏ、９５ Ｘ １０ Ｃｍ＝、
１．９Ｘ１０ 。
すなわち約０．０１９形である。第二層の吸収β２ｄ２
Ｌｆｉ２（］ 、＜０．９１ Ｘｌ ０１−Ｈｌ、８
Ｘ１０ 、すなわちｔ々１０．０１８Φである。第Ｅ
層の吸収β３ｄ３（ξＶ２側Ｘ０．２２Ｘ１０ Ｃｍ
Ｔ：０．００４％である。従−）で＝−２層膜の全吸収
は約０．０２ 影となる。この１ゾｑ・１防Ｉ］−膜に
１０ＫＷという大パワーの炭酸ガスレーザ尤カ人ｑ寸し
た場合に附、１０ＫＷの人身寸パワーの０．０２％が熱
として発生する。すなわち２Ｗの熱発生源として作用す
るがこの程度の熱発生−一実用の冷却Ｊｊυ、で十分対
処出来、光学部品のｆｉｔν壊の原因とはならない。
Ｌｆｉ２（］ 、＜０．９１ Ｘｌ ０１−Ｈｌ、８
Ｘ１０ 、すなわちｔ々１０．０１８Φである。第Ｅ
層の吸収β３ｄ３（ξＶ２側Ｘ０．２２Ｘ１０ Ｃｍ
Ｔ：０．００４％である。従−）で＝−２層膜の全吸収
は約０．０２ 影となる。この１ゾｑ・１防Ｉ］−膜に
１０ＫＷという大パワーの炭酸ガスレーザ尤カ人ｑ寸し
た場合に附、１０ＫＷの人身寸パワーの０．０２％が熱
として発生する。すなわち２Ｗの熱発生源として作用す
るがこの程度の熱発生−一実用の冷却Ｊｊυ、で十分対
処出来、光学部品のｆｉｔν壊の原因とはならない。
なおこの反肘防市膜でのＨｅ−Ｎｅレーザ光に対する透
過率は約６ｏｔ？、５以上ありビームアライメントも容
劾である。又Ａ（（【弱いＰｂＦ２をＡｓ２Ｓｅ３なる
ピンホールの出来にくいカルコゲナイドガラスてｆ’＋
３護しているのでＩ耐水性に優れている。
過率は約６ｏｔ？、５以上ありビームアライメントも容
劾である。又Ａ（（【弱いＰｂＦ２をＡｓ２Ｓｅ３なる
ピンホールの出来にくいカルコゲナイドガラスてｆ’＋
３護しているのでＩ耐水性に優れている。
以上のように、本実施例の玉層反射防市膜は１０．６μ
ｍ波長に対する吸収が。、０２影吉少なく、光軸調整作
業時に採用されるＨｅ−Ｎｅし〜ザ光にも良好な透過性
を有し、耐水性にもすぐ−Ｌ″Ｌでいる人−め、大パワ
ーの炭酸ガスレーザ月］の反射［（〕１月１゛膜、！：
ｉ、−ｃ実用１．部分な効果を発揮する。
ｍ波長に対する吸収が。、０２影吉少なく、光軸調整作
業時に採用されるＨｅ−Ｎｅし〜ザ光にも良好な透過性
を有し、耐水性にもすぐ−Ｌ″Ｌでいる人−め、大パワ
ーの炭酸ガスレーザ月］の反射［（〕１月１゛膜、！：
ｉ、−ｃ実用１．部分な効果を発揮する。
く実施例２）
第３図ｄ：本発明の第２の実施例であるＺｎ５ｅ基（１
ｉ１−での百層部分反射膜（ＩＶ、躬率約６９の）の膜
（−１４亡肴二示す図である。図中１は両面が超精密に
研磨されたＺｎ５ｅ基板である。２は屈折率約２．８な
るカルコゲナイドガラスＡＳ２Ｓｌｅ３であり光学的厚
みｎｄ ＝ ２．６６ Ｉｔｒｎである。５は屈折率約
１．５５なるＰｂＦ２で光学的１ワみｎｄ＝２．６５μ
ｍである。
ｉ１−での百層部分反射膜（ＩＶ、躬率約６９の）の膜
（−１４亡肴二示す図である。図中１は両面が超精密に
研磨されたＺｎ５ｅ基板である。２は屈折率約２．８な
るカルコゲナイドガラスＡＳ２Ｓｌｅ３であり光学的厚
みｎｄ ＝ ２．６６ Ｉｔｒｎである。５は屈折率約
１．５５なるＰｂＦ２で光学的１ワみｎｄ＝２．６５μ
ｍである。
本実施例の場合ＰｂＦ２膜５の上に史にＡｓ２Ｓｅ３膜
２が設けられている。」以上の様にそれぞれの物質をＺ
ｎ５ｅ清板１上に順次低抗加熱頁空蒸着法等を用い蒸着
する。本三層構ｉＮによる部分反射膜の分光特性（は各
膜の吸収を零とし／こ近似１／（おいて第４図に示す様
になり波長１０．６μｍにおいて反射率が約６９影とな
るＩ’が示される。部分反射膜の全吸収を１イイ定する
と約０．０７％となり、１０ＫＷという太パワー炭酸ガ
スレーザ光による熱発生パワー ｊ７Ｌ７ Ｗでありこ
の程度の熱発生は実用の冷却方法で十分対処出来、光学
部品の破壊の原因、、Ｌｉｔならない。本玉層部分透過
膜は実施例１の場合と同様に１０．６μｍ波長に対する
吸収が少なく、光軸調整作業時に採用されるＨｅ−Ｎｅ
レーザ光にも良好な透過性で代表される高品位光学特性
を有し、耐水性に代表されるところの化学安定性に冨む
総合的特性を具備しているので、大パワーの炭酸ガスレ
ーザ用の部分反射膜として実用上十分な効果を発揮する
。
２が設けられている。」以上の様にそれぞれの物質をＺ
ｎ５ｅ清板１上に順次低抗加熱頁空蒸着法等を用い蒸着
する。本三層構ｉＮによる部分反射膜の分光特性（は各
膜の吸収を零とし／こ近似１／（おいて第４図に示す様
になり波長１０．６μｍにおいて反射率が約６９影とな
るＩ’が示される。部分反射膜の全吸収を１イイ定する
と約０．０７％となり、１０ＫＷという太パワー炭酸ガ
スレーザ光による熱発生パワー ｊ７Ｌ７ Ｗでありこ
の程度の熱発生は実用の冷却方法で十分対処出来、光学
部品の破壊の原因、、Ｌｉｔならない。本玉層部分透過
膜は実施例１の場合と同様に１０．６μｍ波長に対する
吸収が少なく、光軸調整作業時に採用されるＨｅ−Ｎｅ
レーザ光にも良好な透過性で代表される高品位光学特性
を有し、耐水性に代表されるところの化学安定性に冨む
総合的特性を具備しているので、大パワーの炭酸ガスレ
ーザ用の部分反射膜として実用上十分な効果を発揮する
。
実施例
第５図（はＺｎ８８基板上でのｌｊ層部分反射膜（反射
率約８９％）の膜構造を示す図である。図中１は両面が
超精密に研磨されたＺｎ５ｅ基板、２は屈折率約２．８
なるカルコケナイドガラスＡＳ２ Ｓｅ３であり、光学
的厚みｎｄ ＝ ２．６５μｍである。５は１「ｌ折率
約１．５５なるＰｂＦ２で光学的厚みｎｄ ＝＝２．６
６μｍである。以」二の様に基板１のトに、ＡＳ２Ｓ８
３膜２とＰｂＦ２膜５とをこの順に順次抵抗加熱法等を
用いて蒸着する。本五層構造による部分反射膜の分光特
性は各膜の吸収を零とし／こ近似にＩ、−いて第６図に
示す様になり波長１０，６ ｌｔｍに、１．−いて反射
率が約８９％となる！１！が示される。部分反射膜の全
吸収を推定すると約０．１２％となり、１０ＫＷという
大パワー炭酸ガスレーザ光による熱発生パワー（ｒ−：
１１２ Ｗてありこの程度の熱発生は実１１１の冷却Ｊ
ｊ法で−１−分対処出来、光学部品の破壊の原因とに：
ならない。本Ｔｒ層部分透過膜は実施例１．２の場合と
同様に１０．６μ７ｎ波長に対する吸収が少なく、光軸
、１．！ｉ１整作業時に採用されるＨｅ−Ｎｅ レーザ
光にも良好な透過性で代表される高品位光学特性を有（
〜、耐水性に代表されるところの化学安定性に富む総合
的特性を具備しているのて、大パワーの炭酸ガスレーザ
用の部分反射膜として実用−１−十分な効果を発揮する
。
率約８９％）の膜構造を示す図である。図中１は両面が
超精密に研磨されたＺｎ５ｅ基板、２は屈折率約２．８
なるカルコケナイドガラスＡＳ２ Ｓｅ３であり、光学
的厚みｎｄ ＝ ２．６５μｍである。５は１「ｌ折率
約１．５５なるＰｂＦ２で光学的厚みｎｄ ＝＝２．６
６μｍである。以」二の様に基板１のトに、ＡＳ２Ｓ８
３膜２とＰｂＦ２膜５とをこの順に順次抵抗加熱法等を
用いて蒸着する。本五層構造による部分反射膜の分光特
性は各膜の吸収を零とし／こ近似にＩ、−いて第６図に
示す様になり波長１０，６ ｌｔｍに、１．−いて反射
率が約８９％となる！１！が示される。部分反射膜の全
吸収を推定すると約０．１２％となり、１０ＫＷという
大パワー炭酸ガスレーザ光による熱発生パワー（ｒ−：
１１２ Ｗてありこの程度の熱発生は実１１１の冷却Ｊ
ｊ法で−１−分対処出来、光学部品の破壊の原因とに：
ならない。本Ｔｒ層部分透過膜は実施例１．２の場合と
同様に１０．６μ７ｎ波長に対する吸収が少なく、光軸
、１．！ｉ１整作業時に採用されるＨｅ−Ｎｅ レーザ
光にも良好な透過性で代表される高品位光学特性を有（
〜、耐水性に代表されるところの化学安定性に富む総合
的特性を具備しているのて、大パワーの炭酸ガスレーザ
用の部分反射膜として実用−１−十分な効果を発揮する
。
発明の効果
以上の実施例で示した様にＺｎ５ｅ基板に用いる各種光
学特性を持つ誘電体多層膜、（例えば反射１３１月］−
膜１部分透過膜等）を構成する要素膜のうち基板と接す
る第一層にピンホールの出来にくいカルコゲナイドガラ
スであるＡ Ｓ ２ Ｓ ｅ ３膜を使用し、さらに−
計外側の表面膜とし７てもＡｓ２Ｓｅ３膜を使用するこ
とにより中間層の化学的不安定１〈１−を保刑する保護
膜どしての効果をも発揮する。このＡｓ ２Ｓｅ ３と
中間層に使用するＰｂ Ｆ２膜は炭酸ガスレー→ノー光
に対する吸収が少ないので１０ＫＷレベルの大パワー炭
酸ガスレーザ光のＺｎ Ｓｅ 窓、レンズ。
学特性を持つ誘電体多層膜、（例えば反射１３１月］−
膜１部分透過膜等）を構成する要素膜のうち基板と接す
る第一層にピンホールの出来にくいカルコゲナイドガラ
スであるＡ Ｓ ２ Ｓ ｅ ３膜を使用し、さらに−
計外側の表面膜とし７てもＡｓ２Ｓｅ３膜を使用するこ
とにより中間層の化学的不安定１〈１−を保刑する保護
膜どしての効果をも発揮する。このＡｓ ２Ｓｅ ３と
中間層に使用するＰｂ Ｆ２膜は炭酸ガスレー→ノー光
に対する吸収が少ないので１０ＫＷレベルの大パワー炭
酸ガスレーザ光のＺｎ Ｓｅ 窓、レンズ。
出力結合鏡、ビーノ、スプリッター等を実現可能にする
ものである。
ものである。
第１図は、本発明の第１の実施例であるＺｎ Ｓｅ用反
射防雨膜の断面図、第２図は前記反射防山、膜の反射率
波長（衣存性を示す図、第３図は本発明の第２の実施例
２であるＺｎ５ｅ用部分反射膜の断面図、第４図は前記
部分反別膜の反射率波長依存性を示す図、第５図は第３
の実施例であるＺｎ５ｅ用部分反９＝ｊ膜の断面図、第
６図は前記部分反射膜の反射率波長依存性を示す図であ
る。 １・・・・・Ｚｎ５ｅ基板、２ｚ・・・・光学的厚みｎ
ｄ −２，６５μｍなるＡＳ ２ Ｓ ｅ ３膜、３−
＝光学的厚みｎｄ＝１．４１６μｍなるＰｂＦ２膜、４
・・・・・光学的厚みｎｄ ＝ ０．６１３２１ｔｒｎ
なるＡＳ２Ｓｅ３膜、５−＝光学的１１２みｎｄ ＝
２，６５１ｔｒｎなるＡｓ２Ｓｅ３膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 第２図 ヌ沢ζ 羊ト２（７り７η〕
射防雨膜の断面図、第２図は前記反射防山、膜の反射率
波長（衣存性を示す図、第３図は本発明の第２の実施例
２であるＺｎ５ｅ用部分反射膜の断面図、第４図は前記
部分反別膜の反射率波長依存性を示す図、第５図は第３
の実施例であるＺｎ５ｅ用部分反９＝ｊ膜の断面図、第
６図は前記部分反射膜の反射率波長依存性を示す図であ
る。 １・・・・・Ｚｎ５ｅ基板、２ｚ・・・・光学的厚みｎ
ｄ −２，６５μｍなるＡＳ ２ Ｓ ｅ ３膜、３−
＝光学的厚みｎｄ＝１．４１６μｍなるＰｂＦ２膜、４
・・・・・光学的厚みｎｄ ＝ ０．６１３２１ｔｒｎ
なるＡＳ２Ｓｅ３膜、５−＝光学的１１２みｎｄ ＝
２，６５１ｔｒｎなるＡｓ２Ｓｅ３膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 第２図 ヌ沢ζ 羊ト２（７り７η〕
Claims (2)
- （１）セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ ）基板Ｉ−，Ｉ−ζ
、Ａｓ２Ｓｅ３で表わさ扛る第１のカルコゲナイドガラ
ス層を作して少−なくとも１層の誘電体膜を設け、前記
誘電体膜＋５７１ｓ２Ｓｅ３で表わさハる第２のカルコ
ケナイドガラス層で治ったことを特徴とするレーザ光学
部品。 - （２） ７”、〜電体膜が弗化鉛である特許請求の範
囲第１項記載のレーザ光学部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58011780A JPS5918902A (ja) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | レ−ザ光学部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58011780A JPS5918902A (ja) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | レ−ザ光学部品 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57128778A Division JPS5918901A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | レ−ザ光学部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918902A true JPS5918902A (ja) | 1984-01-31 |
| JPS6214801B2 JPS6214801B2 (ja) | 1987-04-03 |
Family
ID=11787462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58011780A Granted JPS5918902A (ja) | 1983-01-27 | 1983-01-27 | レ−ザ光学部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918902A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60242402A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ光学部品 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4075385A (en) * | 1977-04-01 | 1978-02-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Anti-reflective coating for high energy optical components |
-
1983
- 1983-01-27 JP JP58011780A patent/JPS5918902A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4075385A (en) * | 1977-04-01 | 1978-02-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Anti-reflective coating for high energy optical components |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60242402A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ光学部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6214801B2 (ja) | 1987-04-03 |
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