JPS5917264A - ウエハ切断方法 - Google Patents

ウエハ切断方法

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Publication number
JPS5917264A
JPS5917264A JP57125785A JP12578582A JPS5917264A JP S5917264 A JPS5917264 A JP S5917264A JP 57125785 A JP57125785 A JP 57125785A JP 12578582 A JP12578582 A JP 12578582A JP S5917264 A JPS5917264 A JP S5917264A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
freezed
supporting plate
cut
fixed
Prior art date
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Pending
Application number
JP57125785A
Other languages
English (en)
Inventor
Joichiro Kageyama
景山 條一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Yonezawa Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Yonezawa Electronics Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57125785A priority Critical patent/JPS5917264A/ja
Publication of JPS5917264A publication Critical patent/JPS5917264A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043Making grooves, e.g. cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はウニ・・切断方法、特に、ウニ・・から切断分
離されるペレットへの切屑の付着や汚染を防11〕でき
るウニ・・切断方法に関する。
一般に、半導体ウニノ・の処理工程において所要の回路
の形成を完了したウニノ・はダイシングソー等により個
々のペレツトに切断分離される。
その場合、従来は、ウニノ・なダイサーの吸着台に固定
しt、−状態でりi切断し、その半切断状態で別途クラ
ッキングを行なっていたので、切断分離に人手がかかり
かつ作業中にペレットの整列状態が砕れるためその後の
処理の機械化が困難であった。
そこで、切断前のウニ・・の裏面な予め粘着テープ等に
固着させた状態で該ウェハと粘着テープを吸着固定して
全体的に切断する方法も採用されているが、粘着テープ
の粘着度が低い場合には切断後のペレ7)が剥れ易く、
一方粘着度が高くなると粘着糊がペレットに付着し、l
り染の原因となってしまう等の問題点があった。また、
切断時につ工・・と粘着テープを裏面側から吸着固定し
、ウニ・・の表面側から切断を行なうので、ウニノ・の
切屑が直接回路素子の表面に付着し、汚染や傷の1〈1
因となってしまううさらに、粘着テープ自体の価格も高
価であるという欠点もある。
したがって、本発明の目的は、 +iit記従来技術の
問題点を解決し、粘着テープを使用する必要がなく、ペ
レット表面への切屑の付着や汚染を防止できろウニ・・
切断方法な提供することにある。
この目的な達成するため、本発明は、ウェハな水または
冷媒により凍結させた状態で切断した後。
解凍してペレットに分離するものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって詳細に説
明する。
第1図は本発明によるウェハ切断方法、を実施するtこ
めの装置の一例を示す部分断面図である。
本実施例のウェハ切断装置において、ウェハ切断用のダ
イザ−はXYテーブル等を含むベース1の上に吸着ヘッ
ド2を有し、この吸着ペッド2の真空吸引路3は適当な
真空源(図示せず)に連通している。
前記吸着ヘッド2の上には、ウェハ支持板4が真空吸引
路3を通して真空吸着可能に@置されている。
ウェハ支持板4の上には水または冷媒の凍結層5の中に
閉じ込められた回路素子形成済みのウェハ6が凍結固定
されている。ウェハ6の周囲全体が凍結層5で包囲され
、ウェハ6は全く外部に鍔出していない。
また、ウェハ6の上方にはウェハ切断用のグイシングツ
−7が垂直方向に配設されている。
次に1本実施例の作用につき説明する。
まず、予め半導体回路素子の形成等の前工程処理を完了
したウニノ・6をたとえば純水の凍結層5でその周囲が
完全に包み込まれるような状態でウェハ支持板4上に凍
結固定させ、そのウニノ・支持板4をダイザ−の吸着ヘ
ッド2の上に載せる。そして、真空源(図示せず)から
真空吸引路3を経てウェハ支持板4の裏面を吸着へ、ノ
ド2上に吸着固定する。それにより、ウェハ6もウェハ
支持板4を介して吸着ヘッド2上に固定される。
その後、ウェハ6の切断部[、に合わせるためダイサー
のペース1のXY方向の位置合せを行ない。
ダイシングソー7の高速回転によりウェハ6をXY方向
から切断する。その場合、グイシングツ−7による切断
は第2図の切断部8で示すようK。
ウェハ6の完全切断に加えて、該ウェハ6の上面側を包
囲する凍結層5も切断するが、該凍結層5のうちウェハ
6の下面側を包囲する部分のみは切断されないままで残
されている。
したがって、ウェハ6はダイシングソー7による完全切
断後のベンツ)6aの状態でも第2図に示す如く下面側
の凍結層5により互いに所定の整列位置に保持されたま
まウェハ支持板4上に凍結固定されており、粘着テープ
の如き高価な補助固定手段は不要である。
一方、ウェハ6および該ウニノ)6から切断された各ベ
ンツ)6aの」二面(回路素子形成面)は凍結層5で完
全に覆われているので、ウニノー6の切屑がベンツ)6
aの回路素子形成面上に直接付着することがなく、また
他の異物等によりペレット6aが外部から汚染されるこ
とも防止される。
しかも、グイシングツ−7はウニノ・切断時にウェハ6
の上面側の凍結層5も切断するので6切断による熱も凍
結層5で冷却され、ダイシングソー7のブレードの寿命
を延ばすことができる。
切断後のベンツ)6aはウニノ・支持板4と一緒にダイ
ザ−の吸着ヘッド2から取り外され、第3図に示すよう
に、たとえば電子レンジ9の如き加熱解凍手段の中に入
れ、高周波加熱[10からの高周波で加熱解凍した後、
図示しない乾燥炉等の乾燥手段で乾燥される。このよう
な解凍、乾燥中もベンツ)6aは整列状態に保たれたま
まであるので、それ以後のベレット分別処理等の機械に
よる自動処理化が容易である。なお、第3図の符号11
はモータ、12は回転支持板である。
本実施例によれば、高価な粘着テープの如きベレット用
補助固定手段を用いる必要がなく、シかもウェハ6およ
びベンツ)6aの回路素子形成面が凍結層5で保護され
、切屑や他の異物が直接付着したり汚染を起と1〜たり
することを防止できろ。
さらにペレットの整列状態な維持しながら切断後の解凍
、乾燥を行なうことfJtできるので、それ以後のベレ
ット分別処理等の自動化が容易になる。
なお、本発明は前記実癲例に限定されるものではなく、
たとえばダイ−9−一の吸着ヘッドの下部に冷凍機を組
み込み、この冷凍機でウニノ・を凍結固定させること等
も可能である。
以」二説明したように、本発明によれば、高価な粘着テ
ープ等が不要である上に、切断時のウニノ・およびベレ
ットの回路素子形成面は凍結層で覆われているので、切
屑の付着やベレットの汚染を防止し、歩留りを向上させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のウェハ切断方法を実施するための装置
の概略的部分断面図、第2図はウニノ・を切断してベレ
ットに分離する状態を示す断面図。 第3図はベレットの加熱解凍の例を示す概略的断面図で
ある。 1・・・ベース、2・・・吸着ヘッド、3・・・真空吸
引路。 4・・・ウニ・・支持板、5・・・凍結層、6・・・ウ
ェハ、6a・・・ベレット、7・・・グイシングツ−1
8・・・切断部、9・・・電子レンジ(加熱解凍手段)
、10・・・高周波加熱源、11・・・モ〜り、12・
・・回転支持板。 \     M〜

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 ウェハを切断してペレットに分離する方法におい
    て、ウェハな水まだは冷媒により凍結させた状態で切断
    した後、解凍してペレットに分離することを特徴とする
    ウニノ・切断方法。 2、 ウニノ・の下面側の凍結層な残して、ウニノ・お
    よびその上面側の凍結層な完全切断することを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載のウニノ・切断方法つ
JP57125785A 1982-07-21 1982-07-21 ウエハ切断方法 Pending JPS5917264A (ja)

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JP57125785A JPS5917264A (ja) 1982-07-21 1982-07-21 ウエハ切断方法

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JPS5917264A true JPS5917264A (ja) 1984-01-28

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JP (1) JPS5917264A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198402A (ja) * 1984-03-22 1985-10-07 Rion Co Ltd 可干渉光による変位検出装置
US4883775A (en) * 1986-12-17 1989-11-28 Fujitsu Limited Process for cleaning and protecting semiconductor substrates
EP0802416A2 (en) * 1996-04-19 1997-10-22 Seiko Instruments R&D Center Inc. Manufacturing method of semiconductor acceleration sensor
US7462312B2 (en) 2004-06-07 2008-12-09 Fujitsu Limited Method of fabricating element having microstructure

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EP0802416A2 (en) * 1996-04-19 1997-10-22 Seiko Instruments R&D Center Inc. Manufacturing method of semiconductor acceleration sensor
EP0802416A3 (en) * 1996-04-19 1999-01-27 Seiko Instruments R&D Center Inc. Manufacturing method of semiconductor acceleration sensor
US7462312B2 (en) 2004-06-07 2008-12-09 Fujitsu Limited Method of fabricating element having microstructure

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