JPS59179687A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
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- JPS59179687A JPS59179687A JP5622083A JP5622083A JPS59179687A JP S59179687 A JPS59179687 A JP S59179687A JP 5622083 A JP5622083 A JP 5622083A JP 5622083 A JP5622083 A JP 5622083A JP S59179687 A JPS59179687 A JP S59179687A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ディスプレイ・デバイスなどに利用しうる液
晶組成物に関し、特に低温領域で高速応答性能を有し、
しかも温度の変動によって生じる閾値特性の変動が小さ
いネマチック液晶組成物に関する。
晶組成物に関し、特に低温領域で高速応答性能を有し、
しかも温度の変動によって生じる閾値特性の変動が小さ
いネマチック液晶組成物に関する。
従来のディスプレイ・デバイスの駆動法として、スタテ
ィック・ドライブ方式とダイナミック・ドライブ方式が
知られているが、ダイナミック・ドライブ方式は多桁デ
ィスプレイに有利であるため、電卓や腕時計などの数字
や文字ディスプレイに利用されている。
ィック・ドライブ方式とダイナミック・ドライブ方式が
知られているが、ダイナミック・ドライブ方式は多桁デ
ィスプレイに有利であるため、電卓や腕時計などの数字
や文字ディスプレイに利用されている。
しかし、これまでのダイナミック・ドライブ方式を用い
たディスプレイ・デバイス用の液晶として数多くのもの
が提案されているが、これらは一般に温度変化に対する
閾値電圧の変動が大きいこと、さらに低温領域での応答
速度が遅いという欠点を有している。特に、従来の液晶
組成物の温度変化に対する閾値電圧の変動は、２０ ｍ
Ｖ／’０と大きく、充分なコントラストを得ようとした
場合、クロストークを生じる温度範囲が広くなる。
たディスプレイ・デバイス用の液晶として数多くのもの
が提案されているが、これらは一般に温度変化に対する
閾値電圧の変動が大きいこと、さらに低温領域での応答
速度が遅いという欠点を有している。特に、従来の液晶
組成物の温度変化に対する閾値電圧の変動は、２０ ｍ
Ｖ／’０と大きく、充分なコントラストを得ようとした
場合、クロストークを生じる温度範囲が広くなる。
又、この様な閾値電圧の温度依存性は、温度補償回路を
導入することにより、一応の改善はなされるが、この分
だけコストは上昇することになシ、しかもデバイスの薄
型化にも障害を帰だすことになる。さらに、低温領域で
の応答速度に対する補償法はなく、液晶のダイナミック
特性に限界を与えているものである。
導入することにより、一応の改善はなされるが、この分
だけコストは上昇することになシ、しかもデバイスの薄
型化にも障害を帰だすことになる。さらに、低温領域で
の応答速度に対する補償法はなく、液晶のダイナミック
特性に限界を与えているものである。
本発明の目的は、ダイナミック・ドライブ方式に適した
液晶組成物を提供することにある。
液晶組成物を提供することにある。
本発明の別の目的は、低温領域での応答速度を改善した
液晶組成物を提供することにある。
液晶組成物を提供することにある。
すなわち、本発明の液晶組成物は、
下記一般式（１）で表わされるフェニルシクロヘキサン
系液晶の少なくとも１種、下記一般式（２）で表わされ
るエステル系液晶の少なくとも１種と下記一般式（３）
で表わされるシアノシクロヘキレ： サン系液晶の少なくとも１種を含有することを％徴を有
している。
系液晶の少なくとも１種、下記一般式（２）で表わされ
るエステル系液晶の少なくとも１種と下記一般式（３）
で表わされるシアノシクロヘキレ： サン系液晶の少なくとも１種を含有することを％徴を有
している。
一般式
（但し、Ｒ，はアルキル基を表わす。）（但し、Ｒ７は
“アルキル基を表わす。）子 であり、この時Ｒ３は炭素ｖ１〜１２個のアルキル基又
はアルコキシ基を表わす。Ｘは、−ＣＯＯ−１−Ｏ−Ｃ
Ｏ−１−Ｃル〇−１−０ＣＨ，−又は−ｃｎ、ＣＬ−で
ある。） 前記一般式（１）〜（３）で表わされる液晶の具体例は
、下記のとおりである。
“アルキル基を表わす。）子 であり、この時Ｒ３は炭素ｖ１〜１２個のアルキル基又
はアルコキシ基を表わす。Ｘは、−ＣＯＯ−１−Ｏ−Ｃ
Ｏ−１−Ｃル〇−１−０ＣＨ，−又は−ｃｎ、ＣＬ−で
ある。） 前記一般式（１）〜（３）で表わされる液晶の具体例は
、下記のとおりである。
一般式（１）で表わされる液晶
１− （１）
１−（２１
−１３１
１−１４１ Ｈ
１−＋５＋
Ｉｔ −（３）
葺
ｎ −ｔ／１１
ＩＩＩ −（１）
のトランス−４−シアノシクロヘキシル４−アルキルー
ヘンソエートおよび４−アルコキシ−ベンゾエート、 ■＝（２） のトランス−４−シアノシクロヘキシル４−（）ランス
−４−アルキル−および−アルコキシーシクロヘキシル
）−ベンゾエート、 １１１− （３１ のトランス−４−シアノシクロヘキシル４−アルキル−
およびアルコキシピフェニル−４′−カルボキシレート
、 ＩＩＩ −（４１ の４−シアノシクロヘキシル全一トランス−４−（４−
’アルキルーおよびアルコキシ−シクロヘキシル）−シ
クロヘキサンカルボキシレート、■−（５） の４−シアノシクロヘキシル全一トランス−４−（４−
アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキサノイルオキ
シ）−シクロヘキサンカルボキシレート、 ＩＩＩ −（６１ の４−アルキル−およびアルコキシ−フェニルトランス
−４−シアノシクロヘキサンカルボキシレート、 ＩＩＩ−（７１ のトランス−４−アルキル−およびアルコキシ−シクロ
ヘキシルトランス−４−シアノシクロヘキサンカルボキ
シレート、 ＩＩＩ−（８１ の４−（トランス−４−アルキル−およびアルコキシ−
シクロヘキシル）−フェニルトランス−４−シアノシク
ロヘキサンカルボキシレート、Ｉｌｌ −（９） ｏ４−（４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキ
シル）−シクロヘキシル全一トランス−４−シアノシク
ロヘキサンカルボキシレート、ｉｌｌ −＜Ｉｎ の４−（４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキ
サノイルオキシ）−シクロヘキシル全一トランス−４−
シアノシクロヘキサンカルボキシレート、 ｉｌｌ −（ｉｌｌ ンＶ の４−アルキル−およびアルコキシービフエニ、−４’
−！Ｊフルランスー４−シアノシクロヘキサｙカルボ
キシレート、 の４−アルキル−およびアルコキシ−ベンジルトランス
−４−シアノシクロヘキシルエーテル、■−ａ葎 のトランス−４−アルキル−およびアルコキシ−シクロ
ヘキシルメチルトランス−４−シアノシクロヘキシルエ
ーテル、 １１−Ｈ の４−（）ランス−４−フルキル−およびアルコキシ−
シクロヘキシル）−ベンジルトランス−４−シアノシク
ロヘキシルエーテル、１■−（２） の４−（４−アルキル−およびアルコキシーフェニ／Ｉ
／）−ベンジルトランス−４−シアノシクロへキシルニ
ーデル、 ＩＩＩ−（１［９ の全一トランス−４−（４−アルキル−およびアルコキ
シ−シクロヘキシル）−シクロヘキシルメチル４−シア
ノシクロヘキシルエーテル、■−Ｇ樽 の全一トランス−４−（４−アルキル−お゛よびアルコ
キシーシクロヘキサノイルオキン）−シクロヘキシルメ
チル４−シアノシクロヘキシルエーテル １■−〇傷 のトランス−４−７アノシクロヘキフルメチル４−アル
キル−おヨヒアルコキシーフェニルエーテル、 Ｉｆｆ−（４） のトランス−４−シアノシクロへキシルメチルトランス
−４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキシルエ
ーテル、 ＩＩＩ −（２＋） のトランス−４−シアノシクロヘキシルメチル４−（ト
ランス−４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキ
シル）−フェニルエーテル、■−■ の全一トランス−４−シアノシクロヘキシルメチル４−
（４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキシル）
−シクロヘキシルエーテル、■１−（ハ） のトランス−４−シアノシクロヘキシルメチル４−アル
キル−およびアルコキシ−ヒフエニー４′−リルエーデ
ル、 −Ｑ４ の全一トランス−４−シアノシクロヘキシルメチル４−
（４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキサノイ
ルオキシ）−シクロヘキシルエーテル、 ■−（ハ） の１−（４−ア）Ｑキル−およびアルコキシ−フェニル
）−２−（）ランス−４−シアノシクロヘキシル）−エ
タン、 の１−（＋・ランス−４−アルキル−およびアルコキシ
−シクロヘキシル）−２−（トランス−４−７７ノシク
ロヘキシル）−エタン、■−（５） の１−（４−（）ランス−４−アルキル−およヒアルコ
キシーシクロヘキシル）−フェニル〕−２−（１−ラン
ス−４−シアノシクロヘキシル）−エタン、 ■−（至） の全一トランス−１−（４−（４−アルキル−およびア
ルコキシ−シクロヘキシル）−シクロヘキシル） −２
−（４−シアノシクロヘキシル）−エタン、 Ｉｌｌ −り の１−（４−アルキル−およびアルコキシ−ビスエニー
４′−リル）−２−（トランス−４−シアノシクロヘキ
シル）−エタン、 ■−（７） ノ全一）ランス−１−（４〜（４−フルキル−およびア
ルコキシ−シクロヘキサノイルオキシ）−シクロヘキシ
ル）−２−（４−シアノシクロヘキシル）−エタン、 ■−０１ ノドランス−４−（４−アルキル−およびアルコキシ−
ベンゾイルオキシ）−１−（４−１；７ンスーシアノシ
クロヘキサノイルオキシ）−シクロヘキサン、 ■−（至） のトランス−４−シアノシクロヘキシルトランス４−
（４−７ルキ＃−おＬびアルコキシ−ベンゾイルオキシ
）−シクロヘキサン力ルポキシレ〜ト、 ■−（至） （Ｄトラ７スー４−（４−アルキル−およヒアルコキシ
ーベンジルオキシ）−７クロヘキシルメチルトランスー
４−シアノシクロヘキシルエーテル、 ■−（ロ） のトランス−４−シアノシクロヘキシルメチルトランス
−４−（４−フルキル−およびアルコキシ−ベンゾイル
オキシ）−シクロヘキシルエ−チル、および ■−（ハ） の１−〔トランス−４−（４−フルキル−およびアルコ
キシ−ベンゾイルオキシ）−シクロヘキシル）−２−（
）ランス−４−シアノシクロヘキシル）−エタン。
ヘンソエートおよび４−アルコキシ−ベンゾエート、 ■＝（２） のトランス−４−シアノシクロヘキシル４−（）ランス
−４−アルキル−および−アルコキシーシクロヘキシル
）−ベンゾエート、 １１１− （３１ のトランス−４−シアノシクロヘキシル４−アルキル−
およびアルコキシピフェニル−４′−カルボキシレート
、 ＩＩＩ −（４１ の４−シアノシクロヘキシル全一トランス−４−（４−
’アルキルーおよびアルコキシ−シクロヘキシル）−シ
クロヘキサンカルボキシレート、■−（５） の４−シアノシクロヘキシル全一トランス−４−（４−
アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキサノイルオキ
シ）−シクロヘキサンカルボキシレート、 ＩＩＩ −（６１ の４−アルキル−およびアルコキシ−フェニルトランス
−４−シアノシクロヘキサンカルボキシレート、 ＩＩＩ−（７１ のトランス−４−アルキル−およびアルコキシ−シクロ
ヘキシルトランス−４−シアノシクロヘキサンカルボキ
シレート、 ＩＩＩ−（８１ の４−（トランス−４−アルキル−およびアルコキシ−
シクロヘキシル）−フェニルトランス−４−シアノシク
ロヘキサンカルボキシレート、Ｉｌｌ −（９） ｏ４−（４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキ
シル）−シクロヘキシル全一トランス−４−シアノシク
ロヘキサンカルボキシレート、ｉｌｌ −＜Ｉｎ の４−（４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキ
サノイルオキシ）−シクロヘキシル全一トランス−４−
シアノシクロヘキサンカルボキシレート、 ｉｌｌ −（ｉｌｌ ンＶ の４−アルキル−およびアルコキシービフエニ、−４’
−！Ｊフルランスー４−シアノシクロヘキサｙカルボ
キシレート、 の４−アルキル−およびアルコキシ−ベンジルトランス
−４−シアノシクロヘキシルエーテル、■−ａ葎 のトランス−４−アルキル−およびアルコキシ−シクロ
ヘキシルメチルトランス−４−シアノシクロヘキシルエ
ーテル、 １１−Ｈ の４−（）ランス−４−フルキル−およびアルコキシ−
シクロヘキシル）−ベンジルトランス−４−シアノシク
ロヘキシルエーテル、１■−（２） の４−（４−アルキル−およびアルコキシーフェニ／Ｉ
／）−ベンジルトランス−４−シアノシクロへキシルニ
ーデル、 ＩＩＩ−（１［９ の全一トランス−４−（４−アルキル−およびアルコキ
シ−シクロヘキシル）−シクロヘキシルメチル４−シア
ノシクロヘキシルエーテル、■−Ｇ樽 の全一トランス−４−（４−アルキル−お゛よびアルコ
キシーシクロヘキサノイルオキン）−シクロヘキシルメ
チル４−シアノシクロヘキシルエーテル １■−〇傷 のトランス−４−７アノシクロヘキフルメチル４−アル
キル−おヨヒアルコキシーフェニルエーテル、 Ｉｆｆ−（４） のトランス−４−シアノシクロへキシルメチルトランス
−４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキシルエ
ーテル、 ＩＩＩ −（２＋） のトランス−４−シアノシクロヘキシルメチル４−（ト
ランス−４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキ
シル）−フェニルエーテル、■−■ の全一トランス−４−シアノシクロヘキシルメチル４−
（４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキシル）
−シクロヘキシルエーテル、■１−（ハ） のトランス−４−シアノシクロヘキシルメチル４−アル
キル−およびアルコキシ−ヒフエニー４′−リルエーデ
ル、 −Ｑ４ の全一トランス−４−シアノシクロヘキシルメチル４−
（４−アルキル−およびアルコキシ−シクロヘキサノイ
ルオキシ）−シクロヘキシルエーテル、 ■−（ハ） の１−（４−ア）Ｑキル−およびアルコキシ−フェニル
）−２−（）ランス−４−シアノシクロヘキシル）−エ
タン、 の１−（＋・ランス−４−アルキル−およびアルコキシ
−シクロヘキシル）−２−（トランス−４−７７ノシク
ロヘキシル）−エタン、■−（５） の１−（４−（）ランス−４−アルキル−およヒアルコ
キシーシクロヘキシル）−フェニル〕−２−（１−ラン
ス−４−シアノシクロヘキシル）−エタン、 ■−（至） の全一トランス−１−（４−（４−アルキル−およびア
ルコキシ−シクロヘキシル）−シクロヘキシル） −２
−（４−シアノシクロヘキシル）−エタン、 Ｉｌｌ −り の１−（４−アルキル−およびアルコキシ−ビスエニー
４′−リル）−２−（トランス−４−シアノシクロヘキ
シル）−エタン、 ■−（７） ノ全一）ランス−１−（４〜（４−フルキル−およびア
ルコキシ−シクロヘキサノイルオキシ）−シクロヘキシ
ル）−２−（４−シアノシクロヘキシル）−エタン、 ■−０１ ノドランス−４−（４−アルキル−およびアルコキシ−
ベンゾイルオキシ）−１−（４−１；７ンスーシアノシ
クロヘキサノイルオキシ）−シクロヘキサン、 ■−（至） のトランス−４−シアノシクロヘキシルトランス４−
（４−７ルキ＃−おＬびアルコキシ−ベンゾイルオキシ
）−シクロヘキサン力ルポキシレ〜ト、 ■−（至） （Ｄトラ７スー４−（４−アルキル−およヒアルコキシ
ーベンジルオキシ）−７クロヘキシルメチルトランスー
４−シアノシクロヘキシルエーテル、 ■−（ロ） のトランス−４−シアノシクロヘキシルメチルトランス
−４−（４−フルキル−およびアルコキシ−ベンゾイル
オキシ）−シクロヘキシルエ−チル、および ■−（ハ） の１−〔トランス−４−（４−フルキル−およびアルコ
キシ−ベンゾイルオキシ）−シクロヘキシル）−２−（
）ランス−４−シアノシクロヘキシル）−エタン。
Ｒ９は、改鋳状または分枝鎖状であることができる。直
鎖状の場合、すなわちメチル、エチル、フ゛ ｎ−グロビル、ｎ−メチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシ
ル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デ
シル、ｎ−ウンデシルまたはｎ−ドデシルである場合に
、このような特徴を有する化合物は一般に分枝側鎖基Ｒ
５を有する化合物に比較して高い透明点を有し、従って
好ましい。分校側鎖基Ｒ５を有する液晶ペース材料に高
い溶解性を有するので時には重要であり、これらの化合
物がその鎖分枝の故に光学活性を有する場合には、特に
キラル・ドーピング物質として特に重要である。このよ
うな分枝側鎖基Ｒ３は１つより多くは分枝を有しない。
鎖状の場合、すなわちメチル、エチル、フ゛ ｎ−グロビル、ｎ−メチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシ
ル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デ
シル、ｎ−ウンデシルまたはｎ−ドデシルである場合に
、このような特徴を有する化合物は一般に分枝側鎖基Ｒ
５を有する化合物に比較して高い透明点を有し、従って
好ましい。分校側鎖基Ｒ５を有する液晶ペース材料に高
い溶解性を有するので時には重要であり、これらの化合
物がその鎖分枝の故に光学活性を有する場合には、特に
キラル・ドーピング物質として特に重要である。このよ
うな分枝側鎖基Ｒ３は１つより多くは分枝を有しない。
好適な分枝基Ｒ，はメチルまたはエチル基が比較的長い
炭素鎖上の１−１２−または３−位に位置しているル、
３−メチルペンチル、２−エチルヘキシルまたは１−メ
チルヘキシル、並びに対応するアルコキシ基である。側
鎖基Ｒ３の好ましい鎖の長さは基Ｙの構造により変わる
。Ｙが４−Ｒ８−フェニルである場合には、Ｒ３として
２〜１１個、特に３〜８個の炭素原子を有するアルキル
または１〜１０個の炭素原子を有するアルコキシが好ま
しい。Ｙが４−Ｒ３−シクロヘキシルである場合には、
アルキル基として、３〜１０個の炭素原子を有するアル
キル基が好ましく、アルコキシ基として、２〜８個の炭
素原子を有するアルコキシ基が好ましい。基Ｙが４−Ｒ
３−ヒフエニー４′−リル、４−（４−４，−シクロヘ
キシル）７ 工＝ ルｉ Ｐｃ ハ４ （４Ｒｓ−シ
クロヘキシル）−シクロヘキシルである場合には、側鎖
基Ｒ９は２〜８個の炭素原子を有するアルキルまた！−
ｊ１〜６個の炭素原子を有するアルコキシが好ましい。
炭素鎖上の１−１２−または３−位に位置しているル、
３−メチルペンチル、２−エチルヘキシルまたは１−メ
チルヘキシル、並びに対応するアルコキシ基である。側
鎖基Ｒ３の好ましい鎖の長さは基Ｙの構造により変わる
。Ｙが４−Ｒ８−フェニルである場合には、Ｒ３として
２〜１１個、特に３〜８個の炭素原子を有するアルキル
または１〜１０個の炭素原子を有するアルコキシが好ま
しい。Ｙが４−Ｒ３−シクロヘキシルである場合には、
アルキル基として、３〜１０個の炭素原子を有するアル
キル基が好ましく、アルコキシ基として、２〜８個の炭
素原子を有するアルコキシ基が好ましい。基Ｙが４−Ｒ
３−ヒフエニー４′−リル、４−（４−４，−シクロヘ
キシル）７ 工＝ ルｉ Ｐｃ ハ４ （４Ｒｓ−シ
クロヘキシル）−シクロヘキシルである場合には、側鎖
基Ｒ９は２〜８個の炭素原子を有するアルキルまた！−
ｊ１〜６個の炭素原子を有するアルコキシが好ましい。
これらの基Ｒ３はまた基Ｙが４−（４−アルキル−まだ
はアルコキシ−シクロヘキサノイルオキシ）−シクロヘ
キシルである場合にも好適な基である。
はアルコキシ−シクロヘキサノイルオキシ）−シクロヘ
キシルである場合にも好適な基である。
前記一般式（１１〜（３）で表わされる液晶は、それぞ
れ２種以」二を組合せて用いることができる。
れ２種以」二を組合せて用いることができる。
又、一般式（１）で表わされる液晶は、液晶組成物中に
５〜９０ ｗｔ％の割合、好゛ましくは１０〜６０ｗｔ
％の割合で含有することができ、一般式（２）で表わさ
れる液晶組成物中に１〜５０ ｗｔ’％の割合、好まし
くは５〜４０ ｗｔ％の割合で含有することができる。
５〜９０ ｗｔ％の割合、好゛ましくは１０〜６０ｗｔ
％の割合で含有することができ、一般式（２）で表わさ
れる液晶組成物中に１〜５０ ｗｔ’％の割合、好まし
くは５〜４０ ｗｔ％の割合で含有することができる。
又、一般式（３）で表わされる液晶は、液晶組成物中に
５〜９０ ｗｔ％の割合、好ましくは１０〜５０ｗｔ％
の割合で含有することができる。
５〜９０ ｗｔ％の割合、好ましくは１０〜５０ｗｔ％
の割合で含有することができる。
本発明の液晶組成物中に含イゴする前述の各液晶は、一
般式（１）の液晶ニ一般式（２）の液晶＝９５：５〜２
０ ： ８Ｇで一般式（１）の液晶；一般式（３）の液
晶＝９０：１０〜１０：９０の比率で配合されることが
できる。
般式（１）の液晶ニ一般式（２）の液晶＝９５：５〜２
０ ： ８Ｇで一般式（１）の液晶；一般式（３）の液
晶＝９０：１０〜１０：９０の比率で配合されることが
できる。
又、本発明の液晶組成物は、下記一般式（４）で表わさ
れるシアノピフェニル系液晶の少なくとも１種、さらに
下記一般式（５）で表わされるターフェニル系液晶や一
般式（６）で表わされるビンエニルシクロヘキサン系液
晶の少なくとも１種を含有させることができる。
れるシアノピフェニル系液晶の少なくとも１種、さらに
下記一般式（５）で表わされるターフェニル系液晶や一
般式（６）で表わされるビンエニルシクロヘキサン系液
晶の少なくとも１種を含有させることができる。
一般式（４）
（但し、Ｒ４はアルキル基を示す。）
一般式（５）
（但し、Ｒ５はアルキル基を示す。）
一般式（６）
（但し、Ｒ８はアルキル基を示す。）
前記Ｒ４，Ｒ，およびＲｏで表わされるアルキル基の具
体例としては、炭素原子数１〜１５の系列のアルキル基
、好ましいアルキル基としては、エチル、ｎ−プロピル
、ｎ−ブチル、ｎ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチ
ル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−テシルを挙げるこ
とができる。これらの液晶は、前述の液晶組成物の低温
領域における応答速度を一層速めることができ、前述の
一般式（１１〜（３）の液晶を含有する液晶組成物に対
して、一般式（４）で表わされる液晶を１〜８０ｗｔ％
、好ましくは５〜２０ ｗｔ％の割合で含有させること
ができる。又一般式（５）および（６）で表わされる液
晶については、液晶組成物に対し、１〜８０ ｗｔ％、
好ましくは５〜２０ ｗｔ％の割合で含有させることが
できる。
体例としては、炭素原子数１〜１５の系列のアルキル基
、好ましいアルキル基としては、エチル、ｎ−プロピル
、ｎ−ブチル、ｎ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチ
ル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−テシルを挙げるこ
とができる。これらの液晶は、前述の液晶組成物の低温
領域における応答速度を一層速めることができ、前述の
一般式（１１〜（３）の液晶を含有する液晶組成物に対
して、一般式（４）で表わされる液晶を１〜８０ｗｔ％
、好ましくは５〜２０ ｗｔ％の割合で含有させること
ができる。又一般式（５）および（６）で表わされる液
晶については、液晶組成物に対し、１〜８０ ｗｔ％、
好ましくは５〜２０ ｗｔ％の割合で含有させることが
できる。
この他に本発明の液晶組成物には、前述した液晶以外の
ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメツクチック
液晶あるいはカイラルネマチック液晶を含有することが
でき、又ネマチック液晶は正の誘電異方性をもつもので
あってもよく、あるいは負の誘電異方性をもつものであ
ってもよい。
ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメツクチック
液晶あるいはカイラルネマチック液晶を含有することが
でき、又ネマチック液晶は正の誘電異方性をもつもので
あってもよく、あるいは負の誘電異方性をもつものであ
ってもよい。
本発明の液晶組成物は、例えは特開昭４７−１１７３７
号公報に開示されたねじれネマチックモードに適用する
ことができる。
号公報に開示されたねじれネマチックモードに適用する
ことができる。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例１
下記組成の液晶組成物を調製し、この組成物を液晶セル
中に注入した。この液晶セルは、表面をポリイミド樹脂
で被核した１対の電極板を布で一方向にこすって配向炉
理し、しかる後こすり方向が互いに直交する様に電極板
を配置し、その縁に沿って予めエポキシ樹脂系接着剤を
スクリーン印刷法によって塗布しておき、電極板の間隔
が６μとなったところで固定した後、接着剤の硬化条件
下で接着剤を硬化させることによって作成した。この液
晶セルに下記の液晶組成物を注入した後、その注入口は
接着剤で封止した。
中に注入した。この液晶セルは、表面をポリイミド樹脂
で被核した１対の電極板を布で一方向にこすって配向炉
理し、しかる後こすり方向が互いに直交する様に電極板
を配置し、その縁に沿って予めエポキシ樹脂系接着剤を
スクリーン印刷法によって塗布しておき、電極板の間隔
が６μとなったところで固定した後、接着剤の硬化条件
下で接着剤を硬化させることによって作成した。この液
晶セルに下記の液晶組成物を注入した後、その注入口は
接着剤で封止した。
液晶組成物（５）
１− （２１：ｔ、 ３．５ ｗｔ％
１− （３） １６．Ｏｗｔ
チ１− （４１１０，Ｏｗｔ％ ■−（５） ２５．５ｗｔチＩ
Ｉ −（２１２，５ｗｔ％ Ｕ −（３１２，５ｗｔ％ Ｉｎ −（２１−−・Ｒ３； ｎ−ブチル １４．
５ｗｔ％ｍ （５）−Ｒ３； ｎ−ペンチル １５
．５ ｗｔ％次に、液晶組成物（Ａｌを注入した液晶セ
ルを用いて、この組成物（Ｎにおける０°Ｃ〜４０℃間
での閾値電圧変動を測定した。この結果を表１に示す。
チ１− （４１１０，Ｏｗｔ％ ■−（５） ２５．５ｗｔチＩ
Ｉ −（２１２，５ｗｔ％ Ｕ −（３１２，５ｗｔ％ Ｉｎ −（２１−−・Ｒ３； ｎ−ブチル １４．
５ｗｔ％ｍ （５）−Ｒ３； ｎ−ペンチル １５
．５ ｗｔ％次に、液晶組成物（Ａｌを注入した液晶セ
ルを用いて、この組成物（Ｎにおける０°Ｃ〜４０℃間
での閾値電圧変動を測定した。この結果を表１に示す。
又、比較試料として西独メルク社の「Ｅ−２５」につい
ても同様のテストを繰り返した。
ても同様のテストを繰り返した。
この結果を表１に示す。
表１
試料 ０’Ｏ〜４０°Ｃ間での閾値電圧変動組成物（
Ａ） ２．８ ｍ Ｖ／’ＯＥ −２５１
６，３ｍＶ／’０ 又、組成物置の一２０°Ｃにおける立ち上がり応答速度
と立ち下がり応答速度を測定したところ、立ち上がり応
答速度は９０ｍ５ｅｃで、立ち下がシ応答速度は２５０
ｍ５ｅｃであった。
Ａ） ２．８ ｍ Ｖ／’ＯＥ −２５１
６，３ｍＶ／’０ 又、組成物置の一２０°Ｃにおける立ち上がり応答速度
と立ち下がり応答速度を測定したところ、立ち上がり応
答速度は９０ｍ５ｅｃで、立ち下がシ応答速度は２５０
ｍ５ｅｃであった。
実施例２
下記組成の液晶組成物を３種類調製した。
液晶組成物ＣＢ＋
１− （２） １２．５ ｗ
ｔ％１− （３１１２，Ｏｗｔ％ １− （４１１８，５ｗｔ％ １− （５１７，Ｏｗｔ％ ｎ −（２１２，Ｏｗｔ％ １− （３１１，５ｗｔ％ ＩＩ −（４１１，５ｗｔ％ 川−（２１・・−Ｒ，； ｎ−ペンチル ６．Ｏｗ
ｔ％Ｉｌｌ （８） ・・・Ｒｓ ； ｎ−ブトキシ
６゜５ｗｔ％＋ｎ−ａυ−Ｒ，； ｎ−ブチル６
．０ｗｔ％ｍ−（至）・・・Ｒ，；ｎ−プロポキシ
８．５ｗｔ％ＩＩＩ −ＱＢ −＝ Ｒ，； ｎ−ブチ
ル ８．Ｏｗｔ％ｔｎ＋ Ｃ，Ｈ，、＃ＣＮ
５．Ｏｗｔ％液晶組成物ＥＣ） ２３．５ｗｔチ １−（３１ ２６，５Ｗｔチ １−（５） ２．５ｗｔチ １− （２） ｚ、５ｗｔ％ ［１−＋４＋ ■−ｔｔ）；。−ブチ／−１０・Ｏｗｔ係■１；エチＡ
、、 １０．ＯＷｔヂトＱ樽；エテル
５，０ｗｔ１Ｉｌｌ−＋２４）；。
ｔ％１− （３１１２，Ｏｗｔ％ １− （４１１８，５ｗｔ％ １− （５１７，Ｏｗｔ％ ｎ −（２１２，Ｏｗｔ％ １− （３１１，５ｗｔ％ ＩＩ −（４１１，５ｗｔ％ 川−（２１・・−Ｒ，； ｎ−ペンチル ６．Ｏｗ
ｔ％Ｉｌｌ （８） ・・・Ｒｓ ； ｎ−ブトキシ
６゜５ｗｔ％＋ｎ−ａυ−Ｒ，； ｎ−ブチル６
．０ｗｔ％ｍ−（至）・・・Ｒ，；ｎ−プロポキシ
８．５ｗｔ％ＩＩＩ −ＱＢ −＝ Ｒ，； ｎ−ブチ
ル ８．Ｏｗｔ％ｔｎ＋ Ｃ，Ｈ，、＃ＣＮ
５．Ｏｗｔ％液晶組成物ＥＣ） ２３．５ｗｔチ １−（３１ ２６，５Ｗｔチ １−（５） ２．５ｗｔチ １− （２） ｚ、５ｗｔ％ ［１−＋４＋ ■−ｔｔ）；。−ブチ／−１０・Ｏｗｔ係■１；エチＡ
、、 １０．ＯＷｔヂトＱ樽；エテル
５，０ｗｔ１Ｉｌｌ−＋２４）；。
−ヘンナ〜 ５°０″ｔ９ｔｎｌ Ｃ４Ｈ，
ＭＣＮ ４．５ ｗｔ＋ｔｍ Ｃ？”ｌ１１ＭＣ
Ｎ ｓ°５”０ｔｅｌ Ｃ４Ｈ０９ＣＨ５，Ｏｗ
ｔ 液晶組成物載物＋ ２３．５ｗ Ｈ−（３） １５、Ｏｆ １ −（４） １１．５ｗｔ％ ’ ” ２，５ｗｔ％Ｈ−（２） ２、５ ｗｔチ １−（４） ［１−（１） ；。−ブチ〜 １０′０″゛
チ１０．０ｗｔ％ ■−α均；エチル ５、Ｑ ｗｔ％ ■−収咎；エチ″ １■１；。−＝・チ〜 ゛・θ″゛゛ チ 漫 ユレラ。組成物（ｓ）、（Ｃ）および（Ｄ＋の
特性についチ て前記と同゛様の方法でｉ１１定しｆ
ｃｏｌＦ）結果を表３に示す０ 表３ 組成物（Ｂｌ ３．ＯｍＶ／’０ ９０ｍ５
ｅｃ ２５０ｍｇ（組成物（ｃｌ ２．８ｍＶ／
’０ １００ｍ“０° ３１０ｍ５＋組成物（ｐ）
載物 ２．４ｍＶ／”０ １４°ｍ５ｅｃ ２８
０ｍ５′０ ジＣ Ｃ
ＭＣＮ ４．５ ｗｔ＋ｔｍ Ｃ？”ｌ１１ＭＣ
Ｎ ｓ°５”０ｔｅｌ Ｃ４Ｈ０９ＣＨ５，Ｏｗ
ｔ 液晶組成物載物＋ ２３．５ｗ Ｈ−（３） １５、Ｏｆ １ −（４） １１．５ｗｔ％ ’ ” ２，５ｗｔ％Ｈ−（２） ２、５ ｗｔチ １−（４） ［１−（１） ；。−ブチ〜 １０′０″゛
チ１０．０ｗｔ％ ■−α均；エチル ５、Ｑ ｗｔ％ ■−収咎；エチ″ １■１；。−＝・チ〜 ゛・θ″゛゛ チ 漫 ユレラ。組成物（ｓ）、（Ｃ）および（Ｄ＋の
特性についチ て前記と同゛様の方法でｉ１１定しｆ
ｃｏｌＦ）結果を表３に示す０ 表３ 組成物（Ｂｌ ３．ＯｍＶ／’０ ９０ｍ５
ｅｃ ２５０ｍｇ（組成物（ｃｌ ２．８ｍＶ／
’０ １００ｍ“０° ３１０ｍ５＋組成物（ｐ）
載物 ２．４ｍＶ／”０ １４°ｍ５ｅｃ ２８
０ｍ５′０ ジＣ Ｃ
Claims (2)
- （１） 下記一般式（１）で表わされるフェニルシク
ロヘキサン系液晶の少なくとも１種、下記一般式（２）
で表わされるエステル系液晶の少なくとも１種と下記一
般式（３）で表わされるシアノシクロヘキサン系液晶の
少なくとも１種を含有することを特徴とする液晶組成物
。 一般式 （但し、Ｒ１はアルキル基を表わす。）（但し、Ｒ２は
アルキル基を表わす。）テ であり、この時Ｒ３は炭素間１〜１２個のアルキル基又
はアルコキシ基を表わす。Ｘは、−ｃｏｏ−１−ｏ −
ｃｏ−１−ＣＨ２０−１−０ＣＨｔ−又は−ＣＨ，ＣＨ
，−である。） - （２） 下記一般式（１）で表わされるフェニルシク
ロヘキサン系液晶の少なくとも１種、下記一般式（２）
で表わされるエステル系液晶の少なくとも１種、下記一
般式（３）で表わされるシアノシクロヘキサン系液晶の
少なくとも１種と下記一般式（４）で表わされるシアノ
ビフェニル系液晶の少なくとも１種を含有することｔ％
徴とする液晶組成物。 一般式 （但し、Ｒ１はアルキル基を表わす。）０ （但し、Ｒ１はアルキル基を表わす。）テ であり、この時Ｒ３は炭素原数１〜１２個の八 アルキル基又はアルコキシ基を表わす。Ｘは、−ＣＯＵ
−１−０−ＣＯ−１−Ｃ馬０−１−ｏｃ搗−又は−ＣＨ
，ＣＬ−である。） （但し、Ｒ４はアルキル基を表わす。）（３） 下記
一般式（１）で表わされるフェニルシクロヘキサン系液
晶の少なくとも１種、下記一般式（２）で表わされるエ
ステル系液晶の少なくとも１種、下記一般式（３）で表
わされるシアノシクロヘキサン系液晶の少なくとも１種
と下記一般式（５）で表わされるターフェニル系液晶の
少なくとも１種を含有することを特徴とする液晶組成物
。 一般式 （但し、Ｒ３はアルキル基ケ表わす。）（但し、Ｒ２は
アルキル基を表わす。）（但し、ＹはＲ８＋、Ｒ３−（
Ｉ）−、チ であり、この時Ｒ３は炭素原数１〜１２個の△ アルキル基又はアルコキシ基葡表わす。Ｘは、−ＣＯＯ
−１−０−ＣＯ−１−ＣＨ，０−１−０ＣＨ，−又は−
ＣＨ，ＣＨ，−である。） （但し、馬はアルキル基を表わす。） （４１下記一般式（１１で表わされるフェニルシクロヘ
キサン系液晶の少なくとも１種、下記一般式（２）で表
わされるエステル系液晶の少なくとも１種と下記一般式
（３）で表わされるシアノシクロヘキサン系液晶の少な
くとも１種と下記一般式（６）で表わされるビフェニル
シクロヘキサン系液晶の少なくとも１種を含有すること
を特徴とする液晶組成物。 一般式 （但し、Ｒ，はアルキル基を表わす。）（但し、馬はア
ルキル基を表わす。） （但し、ＹはＲ８→（）←、Ｒ３０− テ であり、この時Ｒ８は炭素原数１〜１２個の△ アルキル基又はアルコキシ基を表わす。Ｘは、−ｃｏｏ
−１−０−ＣＯ−１−ＣＨ，０−１−０ＣＨ，−又は−
ＣＨ２ＣＨ！−である。） （但し、馬はアルキル基を表わす。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5622083A JPS59179687A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5622083A JPS59179687A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59179687A true JPS59179687A (ja) | 1984-10-12 |
Family
ID=13021016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5622083A Pending JPS59179687A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59179687A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0398171U (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-11 | ||
| JP2003072733A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 紙カップ |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP5622083A patent/JPS59179687A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0398171U (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-11 | ||
| JP2003072733A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 紙カップ |
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