JPS60245775A - 反射防止膜 - Google Patents
反射防止膜Info
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- JPS60245775A JPS60245775A JP10210184A JP10210184A JPS60245775A JP S60245775 A JPS60245775 A JP S60245775A JP 10210184 A JP10210184 A JP 10210184A JP 10210184 A JP10210184 A JP 10210184A JP S60245775 A JPS60245775 A JP S60245775A
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- optical
- thickness
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- as2se3
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は赤外用光学機器の光学部品（ウィンドウ、レン
ズ、オプティカルファイバー）の素材であるＫＲＳ−５
（沃化タリウム（ＴＩＩ）と臭化タリウム（ＴＩＢτ）
との混晶）に用いて好適な反射防止膜に関する。
ズ、オプティカルファイバー）の素材であるＫＲＳ−５
（沃化タリウム（ＴＩＩ）と臭化タリウム（ＴＩＢτ）
との混晶）に用いて好適な反射防止膜に関する。
従来例の構成とその問題点
ＫＲ３−６は、屈折率が２．３７ （波長１０．６ ｐ
ｒｎにおいて）と大きいために反射損失が入出力端を合
せて約２８係もある。これを減らすには端面に反射防止
膜をコーティングすることが望捷しい。
ｒｎにおいて）と大きいために反射損失が入出力端を合
せて約２８係もある。これを減らすには端面に反射防止
膜をコーティングすることが望捷しい。
しかしＫＲ８−ｔｓに無反射コートする技術は未だ確立
されていない。
されていない。
このような状況において最近ＫＲ３−５が炭酸ガスレー
ザメス用の導光路（オプティカルファイバー）として実
用化されるに至り、その透過率向上を目的とした反射防
止膜の要望が高まって来た。
ザメス用の導光路（オプティカルファイバー）として実
用化されるに至り、その透過率向上を目的とした反射防
止膜の要望が高まって来た。
この導光路端面に使用される反射防止膜は炭酸ガスレー
ザ光が照射されるという点でまず通常の赤外用の窓、レ
ンズ等のそれにくらべ高い耐光力が要求される。さらに
導光路の場合には一般にレーザ光を集光して端面傾入射
させるため表面でのパワー密度は通常のレーザ用光学部
品の場合より２桁程度大きなものとなる。たとえばｓｏ
Ｗ出力時には、導光路入力端でのパワー密度は６０ＫＷ
／ｃｎｌにも達する。従って導光路端面上の反射防止膜
は耐環境性、耐はく離性のみならず、極度に大きな耐光
力が要求される。
ザ光が照射されるという点でまず通常の赤外用の窓、レ
ンズ等のそれにくらべ高い耐光力が要求される。さらに
導光路の場合には一般にレーザ光を集光して端面傾入射
させるため表面でのパワー密度は通常のレーザ用光学部
品の場合より２桁程度大きなものとなる。たとえばｓｏ
Ｗ出力時には、導光路入力端でのパワー密度は６０ＫＷ
／ｃｎｌにも達する。従って導光路端面上の反射防止膜
は耐環境性、耐はく離性のみならず、極度に大きな耐光
力が要求される。
耐光力を向上させるには、まず、いかに吸収の少ない反
射防止膜を実現するかにかかっている。
射防止膜を実現するかにかかっている。
従来、炭酸ガスレーザ用透明光学部品の素材であるセレ
ン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、ヒ素化ガリウム（ＧａＡｓ ）
や塩化カリウム（ＫＣＩ）等の反射防止膜は、単層膜構
造、二層膜構造、三層膜構造等が試みられている。それ
以上の多層でも反射防止膜は構成出来るが蒸着膜形成時
の作業容易性に難点が生じたり、レーザ光に対する膜厚
増加に伴う吸収増大を招いたりするという問題が生ずる
ので特殊な場合を除き反射防止膜の層数は三層が限度と
されている。
ン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、ヒ素化ガリウム（ＧａＡｓ ）
や塩化カリウム（ＫＣＩ）等の反射防止膜は、単層膜構
造、二層膜構造、三層膜構造等が試みられている。それ
以上の多層でも反射防止膜は構成出来るが蒸着膜形成時
の作業容易性に難点が生じたり、レーザ光に対する膜厚
増加に伴う吸収増大を招いたりするという問題が生ずる
ので特殊な場合を除き反射防止膜の層数は三層が限度と
されている。
単層膜構造が最も製作上容易である。光学の理論によれ
ば、屈折率ｎが光学部品素材の屈折率ｍｓの平方根μ丁
に等しいという条件を満足すれば光学的厚みｎｄ−λ／
４（λ＝１０．６μｍの場合、ｎｄ＝２．６５μｍ）で
基板上に蒸着した場合の反射率は零になり単層反射防止
膜となる。
ば、屈折率ｎが光学部品素材の屈折率ｍｓの平方根μ丁
に等しいという条件を満足すれば光学的厚みｎｄ−λ／
４（λ＝１０．６μｍの場合、ｎｄ＝２．６５μｍ）で
基板上に蒸着した場合の反射率は零になり単層反射防止
膜となる。
自然界にはこの様な条件を満足してくれるものは非常に
限られる。ＫＨ２−ｒｓ素材の屈折率ｎ８の平方根ｒ−
／房習７中１．５４に近い屈折率の材料をさがすと第１
表のようになる。
限られる。ＫＨ２−ｒｓ素材の屈折率ｎ８の平方根ｒ−
／房習７中１．５４に近い屈折率の材料をさがすと第１
表のようになる。
第１表（ＫＨ２−５用単層反射防止膜）第１表より判る
様に単層反射防止膜では反射率を零にすることは出来ず
、１％程度の反射が残る。
様に単層反射防止膜では反射率を零にすることは出来ず
、１％程度の反射が残る。
ＴｈＦ４の場合には耐環境性には優れているが、吸収が
大きいという欠点が有る。ＰｂＦ２の場合吸収は少ない
が耐環境性に欠点がある。すなわち、ＰｂＦ２蒸着膜は
水に対して弱く、あやまって表面に水をかけたりすると
膜にひび割れが生じたり、散乱が増加する。
大きいという欠点が有る。ＰｂＦ２の場合吸収は少ない
が耐環境性に欠点がある。すなわち、ＰｂＦ２蒸着膜は
水に対して弱く、あやまって表面に水をかけたりすると
膜にひび割れが生じたり、散乱が増加する。
一方、５ｃｈｕｓｔｅｒの二層膜構造の条件式を満足す
る２種類の誘電体物質の組合せを考えると理論的に反射
率を零にすることが出来る。その様な組合せをさがすと
第二表のようになる。
る２種類の誘電体物質の組合せを考えると理論的に反射
率を零にすることが出来る。その様な組合せをさがすと
第二表のようになる。
第２表（ＫＨ２−ｅｓ用二層反射防止膜）しかし第２表
かられかるように二層構造の場合、理論的に反射率を零
にすることは出来るが吸収が大きいという欠点を有す。
かられかるように二層構造の場合、理論的に反射率を零
にすることは出来るが吸収が大きいという欠点を有す。
発明の目的
本発明はＫＨ２−５に対して耐環境性にすぐれかつ吸収
の少ない従って耐光力の高い炭酸ガスレーザ用にも使用
出来る反射防止膜を提供するものである。
の少ない従って耐光力の高い炭酸ガスレーザ用にも使用
出来る反射防止膜を提供するものである。
発明の構成
本発明は上記目的を達成するものでＫＨ２−５面にまず
吸収が少なズかつ密着性の良いアモルファス状態を示す
三セレン化ヒ素（Ａ Ｓ ２ Ｓ ｅ ａ ）ガラスで
ある高屈折率物質（ｎ＝２．８）を蒸着し、次に吸収の
少ない低屈折率物質である弗化鉛（ＰｂＦ２）（ｍ ＝
−１，６７） を蒸着し、さらにとのＰｂＦ２ の耐水
性の弱さを保護する効果をもったピンホールの出来にく
いＡ ｇ ２ Ｓ ｅ ３ を蒸着してなる三層膜構造
の吸収の少ない従って耐光力のある、かつまた耐環境性
のすぐれた反射防止膜を提供するものである。
吸収が少なズかつ密着性の良いアモルファス状態を示す
三セレン化ヒ素（Ａ Ｓ ２ Ｓ ｅ ａ ）ガラスで
ある高屈折率物質（ｎ＝２．８）を蒸着し、次に吸収の
少ない低屈折率物質である弗化鉛（ＰｂＦ２）（ｍ ＝
−１，６７） を蒸着し、さらにとのＰｂＦ２ の耐水
性の弱さを保護する効果をもったピンホールの出来にく
いＡ ｇ ２ Ｓ ｅ ３ を蒸着してなる三層膜構造
の吸収の少ない従って耐光力のある、かつまた耐環境性
のすぐれた反射防止膜を提供するものである。
実施例の説明
第１図は本発明の一実施例である三層反射防止膜の構造
図である。図中４は表面が超精密に光学研磨された屈折
率ｎｌ１ｌが２．３７のＫＨ２−５基板である。１は屈
折率ｎ３が２．８なるＡＦ１２Ｓ０３であり、光学的厚
みｎ ｓ ｄ ３−２−５２４μｍである。２は屈折率
ｎ２が１．６７なるＰｂＦ２ で光学的厚みｎ ２ ｄ
２−１＝７１９μｍである。３は屈折率ｎ１ が２．
８なるＡ ｓ ２Ｓ ｅ ３ であり光学的厚みｎ１ｄ
１−０．４８８μｍである。上記のそれぞれの光学的膜
厚は三層反射防止膜に関するＭｏｕｃｈ、ｒａｔの関係
式（ＡｐｐｌｉｅｄＯｐ、。８／Ｖ０１−１６ＮＯ，１
ｏｐ、２了２２）を満足する様に決定した。
図である。図中４は表面が超精密に光学研磨された屈折
率ｎｌ１ｌが２．３７のＫＨ２−５基板である。１は屈
折率ｎ３が２．８なるＡＦ１２Ｓ０３であり、光学的厚
みｎ ｓ ｄ ３−２−５２４μｍである。２は屈折率
ｎ２が１．６７なるＰｂＦ２ で光学的厚みｎ ２ ｄ
２−１＝７１９μｍである。３は屈折率ｎ１ が２．
８なるＡ ｓ ２Ｓ ｅ ３ であり光学的厚みｎ１ｄ
１−０．４８８μｍである。上記のそれぞれの光学的膜
厚は三層反射防止膜に関するＭｏｕｃｈ、ｒａｔの関係
式（ＡｐｐｌｉｅｄＯｐ、。８／Ｖ０１−１６ＮＯ，１
ｏｐ、２了２２）を満足する様に決定した。
第２図、第３図、第４図にそれぞれ第三層Ａｓ ２Ｓ
ｅｓ３、ｉ二層ＰｂＦ２２、第一層Ａｓ２Ｓｅ３１の光
学的膜厚ｎ１ｄｉの設定値を中心に５係増減した場合の
反射率の波長依存性を示した。
ｅｓ３、ｉ二層ＰｂＦ２２、第一層Ａｓ２Ｓｅ３１の光
学的膜厚ｎ１ｄｉの設定値を中心に５係増減した場合の
反射率の波長依存性を示した。
第２図はＫＲ３−５基板に密着する第１のＡ ８２Ｓ
ｅ３膜１の光学的厚みを２．５２４ μｍ、ＰｂＦ２膜
２の光学的厚みを１．７１９μｍとし、ＰｂＦ２膜２上
膜形上される第２のＡ ８２ Ｓ ｅ ３膜３の光学的
厚みを±５係変化した場合で、第２のＡ Ｓ ２ Ｓ
ｅ ３膜３の光学的厚みは０．４６４μｍ−０，’５１
３μｍの範囲において、波長１０．６μｍでの反射率は
０．０５％以下と良好である。
ｅ３膜１の光学的厚みを２．５２４ μｍ、ＰｂＦ２膜
２の光学的厚みを１．７１９μｍとし、ＰｂＦ２膜２上
膜形上される第２のＡ ８２ Ｓ ｅ ３膜３の光学的
厚みを±５係変化した場合で、第２のＡ Ｓ ２ Ｓ
ｅ ３膜３の光学的厚みは０．４６４μｍ−０，’５１
３μｍの範囲において、波長１０．６μｍでの反射率は
０．０５％以下と良好である。
第３図ばＫＲ３−５基板上に第１のＡｓ２５ｅ３膜１の
光学的厚みを２．５２４μｍ、第２のＡ Ｓ ２ Ｓ
ｅ ｓ膜３の光学的厚みを０．４８８μｍとし、ＰｂＦ
膜２の光学的厚みを±６％変化させた場合で、ＰｂＦ
２膜２の光学的厚みは、１．６３３μｍ〜１．８０５μ
ｍの範囲において、波長１０．６μｍでの反射率が。、
１５係以下と良好である。
光学的厚みを２．５２４μｍ、第２のＡ Ｓ ２ Ｓ
ｅ ｓ膜３の光学的厚みを０．４８８μｍとし、ＰｂＦ
膜２の光学的厚みを±６％変化させた場合で、ＰｂＦ
２膜２の光学的厚みは、１．６３３μｍ〜１．８０５μ
ｍの範囲において、波長１０．６μｍでの反射率が。、
１５係以下と良好である。
゛・、第４図はＰｂＦ２膜２、第２のＡ ｓ ２Ｓ ｅ
ｓ膜３の光学的厚みをそれぞれ１．７１９μｍ、０．
４８８μｍとしだ時に、第１のＡ ８２ Ｓ ｅ ｓ膜
１の光学的厚みを同様に変化させたときの反射率の変化
のようすを示したもので、第１のＡ Ｓ２ Ｓ ｅ ３
膜１の光学的厚みは２．３９８μｍ〜２．６５０μｍの
範囲において、波長１０．６μｍで０．０３％以下と反
射率零゛に非常に近く、良好である。
ｓ膜３の光学的厚みをそれぞれ１．７１９μｍ、０．
４８８μｍとしだ時に、第１のＡ ８２ Ｓ ｅ ｓ膜
１の光学的厚みを同様に変化させたときの反射率の変化
のようすを示したもので、第１のＡ Ｓ２ Ｓ ｅ ３
膜１の光学的厚みは２．３９８μｍ〜２．６５０μｍの
範囲において、波長１０．６μｍで０．０３％以下と反
射率零゛に非常に近く、良好である。
第６図にすべての層が同時に５係増加した場合と５％減
少した場合の反射率依存性を示した。このときの波長１
０．６μｍでの反射率は０．４％程度となるので、両面
反射防止膜付の場合の全反射率は約０．８ ％となる。
少した場合の反射率依存性を示した。このときの波長１
０．６μｍでの反射率は０．４％程度となるので、両面
反射防止膜付の場合の全反射率は約０．８ ％となる。
この値は実用上杵される限界を示す。
この図からも明らかなように本実施例によるＫＲ８’−
５用反射防止膜の光学的厚みとしては、第１０ＡＳ２Ｓ
ｅ３膜１が２．３９８μｍ 〜２．６５０μｍ。
５用反射防止膜の光学的厚みとしては、第１０ＡＳ２Ｓ
ｅ３膜１が２．３９８μｍ 〜２．６５０μｍ。
ＰｂＦ２膜２が１．６３３ｐｍ 〜１．８０５μｍ、第
２のＡ ８２ Ｓ ｅ ３膜３が０ 、４６４ ｐ ｍ
〜０ 、５１３ ｐ ｒｎの範囲にあることが好適で
ある。
２のＡ ８２ Ｓ ｅ ３膜３が０ 、４６４ ｐ ｍ
〜０ 、５１３ ｐ ｒｎの範囲にあることが好適で
ある。
試料作製用のＫＲＳ−５基板は■堀場製作所製の直径２
５能、厚み３胴の両面研磨の単結晶板を使用しフｔ。Ａ
３２Ｓｅ３用蒸着ルツボはモリブデン（Ｍｏ）製のとっ
ぷつ防止用の穴開のふたを使用し基板温度８０℃２作業
圧力１．５ ｘ １０−６Ｔｏｒｒ 、蒸着速度１２人
／ｓｅｃ で蒸着した。ＰｂＦ２は白金ボート（Ｐｔ）
を使用し基板温度８０℃２作業圧力３×１０−’ Ｔｏ
ｒｒ 、蒸着速度１２八／ ｓｅｃで蒸着した。蒸着速
度は水晶振動子を使って制御し、蒸着膜厚は波長１．５
０５μｍの赤外光を使用した透過型光学膜厚制御装置に
て制御した。
５能、厚み３胴の両面研磨の単結晶板を使用しフｔ。Ａ
３２Ｓｅ３用蒸着ルツボはモリブデン（Ｍｏ）製のとっ
ぷつ防止用の穴開のふたを使用し基板温度８０℃２作業
圧力１．５ ｘ １０−６Ｔｏｒｒ 、蒸着速度１２人
／ｓｅｃ で蒸着した。ＰｂＦ２は白金ボート（Ｐｔ）
を使用し基板温度８０℃２作業圧力３×１０−’ Ｔｏ
ｒｒ 、蒸着速度１２八／ ｓｅｃで蒸着した。蒸着速
度は水晶振動子を使って制御し、蒸着膜厚は波長１．５
０５μｍの赤外光を使用した透過型光学膜厚制御装置に
て制御した。
得られた試料の透過率スペクトルを第６図に示した。波
長９μｍから１２μｍの波長領域での実測値は計算値と
良く一致している。
長９μｍから１２μｍの波長領域での実測値は計算値と
良く一致している。
第５図に示した試料３個の波長１０．６μｍ炭酸ガスレ
ーザ光でのカロリーメトリック法による吸収率測定値は
それぞれ、０．０１８％、０．０２０％。
ーザ光でのカロリーメトリック法による吸収率測定値は
それぞれ、０．０１８％、０．０２０％。
０．０２３％、であり平均値として０．０２０％か得ら
れた。使用しだＫＲ３−５基板の吸収率測定値はそれぞ
れ０．０１６％、 ０．０１９％、 ０．０１９％であ
り平均値として０．０１８％であるので両者の差をとる
と両面反射防止膜の吸収率は約０．００２％程度となり
非常に吸収率の少ない反射防止膜が得られた。
れた。使用しだＫＲ３−５基板の吸収率測定値はそれぞ
れ０．０１６％、 ０．０１９％、 ０．０１９％であ
り平均値として０．０１８％であるので両者の差をとる
と両面反射防止膜の吸収率は約０．００２％程度となり
非常に吸収率の少ない反射防止膜が得られた。
次にレーザ光照射耐光力試験の実験を行った。
レーザ光照射耐光力の実験はレーザ光の照射条件、すな
わちレーザビーム径と試料の大きさとの相対的大小関係
、試料の冷却方法、空気中か真空中か、又照射時間等に
も依存するために一義的に決めることは出来ない。そこ
で以下の様な実験条件を設定ＪＬ献 ■ 照射実験は空気中で行った。
わちレーザビーム径と試料の大きさとの相対的大小関係
、試料の冷却方法、空気中か真空中か、又照射時間等に
も依存するために一義的に決めることは出来ない。そこ
で以下の様な実験条件を設定ＪＬ献 ■ 照射実験は空気中で行った。
■ 試料の冷却は自然空冷としだ。
■ 試料は板の両面に反射防止膜を形成した光学窓と両
端面に反射防止膜を形成し、たオプティカルファイバー
である。光学窓の形状は直径２５ ｍｍ 、厚み３朝で
あり、ファイバーの形状は直径０．５咽、長さ１００胴
である。
端面に反射防止膜を形成し、たオプティカルファイバー
である。光学窓の形状は直径２５ ｍｍ 、厚み３朝で
あり、ファイバーの形状は直径０．５咽、長さ１００胴
である。
■ レーザ光源としては８５ＷのｃＷ炭酸ガスレーザを
使用し直径１インチ、焦点距離２．５インチのＺｎ５ｅ
メニスカスレンズにて直径約７姻のシングルモードのレ
ーザビームを集光し、焦点において直径０．２７ｍｍ
（１／８２直径）のレーザビームとした。
使用し直径１インチ、焦点距離２．５インチのＺｎ５ｅ
メニスカスレンズにて直径約７姻のシングルモードのレ
ーザビームを集光し、焦点において直径０．２７ｍｍ
（１／８２直径）のレーザビームとした。
■ 試料表面をこの焦点に置きレーザ入力パワーを５Ｗ
、１分間照射した後表面を観察し劣化がなければ入力を
６Ｗずつ増加し、同様な実験を表面が破壊するまでくり
返し、最大入力８６Ｗまで実験を遂行した。
、１分間照射した後表面を観察し劣化がなければ入力を
６Ｗずつ増加し、同様な実験を表面が破壊するまでくり
返し、最大入力８６Ｗまで実験を遂行した。
以上の条件下で本発明の試料についての実験結果を以下
に述べる。
に述べる。
■ 板状の試料の窓については最大入力８６Ｗ壕で照射
前後でその表面の変化が観察されなかった。最大入力ｓ
ｓＷの場合の試料表面のパワー密度は約１５０ＫＷ／ｃ
ｒＡであった。
前後でその表面の変化が観察されなかった。最大入力ｓ
ｓＷの場合の試料表面のパワー密度は約１５０ＫＷ／ｃ
ｒＡであった。
■ オプティカルファイバーについては、平均として７
０Ｗ入力まで表面は損傷されず、最大入力５ｓＷ−４で
破壊されずに生き残ったものもあるが、この入力レベル
になるとファイバー自身の劣化が観測された。
０Ｗ入力まで表面は損傷されず、最大入力５ｓＷ−４で
破壊されずに生き残ったものもあるが、この入力レベル
になるとファイバー自身の劣化が観測された。
以上の照射実験が示す様に本発明の反射防止膜べはファ
イバー自身の劣化の限界値に近い入力まで入力パワー、
パワー密度まで耐えるすぐれた耐光力を持つものである
。
イバー自身の劣化の限界値に近い入力まで入力パワー、
パワー密度まで耐えるすぐれた耐光力を持つものである
。
本実験の比較試料として、二種の三層構造の反射防止膜
を試作し、上記と同様な照射試験を行った。第１のもの
の膜構造は Ｇｅ３ｏＡ８１ｙ Ｔ＠ ３ｏ Ｓ ｅ２３ ／ Ｐｂ
Ｆ２／ Ｇｅ３０ Ａ８１ｙＴ ｅ ３ｏＳ ｅ ２
３であり、第２のものの膜構造は Ａｓ２Ｓ３／ＰｂＦ２／ＡＳ２Ｓ３ である。
を試作し、上記と同様な照射試験を行った。第１のもの
の膜構造は Ｇｅ３ｏＡ８１ｙ Ｔ＠ ３ｏ Ｓ ｅ２３ ／ Ｐｂ
Ｆ２／ Ｇｅ３０ Ａ８１ｙＴ ｅ ３ｏＳ ｅ ２
３であり、第２のものの膜構造は Ａｓ２Ｓ３／ＰｂＦ２／ＡＳ２Ｓ３ である。
第１の膜構造の反射防止膜を両面に形成した直径ｏ、ｓ
ｍｍ、長さ約１００８のオプティカルファイバーは上記
の照射実験条件下で入力５Ｗで瞬時に破壊した。
ｍｍ、長さ約１００８のオプティカルファイバーは上記
の照射実験条件下で入力５Ｗで瞬時に破壊した。
第２の膜構造の反射防止膜を両面に形成した直径ｐ、６
’ｍｍ 、長さ約１００咽のオプティカルファイバーは
上記条件の照射実験で入力３０Ｗパワ一密度５３Ｋｗ７
ｃｒｔｔで反射防止膜が劣化した。
’ｍｍ 、長さ約１００咽のオプティカルファイバーは
上記条件の照射実験で入力３０Ｗパワ一密度５３Ｋｗ７
ｃｒｔｔで反射防止膜が劣化した。
最後に耐環境試験結果について述べる。本発明の反射防
止膜のついたファイバーの先端を水に３分間つけた後乾
燥し耐光力試験を行った所、水につける以前と同様に入
カフ０Ｗ、パワー密度１２０ＫＷ／ｃｙ７にも耐えるこ
とが明らかになった。水べ溶けずピンホールの出来にく
いカルコゲナイドガラスで水に弱いＰｂＦ２をはさみこ
んだ構造の効果が実証された。
止膜のついたファイバーの先端を水に３分間つけた後乾
燥し耐光力試験を行った所、水につける以前と同様に入
カフ０Ｗ、パワー密度１２０ＫＷ／ｃｙ７にも耐えるこ
とが明らかになった。水べ溶けずピンホールの出来にく
いカルコゲナイドガラスで水に弱いＰｂＦ２をはさみこ
んだ構造の効果が実証された。
発明の効果
以上のように本発明はＫＨ２−ａ基板あるいはファイバ
ー上に三セレン化砒素膜ＡＳ２Ｓｅ３ 、弗化鉛膜Ｐｂ
Ｆ 三セレン化砒素膜ＡＳ２Ｓｅ３をこの２フ 順に形成したもので本発明によるＫＨ２−ｔｓ用三層構
造反射防止膜の効果を列挙すると以下の通りである。
ー上に三セレン化砒素膜ＡＳ２Ｓｅ３ 、弗化鉛膜Ｐｂ
Ｆ 三セレン化砒素膜ＡＳ２Ｓｅ３をこの２フ 順に形成したもので本発明によるＫＨ２−ｔｓ用三層構
造反射防止膜の効果を列挙すると以下の通りである。
（１）反射防止膜の波長１０．６μｍ炭酸ガスレーザ光
による吸収率は約０．００２ ％のオーダーと低く、し
たがって耐光力もファイバー自身の耐光力をしのぐ入力
ｙｏＷ以上、パワー密度１２ｏＫＷ／ｉと高い。
による吸収率は約０．００２ ％のオーダーと低く、し
たがって耐光力もファイバー自身の耐光力をしのぐ入力
ｙｏＷ以上、パワー密度１２ｏＫＷ／ｉと高い。
（２）耐環境性についても水に溶けず、かつピンホール
の本質的に出来にくいアモルファス状態のカルコゲナイ
ドガラスであるＡｓ２５０３膜でＰｂＦ２膜を保護して
いるため耐水性にもすぐれ実用的である。
の本質的に出来にくいアモルファス状態のカルコゲナイ
ドガラスであるＡｓ２５０３膜でＰｂＦ２膜を保護して
いるため耐水性にもすぐれ実用的である。
（３）以上の効果を持つ反射防止膜が実現出来たため反
射防止膜のない基板あるいはファイバー等の場合の約２
８％の反射損失分の入力が有効に利用できる。
射防止膜のない基板あるいはファイバー等の場合の約２
８％の反射損失分の入力が有効に利用できる。
第１図は本発明によるＫＨ２−５用反射防止膜の実施例
を示す断面図、第２図乃至第６図は各々本発明によるＫ
Ｈ２−ｒｓ用反射防止膜の反射率波長特性図、第６図は
本発明を利用したＫＨ２−５光学窓の透過率スペクトル
図である。 １．３・・・・Ａｓ２Ｓｅ２膜、２・・・・・ＰｂＦ２
膜、４・・・・・・ＫＨ２−５基板。 代理入の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 液長λＯｔ町 第３図 プロアσ、ρ ／ρ６ ／／ｌ） ／／、５２皮 −１
珂 λ輸７） 第４図 Ｉ 長久（メ町 第５図 液 （入（、ｉｔ Ｍ ｌ
を示す断面図、第２図乃至第６図は各々本発明によるＫ
Ｈ２−ｒｓ用反射防止膜の反射率波長特性図、第６図は
本発明を利用したＫＨ２−５光学窓の透過率スペクトル
図である。 １．３・・・・Ａｓ２Ｓｅ２膜、２・・・・・ＰｂＦ２
膜、４・・・・・・ＫＨ２−５基板。 代理入の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 液長λＯｔ町 第３図 プロアσ、ρ ／ρ６ ／／ｌ） ／／、５２皮 −１
珂 λ輸７） 第４図 Ｉ 長久（メ町 第５図 液 （入（、ｉｔ Ｍ ｌ
Claims (1)
- 深化タリウムと臭化タリウムとの混合物質より成る赤外
・透過材上に光学的膜厚が２．３９８μｍ〜２．６５０
μｍの三セレン化ひ素膜、光学的膜厚が１．６３３ μ
ｍ 〜１．８０５ｐｍの弗化鉛膜、および光学的膜厚が
０．４６４μｍ〜０．５１３μｍの三七レン化ひ素膜を
順次形成したことを特徴とする反射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10210184A JPS60245775A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10210184A JPS60245775A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245775A true JPS60245775A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14318396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10210184A Pending JPS60245775A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245775A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59137901A (ja) * | 1983-01-27 | 1984-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射防止膜 |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10210184A patent/JPS60245775A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59137901A (ja) * | 1983-01-27 | 1984-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射防止膜 |
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