JPS59188917A - 真空焼枠装置とこの装置を用いた真空焼付法 - Google Patents

真空焼枠装置とこの装置を用いた真空焼付法

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JPS59188917A
JPS59188917A JP58063207A JP6320783A JPS59188917A JP S59188917 A JPS59188917 A JP S59188917A JP 58063207 A JP58063207 A JP 58063207A JP 6320783 A JP6320783 A JP 6320783A JP S59188917 A JPS59188917 A JP S59188917A
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JP
Japan
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vacuum
chamber
vacuum chamber
negative
chambers
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JP58063207A
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English (en)
Inventor
Kimio Kato
加藤 喜三雄
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DOUJIYUN KOKI KK
Original Assignee
DOUJIYUN KOKI KK
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は真空焼枠装置とこの装置を用いた真空焼付法
に関するものであり、より具体的には機械要素部品また
は電子部品等を蝕刻により製造する場合の前行程で行う
写真原板と前記部品基板との密着を完全に行なわせるよ
うにした真空焼枠装置と真空焼付法に係る。
更に詳細には、この発明は歯車等の機械要素部品または
プリント基板、LSI、超LSI等の集積回路およびこ
れ等回路用基板を組込むための電子部品を写真腐蝕法(
フォトエツチング)により製造する場合の中間行程とし
て行なわれる前記の各部品を撮影した写真原板の写真フ
ィルムと前記の各部品基板表面に感光材料を塗付した焼
付板とを無気泡状に完全に密着させるための真空焼枠装
置と真空焼付法に関するものである。
この発明の特徴を顕現させるために従来の真空焼枠装置
につき略述すれば次のとおりである。
第1図は従来の真空焼枠装置を示したもので、この真空
焼枠装置は枠1とこの枠に周縁部を固設したポリエステ
ル等の可懐質の透明膜3と透明な平板ガラス2とで密閉
室A′を形成しこの密閉室A′内をポンプP′を介して
真空化することによって透明膜3を平板ガラス側に強制
的に吸引し、平板ガラス2上にかさね合せて載置されて
いる焼付板4と写真原板5とを無気泡状に完全密着させ
ようとするものであった。しかしながら従来装置の場合
は、密閉室A′内の真空化に際して、同図鎖線で示すよ
うに透明膜3の最大変位が焼付板4と枠1との中間部B
′点で発生してしまい、このため最も8喪とする写真原
板5に対する透明膜3の抑圧−力か特に中心部で不充分
となるばかりでなく、B′点に烏ける排出空気路の狭あ
い化のために透明膜3と写真原板5あるいは写真原板5
と焼付板4間のそれぞれの気泡排出に長時間を要するば
かりでなく、均一な押圧力が得ら、れないものであった
このため従来例の場合は、これを微視的に見た場合、写
真原板5が焼付板4に対して完全に密着していないため
、しわの生じている写真原板上の撮影線F1、F2、F
3等の各像F1’ 、F2’ 、F3’は焼付板4上で
重なってしまい所定の解像力をもった焼付が行なえず、
所望精度の製品が得られないものであった。特に、プリ
ント基板、LSIあるいは超LSIの組込基板等におい
ては数百本/wn程度の解像模様を明瞭に焼付けなけれ
ばならないため、焼付板4と写真原板5間には残留気泡
を原因とする密着不良、不均整およびしわの発生を完全
に防止しなければならないにもかかわらず、従来装置に
あってはこの目的を達成するための技術手段を備えた真
空焼枠装置はなかった。
この発明は第1段階で透明膜の周縁部に均一な外向きの
緊張力を加えておき、第2段階でこの透明膜のほぼ中心
から放射状に移動する押圧力を発生させ写真原板表面を
押圧するように構成した写真焼付法と、この方法を達成
するために第1段階装置として透明膜周縁部とガラス板
上に並設置した複数個のシール部材で第1真空室を構成
し、第2段階装置として前記シール部のうちの内側シー
ル部と内側透明膜で第2真空室を構成し、先ず第1真空
室の真空化を行うと同時または並行しであるいは所定の
タイムラグをもって第2真空室の真空化を行い、焼付板
と写真原板との完全密着を達成するようにした真空焼枠
装置とこの焼枠装置を用いた真空焼付法とを提供しよう
とするものである。
この発明の具体的実施例が添付図面をt照にしながら以
下に説明される。
第3図はこの発明の実施例の要部平面図を示したもので
、図面中の符号7は機台で、この機台内には露光用装置
と真空発生装置およびこれ等の制御装置が組込まれてい
る。8はこの発明の真空焼枠装置を示し、この装置は機
台両側に設けたレール9上に載置されており、特に図示
しないか、この装置と並置されている他の真空焼枠装置
と交互に機台内に格納され、格納時に露光処理を施され
るように構成されている。
第3図と特に第3図I−I線断面拡大図を示す第4図に
よりこの発明に係る真空焼枠装置の構造を説明すれば次
のとおりである。
図面符号10は開閉枠を、20は中空状の閉断面枠を、
30は透明膜部材を、40は焼付部材50をのせる載置
部材をまたPlおよびP2’は第1真空室Aおよび第2
真空室Bとに個別に連通する真空ポンプを表わし、70
および80はいずれもシール部材で両部材は所定巾離間
するように並設され、両部材による挟持空間が第1真空
室Aとして、内側のシール部材80で囲まれる空間が第
2真空室Bとして機能するように構成されている。
上記各部材の具体的構造と各部材間の相関々係を前記両
図により説明すれば次のとおりである。
開閉枠10は中空状の固定枠11とこの固定枠11にビ
ン13を介して蝶着されている保持枠12とで形成され
ている。固定枠11には載置部材40が取付けられてお
り、この載置部材40は前記固定枠内に固設される基板
41とこの基板41の中央部に設けた透明な平板カラス
42とで形成されている。また平版ガラス42上には2
個のシール部材了0および80が取付けられており、し
かもこの2個のシール部材70.80は所定間隔をもっ
て同心円状に設置されている。その上各シール部拐70
.80は断面■字形に形成されておりその開放面がそれ
ぞれ外向になるように取付けられている。このようにし
て2個のシール部材10および80によって2個の空間
A、Bか形成されるがこの室容積はB>Aなるように構
成されており、この空室A、 Bはそれぞれ第1真空室
および第2真空室として機能する。また前記画室には載
置部劇中のそれぞれの通路43.44を介して真空ポン
プP1、P2が連通されている。閉断面枠20は角型の
連接枠21で形成されており、この枠の前端は保持枠1
2内に後端は固定枠11の後縁に係止されており、閉所
面枠全体は保持枠11に対して着脱自在なように構成さ
れている。また連接枠21の下面には透明膜(可栓しl
! ) 310周縁部に設けた複数個のはとめ穴32を
有する透明膜部材30が取付ビン22を介して緊張状に
取付けられており、この透明膜下面は2個のシール部材
70.80と封密状に摺接させられている。
取付ビン22はいずれも中心方向に向って些少の移動を
許容されるように連接枠21に保持されており、その保
持構造を説明すれば次のとおりである。取付ビン22は
連接枠21に設けた中心方向への案内孔23に挿入され
ている案内杆24に対して断面十字型に固定されている
。また取付ビン22は、連接枠21を上下方向に貫通し
、案内孔23と直交する案内溝25と、案内孔23の底
部に常時反発力を発生するように設置されているはね2
6により常時外方に押圧されている案内杆24とによっ
て移動方向と移動量を規制されている。
従って周縁部を取付ビン21に係止されている透明膜3
1は放射方向に引張られているので外方に伸展する緊張
状態を常に維持されている。
焼付部材50は焼付板51とこの板に重ね合せた写真原
板52とからなり、平板ガラス42のほぼ中央部に載置
されている。
この発明の真空焼枠装置は上記したように第1真空室A
と第2真空室Bとを個別に形成したものであり、しかも
この両真空室は透明膜を共通の遮蔽布として同心位置に
設置されしかもその室咎積がB)Aなるように形成され
た点に特徴を有するものであり、この構成により以下の
特別の作用効果を生ずるものである。
この発明の作用を第5図、第6図、第7図および第8図
を用いて説明すれば次のとおりである。
まず、第5図示のように、焼付板51と写真原板52と
を重ね合せて平板ガラス42上に載置し連接枠21を閉
止した状態で2個の等量真空ポンプP1およびP2を同
時に作動すれは、第1真空室Aおよび第2真空室Bの負
圧化が同時に進行し、前記両室の客積はB)Aに構成さ
れているので第1真空室への真空化が先行する。
このため透明膜31は、第6図示のように、第1真空室
への周縁部で所定の負圧力をもって室内方に引張られる
。一方透明膜31の第2真空室B側の膜部31′は、第
1真空室A内の真空化が完了するまでは同室側への引張
力のため平担面を維持しているが、前記真空化の終了時
直前から、第7図示のように、写真原板52方向に吸引
され中点Cを最大変位点とする断面弧形に変形し、第1
真空室Aはそのまま真空化を維持し第2真空室Bの真空
化の進行にともなって前記膜の中点Cの円弧面の頂点は
所定の接点圧をもって写真原板52表面を押圧し、その
押圧力は接点直下の写真原板52と焼付板51間の密着
を完全ならしめる。
その上火に第2真空室Bの真空化を増大すれは前記膜3
1′は写真原板表面上を前記接点を中心にして放射状に
外方に順次接触すると共に、真空化の終了時には第8図
示のように写真原板52に所要の押圧力を加えながら写
真原板52全体を無気泡状態で被&することになる。こ
のようにして第1真空室Aに追随しτ第2真空室Bの真
空化が完了した段階で透明膜31、写真原板52および
焼付板51間の3層間密着が完全に行なわれ露光準備が
完了する。なお第1真空室A部の膜部変形に際しては取
付ピン22によってその変形が無理なく行なわれる。
この発明の真空焼枠装置は上記作用を生じ、特に第2真
空室Bの真空化が完了するまでは該室を被覆している膜
部31′は第1真空室側の周縁膜の引張力によって、内
側シール部濁70と焼付部材50間での変形を防止され
る特有の効果を生ずるものである。
また写真原板52に対′1−る透明M31′の被覆態様
は、最初の接触点から順次外向の放射方向に接触を波及
させるもので前記両部材間に残留気泡を生じさせる物理
的要因がない。
この結果、従来性なっていた透明膜部材のしわとり等の
必要がなく作業能率を向上させることかできる。
この発明の他の実施例が第9図に示されており、この実
施例の場合は3個のシール部材71.72および80を
用いて2個の真空室A1、A2を形成したもので透明膜
31への引張力を段階的に増大させる利点がある。
第9図は複数個(3個)のシール部材を用いて複数個(
2個)の真空室を形成した場合のこの発明の作用説明図
で、同図から明らかなように3個の真空室A1、A2、
Bそれぞれの最大真空圧への到達順序はA1→A2→B
になるように構成されている。
この発明は上記各実施例に限定されるものでなく、複数
個の真空室の真空化に際してはそれぞれに連接する独立
した真空ポンプを用いる必要はなく、1個の真空ポンプ
を用いて吸引路を前記各室に分岐して接続してもよいし
、あるいは吸引路自体を各室へ直列に接続してもよい。
また各真空室間における真空化の進行度は最大真空圧へ
の到達順序をA1→A2→An→Bに維持するものであ
れば、真空ポンプの数容量、吸引路の接続態様あるいは
作動順序等を任意に設計できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例を示す要部断面図、第2図は第1図の一
部拡大図、第3図はこの発明の実施例を示す要部平面図
、第4図は第3図ニー■線断面拡大図、第5図、第6図
、第7図および第8図はこの発明の作用説明図、第9図
面中の符号は; 8:この発明の真空焼枠装置、9:レール、10:開閉
枠、11:固定枠、 12°保持枠、20:閉断面枠、 30、透明膜部材、31:透明膜、 31′ :透明膜の中央部、40:載置部材、42:平
板ガラス、50.焼付部材、 51:焼付板、52:写真原板、 70(71,72)および80:内および外シール部材
、AおよびB:第1および第2真空室、A1、A2.真
空室、C:透明膜の中央部31′の中点、Pl、P2お
よびP3:真空ポンプをそれぞれ表わす。 特許出騨人 同潤光機株式会社 代理人弁理士 犬 塚 貞 次 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図 第10図 時間

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 載置部材上に所定空隙を有するように少なくとも2個の
    シール部材を同心状に固設し、この両シール部材の上面
    に透明膜部材な封密状に摺接させ、前記各部材で形成さ
    れる第1真空室と第2真空室との室容積AおよびBをA
    <Bなるように形成し、しかも前記両室を個別に真空化
    するように構成したことを特徴とする真空焼枠装置。 (2、特許請求の範囲第1項記載の真空焼枠装置を用い
    、第1段階として第1真空室の真空化を行い、これによ
    って透明膜部材の張力を増大させ、この真空化に並行し
    て第2真空室の真空化を行ない、第2真空室の真空化の
    増加にともなって透明膜部材の円弧面を中心にして載置
    部側上の焼付部材を外向きの放射状に押圧力をもって被
    覆するようにしたことを特徴とする真空焼付法。
JP58063207A 1983-04-11 1983-04-11 真空焼枠装置とこの装置を用いた真空焼付法 Pending JPS59188917A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5632144A (en) * 1979-10-05 1981-04-01 Dainippon Printing Co Ltd Vacuum contact printing device
JPS5632133A (en) * 1979-08-24 1981-04-01 Dainippon Printing Co Ltd Vacuum contact printing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5632133A (en) * 1979-08-24 1981-04-01 Dainippon Printing Co Ltd Vacuum contact printing method
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