JPS5917803B2 - 液晶セル - Google Patents
液晶セルInfo
- Publication number
- JPS5917803B2 JPS5917803B2 JP8009976A JP8009976A JPS5917803B2 JP S5917803 B2 JPS5917803 B2 JP S5917803B2 JP 8009976 A JP8009976 A JP 8009976A JP 8009976 A JP8009976 A JP 8009976A JP S5917803 B2 JPS5917803 B2 JP S5917803B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate glass
- liquid crystal
- cutting
- lower substrate
- upper substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133351—Manufacturing of individual cells out of a plurality of cells, e.g. by dicing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は上基板ガラスと下基板ガラスを接着層を介して
接着し、切断分割して複数のセルを取り出す液晶セルの
製造方法に関する。
接着し、切断分割して複数のセルを取り出す液晶セルの
製造方法に関する。
本発明は、液晶セルにおいて上基板ガラスと下基板ガラ
スの接着面の切断位置のそれぞれに接着以前に凹溝を形
成することにより切断を容易にした液晶セルに関する。
スの接着面の切断位置のそれぞれに接着以前に凹溝を形
成することにより切断を容易にした液晶セルに関する。
本発明の目的は複数の液晶セルの切断分割を容易にする
ことにある。
ことにある。
本発明の他の目的は、分割端面の品質向上と液晶セル基
板ガラスの外形精度の向上にある。
板ガラスの外形精度の向上にある。
本発明のさらに他の目的は、製造工数の低減にある。従
来技術について説明すると２枚の基板ガラスを接着し切
断分割して複数の液晶セルを取り出すことは公知である
。具体的に第１図で説明すると、上基板ガラス１、下基
板ガラス２に複数の液晶パネル用の透明電極５を作成後
、前記２枚の基板ガラスを所定の形状の接着層３を介し
て接着する。第１図ａは２枚の基板ガラスの接着前の状
態を示し、第１図をは接着後液晶６を注入封止した状態
の断面図を示す。１０および１１は分割部分を示し、第
１図ｃは、切断分割された１つの液晶パネルを示す。
来技術について説明すると２枚の基板ガラスを接着し切
断分割して複数の液晶セルを取り出すことは公知である
。具体的に第１図で説明すると、上基板ガラス１、下基
板ガラス２に複数の液晶パネル用の透明電極５を作成後
、前記２枚の基板ガラスを所定の形状の接着層３を介し
て接着する。第１図ａは２枚の基板ガラスの接着前の状
態を示し、第１図をは接着後液晶６を注入封止した状態
の断面図を示す。１０および１１は分割部分を示し、第
１図ｃは、切断分割された１つの液晶パネルを示す。
セル下基板ガラス８からリード電極９を取り出す必要が
あるため、セル上基板ガラスＴとセル下基板ガラス８の
大きさは異なる。このため、上基板ガラス１と下基板ガ
ラス２が接着された状態で分割部分１０および１１を切
断しなければならない。第１図ｄは分割部一部拡大図を
示す。ダイヤモンドにより表面にクラック１２を形成し
て割る方法は、割れ１３が不特定の方向に発生し、分割
部分１０および１１で精度よく割ることはできず、品質
的、精度面で劣つた。また高速回転砥石での切断は、上
基板ガラス１と下基板ガラス２の間隙４が１０μ程度の
ため、分割部分１１の切断に際し、下基板ガラス２の表
面に高速回転砥石があたり、リード電極９を切断したり
、傷をつけたりするという欠点があつた。また、これら
の欠点を改善する一方法として、本発明者の一人が特許
願昭和５０年第１５９５９７号明細書で述べている方法
を第２図で説明すると第２図ａは２枚の基板が接着され
る前の状態を示す。
あるため、セル上基板ガラスＴとセル下基板ガラス８の
大きさは異なる。このため、上基板ガラス１と下基板ガ
ラス２が接着された状態で分割部分１０および１１を切
断しなければならない。第１図ｄは分割部一部拡大図を
示す。ダイヤモンドにより表面にクラック１２を形成し
て割る方法は、割れ１３が不特定の方向に発生し、分割
部分１０および１１で精度よく割ることはできず、品質
的、精度面で劣つた。また高速回転砥石での切断は、上
基板ガラス１と下基板ガラス２の間隙４が１０μ程度の
ため、分割部分１１の切断に際し、下基板ガラス２の表
面に高速回転砥石があたり、リード電極９を切断したり
、傷をつけたりするという欠点があつた。また、これら
の欠点を改善する一方法として、本発明者の一人が特許
願昭和５０年第１５９５９７号明細書で述べている方法
を第２図で説明すると第２図ａは２枚の基板が接着され
る前の状態を示す。
リード電極は省略されている。上基板ガラス１は透明電
極５作成前に分割部１１に高速回転砥石による切断幅よ
り広めの巾２〜５ｍｗＬ深さ０．２〜０．５ｍｍの凹溝
１３を形成する。第２図をは接着後液晶６注入封止後の
断面図を示す。このように切断分割することによりこの
凹溝１３が切断の際の回転砥石の逃げにあたり、下基板
ガラス２に形成されたリード電極９を切断したり傷つけ
たりすることは防げる。しかし切断巾より広めの巾２〜
５ｎ１深さ０．２〜０．５ｍｍの凹溝を加工するには切
断用の巾０．１３能の高速回転砥石を使えば数１０回加
工しなけれぱならないし、溝巾の高速回転砥石を使うと
切込み深さを大きくとれず、やはり数１０度繰り返し加
工しなければならない。このような方法は加工に多大の
工数を要するという欠点があつた。本発明はかかる欠点
を除去したもので第３図にその一実施例を示す。
極５作成前に分割部１１に高速回転砥石による切断幅よ
り広めの巾２〜５ｍｗＬ深さ０．２〜０．５ｍｍの凹溝
１３を形成する。第２図をは接着後液晶６注入封止後の
断面図を示す。このように切断分割することによりこの
凹溝１３が切断の際の回転砥石の逃げにあたり、下基板
ガラス２に形成されたリード電極９を切断したり傷つけ
たりすることは防げる。しかし切断巾より広めの巾２〜
５ｎ１深さ０．２〜０．５ｍｍの凹溝を加工するには切
断用の巾０．１３能の高速回転砥石を使えば数１０回加
工しなけれぱならないし、溝巾の高速回転砥石を使うと
切込み深さを大きくとれず、やはり数１０度繰り返し加
工しなければならない。このような方法は加工に多大の
工数を要するという欠点があつた。本発明はかかる欠点
を除去したもので第３図にその一実施例を示す。
第３図ａは透明電極５を片面に作成された上基板ガラス
１、下基板ガラス２が接着層３を介して接着される前の
状態を示す。リード電極は省略されている。上基板ガラ
ス１は透明電極５作成前に分割部１１に巾０．１ｍ１ｔ
深さ０．２〜０．５Ｕ１！程度の凹溝１４を形成する。
第２図ｂは接着後液晶６注入封止後の断面図を示す。分
割部分１０および１１を巾０．１３Ｕ程度の高速回転砥
石で切断し複数の液晶セルに分割する。このように切断
分割することによりこの凹溝１４が切断に際し、回転砥
石の逃けにあたり、下基板ガラス２に形成されたリード
電極９を切断したり傷をつけたりすることはない。また
加工量も少くて済み、製造工数が低減される。上基板ガ
ラス１の分割部分１１を切断後、下基板ガラス２の切断
部１０を切断するのが適当である。また接着の際、上基
板ガラス１と下基板ガラス２に基準辺を取り、その基準
辺を合わせることにより一つ一つの液晶セルを精度よく
組立てることが容易になる。また高速回転砥石による切
断のため端面の表面粗さは少さく品質的に良くなる。第
３図ｃは液晶セルの一部拡大外観図を示す。このように
セル上基板ガフラス７の接着層側の端面１５が面取りさ
れた形状となつているためこの部分を利用して、セル上
基板ガラス７の端面１５に電極導通用透明電極１７を付
け、セル下基板ガラス８とセル上基板ガラス７の電極９
および１７を導電性ペースト１６で導通に利用できる。
１、下基板ガラス２が接着層３を介して接着される前の
状態を示す。リード電極は省略されている。上基板ガラ
ス１は透明電極５作成前に分割部１１に巾０．１ｍ１ｔ
深さ０．２〜０．５Ｕ１！程度の凹溝１４を形成する。
第２図ｂは接着後液晶６注入封止後の断面図を示す。分
割部分１０および１１を巾０．１３Ｕ程度の高速回転砥
石で切断し複数の液晶セルに分割する。このように切断
分割することによりこの凹溝１４が切断に際し、回転砥
石の逃けにあたり、下基板ガラス２に形成されたリード
電極９を切断したり傷をつけたりすることはない。また
加工量も少くて済み、製造工数が低減される。上基板ガ
ラス１の分割部分１１を切断後、下基板ガラス２の切断
部１０を切断するのが適当である。また接着の際、上基
板ガラス１と下基板ガラス２に基準辺を取り、その基準
辺を合わせることにより一つ一つの液晶セルを精度よく
組立てることが容易になる。また高速回転砥石による切
断のため端面の表面粗さは少さく品質的に良くなる。第
３図ｃは液晶セルの一部拡大外観図を示す。このように
セル上基板ガフラス７の接着層側の端面１５が面取りさ
れた形状となつているためこの部分を利用して、セル上
基板ガラス７の端面１５に電極導通用透明電極１７を付
け、セル下基板ガラス８とセル上基板ガラス７の電極９
および１７を導電性ペースト１６で導通に利用できる。
基板ガラス１および２に形成する凹溝１４は第４図Ａ，
ｂ，ｃのようにいろいろあることはいうまでもない。ま
た液晶セルに形成される凹溝１４は、リード電極の取出
し側ばかりでなく、切断の方法により他の部分にも形成
されることも考えられる。
ｂ，ｃのようにいろいろあることはいうまでもない。ま
た液晶セルに形成される凹溝１４は、リード電極の取出
し側ばかりでなく、切断の方法により他の部分にも形成
されることも考えられる。
第１図ａは従来の液晶セルの組立て前を示す外観図で、
第１図ｂは、従来の液晶セルの組立て後を示す断面図で
ある。 また第１図ｃは従来の個々の液晶セルの外観図で、第１
図ｄは従来の分割部一部拡大断面図を示す。第２図ａは
、従来の他の方法を示す液晶セル組立て前の外観図、第
２図ｂは、従来の他の方法を示す液晶セル組立て後の断
面図である。第３図ａは本発明の実施例で液晶セルの組
立て前の外観図、第３図ｂは実施例の断図図、第３図ｃ
は実施例の一部拡大外観図である。また第４図Ａ，ｂ，
ｃは種々の凹溝の外観図である。１は上基板ガラス、２
は下基板ガラス、３は接着層、４は土基板ガラスと下基
板ガラスの間隙、５は透明電極、６は液晶、７はセル上
基板ガラス、８はセル下基板ガラス、９はリード電極、
１０は基板ガラスの分割部、１１は上基板ガラスの分割
部、１２はクラツク、１３，１４は凹溝、１５は端面、
１６は導電性ペースト、１７は電極導通用透明電極。
第１図ｂは、従来の液晶セルの組立て後を示す断面図で
ある。 また第１図ｃは従来の個々の液晶セルの外観図で、第１
図ｄは従来の分割部一部拡大断面図を示す。第２図ａは
、従来の他の方法を示す液晶セル組立て前の外観図、第
２図ｂは、従来の他の方法を示す液晶セル組立て後の断
面図である。第３図ａは本発明の実施例で液晶セルの組
立て前の外観図、第３図ｂは実施例の断図図、第３図ｃ
は実施例の一部拡大外観図である。また第４図Ａ，ｂ，
ｃは種々の凹溝の外観図である。１は上基板ガラス、２
は下基板ガラス、３は接着層、４は土基板ガラスと下基
板ガラスの間隙、５は透明電極、６は液晶、７はセル上
基板ガラス、８はセル下基板ガラス、９はリード電極、
１０は基板ガラスの分割部、１１は上基板ガラスの分割
部、１２はクラツク、１３，１４は凹溝、１５は端面、
１６は導電性ペースト、１７は電極導通用透明電極。
Claims (1)
- １ 上基板ガラスと下基板ガラスを所定の形状の接着層
を介して接着し、切断分割して複数のセルを取り出す液
晶セルの製造方法において、前記上基板ガラスと前記下
基板ガラスの接着面側の切断位置のそれぞれに、接着以
前に切断に使用する切断工具の幅より狭い幅の凹溝が形
成されていることを特徴とする液晶セルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8009976A JPS5917803B2 (ja) | 1976-07-06 | 1976-07-06 | 液晶セル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8009976A JPS5917803B2 (ja) | 1976-07-06 | 1976-07-06 | 液晶セル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS536055A JPS536055A (en) | 1978-01-20 |
| JPS5917803B2 true JPS5917803B2 (ja) | 1984-04-24 |
Family
ID=13708728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8009976A Expired JPS5917803B2 (ja) | 1976-07-06 | 1976-07-06 | 液晶セル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917803B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0260856U (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7692757B2 (en) * | 2004-07-30 | 2010-04-06 | Intel Corporation | Wafer scale fabrication of liquid crystal on silicon light modulation devices |
| JP5585790B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2014-09-10 | 日立建機株式会社 | 電気駆動ダンプトラック |
-
1976
- 1976-07-06 JP JP8009976A patent/JPS5917803B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0260856U (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS536055A (en) | 1978-01-20 |
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