JPS60111309A - 垂直記録用単磁極型磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、磁気記録媒体の厚さ方向即ち垂直方向の磁束
変化により磁気記録再生するための垂直記録用単磁極型
磁気・＼ノドに関するものである。

背景技術とその問題点 従来、晶密度記録即ち短波長記録を目指し、磁気記録媒
体の厚さ方向即ち垂直方向の磁束変化により磁気記録再
生する垂直記録用単磁極型磁気ヘッドとして第１図にボ
ずものが提案されている。

この第１図において、＋１１は軟質磁性材料薄膜によっ
て形成きれた主磁極を不し、この主磁極（１）は主磁極
＋１１周囲に巻装されたコイル（２）の励磁電流の変化
により磁気記録媒体の垂直記録ｒｆｊ４（図示せず）に
対し垂直方向の磁束を通し、磁気記録媒体に対接する例
の一端（ｌａ）から図面上方に向かう垂直方向磁束が磁
気記録媒体に向かい磁気記録が行われることになる。ま
た、再生モードにあっては磁気記録媒体の残留磁気によ
り主磁極（１ａ）から主磁極他端に向かう磁束が得られ
、この磁束の変化によりコイ刀べ２）に所定の電流が流
れ磁気記録されていた情報が電気信号として取り出され
る。このような電磁変換により垂直磁気記録再生がなさ
れる。

また、（３ａ）及び（３ｂ）は主磁極（１１の磁気記録
媒体対接側の一端（１ａ）近傍を所定幅保護する一対の
非磁性ガード材を示し、この非磁性ガード材（３ａ）及
び（３ｂ）で主磁極（１１の一端が挟持されると共に磁
気記録媒体対接面Ｓが形成されている。

また、（４）及び（５）はそれぞれ磁性フェライト等の
磁性材により形成された磁性材部を示し、この磁性材部
（４）及び（５）には、主磁極＋１１に磁気的に接合さ
れコイル（２）が巻装される補助磁極部（４ａ）及び（
５ａ）、主磁極（１）の磁束のリターンパスとなるリタ
ーンパス部（４ｂ）及び（５ｂ）　、補助磁極部（４ａ
）とリターンパス部（４ｂ）とを分割すると共にコイル
（２）の巻装に供する溝部（４ｃ）　、補助磁極部（５
ａ）とリターンパス部（５ｂ）とを分割すると共にコイ
ル（２）の巻装に供するための溝部よりなっζいる。−
また、非磁性ガード材（３ａ）と磁性材部（４）との接
合界面をＩ）Ｉ、非磁性ガード材（３ｂ）と磁性材部（
５）との接合界面をｂ２としたとき、これら接合界面ｂ
１とｂ２は、それぞれ補助磁極部（４ａ）及び（５ａ）
め尖端部を通り仮想的に形成される主磁極ｆｉｌと直交
する平面Ｓ１より、主磁極（１）から離れるにしたがっ
て第１図の下側に後退するように形成されている。これ
により、非磁性ガード材（３ａ）及び（３ｂ）を、非磁
性ガード材（３ａ）　（３ｈ）及び補助磁極部（４ａ）
　（５ａ）の強度上支障がないようにして薄くでき周囲
にコイルが巻装されない主磁極（１１先端の長さＬｍを
短くできた。そのため垂直方向の磁束密度を高めること
ができるのでががる構成により消費電力が少なくζ済め
記録再生効率を高めることができた。

このように構成された従来の垂直記録用単磁極型磁気ヘ
ッドによれば、磁気記録媒体の厚さ方向即ち垂直方向の
磁束の変化により垂直記録層に磁気記録再生できること
になるので、磁気記録媒体に長手方向記録より高密度に
記録することができた。

次に、第２図を参照してこの垂直記録用単磁極型磁気ヘ
ッドを用いて自己録再したときの再生波長の特性につき
検討する。（６）は主磁極（１１の膜厚Ｔｍ＝　０．４
ｐｍ　（第３図参照）、トラック幅５０μｍ、磁気記録
媒体と磁気ヘッドとの相対速度３１Ｉｌ／ｓｅｃ、コイ
ルの巻線数３０ターンとして、再生時の記録波長と再生
電圧との関係をボずグラフであり、このグラフ（６）か
ら主磁極（１１の膜ＪｇＴｍの約１．３倍の記録波長０
．５μｍで再生した場合に零点が生ずることがわかる。

この窪みは、主磁極（１１の股厚Ｔｌ１１が有限厚さで
あるため生ずる損失でリング型磁気ヘッドのギャップ損
失と同類のものである。それゆえ、より短波長にて再生
するために、まず主磁極厚さＴｍを薄くする方法が考え
られたが、単にＴｍを薄くすると磁気抵抗が大きくなり
記録感度及び再生感度がｔＵｔ　くなる問題を生じた。

そのため、記録再生感度を向上させるのに主磁極先端長
Ｌｍをさらに短くすることも考えられたが、主磁極先端
長Ｌｍを短くすると今度は、補助磁極部（４ａ）　、（
５ａ）があルタメ、この補助磁極部（４ａ）　（５ａ）
のエツジ部分０の磁界による悪影響が生じた。この問題
は、主磁極＋１１の先端長Ｌｍを短くしたらそれと同じ
比率で補助磁極部（４ａ）　、、（５ａ）の先端幅Ｌｆ
を短くすることにより解決された。これはこのエツジ部
分の磁界による悪影響はそれぞれの長さの絶対値でなく
、Ｌｍ／　Ｌｆ、即ち、両者の相対比で影響の程度が決
まることによった。しかし、害際に垂直記録用単磁極型
研気ヘッドの＋Ｍ造をするに際し、主磁極（１１先端長
Ｌｍを短くするには限界があった。これは、例えば非磁
性ガード材の巻線用溝の部分の厚さをほぼ主磁極先端に
１．ｍに等しクシ′ζおく必要性があり、機械的強度の
点から限界があるためだった。ところで、磁性フェライ
トの飽和磁束密度Ｂｓは５０００ガウス程度であり、一
方、例えば主磁極＋１１を形成するＣＯ７Ｚｒアモルフ
ァス股の飽和磁束密度Ｂｓは１５０００ガウス程度であ
るから、かかる主磁極＋１１の１７３程度である。その
ため、補助磁極部（１１の先端幅Ｌｆを小ざくしていく
と主磁極（１）力＜ａＶｔい場合、記録再生感度が悪い
ため、フェライト補助コアからの励磁界だけでは主磁極
（１）を充分に励磁できなくなってくる。そのため、第
４図に示すように主磁極＋１１を先端から少し後退した
位置以後の部分を厚くすることが提案されζいる。かか
る構成では、主磁極（１）を充分に励磁できるようにな
った。ここで（１ａ）は絶縁材料よりなる枕材である。

またこのような主磁極（１１の先端から少し後退した位
置以後の部分を厚くしたとき、主磁極ｔ１）の磁気抵抗
が小さくなり、再生感度が向」−する効果も出る。とこ
ろで、一般に磁性膜ば飽和磁束密度Ｒｓが商い材料は透
磁率μが小さく、また逆に透磁率μの大きい材料は飽和
磁束密度Ｂｓが小さくなる像間がある。」：磁極＋１１
先端部分は充分に記録磁界を出す必要性から飽和磁束密
度Ｂｓの大きい材料が好ましい。また一方、主磁極＋１
１のうち厚くする部分は主磁極１１）先端の１０倍以上
厚くすることも可能であるから、主磁極（１）先端部に
は材料の飽和磁束密度Ｂｓの大きいことば重要ではなく
、むしろ後述するように透磁率が大きいことが望ましい
。第５図は主磁極（１）中の磁束密度を計算した例であ
り、主磁極（１）の先端部に５０００ガウスの磁束密度
を出した場合の主磁極（１）各部の磁束密度である。記
録に必要な磁界は、磁気記録媒体の保磁力をＨｃ、自発
磁化をＭｓとしたとき略１１ｃ＋４πＭｓと考えられ、
少くとも５０００〜６００００ｅ必要である。太くなっ
ζいる部分の磁束密度は小さくなっている。この第５図
において、グラフ（７）、（８）、（９）及びＱＯＩば
それぞれ主磁極（１１先端５μｍまでの部分の厚さを０
．３μｍとし、それより後方のｆｌｕ分のＩＩＬざを順
番に０．３，１１１１１．１μｍｓ２＋ｕｍ及び４μｍ
としたものである。この第５図かられかるように主磁１
（１１の厚さが一定で０．３μｍの場合にはコイルの部
分に近い稈主磁極（１１中の磁束密度が＋Ｉｌ＋　＜　
、最大で約２００　（ｌ　Ｏガウスになっている。この
計算では線形で計算しているので磁気飽和は生じていな
いが、実際には現在得られている１０１透磁率１模の飽
和磁束は大きくて１５０００ガウス程度であるので、完
全に飽和することになる。また一方、主磁極＋１１の後
部を厚くすると１μｍにするだけで最大５７００ガウス
程度に１・る。この場合、最も磁束密度の大きい場所は
主磁極（１）が太くなる寸前の部分である。そして、記
録用の磁束を増していくとまず先にこの部分がら飽和が
始まり、記録時に主磁極（１）の磁気飽和が生じにくく
する点では少なくとも１μｍにすれば充分である。更に
厚くすると、記録感度は向上する。

また、第６図は透磁率と再生効率との関係をボしたもの
である。横軸に主磁極（１）の透磁率、縦軸に主磁極先
端から流入する磁束の′うちコイルにす／りする割合と
しての再生効率をとったものである。グラフ（１１）、
（１２）、（１３）及び（１４）は、それぞれ主磁極（
１１のうち先端５μｍだけを０．３μｍの厚さで統一す
ると共に、それより磁気記録媒体から離れる側のｊνさ
をそれぞれ順番に０．３．＋１ｍ、１μｍ、４μｍ及び
１０μｍと変えたものである。

これらの比較により透磁率が再生効率につい°Ｃの大き
な要素になっていることがわかった。参考までに、飽和
磁束密度ＵＳの大きいＧｏ　−Ｚｒアモルファス）模ば
Ｂｓ＝　１４０００〜１５０００ガウス、透磁率μ−１
０００〜１５００であり、商透磁率のＣｏ　（ＮｂＺｒ
）アモルファス膜はＢｓ＝　１００００〜１２０００ガ
ウス、μ−３０００〜５０００であることが知られてい
る。

また、主磁極の厚さを倍にすることと、主磁極の透磁率
を倍にすることとは磁気回路的には全く同じであるため
何れの方法でも再生効率を改善できる。ただ、スパッタ
リング、蒸着等の薄膜形成技術で厚い膜を作るには限界
があるので単に主磁極の厚さを厚くする構成とするのは
問題があった。

発明の目的 本発明垂直記録用単磁極型磁気ヘッドは、以上の背景技
術をふまえ磁気記録時には充分強い記録磁界を発生でき
記録効率を向−１ニさせると共に磁気再生時には再生効
率を向上させた垂直記録用単磁極型磁気ヘッドを提供せ
んとするものである。

発明の概要 本発明垂直記録用単磁極型磁気ヘッドは、第１及び第２
の主磁極を有し、第１の主磁極の一端を磁気記録媒体に
対接させ、第２の主磁極に比し第１の主磁極の飽和磁束
密度を大きくすると共に、第２の主磁極を磁気記録媒体
から所定距離後退し　、た位置まで延在させ、第２の主
磁極を第１の主磁極に隣接して配し、第２の」＝磁極の
透磁率を第１の主磁極に比し大きくし、第１及び第２の
主磁極の周囲にコイルが施されたもので、磁気記録時に
は充分強い記録磁界を発生でき記録効率を向上させると
共に磁気再生時には再生効率を向上させたものである。

実施例 以−ト第７図を参照して本発明垂直記録用単磁極型磁気
−＼ソトの一丈施例について説明しよう。この第７図に
おいて、第１図、第３図及び第４図に対応する部分には
同一符号をイ」シ、それらのＢ’Ｐ細な説明は省略する
。

（ｌｂ）は飽和磁束密度ＵＳ及び透磁率μが高く特に飽
和磁束密度Ｂｓが高い軟佑性薄膜、例えばＣｏ　−Ｚｒ
、　Ｇｏ−訂アモルファス股（Ｂｓ＝　１２０００Ｇ、
　ｐ　〜３０００〜５（１００（ＩＭＩＩｚ）　）によ
り厚さ０．１〜２μｍ形成された第１の主磁極を示し、
この第１の主磁極（１ｂ）の１端（ｌｃ）は磁気記録媒
体に対接させるように磁気記録媒体対接面Ｓに臨むよう
にする。

（１ｄ）は磁気記録媒体から所定回１ｉ！ＩＩ後退した
位置まで第１の主磁極に隣接させて延在させた第２の主
磁極を示し、この第２の主磁極（１ｄ）は飽和磁束密度
Ｉｔｓ及び透磁率μが高く、特に透磁率μの紬さをより
重要視した材料を用い、例えば無磁歪材Ｃ’ｏ　−Ｎｂ
　−７，ｒアモルファス映（Ｂｓ＝　１２０００Ｇ、μ
−３０００〜５０００　（ＩＭＩＩｚ）　）を用いる。

厚さは１〜１０μｍ程度が適当である。また、これら第
１及び第２の主磁極（１ｂ）及び（１ｄ）は磁界１１コ
スバツタまたは磁界中アニールにより磁気記録時のトラ
ック幅方向に磁気異方性をつけて、バルクハウゼンノイ
ズの発生を防ぐとともに１Ｂ１周波−にお番Ｊる透磁率
の向上を図るようにする。

ここで第７図Ｂに示す第１の主磁極（１ｂ）の先端部分
の長さとしてのＬａは記録再生感度の点からは１〜２μ
ｍ程度で矩い方が良いが、使用時の摩れ、製作の容易さ
を考え５〜１０μｍ程度の長さとする。また、第２の主
磁極につき補助磁極部（４ａ）（５ａ）に挾持される分
から突出した部分を設け、その長さをＬｂとする。そし
て、Ｌａ＋ｌ、ｂの長さが非磁性ガード材（３ａ）　（
３ｂ）の溝部近傍の厚さにほぼ等しいので、強度の点及
びフェライトコアのエツジから出る磁界の悪影響の発生
を考慮すると、Ｌａ十Ｌｂがあまり小さくならない方が
良く、１、ｂ−１０〜３０μｍ程度が望ましい。なお、
他の部分は従来の垂直記録用単磁極型磁気ヘッドと同様
に構成するものとする。

次に、第８図〜第１７図を参照して、この実施例の製造
工程について説明しよう。

ま１゛、第８図に不ずように熱膨張率が磁性フェライト
に近く緻密な非磁性ブロック（１５）を示し、この非磁
性ブロック（１５）は例えば非磁性フェライト、Ｚｎフ
ェライト、フォルステライト、フォトセラム、結晶化ガ
ラス、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、八１２
０３−ＴｉＣ系のセラミックス、ＺｒＯ２糸のセラミッ
クス等により形成する。また、（１６）は例えば磁性フ
ェライトよりなる磁性ブロックをボし、この磁性ブロッ
ク（１６）はＭｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェラ
イト等により形成し、コイル巻線用の溝となる溝（１６
ａ　）を所定間隔で形′　成し、ごのｌｌ５（１６ａ）
を形成した面を鏡面研磨する。次に、第９図の如く非磁
性ブロック（１５）と磁性ブロック（１６）とを例えば
ガラス融着により接合し、所定間隔の切断向ｍにより切
断する。ここで、エポキシ樹脂等の有機接着剤または水
ガラス等の無機接着剤を用いて接合することもできる。

次に切断向を鏡面研磨して基礎ブロック（１７）を得る
。次に、第１の主磁極（１ｂ）となる軟磁牲薄＋１Ｑ（
１Ｂ）をスパツタリング、蒸着、イオンブレーティング
、メッキ等で付４ノ、ホｌ−ｓ：ソチングにょっ”（所
定のトラック幅になるように形成する。その上に、図示
せずも保護１挨として５１０２　＋　ＳＩ３Ｎ４　＋旧
２０３　、　ＺｒＯ２等を厚さ０．３〜３　メｔ　ｍ程
度付りる。

ここで、第１０主磁檎（１ｂ）を付ける前に基礎ブｏ　
７り　（１７）　ｌ：に保４８　Ｆａとし７５１０２　
＋　ＳＩ３Ｎ４　＋Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２等を０．１〜
１１１　ｍ程度付けると、第１の主磁極（１ｂ）の磁気
特性を改善できる。これは、保護膜によりフェライトか
らの不純物の浸透を防ぐ効果があるためである。また、
第１の主磁極がアモルファス股の場合にはこの候もアモ
ルファス股にすると磁性薄膜の磁気特性を改善できる。

次に、まず第１０図で作った基礎ブロック（１７）にま
ず枕材（１Ｇ）となる膜（１９）とじ７Ｓｉ０２゜５ｔ
ａＮ４＋　／１．１２０３　＋　ＺｒＯ２等の何れかを
付け（第１２図）、第２の主磁極（１ｄ）を付ける部分
をエツチングによって取り除く　（第１３図）。ここで
、枕材（１ｃ）となる膜を付けるとき、リットオフ法で
一度に第１３図のような形状とすることもできる。この
枕材ば、第１４図に示すように第２の主磁極１１Ｑ（ｔ
ｄ）の付く側の面（１！ｌａ）が直角でなく傾斜してい
る方が磁束を通ず−Ｆで望ましいので、角度の調節が容
易なエツチングにより所定範囲を取り除くよ・うにする
方が望ましい。これは、このようにすることによって主
磁極（１ｄ）の最終形状の先端を先細にでき、第１の主
磁極（１ｂ）に磁束を集中させられるためである。また
、逆に直角に近くなっていると第２の主磁極（１ｄ）を
付けるとき直角になっている面にはイ」きにくいため、
記録再生に重要な先端部分の形状が良好にできないこと
、膜の形成が悪いと磁気特性が悪いことなどの問題が生
ずるためである。枕材の厚さは、第２の主磁極（１ｄ）
の厚さに等しいかまたはそれより少し厚く形成する。

この厚さは次の工程で付ける主磁極（１ｄ）をリフトオ
フ法で付けるときには等しくすることが必要で、研磨す
る場合には少し厚くする゛ことが望ましい。第２の主磁
極（１ｄ）の幅を決めるエツチングの幅は、第１の主磁
極（１ｂ）と同じか少し広めとする。この場合、広くし
た方が位置合せが容易になり好都合である。次に、第２
の主磁極（１ｄ）となる軟磁性！映（２０）を所定厚付
ける。これは、リフトオフ法で第１５図のように形成す
るか、あるいはこの第２の主磁極（１ｄ）を設ける面前
面に軟磁性薄＋１Ｑ　（２０）を付けた」−でその表面
を研磨して前面を平坦化し、第１５図同様に枕材（１９
）の凹の部分に軟磁性薄＋１Ｑ　（２０）が残るように
しても良い。

更に、その」―にし１示せずも保護膜として、５１０２
１Ｓ１３Ｎ４　＋へ１２０３１　ＺｒＯ２等を０．３〜
３ｐｍ程度付けるようにする。ここで、軟磁性１１７１
１Ｚ　（２０）にアモルファス膜を用いる場合には熱処
理する必要があり、軟磁性ｗｊ映（１８〉と（２０）と
の材質が異なるので最適の熱処理の条件が異なる場合は
別々にそれぞれの最適の条件で熱処理するようにする。

次に、軟磁性薄膜（１８）及び（２０）の位置を合わせ
°ζ第１６図のように接合し、所定の主磁極の長さにな
るまで摺動面Ｓを形成するように破線ｎで示すように円
筒１ｉＩ）磨した後、各々の垂直記録用単磁極型磁気ヘ
ッドのブに＋　７りに切断面ｍ１にて切断しく第１７図
）、コイル（２）を施すごとによってこの例の垂直記録
用単磁極型磁気へ・７ドを得る。

このように構成された垂直記録用単磁極型磁気ヘッドは
、第１の二「磁極先端は特に飽和磁束密度の１０１い材
料で形成されているのでコイル（２）を流れる電流の変
化に対応して強いδｅ録磁界力（パ出され、保磁力１１
ｃの大きい磁気記録媒体の垂直記録層に高密度に記録さ
れる。また、特に透磁率の高い第２の主磁極（１ｄ）が
第１の主磁極（１ｂ）に隣接して配されたので記録時の
磁気飽和が防げると共に再生時の再４：ｌ：感度がより
向上する。ちなみに、第１９図は第１の主磁極（１ｂ）
の透磁率と再生効率との関係を示すグラフである。槌軸
に第１の主磁極（１ｂ）の透磁率を対数目盛にてとり、
縦軸に再生’Ａノ率をとっである。グラフ（２１）　、
（２２）及び（２３）は何れも主磁極後部を厚くした構
造の垂直記録用単磁極型磁気ヘッドで第１のニド磁極（
Ｉｂ）の先端部Ｌｎ＋を５μｍ、第１主磁極の厚さＴｍ
を０．３μｍ、第２の主磁極（１ｄ）の厚さを４μｍと
したものである。このうちグラフ（２１）は第１及び第
２の主ａり極を間−材料にて一体に形成したものである
。また、グラフ（２２）は第２の主磁極（１ｄ）の透磁
率μｍ１０００　（一定）とし対接面Ｓに出ている第１
の主磁極の透磁率を変化さ・ｌたもの、グラフ（２３）
は第２の主磁極（Ｉｄ）の透磁率ｐ　＝３０００　（一
定）とし対接面Ｓに出ている第１の主磁極（１）の透磁
率を変化させたものそれぞれの再生効率のようすを示す
グラフである。この第１９図から明らかなように後部磁
極に透磁率の大きい材料を用いれば、主磁極先端の透磁
率は数１００以上あれば＋１％い釘生効率かえられるこ
とがわかる。即ら、垂直記録用単磁極型磁気ヘッドの：
１：、磁極先端部の材料は磁気記録時の主磁極の磁気飽
和の起こりにくさを考慮に入れて透磁率は多少小さくζ
も飽和（ｄ東南度Ｂｓの特に大きい材料を用いると共に
やや磁気記録媒体から後退した部分の磁極は多少飽和磁
束密度が小さくとも透磁率が特に大きい材料を用いるの
が良いことが確認された。後退した部分は、第１及び第
２の主（磁極（１ｈ）及び（１ｄ）が隣接しているので
垂直記録用単磁極型磁気ヘッドの主磁極の厚さとしては
飽和磁束密度Ｒｓの小さいことによる悪影響の心配はな
く、透磁率に重点を置いた相ｉＩ！！１選択が適切であ
ることも確認された。

以上述べたように本実施例によれば、コイル（２）を流
れる電流の変化に対応して強い記録磁界を出せるので、
保磁力ｔｉｃの大きい磁気記録媒体に高密度に記録でき
る利益がある。また、透磁率の１＠１い第２の主磁極を
磁気記録媒体から所定距離後退したｉ）’ｊＷｉまで第
１の］−２磁極に隣接して配したので、杓生時に磁気記
録媒体より磁束をよくひろい再生効率を１０１＜できる
利益がある。従って、単一の材料では不可能だった主磁
極が匹飽和磁束密度かつ直通磁率であるｉ＋４個能の垂
直記録用単磁極型磁気ヘットを得ることができる利益が
ある。また、第１の主磁極（１ｂ）と第２の主磁極（ｌ
ｄ）とを別々に熱処理する必要のないときは、第１９図
に示すように第１の主磁極（１ｂ）の上に第２の主磁極
（１ｄ）をリフトオフ法等の方法で付ける工程とするこ
ともできる。この工程とするときには史にリフトオフ法
等で枕材を付けて平坦化し、保護膜を付けて熱処理を行
うようにする。

なお、本発明は、上述実施例に限らず本発明の要旨を逸
脱することなくその他種々の構成が取り得ることは勿論
である。

発明の効果 本発明垂直記録用単磁極型磁気ベッドは、第１及び第２
の主磁極を有し、第１の主磁極の一端を磁気記録媒体に
対接させ、第２の主磁極に比し第１の主磁極の飽和磁束
密度を大きくすると共に第２の主磁極を磁気記録媒体か
ら所定距離後退した位置まで延在させ、この第２の主磁
極を第１の］上磁極に隣接して配したので、磁気記録時
には充分強い記録磁界を発住できると共に磁気再生時に
は再生効率を向上させることができる利益がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の垂直記録用単磁極型磁気ヘットの例を不
ず断面図、第２図は第１図に示す例の説明に供する線図
、第３図は第１図に不ず例の要部の例を示す切欠き断面
図、第４図は従来の垂直記録用単磁極型磁気ヘッドの他
の例の要部の例をボず切欠き断面図、９Ａｓ５し１及び
第６図は従来の垂直記録用単磁極型磁気ヘッドの特性の
説明に供する線図、第７図は本発明１１町直記録用単磁
極型磁気ヘツドの一実施例を示す断面図、第８図、第９
図、第１０図、第１１図、第１２図、第１３図、第１４
図、第１５図、第１６図、第１７図及び第１８図は第７
図例の製造工程の例を示す線図、第１９図は本発明の他
の実施例の製造工程の例を示す線図である。 （１，ｂ）は第１の主磁極、（１ｄ）は第２の主磁極、
（２）はコイルである。 第１図 第２図 製表χ（μｍ） 第３図 第４図 第５図 １Ｕ＆４遥巴、す島ガうのイ紅ｉｔμｍン第６図 主ａｉＪ＆／ｌ連石ａ牟 第１６図　第１７図 第１８図 第１９図 土石舷性ｔＱ遭石ａ率

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 第１及び第２の主磁極を有し、」二記第１の主磁極の一
   端を磁気記録媒体に対接させ、上記第２の主磁極に比し
   上記第１の主磁極の飽和磁束密度を大きくすると共に、
   上記第２の主磁極を上記磁気記録媒体から所定距離後退
   した位置まで延在させ、上記第２の主磁極を上記第１の
   主磁極に隣接して配し、上記第２のコト磁極の透磁率を
   上記第１の主磁極に比し大きくし、上記第１及び第２の
   主磁極の周囲に：ｔイルが施されたことを特徴とする垂
   直記録用単磁極型磁気ヘッド。