JPS59179577A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
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- JPS59179577A JPS59179577A JP5301183A JP5301183A JPS59179577A JP S59179577 A JPS59179577 A JP S59179577A JP 5301183 A JP5301183 A JP 5301183A JP 5301183 A JP5301183 A JP 5301183A JP S59179577 A JPS59179577 A JP S59179577A
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- Japan
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- liquid crystal
- general formula
- alkyl
- following general
- alkyl group
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ディスプレイ・デバイスなどに利用しうる液
晶組成物に関し、特に低温領域で高速応答性能を有し、
しかも温度の変動によって生じる闇値特性の変動が小さ
いネマチック液晶組成物に関する。
晶組成物に関し、特に低温領域で高速応答性能を有し、
しかも温度の変動によって生じる闇値特性の変動が小さ
いネマチック液晶組成物に関する。
従来のディスプレイ・デバイスの駆動法として、スタテ
ィックドライブ方式とダイナミック・ドライブ方式が知
られているが、ダイナミック・ため、電卓や腕時計など
の数字や文字ディスプレイに利用されている。
ィックドライブ方式とダイナミック・ドライブ方式が知
られているが、ダイナミック・ため、電卓や腕時計など
の数字や文字ディスプレイに利用されている。
しかし、これまでのダイナミック・ドライブ方式を用い
たディ・スプレィ・デバイス用の液晶として数多くのも
のが提案されているが、これらは一般に温度変化に対す
る閾値電圧の変動が大きいこと、さらに、低温領域での
応答速度が遅いという欠点を有している。特に、従来の
液晶組成物の温度変化に対する閾値電圧の変動は、２０
ｍＶ／Ｔ；と大きく、充分なコントラストを得ようと
した場合、クロストークを生じる温度範囲が広くなる。
たディ・スプレィ・デバイス用の液晶として数多くのも
のが提案されているが、これらは一般に温度変化に対す
る閾値電圧の変動が大きいこと、さらに、低温領域での
応答速度が遅いという欠点を有している。特に、従来の
液晶組成物の温度変化に対する閾値電圧の変動は、２０
ｍＶ／Ｔ；と大きく、充分なコントラストを得ようと
した場合、クロストークを生じる温度範囲が広くなる。
又、この様な閾値電圧の温度依存性は、温度補償回路を
導入することにより、一応の改善はなされるが、この分
だけコストは上昇することになり、しかもデバイスの薄
型化にも障害を帰だすことになる。さらに、低温領域で
の応答速度に対する補償法はなく、液晶のダイナミック
特性に限界を与えているものである。
導入することにより、一応の改善はなされるが、この分
だけコストは上昇することになり、しかもデバイスの薄
型化にも障害を帰だすことになる。さらに、低温領域で
の応答速度に対する補償法はなく、液晶のダイナミック
特性に限界を与えているものである。
本発明の目的は、ダイナミック・ドライブ方式に適した
液晶組成物を提供することにある・本発明の別の目的は
、低温領域での応答速度を改善した液晶組成物を提供す
るととにある。
液晶組成物を提供することにある・本発明の別の目的は
、低温領域での応答速度を改善した液晶組成物を提供す
るととにある。
すなわち、本発明の液晶組成物は。
下記一般式（１）で表わされるフェニルシクロへキサン
系液晶の少なくとも１種、下記一般式（２）テ表ワされ
るフェニルジクローＮキサンエステル系液晶の少なくと
も１種と下記一般式（３）で表わされるシアノシクロヘ
キサン系液晶の少なくとも１種を含有する特徴を有して
いる・ 一般式 （但し、Ｒ１はアルキル基を表わす。）（但し、Ｒ２お
よびＲ２Ｊはアルキル基を表わす。）（但し、ＹはＲ６
−○−、Ｒ６−ＣＩ）・３０−○−１・３−○〇− Ｒ５−〇−〇−１Ｒ３−０−ＣＯＯＯ−又はＲ，−ＣＩ
＞−０００−〇−であり、この時Ｒ３は炭素原子数１〜
１２個のアルキル基又はアルコキシ基を表わす。Ｘは−
Ｃｏｏ−１−Ｏ−ＣＯ−。
系液晶の少なくとも１種、下記一般式（２）テ表ワされ
るフェニルジクローＮキサンエステル系液晶の少なくと
も１種と下記一般式（３）で表わされるシアノシクロヘ
キサン系液晶の少なくとも１種を含有する特徴を有して
いる・ 一般式 （但し、Ｒ１はアルキル基を表わす。）（但し、Ｒ２お
よびＲ２Ｊはアルキル基を表わす。）（但し、ＹはＲ６
−○−、Ｒ６−ＣＩ）・３０−○−１・３−○〇− Ｒ５−〇−〇−１Ｒ３−０−ＣＯＯＯ−又はＲ，−ＣＩ
＞−０００−〇−であり、この時Ｒ３は炭素原子数１〜
１２個のアルキル基又はアルコキシ基を表わす。Ｘは−
Ｃｏｏ−１−Ｏ−ＣＯ−。
−０）（２０−、−００Ｈ２−又は−Ｃ！Ｈ２０Ｈ２−
である。）前記一般式（１）〜（３）で表わされる液晶
の具体例は、下記のとおりである。
である。）前記一般式（１）〜（３）で表わされる液晶
の具体例は、下記のとおりである。
１［−（１）
ＨＨ
ノドランス−４−シアノシクロヘキシル４−アルキル−
ベンゾエートおよび４−アルコキシ−ベンゾエート のトランス−４−シアノシクロヘキシル４−（トランス
−４−アルキル−および−アルコキシ−シクロヘキシル
）−ベンゾエート。
ベンゾエートおよび４−アルコキシ−ベンゾエート のトランス−４−シアノシクロヘキシル４−（トランス
−４−アルキル−および−アルコキシ−シクロヘキシル
）−ベンゾエート。
のトランス−４−シアノシクロヘキシル４−アルキル−
およびアルコキシビフェニル−４′−カルホキシレー
ト、 の４−シアノシクロヘキシル全一 ） ランス−４−（
４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキシ／ｌ／
）−シクロヘキサンカルボキシレート。
およびアルコキシビフェニル−４′−カルホキシレー
ト、 の４−シアノシクロヘキシル全一 ） ランス−４−（
４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキシ／ｌ／
）−シクロヘキサンカルボキシレート。
の４−シアノシクロヘキシル全一トランス−４−（４−
フルキル−およびアルコキシ−シクロヘキサノイルオキ
シ）−シクロヘキサンカルボキシレート。
フルキル−およびアルコキシ−シクロヘキサノイルオキ
シ）−シクロヘキサンカルボキシレート。
の４−アルキル−およびアルコキシ−フェニルトランス
−４−シアノシクロヘキサンカルボキシレート。
−４−シアノシクロヘキサンカルボキシレート。
のトランス−４−アルキル−およびアルコキシ−シクロ
ヘキシルトランス−４−シアノシクロヘキサンカルボキ
シレート。
ヘキシルトランス−４−シアノシクロヘキサンカルボキ
シレート。
の４−（トランス−４−アルキル−およびアルコキシ−
シクロへキシ／Ｉ／）−フェニルトランス−４−シアノ
シクロヘキサンカルボキシレート。
シクロへキシ／Ｉ／）−フェニルトランス−４−シアノ
シクロヘキサンカルボキシレート。
の４−（４−アルキル−およびアルコキシーシクロヘキ
シル）−シクロヘキシル全一トランス−４−シアノシク
ロヘキサンカルボキシレート。
シル）−シクロヘキシル全一トランス−４−シアノシク
ロヘキサンカルボキシレート。
の４−（４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキ
サノイルオキシ）−シクロヘキシル全一トランス−４−
シアノシクロヘキサンカルボキシレート、 の４−アルキル−およびアルコキシ−ヒフエニー４’−
ＩＪｙトランス−４−シアノシクロヘキサンカルボキシ
レート。
サノイルオキシ）−シクロヘキシル全一トランス−４−
シアノシクロヘキサンカルボキシレート、 の４−アルキル−およびアルコキシ−ヒフエニー４’−
ＩＪｙトランス−４−シアノシクロヘキサンカルボキシ
レート。
の４−アルキル−およびアルコキシ−ベンジルトランス
−４−シアノシクロヘキシルエーテル。
−４−シアノシクロヘキシルエーテル。
のトランス−４−アルキル−およびアルコキシ−シクロ
ヘキシルメチルトランス−４−シアノシクロヘキシルエ
ーテル。
ヘキシルメチルトランス−４−シアノシクロヘキシルエ
ーテル。
の４−（トランス−４−アルキル−およびアルコキシ−
シクロヘキシル）−ベンジルトランス−４−シアノシク
ロヘキシルエーテル、 の４−（４−アルキル−およびアルコキシ−フェニル）
−ベンジルトランス−４−シアノシクロヘキシルエーテ
ル。
シクロヘキシル）−ベンジルトランス−４−シアノシク
ロヘキシルエーテル、 の４−（４−アルキル−およびアルコキシ−フェニル）
−ベンジルトランス−４−シアノシクロヘキシルエーテ
ル。
の全一トランス−４−（４−アルキル−おヨヒアルコキ
シーシクロヘキシル）−シクロヘキシルメチル４−シア
ノシクロヘキシルエーテル。
シーシクロヘキシル）−シクロヘキシルメチル４−シア
ノシクロヘキシルエーテル。
の全一トランス−４−（４−アルキル−おヨヒアルコキ
シーシクロヘキサノイルオキシ）−シクロヘキシルメチ
ル４−シアノシクロヘキシルエーテル。
シーシクロヘキサノイルオキシ）−シクロヘキシルメチ
ル４−シアノシクロヘキシルエーテル。
のトランス−４−シアノシクロヘキシルメチル４−アル
キル−およびアルコキシ−フェニルエーテル。
キル−およびアルコキシ−フェニルエーテル。
のトランス−４−シアノシクロヘキシルメチルトランス
−４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキシルエ
ーテル。
−４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキシルエ
ーテル。
のトランス−４−シアノシクロヘキシルメチル４−（ト
ランス−４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキ
シル）−フェニルエーテル、 の全一トランス−４−シアノシクロヘキシルメチル４−
（４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキシル）
−シクロヘキシルエーテル。
ランス−４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキ
シル）−フェニルエーテル、 の全一トランス−４−シアノシクロヘキシルメチル４−
（４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキシル）
−シクロヘキシルエーテル。
のトランス−４−シアノシクロへキシルメチ／Ｌ／４−
アルキル−およびアルコキシ−ビアエニー４′−リルエ
ーテル。
アルキル−およびアルコキシ−ビアエニー４′−リルエ
ーテル。
の全一トランス−４−シアノシクロへキシルメチ／Ｉ／
４−（４−アルキル−およびアルコキシ−フクロヘキサ
ノイルオキシ）−シクロヘキシルエーテル。
４−（４−アルキル−およびアルコキシ−フクロヘキサ
ノイルオキシ）−シクロヘキシルエーテル。
の１−（４−アルキル−およびアルコキシ−フェニル）
−２−（）ランス−４−シアノシクロヘキシル）−エタ
ン。
−２−（）ランス−４−シアノシクロヘキシル）−エタ
ン。
の１−（トランス−４−アルキル−およびアルコキシ−
シクロヘキシル）−２−（トランス−４−シアノシクロ
ヘキシル）−エタン、 の１−Ｌ４−（）ランス−４−アルキル−およびアルコ
キシ−シクロへキシ／Ｉ／）−フェニルＪ−２−（）ラ
ンス−４−シアノシクロヘキシ／Ｉ／）−エタン。
シクロヘキシル）−２−（トランス−４−シアノシクロ
ヘキシル）−エタン、 の１−Ｌ４−（）ランス−４−アルキル−およびアルコ
キシ−シクロへキシ／Ｉ／）−フェニルＪ−２−（）ラ
ンス−４−シアノシクロヘキシ／Ｉ／）−エタン。
の全一トランス−１−（４−（４−アルキルーオよびア
ルコキシ−シクロヘキシル）−シクロヘキシル３−２−
（４−シアノシクロヘキシ／Ｌ／）−エタン。
ルコキシ−シクロヘキシル）−シクロヘキシル３−２−
（４−シアノシクロヘキシ／Ｌ／）−エタン。
の１−（４−アルキル−およびアルコキシ−ビンエニー
４１−リル）−２−（トランス−４−シアノシクロヘキ
シル）−エタン。
４１−リル）−２−（トランス−４−シアノシクロヘキ
シル）−エタン。
の全一トランス−１−（４−（４−アルキル−およびア
ルコキシ−シクロヘキサノイルオキシ）−シクロヘキシ
ル〕−２−（４−シアノシクロヘキシル）−エタン。
ルコキシ−シクロヘキサノイルオキシ）−シクロヘキシ
ル〕−２−（４−シアノシクロヘキシル）−エタン。
のトランス−４−（４−アルキル−およびアルコキシ−
ベンゾイルオキシ）−１−（４−）ランス−シアノシク
ロヘキサノイルオキシ）−シクロヘキサン。
ベンゾイルオキシ）−１−（４−）ランス−シアノシク
ロヘキサノイルオキシ）−シクロヘキサン。
のトランス−４−シアノシクロヘキシルトランス−４−
（４−アルキル−およびアルコキシ−ベンゾイルオキシ
） −シクロヘキサンカルボキシレート、 のトランス−４−（４−アルキル−およびアルコキシ−
ベンジルオキシ）−シクロヘキシルメチルトランス−４
−シアノシクロヘキシルエーテル。
（４−アルキル−およびアルコキシ−ベンゾイルオキシ
） −シクロヘキサンカルボキシレート、 のトランス−４−（４−アルキル−およびアルコキシ−
ベンジルオキシ）−シクロヘキシルメチルトランス−４
−シアノシクロヘキシルエーテル。
のトランス−Δ−シアノシクロヘキシルメチルトランス
−４−（４−アルキル−およびアルコキシ−ベンゾイル
オキシ）−シクロヘキシルエーテル、及ヒ、 の１−〔トランス−４−（４−アルキル−およびアルコ
キシ−ベンゾイルオキシ）−シクロヘキシル）−２−（
トランス−４−シアノシクロヘキシル）−エタン。
−４−（４−アルキル−およびアルコキシ−ベンゾイル
オキシ）−シクロヘキシルエーテル、及ヒ、 の１−〔トランス−４−（４−アルキル−およびアルコ
キシ−ベンゾイルオキシ）−シクロヘキシル）−２−（
トランス−４−シアノシクロヘキシル）−エタン。
Ｒ５は、直鎖状または分枝鎖状であることができる。直
鎖状の場合、すなわちメチル、エチル。
鎖状の場合、すなわちメチル、エチル。
Ｄ−プロピル＋ｎ−ブチ／Ｌ／＋ｎ−ペンチル＋ｎ−ヘ
キシル、ｎ−ヘプチル、 ｎ −オフｆｋ、ｎ−ノニル
、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシルまタハｎ−ドデシルであ
る場合に、このような特徴を有する化合物は一般に分枝
側鎖基Ｒ５を有する化合物に比較して高い透明点を有し
、従って好ましい。分枝側鎖基Ｒ３を有する液晶ペース
丼料に高い溶解性を有するので時には重要であり、これ
らの化合物がその鎖分枝の故に光学活性を有する場合に
は、特にキラル・ドーピング物質として特に重要である
。このような分枝側鎖基Ｒ３は１つより多くは分枝を有
しない。好適な分枝基Ｒ５は、メチル棟たはエチ／Ｌ基
が比較的長い炭素鎖上の１−１２−または３−位に位置
している基、たとえば２−メチルグロビル、２−メチル
ブチル、６−メチルブチル、２−メチルペンチル、６−
メチルペンチル、２−エチルヘキシルまたは１−メチル
ヘキシル、並びに対応するアルコキシ基である。側鎖基
Ｒ５の好ましい鎖の長さは基Ｙの構造により変わる。Ｙ
が４− Ｒ３−フェニルである場合には、Ｒ３として２
〜１１個。
キシル、ｎ−ヘプチル、 ｎ −オフｆｋ、ｎ−ノニル
、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシルまタハｎ−ドデシルであ
る場合に、このような特徴を有する化合物は一般に分枝
側鎖基Ｒ５を有する化合物に比較して高い透明点を有し
、従って好ましい。分枝側鎖基Ｒ３を有する液晶ペース
丼料に高い溶解性を有するので時には重要であり、これ
らの化合物がその鎖分枝の故に光学活性を有する場合に
は、特にキラル・ドーピング物質として特に重要である
。このような分枝側鎖基Ｒ３は１つより多くは分枝を有
しない。好適な分枝基Ｒ５は、メチル棟たはエチ／Ｌ基
が比較的長い炭素鎖上の１−１２−または３−位に位置
している基、たとえば２−メチルグロビル、２−メチル
ブチル、６−メチルブチル、２−メチルペンチル、６−
メチルペンチル、２−エチルヘキシルまたは１−メチル
ヘキシル、並びに対応するアルコキシ基である。側鎖基
Ｒ５の好ましい鎖の長さは基Ｙの構造により変わる。Ｙ
が４− Ｒ３−フェニルである場合には、Ｒ３として２
〜１１個。
特に３〜８個の炭素原子を有するアルキルまたは１〜１
０個の炭素原子を有するアルコキシが好ましい。Ｙが４
−Ｒ３−シクロヘキシルである場合には、アルキル基と
して、３〜１０個の炭素原子を有するアルキル基が好ま
しく、アルコキシ基として、２〜８個の炭素原子を有す
るアルコキシ基が好ましい。基Ｙが４−Ｒ３−ヒフエニ
ー４′−リル、４−（４−Ｒ５−シクロヘキシル）−フ
ェニルマタは４−（４−Ｒ，−シクロヘキシル）−シク
ロヘキシルである場合には、側鎖基は１〜６個の炭素原
子を有するアルコキシが好ましい。これらの基Ｒ５はま
だ基Ｙが４−（４−アルキル−またはアルコキシーシク
ロヘキサノイ、ｖオキシ）−シクロヘキシルである場合
にも好適な基である。
０個の炭素原子を有するアルコキシが好ましい。Ｙが４
−Ｒ３−シクロヘキシルである場合には、アルキル基と
して、３〜１０個の炭素原子を有するアルキル基が好ま
しく、アルコキシ基として、２〜８個の炭素原子を有す
るアルコキシ基が好ましい。基Ｙが４−Ｒ３−ヒフエニ
ー４′−リル、４−（４−Ｒ５−シクロヘキシル）−フ
ェニルマタは４−（４−Ｒ，−シクロヘキシル）−シク
ロヘキシルである場合には、側鎖基は１〜６個の炭素原
子を有するアルコキシが好ましい。これらの基Ｒ５はま
だ基Ｙが４−（４−アルキル−またはアルコキシーシク
ロヘキサノイ、ｖオキシ）−シクロヘキシルである場合
にも好適な基である。
前記一般式（１）〜（！１）で表わされる液晶は、それ
ぞれ２種以上を組合せて用いることができる。
ぞれ２種以上を組合せて用いることができる。
又、一般式（１）で表わされる液晶は、液晶組成物中に
５〜９０ωｔ％の割合、好ましくは１０〜６０ωｔ％の
割合で含有することができ、一般式（２）で表わされる
液晶組成物中に１〜５０ωｔ％の割合。
５〜９０ωｔ％の割合、好ましくは１０〜６０ωｔ％の
割合で含有することができ、一般式（２）で表わされる
液晶組成物中に１〜５０ωｔ％の割合。
好ましくは５〜４０ωｔ％の割合で含有することができ
る。又、一般式（３）で表わされる液晶は。
る。又、一般式（３）で表わされる液晶は。
液晶組成物中に５〜９０ωｔ％の割合、好オしくは１０
〜５０ωｔ％の割合で含有することができる。
〜５０ωｔ％の割合で含有することができる。
本発明の液晶組成物中に含有する前述の各液晶は、一般
式（１）の液晶ニ一般式（２）の液晶＝９５＝５〜２０
’：８０で一般式（１）の液晶ニ一般式（３）の液晶＝
９０：１０〜１０：９０の比率で自己合されることがで
きる。
式（１）の液晶ニ一般式（２）の液晶＝９５＝５〜２０
’：８０で一般式（１）の液晶ニ一般式（３）の液晶＝
９０：１０〜１０：９０の比率で自己合されることがで
きる。
又、本発明の液晶組成物は、下記一般式（４）で表わさ
れるシアノビフェニル系液晶の少なくとも１種、さらに
下記一般式（５）で表わされるターフェニル系液晶や一
般式（６）で表わされるビフェニルシクロヘキサン系液
晶の少なくとも１種を含有させることができる。
れるシアノビフェニル系液晶の少なくとも１種、さらに
下記一般式（５）で表わされるターフェニル系液晶や一
般式（６）で表わされるビフェニルシクロヘキサン系液
晶の少なくとも１種を含有させることができる。
一般式（４）
（但し、Ｒ４はアルキル基を示す。）
一般式ｔ５）
（但し、Ｒ５はプルキル基を示す。）
一般式（６）
（但シ、Ｒ６はアルキル基を示す・）
前記Ｒ４，Ｒ５およびＲ６で表わされるアルキル基の具
体例としては、炭素原子数１〜１５の系夕ＩＪのアルキ
ル基、好ましいアルキル基としては、エチル、ｎ−プロ
ピｙ、Ｈ−ブチル、ｎ−アミル、ｎ−ヘキシ／Ｉ／、ｎ
−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニ）Ｌｔ、ｎ−デシ
ルを挙げることができる。これらの液晶は、前述の液晶
組成物の低温領域における応答速度を一層速めることが
でき、前述の一般式（１）〜（６）の液晶を含有する液
晶組成物に対して、一般式（４）で表わされる液晶を１
〜８０ωｔ％、好ましくは５〜２０ωｔ％の割合で含有
させることができる。又一般式（５）および（６）で表
わされる液晶については、液晶組成物に対し、１〜８０
ωｔ％、好ましくは５〜２０ωｔ％の割合で含有させる
ことができる。
体例としては、炭素原子数１〜１５の系夕ＩＪのアルキ
ル基、好ましいアルキル基としては、エチル、ｎ−プロ
ピｙ、Ｈ−ブチル、ｎ−アミル、ｎ−ヘキシ／Ｉ／、ｎ
−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニ）Ｌｔ、ｎ−デシ
ルを挙げることができる。これらの液晶は、前述の液晶
組成物の低温領域における応答速度を一層速めることが
でき、前述の一般式（１）〜（６）の液晶を含有する液
晶組成物に対して、一般式（４）で表わされる液晶を１
〜８０ωｔ％、好ましくは５〜２０ωｔ％の割合で含有
させることができる。又一般式（５）および（６）で表
わされる液晶については、液晶組成物に対し、１〜８０
ωｔ％、好ましくは５〜２０ωｔ％の割合で含有させる
ことができる。
この他に本発明の液晶組成物には、前述した液晶以外の
ネマチック液晶、コレステリック液液晶は正の誘電異方
性をもつものであつもよく、あるいは負の誘電異方性を
もつものであってもよい。
ネマチック液晶、コレステリック液液晶は正の誘電異方
性をもつものであつもよく、あるいは負の誘電異方性を
もつものであってもよい。
本発明の液晶組成物は、例えば、特開昭４７−１１７３
７号公報に開示されたねじれネマチックモードに適用す
ることができる。
７号公報に開示されたねじれネマチックモードに適用す
ることができる。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例 １
下記組成の液晶組成物を調製し、この組成物を液晶セル
中に注入した。この液晶セルは、表面をポリイミド樹脂
で被接した１対の電極板を布で一方向にこすって配向処
理し、しかる後こすり方向が互いに直焚する様に電極板
を配置し、その縁に沿って予めエポキシ樹脂系接着剤を
スクリーン印刷法によって塗布しておき、電極板の間隔
が６μとなったところで固定した後、接着剤の硬化条件
下で接着剤を硬化させることによって作成した。この液
晶セルに下記の液晶組成物を注入した後、その注入口は
接着剤で封止した。
中に注入した。この液晶セルは、表面をポリイミド樹脂
で被接した１対の電極板を布で一方向にこすって配向処
理し、しかる後こすり方向が互いに直焚する様に電極板
を配置し、その縁に沿って予めエポキシ樹脂系接着剤を
スクリーン印刷法によって塗布しておき、電極板の間隔
が６μとなったところで固定した後、接着剤の硬化条件
下で接着剤を硬化させることによって作成した。この液
晶セルに下記の液晶組成物を注入した後、その注入口は
接着剤で封止した。
液晶組成物（Ａ）
１−（３） １６．０ｅｃ％
１−（４） ２５．５ｅｃ％
１−（５） ２ ｓ、５ｅｃ
％Ｑ −（２） ２．５ｅｃ
％１ｌ−（５） １．５ｅｃ
％に−（４１１，０ｅｃ％ ＩＩＩ −（２） −、、−Ｒ５； ｎ−ブチ／Ｉ／
１４．５ｅｃ％１１１−（５） ・・・
・・Ｒ５；ｎ−ペンチル １５．５ｅｃ％次に、
液晶組成物（Ａ）を注入した液晶セルを用いて、この組
成物（Ｎにおけるｏ℃〜４０’Ｃ間での閾値電圧変動を
測定した。この結果を表１に示す。又、比較試料として
西独メルク社の「Ｅ−２５」についても同様のテストを
繰り返した。
１−（４） ２５．５ｅｃ％
１−（５） ２ ｓ、５ｅｃ
％Ｑ −（２） ２．５ｅｃ
％１ｌ−（５） １．５ｅｃ
％に−（４１１，０ｅｃ％ ＩＩＩ −（２） −、、−Ｒ５； ｎ−ブチ／Ｉ／
１４．５ｅｃ％１１１−（５） ・・・
・・Ｒ５；ｎ−ペンチル １５．５ｅｃ％次に、
液晶組成物（Ａ）を注入した液晶セルを用いて、この組
成物（Ｎにおけるｏ℃〜４０’Ｃ間での閾値電圧変動を
測定した。この結果を表１に示す。又、比較試料として
西独メルク社の「Ｅ−２５」についても同様のテストを
繰り返した。
この結果を表１に示す。
表 １
組成物（Ａ） ２ 、ｑ ｍＶ／
Ｔ。
Ｔ。
Ｅ −２５１６，’３ ｍＶ／’Ｃ
又、組成物（勾の一２０℃における立ち上がり応答速度
と立ち下がり応答速度を測定したところ、立ち上がり応
答速度は１５０ ｍ５ｅｃで、立ち下がり応答速度は２
９０ ｍ５ｅｃであった。
と立ち下がり応答速度を測定したところ、立ち上がり応
答速度は１５０ ｍ５ｅｃで、立ち下がり応答速度は２
９０ ｍ５ｅｃであった。
実施例 ２
下記組成の液晶組成物を６種類調製した。
液晶組成物（Ｂ）
１−（２） ＋ ２．５ｅｃ％
１−（３） １２．０ｅｃ％１
−（４） １８．５ｅｃ％１−
（５） ７．０ｅｃ％ＩＩ
−（３） ｓ、ｏωｔ％■−
（２）・・・・・Ｒ３；ｎ−プロピ／ｌ／６．０ｅｃ％
■−（８）・・・・・Ｒ５；ｎ−ブトキシ ６．
５ｅｃ％■−（２１）・・・・・Ｒ５；ｎ−ペンチル
６．０Ｇｌｔ％ｉｌｌ −−（２５） −・・・
・Ｒ５； ｎ−プロポキシ ８．５Ｑ）ｔ％■−（
６０）・・・・・Ｒ３；ｎ−ブチＡ／ ８．
Ｏωｔ％液晶組成物（Ｃ１ １−（３） ２５．５ωｔ
９６１−（５） ２６．５
ωｔＸｎ−（２） ２．
５ｅｃ％ｌ −（４）
２．５ｅｃ％■−（１）；ｎ−ブチル
１０．ｏωｔ％１ｉｔ−（１０）；エテル
１０．０ｅｃ％ｍ −（ｉｓ） ；エテ
ル ５．０ｅｃ％Ｉｔ −
（２４） ； ｎ−ペンチル ５，
０ωｔ％液晶組成物（Ｄ） １−（３） ２５．５ωｔ％１
−（５） ２６．５ωｔ％１１
−（２） ２．５ωｔ％ｎ−（
４） ２．５ωｔ％ｍ−（１）
；ｎ−ブチル １０．０ωｔ％ｍ−（ｉｏ
）；エチル １０．０ωｔ％Ｉｎ −
（１Ｂ） ； ｘチル ５．ｏωｔ
％Ｉ１１−（２４）； ｎ−ペンチル ５．
０ωｔ％（ｎ）Ｃ４り○−ＣＮ４．５ωｔ％ （ｎ）０７１（１５−○−〇−ＯＮ ５．５ωｔ
％これらの組成物（Ｂ）、（０）および（Ｄ）の特性に
ついて前記と同様の方法で測定した。この結果を表３に
示す。
１−（３） １２．０ｅｃ％１
−（４） １８．５ｅｃ％１−
（５） ７．０ｅｃ％ＩＩ
−（３） ｓ、ｏωｔ％■−
（２）・・・・・Ｒ３；ｎ−プロピ／ｌ／６．０ｅｃ％
■−（８）・・・・・Ｒ５；ｎ−ブトキシ ６．
５ｅｃ％■−（２１）・・・・・Ｒ５；ｎ−ペンチル
６．０Ｇｌｔ％ｉｌｌ −−（２５） −・・・
・Ｒ５； ｎ−プロポキシ ８．５Ｑ）ｔ％■−（
６０）・・・・・Ｒ３；ｎ−ブチＡ／ ８．
Ｏωｔ％液晶組成物（Ｃ１ １−（３） ２５．５ωｔ
９６１−（５） ２６．５
ωｔＸｎ−（２） ２．
５ｅｃ％ｌ −（４）
２．５ｅｃ％■−（１）；ｎ−ブチル
１０．ｏωｔ％１ｉｔ−（１０）；エテル
１０．０ｅｃ％ｍ −（ｉｓ） ；エテ
ル ５．０ｅｃ％Ｉｔ −
（２４） ； ｎ−ペンチル ５，
０ωｔ％液晶組成物（Ｄ） １−（３） ２５．５ωｔ％１
−（５） ２６．５ωｔ％１１
−（２） ２．５ωｔ％ｎ−（
４） ２．５ωｔ％ｍ−（１）
；ｎ−ブチル １０．０ωｔ％ｍ−（ｉｏ
）；エチル １０．０ωｔ％Ｉｎ −
（１Ｂ） ； ｘチル ５．ｏωｔ
％Ｉ１１−（２４）； ｎ−ペンチル ５．
０ωｔ％（ｎ）Ｃ４り○−ＣＮ４．５ωｔ％ （ｎ）０７１（１５−○−〇−ＯＮ ５．５ωｔ
％これらの組成物（Ｂ）、（０）および（Ｄ）の特性に
ついて前記と同様の方法で測定した。この結果を表３に
示す。
表 ３
Claims (2)
- （１）下記一般式（１）で表わされるフェニルシクロヘ
キサン系液晶の少なくとも１種、下記一般式（２）で表
わされるフェニルシクロヘキサンエステル系液晶の少な
くとも１種と下記一般式（３）で表わされるシアノシク
ロヘキサン系液晶の少なくとも１輝を含有することを特
徴とする液晶組成物。 一般式 （但し、Ｒ４はアルキル基を表わす。）（但し、Ｒ２お
よび馬′はアルキル基を表わす。） （但し、ＹはＲ３−○−１Ｒ５０− ・６−〇−〇−１・３−○−σ 又はＲ５０−Ｃｏｏ ＜”）−であり、この時Ｒ５は炭
素原子数１〜１２個のアルキル基又はアルコキシ基を表
わす。Ｘは −ＣＯＯ−。 −ｏ−ｃｏ−１−ＣＨ２０−、−００Ｈ２−又は−ＣＨ
２ＣＨ２−である。） - （２）下記一般式（１）で表わされるフェニルシクロヘ
キサン系液晶の少なくとも１種、下記一般式（２）で表
わされるフェニルシクロヘキサンエステル系液晶の少な
くとも１種、下記一般式（３）で表わされるシアノシク
ロヘキサン系液晶の少なくとも１ｍと下記一般式（４）
で表わされるシアノビフェニル系液晶の少なくとも１１
１を含有することを特徴とする液晶組成物。 一般式 （但し、へはアルキル基を表わす。） Ｏ （但し、Ｒ２およびＲ２′はアルキル基を表わす。） Ｒ３は炭素原子数１〜１２個のアルキル基又はアルコキ
シ基を表わす。又は、−ＣＯＯ−１−ｏ−ｃｏ−１−０
Ｈ２０−＋−０ＣＨ２−又は−ｃＨ２ｃＨ２−である。 ） （但し Ｒ４はアルキル基を表わす。）（６）下記一般
式（１）で表わされるフェニルシクロヘキサン系液晶の
少なくとも１種、下記一般式（２）で表わされるフェニ
ルシクロヘキサンエステル系液晶の少なくとも１種、下
記一般式（３）で表わされるシアノシクロヘキサン系液
晶の少なくとも１種と下記一般式（５）で表わされるタ
ーフェニル系液晶の少なくとも１種を含有することを特
徴とする液晶組成物。 一般式 （但し Ｒ１はアルキル基を表わす。）（但し、Ｒ２お
よびＲ２′けアルキル基を表わす。）は炭素原子数１〜
１２個のアルキル基又はアルコキシ基を表わす。Ｘは、
−ＣＯＯ−１−ｏ−ｃｏ−１−０Ｈ，、Ｏ−、−０ＣＨ
２−又は−０Ｈ２０Ｈ２−でちる。） （但し、Ｒ５はアルキル基を表わす。）（４） 下記
一般式（りで表わされるフェニルシクロヘキサン系液晶
の少なくとも１種、下記一般式（２）で表わされるフェ
ニルシクロヘキサンエステル系液晶の少なくとも１種と
下記一般式（６）で表わされるシアノシクロヘキサン系
液晶の少なくとも１種と下記一般式（６）で表わされる
ビフェニルシクロヘキサン系液晶の少なくとも１種を含
有することを特徴とする液晶組成物。 一般式 （但し、Ｒ４はアルキル基を表わす。）（２） （但し、Ｒ２およびＲ２′はアルキル基を表ゎす。） は炭素原子数１〜１２個のアルキル基又はアルコキシ基
を表わす。Ｘは、 −ａＯＯ−１−Ｏ−００−＋−０Ｈ
２０−、−ＱＣ！Ｈ２−又は−０Ｈ２０Ｈ２−である。 ） （但し、Ｒ６はアルキル基を表わす。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5301183A JPS59179577A (ja) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5301183A JPS59179577A (ja) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | 液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59179577A true JPS59179577A (ja) | 1984-10-12 |
Family
ID=12930962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5301183A Pending JPS59179577A (ja) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59179577A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103627405A (zh) * | 2012-08-24 | 2014-03-12 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶材料组合物、液晶面板和降低液晶面板响应时间的方法 |
| CN105820823A (zh) * | 2015-01-08 | 2016-08-03 | 江苏和成显示科技股份有限公司 | 显示介质与显示装置 |
-
1983
- 1983-03-29 JP JP5301183A patent/JPS59179577A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103627405A (zh) * | 2012-08-24 | 2014-03-12 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶材料组合物、液晶面板和降低液晶面板响应时间的方法 |
| CN105820823A (zh) * | 2015-01-08 | 2016-08-03 | 江苏和成显示科技股份有限公司 | 显示介质与显示装置 |
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