JPS59177718A - 垂直記録用単磁極型複合磁気ヘツド - Google Patents

垂直記録用単磁極型複合磁気ヘツド

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JPS59177718A
JPS59177718A JP5215383A JP5215383A JPS59177718A JP S59177718 A JPS59177718 A JP S59177718A JP 5215383 A JP5215383 A JP 5215383A JP 5215383 A JP5215383 A JP 5215383A JP S59177718 A JPS59177718 A JP S59177718A
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erasing
magnetic pole
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JP5215383A
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Inventor
Atsunori Hayakawa
早川 穆典
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Original Assignee
Sony Corp
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/1278Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気記録媒体として例えばフレキシブルディス
クを使用するフレキシブルディスク装置の記録再生ヘッ
ドとして用いて好適な垂直記録用単磁極型複合磁気ヘッ
ドに関する。
背景技術とその問題点 先に磁気記録媒体としてフレキシブルディスクを使用す
るフレキシブルディスク装置の記録再生ヘッドとして用
いて好適な第1図及び第2図に示す如き垂直記録用単磁
極型複合磁気ヘッドが提案されている。
即ち第1図及び第2図に於いて、00)は軟磁性材料薄
膜よりなり磁気記録媒体01)に対接する一端を所定幅
とした記録再生用の主磁極を示し、この記録再生用主磁
極(10)を磁気記録媒体aDの対向面に於いて所定の
厚さの非磁性ガード部材(12a)及び(12b)で両
側から一体に挟持接合すると共にこの非磁性ガード部材
(12a)及び(12b)の後方に接合しこの記録再生
用主磁極QO)を両側から一体に挟持接合して磁気コア
(13a)及び非磁性体(13b)を設ける。この場合
非磁性ガード部材(12a)の後方に設けられた磁気コ
ア(13a)は記録再生用主磁極の磁束のリターンパス
を構成する。この磁気コア(lja)の非磁性ガード部
材(12a)の接する側の記録再生用主磁極Q0の近傍
にこの記録再生用主磁極(10)の近傍の補助磁極部(
14a)とこの記録再生ヘッド[m (10)の磁束の
リターンパスとなるリターンバス部(14b)とを分離
する溝部Q51を設ける。又非磁性体(13b)の非磁
性ガード部材(12b)に接する側に所定の溝部aOを
設け、2等溝部0.51 (1G)を通して記録再生用
主磁極(10)に記録再生用巻線αDを施す。ここで使
用される磁気記録媒体αυとしては例えば合成樹脂のベ
ース(11a)上にハイミュ一層(llb)を設け、こ
のハイミュ一層(llbl上に垂直記録層(11C)を
設けたものである。
又(18a)及び(18b)は夫々軟磁性材料薄膜より
なり記録再生用主磁極(10)より下流側に配されたト
ンネル消去用主磁極を示し、このトンネル消去用主磁極
(isa)及び(18b)を記録再生用主磁極(10)
の幅より小なる間隔で配する。この場合非磁性ガード部
材(12b)及び非磁性体(13b)の記録再生用主磁
極α0)が接合された面とは反対側の面にこのトンネル
消去用主磁極(18a ) (18b )を記録再生用
主磁極α0)の幅より小なる間隔で配して、この消去用
主磁極(18a ) (18b )を非磁性ガード部材
(12b)及び非磁性体(13b)と非磁性ガード部材
(12G)及びその後方に接合された磁気コア(13C
)とで両側から挾持する如く接合する。この磁気コア(
13C)はトンネル消去用主磁極Dsa ) (18b
 )の磁束のリターンパスを構成する。この磁気コア(
13c)の非磁性ガード部材(12c)の接する側のト
ンネル消去用主磁極(18a ) (18b )の近傍
にこのトンネル消去用主磁極(18a ) (18b 
)の近傍の補助磁極部(19a)とこのトンネル消去用
主磁極(18a ) (18b )の磁束のリターンパ
スとなるリターンパス部(19b)とを分離する@s舛
を設けるこの溝部内及び非磁性体(13b )の溝部θ
eを通してトンネル消去用主磁極(18a )(18b
 )に消去用巻線0υを施す。
斯る垂直記録用単磁極型複合磁気ヘッドを製造する場合
につき第3図以下を参照して以下に述べる。先ず第3図
Aに示すように2つの非磁性ブロック材(2つ及び(2
■を用意する。この非磁性ブロック材(2匈(23)は
緻密で、7エライトと同程度の膨張率を持ち硬い材料が
良い、例えば非磁性フェライト(Zn フェライト、フ
ォルステライト、フオトセラム、結晶化ガラス、チタン
酔バリウム、チタン酸カルシウム、Alρ8−TiC禾
のセラミックス、 ZrO。
等)が良い。この一方の非磁性ブロック材(24に後に
巻線穴(16)となる溝C!(イ)を所定の寸法の間隔
で付ける(第3図B)。次に溝入れした面を鏡面研磨す
る。
もう一方の非磁性ブロック材(29も鏡面研磨する。
次にこの2つの非磁性ブロック材をガラス融着、。
エポキシ樹脂等の有機接着剤、水ガラス等の無機接着剤
等で接着する(第3図C)。次に溝(24)の中間で溝
(財)と並行に切断して切断面を鏡面研磨する。
この時巻線穴(L6)の部分のファーの厚さくW12w
+)は巻線径を決定することになるので重要で、記録再
生感度を良くするためには巻線径は小さいほど良いから
ファーの厚さは薄いほど良い。従って機械的強度が許す
かぎり、又加工が可能なかぎり薄くすることが望ましい
。例えば100μm以下できれば関μm以下が望ましい
。特に感度を要求される記録再生用巻線側を薄くしたい
。トンネル消去側は録再側はど感度を要求されないので
、全体としての強度を保つため録再側を薄く、トンネル
消去側をそれより厚くすることも考えられる。又研磨面
と側面(第3図りで正面側)を高精度に直角にすると同
時にエツジ部分のカケを少なくして、エツジが正しく出
るようにする。例えば第3図Bで正面になっている面を
最初から鏡面研磨しておき、それに高精度で直角に溝を
入れることによってこの条件を比較的容易に実現できる
次に第3図Eに示すように鏡面研磨面に記録再生用巻線
側叫とトンネル消去用主磁極(18a ) (18b 
)を作る。作り方としてはまず両便磨面に8i02゜S
i、N4.)J、O,、ZrO,等の膜をスパッタ、蒸
着、イオンプレーテング等の方法で、0゜1〜1.0μ
m程度付ける。できるだけ緻密な膜ができる条件で付け
るのυ゛良い。この膜は付けなくても良いが、付けるこ
とによってこの上に付ける磁性薄膜の磁気特性を改善で
きる。次にまず一方の面(第3図D1第4図でWoとW
Sが等しくない場合は、小さい側、すなわちW1側の面
が望ましい)に記録再生用主磁極00)となる磁性薄膜
(パーマσイ、センダスト。
Co −Zr、 Co −Zr −Nb等の7モ/l’
7アス磁性膜等の高透磁率磁性膜)をスパッタ、蒸着、
イオンプレーテング、メッキ等の方法で0.05μ疏〜
3μm程度付ける。この厚さは必要とする分解能、録再
感度等を勘案して決められる。0.1μrrL〜0.5
μm程度が実用的である。次にこの磁性膜を所定のトラ
ック幅と間隔でストライプ状になるようにホトエツチン
グ(湿式、ドライ)する。このとき後に付けるトンネル
消去用主磁極(18a ) (18b )との位置合わ
せをするため規準にする端から所定の位置にストライプ
がくるようにする。この磁性膜の形状はストライプ状で
はなく第5図に示すように接合部以下の部分をより広い
幅にしても良い、これによって高感度にできる。更にこ
の上に保護膜としてSin、。
8 s @N 4 # M208等の硬い膜をスパッタ
、蒸着、イオンプレーテング等の方法で0.1μm〜3
μmn程度付ける。次に反対側の面にトンネル消去用の
主磁極とtxるu性薄膜(パーマロイ、センダスト、C
o−Zr。
Co−Zr−Nb等のアモルファス磁性膜等)を0.1
〜5μm程度スパッタ、蒸着、イオンプレーテング。
メッキ等の方法で付ける。厚さは消去の感度が最も良い
ところにセットされるが、多くの場合、0.5〜1μm
程度が適尚である。次にそれぞれの録再磁性膜に対応し
て所定の幅で、2本の対になったストライプ状の磁性膜
にホトエツチングする。その上ニ保護8 トL テSi
n、、 5tIIN、、A7,0.等ノ硬イ膜ヲスバツ
タ、蒸着、イオンプレーテング等の方法で0.1μm〜
3μm程度付ける。トンネル消去用磁性膜の形は第6図
のようにしてもよい。
第7図は記録再生用主磁極00)とトンネル消去用主磁
極(18a ) (18b )の相互位置関係を示す。
記録再生用主磁極00)の輻T□はトンネル消去用主磁
極(18a ) (18b )の間隔T0より広くなっ
ている。記録再生用主磁極(10)で記録された後、ト
ンネル消去用主磁極(18a ) (18b )で端が
消されるので最終的に記録されるトラック幅はトンネル
消失用主磁極(18a)及び(18b)の間隔T。に等
しくなる記録再生用主磁極α0)とトンネル消去用主磁
極(18a ) (18b )は高精度に位置合わせを
する必要がある。最初記録再生用主磁極(10)を基板
の端から高精度に位置決めしておき、次にトンネル消去
用主磁極(18a) (xsb )も端を規準にして位
置決めを行う、そのため前に述べたように規準にする側
面は直角でエツジがシャープになっている必要がある。
別の位置決め方法として、透明な基板を用い(接合しで
あるのでどちらか一方が透明であれば充分である)2回
目の磁極のパターンニングを行うとき裏側からパターン
の位置を確認して、位置決めをする方法も考えられる。
次に第3図Fに示す複合ブロックを用意する。
この複合ブロックは第8図に示す如く作る。第8図に於
いて先ず、非磁性板状ブロック0υと磁性材ブロック(
321とを用意する。この非磁性板状ブロック(3υと
しては非磁性7エ、ライト(Znフェライト)、7オル
ステライト、フオトセラム、結晶化ガラス、チタンバリ
ウム、チタン酸カリウム、Mρ、−TiC糸のセラミッ
クス等より植成し得、また磁性材ブロック(37JはM
n −Zn系、NiZn系フェライト等より構成し得る
が、非磁性板状ブロック01及び磁性材ブロック(32
1はその熱膨張率が近似することが望まれ、これがため
非磁性板状ブロックC31)及び磁性材ブロックC3鴎
は夫々非磁性及び磁性フェライトより構成することが望
ましい。この非磁性板状ブロックl31)及び磁性材ブ
ロックい2)の夫々の一血を鋭部研磨する。次に磁性材
ブロックC32)の80ni ?iJt )ja mj
 (32a )に溝03)を所要間FIG’!で形成す
る。この状態で磁性材ブロック(34の鏡面研磨面(3
2a)に非磁性板状ブロック(3])の鏡面研磨面(3
1a)を対向させて接合する。
この接合はガラス融着或いはエポキシ接着剤、若しくは
無機系接着剤或いは水ガラス等の接着剤(34Jによっ
て行い得るが、ガラス融着が望ましく後の工程で再びガ
ラス融着することがあるので2度目の融着て溶融しない
程度に旨温のガラスを用いる。
次に、m m rrl Hg 171 tg rrl 
g・・・・・・に示す面に沿って非磁性板状ブロック6
1)と磁性材ブロックC3々の接合体G9を所要の厚さ
に非磁性板状ブロック01)及び磁性材ブロック02)
を横切るように切断して一方の複合ブロック(36)を
切出す。この複合ブロックを第3図Eの両側からガラス
融着、エポキシ樹脂等の有機接′着剤、水ガラス等の無
機接着剤で接着する(第3図G)。その後裔ヘッドに切
断して摺動面を研磨し、巻線して第1図の如くする。
上述の垂直記録用単磁極型複合磁気ヘッドを例えばフレ
キシブルディスク装置の記録再生ヘッドとして使用し、
磁気記録媒体圓に記録するときは記録再生用主磁極00
)の記録再生用巻線(17)に記録信号を供給してこの
記録再生用主磁極(10)により垂直磁気記録が行われ
ると共にトンネル消去用主磁極(18a ) Dsb 
)の消去用巻線(2υに消去電流(直流)が供給され、
この記録トラックの両側が消去される。従って磁気記録
媒体(1υの取付は時の多少のずれ、温度、湿度の変化
による伸縮等がありトラックのずれが生じても再書き逐
時に前データの消し残り等が生じることがなく、再生時
に正確なデータを得ることができる。
ところで先に提案されている垂直記録用単磁極型複合磁
気ヘッドに於いてはトンネル消去用主磁極(18a )
 (18b )を励磁する消去用巻線Cυは第9図及び
第10図に示す如く一対のトンネル消去用主磁極(18
a ) (18b )を一括して巻回する構造としてい
る。この様に消去用巻線(2I)を巻回するには簡単で
あるが、このトンネル消失用主磁極(18a ) (1
8b )よりの磁束は磁気記録媒体Ql)のハイミュ一
層(llb)→リタンバス部(19b)を通ることとな
り、洩れ磁束が多く消去効率が悪くなると共に記録再生
用主磁極(10)よりの記録信号に悲影響を与える等の
種々の不都合があった。
発明の目的 本発明は斯る点に鑑みトンネル消去用主磁極(18a 
) (18b )よりの洩れ磁束をなくす様にし、消去
効率を同上する様にすると共に良好な記録信号の記録が
なし得る様にすることを目的とする。
発明の概要 本発明は軟磁性材料薄膜よりなり一端において磁気記録
媒体に対向する所定幅の記録再生用主磁極と、この記録
再生用主磁極より所定の距駿はなれてこの記録再生用主
磁極の記録幅の両端部を消去する様に配された一対の消
去用主磁極と、この一対の消去用主磁極を互いに反ス」
向きに励磁する手段とよりなるもので、斯る本発明に依
ればトンネル消矢用主TjB極よりの洩れ磁束を少なく
することができ、消去効率を向上できると共にこの洩れ
磁束による影響のない記録信号の記録をなし得る。
実施例 以下第11図及び第12図を参照しながら本発明垂直記
録用単磁極型複合磁気ヘッドの一実施例につき説明しよ
う。
本例に於いては第1図に示す如き垂直記録用単磁極型複
合磁気ヘッドに於いてトンネル消去用主磁極(tSa)
及・び>018b)に夫々磁化方向が互いに逆となる如
く励磁用の巻線(21a)及び(21b)を施す。
その他は第1図と同様に構成する。
この場合一対のトンネル消失用主磁極(ISa)及び(
18b)より発生する磁束は互いに逆向きであるので、
第12図に示す如く例えば一方のトンネル消去用主磁極
(18b)よりの磁束は磁気記録媒体aυのハイミュ一
層(llb)を通り他方のトンネル消失用主磁極(18
a)に入ることとなるので、洩れ磁束が少なくなり、効
率の良い消磁ができると共に記録再生用主磁極(10)
への洩れ磁束の影響が少なくなり良好な記録信号の記録
がなし得る。又この場合トンネル消去用主磁極(18a
)及び(18b)に於ける洩゛れ磁束の方向は記録再生
用主磁極(10)の記録トラックの幅方向となり、記録
再生用主磁極00)の磁束の方向とは直交することとな
り、この洩れ磁束の1シ背を更に軽減できる。又更に一
方のトンネル消去用主磁極(18b)よりの磁束が他方
のトンネル消去用主磁極(18a)に入ることとなるの
でこの消去磁束のリターンパスは不要となる。又トンネ
ル消去用主磁極(18a ) (18b )よりの洩れ
磁束の記録再生用主磁極(10)への影響がなくなるの
で之等(io) (18a )(18b)をより接近さ
せることができ、之等(IQ)(18a )(isb)
の磁気記録媒体0υに対する当りを良くすることができ
る。
次に本例による垂直記録用単磁極型複合磁気ヘッドの製
造例につき第13図、第14図及び第15図を参照して
説明する。この第13図に於いては第3図に於けるトン
ネル消去用主磁極(18a ) (18b )を付ける
側の面にちよどトンネル消去用生母1(18a)及び(
18b)の間に相当する部分に溝(40)を入れ(第1
3図A)、ここにガラス(41)を充填して研磨し、巻
線を通すための穴(42)を作る(第13図B)。次に
記録再生用主磁極及びトンネル消去用主磁極用磁性膜(
パーマロイ、センダスト、磁性アモルファス等)をそれ
ぞれ厚さ0.1〜3μm、0.1〜5μm程度スパッタ
、蒸着、イオンプレーテングメッキ等の方法で付け、そ
れを夫々所定の形Gこホトエツチングを行う(第13図
C)、更に保、+ll1iとして両面に8 tO,、h
4C% * Zr0ss S ’SN4等の金属酸化膜
、金属窒化膜等を0.5μm〜3μrn程度ス、<ツタ
、蒸着。
イオンプレーテング等で付ける。
次に両サイドに付けるトンネル消去側の複合ブロックは
第14図人に示す如く第3図Fと同様であるが巻線を通
す穴(43が必要で、第14図Bに示すように溝を入れ
ガラスを充填して研磨して形成する。
トンネル消去側には第14図Bに示す複合ブロックを、
記録再生用主磁極側は穴をあけていない第3Fに示す如
き複合ブロックを接合する(第15図参照)。その後フ
ェライト補助コアーから出てしする磁極の長さが所定の
長さになるまで媒体摺動面を円筒研磨を行い各々のヘッ
ドに切断して巻線を行うトンネル消去用巻線は第11図
、第12図に示すように2つの主磁極(18a ) (
18b )が互いに逆方向に励磁されるように巻く、例
えば8の字のように巻いても良いし、又別々に巻いて最
後に互いに逆方向に励磁される向きに結称しても良い。
その場合並列につなぐこともできるが直列につないだ方
が全く同じ電流が流れるのでバランスがとりやすくよい
このようにしてトンネル消去用生母4i! (18a 
)(18b)の巻線を逆励磁にした垂直記録用単磁極型
繊合磁気ヘノドができる。
記録トラック幅の狭いヘッドでは巻線を通すスペースを
充分に確保できないので、狭トラツクの場合このような
作り方で作っても巻線をすることが困難になる。又この
場合トンネル消実用主磁極(18a ) (18b )
はリターンバスは不必要である。そこで第16図に示す
如き狭トラツクでも可能でありリターンパス部も無い構
造で、更に記録再生用主磁極00)とトンネル消去用主
磁極(18a ) (18b )とを近ずけることがで
きる構造が考えられる。この第16図の凧直記録用単磁
極型拶台磁気ヘッドの製法につき第17図及び第18図
を参照して説明するにまずトンネル消去磁極側の製仔ヨ
とし二ついて述べる。適当な厚さのフェライトブロック
(451と非磁性体ブロック(46)を用意し研磨面を
ガラス融着等で接着する。
第18図人に示すようにV型のi (47)をフェライ
トブロック(451側に入れる。この場合、この溝(4
7)は完全に7エライトが切断される深さまで入れる。
フェライトが切れている幅はトンネル消去用主磁極(1
8a)及び(18b)の間隔に等しい。このピッチはヘ
ッドを多数個差べて同時に作るがそのときのピッチにな
る。この溝(47)にガラス(48)を充填する。この
ガラスは入れなくても良いが、入れた方が機械的強度の
点で良い。次にM (471とは直交する方向に所定の
幅と角度で切断する(第17図人)。次に第17図Bに
示すように切断面と直角にまず非磁性体側を切断し、フ
エラ・イト部分も切断して研磨する。
次に第17図Cに示すようにガラスを充填した部分に巻
線穴としてV型の浅い溝(I19)を入れる、@極を付
ける面を鏡面研磨しトンネル消去磁極膜(パーマロイ、
センダスト、磁性アモルファス)を0.5〜5μmmg
スパッタ、蒸着、イオンプレーテング。
メッキ等で付ける。次に所定の形にホトエツチングする
(第17図D)。更に上に保護膜としてS i02 、
 kQ 203 。
ZrO2、S i 3N’2等の金属酸化物、窒化物の
膜をスパッタ。
蒸着、イオンプレーテング等で0.5〜3μm程度付け
る。
次に第17図Eに示すようにして巻θ部コアーを作る。
ます、適当な厚さのフェライトブロック(501と非磁
性材ブロック6υとを用意し接着し、この非磁性材6υ
、フェライト60)の夫々に巻線溝(52a)(52b
)を入れ第17図りのブロックと同じ錦に切断して第1
7図Fに示すように先に作ったブロックと両面研磨した
非磁性薄膜叛63)とともに接着する。この非磁性板(
53Jの厚さは記録再生用主磁極uO)とトンネル消去
用主磁極(18a)(18b)の間隔になる。次に第1
7図Gに示すように巻線のための溝5勺をつける。
次に録再ブロックは第18図人に示すようにフェライト
ブロック印と非磁性ブロック(56)とより成る接合ブ
ロックを記録再生用主磁極(101を付ける部分を除い
て溝(571を入れガラス(5alを充填して研磨する
。次に主磁極膜(パーマロイ、センダスト、磁性アモル
ファス) 0.1pm〜3μ戯程度スパッタ、蒸着、イ
オンプレーテング、メッキ等で付け、ホトエツチングで
所定の形にする(第18図B参照)。次に保護膜として
Sin、 、I’Jρ、 、 ZrO,、St、0.等
をスパッタ、蒸港。
イオンプレーテング等で0.5〜3μm程度付ける。次
に第17図Gで作ったブロックと磁極の位置合わせを行
って接着しく第19図)、媒体との摺動面を円筒研磨し
た後裔々のヘッドに切断し、巻線すると出来上がる。
この第16図例に於いても上述実施例同様の作用効果が
得られることは容易に理解でさよう。又第16図例に於
いてはトラック幅が狭くてもトンネル消去用巻線穴を大
きくとることができる。トンネル消去用コアーが小さい
のでそれだけ洩れ磁束の飢も少い。更に消去用巻線(2
J3と記録再生用巻線(L力とを直交するようにnEf
!することによってこの2つのコイルの結合を少くした
。又リターンパスは不要なので付かない構造にした。録
再磁画叫も巻線径を小さくするため巻線部分をくびれさ
せた。
更に第四図を参照して他の実施例につき説明する。第四
図は記録再生側を補助磁極励磁型としたのである。第四
図に於いてはトンネル消去側を第17図で示すと同様の
方法で作り記録再生用主磁極(10)は研磨した非磁性
板上に第18図Bと同様にストライブ状に磁性薄膜を形
成し、保護膜を付けてトンネル消去ブロックと接着する
方法で作ることができる。補助磁極(60)はフェライ
ト棒(60a)に巻線(t7)をすることによって作る
ことができる。トンネル消去用主磁極(18a ) (
18b )の先端の延長線上Gこ補助磁極(60)がこ
ないように補助磁極(60)の位置ぎめをする必要があ
る。トンネル消去用主磁極(18a)(18b)の先端
に向い合って録再補助磁極がくると記録電流によってト
ンネル消去用主磁極(18a ) (18b )が励磁
されてトンネル消去として動作しなくなることがある。
この第四図に於いても上述実施例と同様の作用効果が得
られることは容易に理解できよう。
尚本発明は上述実施例に限らず本発明の要旨を逸脱する
ことなくその他種々の構成が取り得ることは勿論である
発明の効果 本発明に依ればトンネル消去用主磁極(18a ) (
18b)よりの洩れ磁束を少なくすることができ、消去
効率を向上できると共にこの洩れ磁束の影響のない良好
な信号の記録をなし得る利益がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は垂直記録用単磁極型複合磁気ヘッドの例を示す
断面図、第2図は第1図の上面図、第3図は第1図の垂
直記録用単磁極型複合磁気ヘッドの製法の例を示す線図
、第4図、第5図、第6図、第7図及び第8図は夫々第
3図の説明に供する線図、第9図及び第10図は第1図
の説明に供する線図、第11図及び第12図は夫々本発
明垂直記録用単磁極型複合磁気ヘッドの一実施例の説明
に供する線図、第13図、第14図及び第15図は夫夫
本発明垂直記録用単磁極型複合磁気ヘッドの製法の例を
示す線図、第16図及び第20図は夫々本発明の他の実
施例を示す剰視図、第17図、第18図及び第19図は
夫々第16図の垂直記録用単磁極型複合磁気ヘッドの製
法の例を示す線図である。 1101は記録再生用主磁極、aηは記録再生用巻線、
(isa)及び(18b)は夫々トンネル消去用主磁極
、(2I)は消去用巻線である。 3Z27  、、>1 第4図      第5図 4 第6図      第7図 第8図 t 1n4  3” Δ」□□( ト「薯 口、− 第9図      第10図 。 第18図 第11図    第12図 第15図 575θ 第2[)1 107−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 軟磁性材料薄膜よりなり一端において磁気記録媒体に対
    向する所定幅の記録再生用土IJA極と、該記録再生用
    磁極より所定の距離はなれて、上記記録再生用主磁極の
    記録幅の両端部を消去する様に配された一対の消去用主
    磁極と、該一対の消去用主磁極を互いに反対向きに励磁
    する手段とよりなることを特徴とする垂直記録用単磁極
    型羨合磁気ヘノド。
JP5215383A 1983-03-28 1983-03-28 垂直記録用単磁極型複合磁気ヘツド Pending JPS59177718A (ja)

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