JPS59173344U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS59173344U
JPS59173344U JP6685183U JP6685183U JPS59173344U JP S59173344 U JPS59173344 U JP S59173344U JP 6685183 U JP6685183 U JP 6685183U JP 6685183 U JP6685183 U JP 6685183U JP S59173344 U JPS59173344 U JP S59173344U
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JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
electrode
substrate
semiconductor equipment
semiconductor substrate
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Pending
Application number
JP6685183U
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English (en)
Inventor
池田　孝栄
宏 小山
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はレジンモールドされた半導体装置の断面図、第
２図は第１図の拡大した部分断面図、第３図は本実施の
半導体装置の平面図、第４図は樹脂を被覆する工程図で
ある。 １・・・半導体装置のチップ、２・・・リードフレーム
、３・・・リード、４・・・ワイヤ、５・・・モールド
レンジ、６・・・樹脂層、７・・・電極バット部、８・
・・配線、９・・・絶縁層、４ａ・・・ワイヤ断線個所
。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板に形成された電気回路に導通ずる電極パッド
    部が、該基板の周辺に形成され、該電極バット部より外
    部回路に接続される半導体装置において、該半導体基板
    の表面にワニス状樹脂を滴下し、加熱硬化過程で溶媒が
    蒸発し、かつ、粘度が下り表面張力によって、該電極バ
    ット部を除いた内部表面に樹脂層が形成されることを特
    徴とする半導体装置。
JP6685183U 1983-05-06 1983-05-06 半導体装置 Pending JPS59173344U (ja)

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JP6685183U JPS59173344U (ja) 1983-05-06 1983-05-06 半導体装置

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JP6685183U JPS59173344U (ja) 1983-05-06 1983-05-06 半導体装置

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JPS59173344U true JPS59173344U (ja) 1984-11-19

Family

ID=30197053

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5766652A (en) * 1980-10-13 1982-04-22 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5766652A (en) * 1980-10-13 1982-04-22 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device

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