JPS5917264A - ウエハ切断方法 - Google Patents
ウエハ切断方法Info
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- JPS5917264A JPS5917264A JP57125785A JP12578582A JPS5917264A JP S5917264 A JPS5917264 A JP S5917264A JP 57125785 A JP57125785 A JP 57125785A JP 12578582 A JP12578582 A JP 12578582A JP S5917264 A JPS5917264 A JP S5917264A
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- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 22
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はウニ・・切断方法、特に、ウニ・・から切断分
離されるペレットへの切屑の付着や汚染を防11〕でき
るウニ・・切断方法に関する。
離されるペレットへの切屑の付着や汚染を防11〕でき
るウニ・・切断方法に関する。
一般に、半導体ウニノ・の処理工程において所要の回路
の形成を完了したウニノ・はダイシングソー等により個
々のペレツトに切断分離される。
の形成を完了したウニノ・はダイシングソー等により個
々のペレツトに切断分離される。
その場合、従来は、ウニノ・なダイサーの吸着台に固定
しt、−状態でりi切断し、その半切断状態で別途クラ
ッキングを行なっていたので、切断分離に人手がかかり
かつ作業中にペレットの整列状態が砕れるためその後の
処理の機械化が困難であった。
しt、−状態でりi切断し、その半切断状態で別途クラ
ッキングを行なっていたので、切断分離に人手がかかり
かつ作業中にペレットの整列状態が砕れるためその後の
処理の機械化が困難であった。
そこで、切断前のウニ・・の裏面な予め粘着テープ等に
固着させた状態で該ウェハと粘着テープを吸着固定して
全体的に切断する方法も採用されているが、粘着テープ
の粘着度が低い場合には切断後のペレ7)が剥れ易く、
一方粘着度が高くなると粘着糊がペレットに付着し、l
り染の原因となってしまう等の問題点があった。また、
切断時につ工・・と粘着テープを裏面側から吸着固定し
、ウニ・・の表面側から切断を行なうので、ウニノ・の
切屑が直接回路素子の表面に付着し、汚染や傷の1〈1
因となってしまううさらに、粘着テープ自体の価格も高
価であるという欠点もある。
固着させた状態で該ウェハと粘着テープを吸着固定して
全体的に切断する方法も採用されているが、粘着テープ
の粘着度が低い場合には切断後のペレ7)が剥れ易く、
一方粘着度が高くなると粘着糊がペレットに付着し、l
り染の原因となってしまう等の問題点があった。また、
切断時につ工・・と粘着テープを裏面側から吸着固定し
、ウニ・・の表面側から切断を行なうので、ウニノ・の
切屑が直接回路素子の表面に付着し、汚染や傷の1〈1
因となってしまううさらに、粘着テープ自体の価格も高
価であるという欠点もある。
したがって、本発明の目的は、 +iit記従来技術の
問題点を解決し、粘着テープを使用する必要がなく、ペ
レット表面への切屑の付着や汚染を防止できろウニ・・
切断方法な提供することにある。
問題点を解決し、粘着テープを使用する必要がなく、ペ
レット表面への切屑の付着や汚染を防止できろウニ・・
切断方法な提供することにある。
この目的な達成するため、本発明は、ウェハな水または
冷媒により凍結させた状態で切断した後。
冷媒により凍結させた状態で切断した後。
解凍してペレットに分離するものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって詳細に説
明する。
明する。
第1図は本発明によるウェハ切断方法、を実施するtこ
めの装置の一例を示す部分断面図である。
めの装置の一例を示す部分断面図である。
本実施例のウェハ切断装置において、ウェハ切断用のダ
イザ−はXYテーブル等を含むベース1の上に吸着ヘッ
ド2を有し、この吸着ペッド2の真空吸引路3は適当な
真空源(図示せず)に連通している。
イザ−はXYテーブル等を含むベース1の上に吸着ヘッ
ド2を有し、この吸着ペッド2の真空吸引路3は適当な
真空源(図示せず)に連通している。
前記吸着ヘッド2の上には、ウェハ支持板4が真空吸引
路3を通して真空吸着可能に@置されている。
路3を通して真空吸着可能に@置されている。
ウェハ支持板4の上には水または冷媒の凍結層5の中に
閉じ込められた回路素子形成済みのウェハ6が凍結固定
されている。ウェハ6の周囲全体が凍結層5で包囲され
、ウェハ6は全く外部に鍔出していない。
閉じ込められた回路素子形成済みのウェハ6が凍結固定
されている。ウェハ6の周囲全体が凍結層5で包囲され
、ウェハ6は全く外部に鍔出していない。
また、ウェハ6の上方にはウェハ切断用のグイシングツ
−7が垂直方向に配設されている。
−7が垂直方向に配設されている。
次に1本実施例の作用につき説明する。
まず、予め半導体回路素子の形成等の前工程処理を完了
したウニノ・6をたとえば純水の凍結層5でその周囲が
完全に包み込まれるような状態でウェハ支持板4上に凍
結固定させ、そのウニノ・支持板4をダイザ−の吸着ヘ
ッド2の上に載せる。そして、真空源(図示せず)から
真空吸引路3を経てウェハ支持板4の裏面を吸着へ、ノ
ド2上に吸着固定する。それにより、ウェハ6もウェハ
支持板4を介して吸着ヘッド2上に固定される。
したウニノ・6をたとえば純水の凍結層5でその周囲が
完全に包み込まれるような状態でウェハ支持板4上に凍
結固定させ、そのウニノ・支持板4をダイザ−の吸着ヘ
ッド2の上に載せる。そして、真空源(図示せず)から
真空吸引路3を経てウェハ支持板4の裏面を吸着へ、ノ
ド2上に吸着固定する。それにより、ウェハ6もウェハ
支持板4を介して吸着ヘッド2上に固定される。
その後、ウェハ6の切断部[、に合わせるためダイサー
のペース1のXY方向の位置合せを行ない。
のペース1のXY方向の位置合せを行ない。
ダイシングソー7の高速回転によりウェハ6をXY方向
から切断する。その場合、グイシングツ−7による切断
は第2図の切断部8で示すようK。
から切断する。その場合、グイシングツ−7による切断
は第2図の切断部8で示すようK。
ウェハ6の完全切断に加えて、該ウェハ6の上面側を包
囲する凍結層5も切断するが、該凍結層5のうちウェハ
6の下面側を包囲する部分のみは切断されないままで残
されている。
囲する凍結層5も切断するが、該凍結層5のうちウェハ
6の下面側を包囲する部分のみは切断されないままで残
されている。
したがって、ウェハ6はダイシングソー7による完全切
断後のベンツ)6aの状態でも第2図に示す如く下面側
の凍結層5により互いに所定の整列位置に保持されたま
まウェハ支持板4上に凍結固定されており、粘着テープ
の如き高価な補助固定手段は不要である。
断後のベンツ)6aの状態でも第2図に示す如く下面側
の凍結層5により互いに所定の整列位置に保持されたま
まウェハ支持板4上に凍結固定されており、粘着テープ
の如き高価な補助固定手段は不要である。
一方、ウェハ6および該ウニノ)6から切断された各ベ
ンツ)6aの」二面(回路素子形成面)は凍結層5で完
全に覆われているので、ウニノー6の切屑がベンツ)6
aの回路素子形成面上に直接付着することがなく、また
他の異物等によりペレット6aが外部から汚染されるこ
とも防止される。
ンツ)6aの」二面(回路素子形成面)は凍結層5で完
全に覆われているので、ウニノー6の切屑がベンツ)6
aの回路素子形成面上に直接付着することがなく、また
他の異物等によりペレット6aが外部から汚染されるこ
とも防止される。
しかも、グイシングツ−7はウニノ・切断時にウェハ6
の上面側の凍結層5も切断するので6切断による熱も凍
結層5で冷却され、ダイシングソー7のブレードの寿命
を延ばすことができる。
の上面側の凍結層5も切断するので6切断による熱も凍
結層5で冷却され、ダイシングソー7のブレードの寿命
を延ばすことができる。
切断後のベンツ)6aはウニノ・支持板4と一緒にダイ
ザ−の吸着ヘッド2から取り外され、第3図に示すよう
に、たとえば電子レンジ9の如き加熱解凍手段の中に入
れ、高周波加熱[10からの高周波で加熱解凍した後、
図示しない乾燥炉等の乾燥手段で乾燥される。このよう
な解凍、乾燥中もベンツ)6aは整列状態に保たれたま
まであるので、それ以後のベレット分別処理等の機械に
よる自動処理化が容易である。なお、第3図の符号11
はモータ、12は回転支持板である。
ザ−の吸着ヘッド2から取り外され、第3図に示すよう
に、たとえば電子レンジ9の如き加熱解凍手段の中に入
れ、高周波加熱[10からの高周波で加熱解凍した後、
図示しない乾燥炉等の乾燥手段で乾燥される。このよう
な解凍、乾燥中もベンツ)6aは整列状態に保たれたま
まであるので、それ以後のベレット分別処理等の機械に
よる自動処理化が容易である。なお、第3図の符号11
はモータ、12は回転支持板である。
本実施例によれば、高価な粘着テープの如きベレット用
補助固定手段を用いる必要がなく、シかもウェハ6およ
びベンツ)6aの回路素子形成面が凍結層5で保護され
、切屑や他の異物が直接付着したり汚染を起と1〜たり
することを防止できろ。
補助固定手段を用いる必要がなく、シかもウェハ6およ
びベンツ)6aの回路素子形成面が凍結層5で保護され
、切屑や他の異物が直接付着したり汚染を起と1〜たり
することを防止できろ。
さらにペレットの整列状態な維持しながら切断後の解凍
、乾燥を行なうことfJtできるので、それ以後のベレ
ット分別処理等の自動化が容易になる。
、乾燥を行なうことfJtできるので、それ以後のベレ
ット分別処理等の自動化が容易になる。
なお、本発明は前記実癲例に限定されるものではなく、
たとえばダイ−9−一の吸着ヘッドの下部に冷凍機を組
み込み、この冷凍機でウニノ・を凍結固定させること等
も可能である。
たとえばダイ−9−一の吸着ヘッドの下部に冷凍機を組
み込み、この冷凍機でウニノ・を凍結固定させること等
も可能である。
以」二説明したように、本発明によれば、高価な粘着テ
ープ等が不要である上に、切断時のウニノ・およびベレ
ットの回路素子形成面は凍結層で覆われているので、切
屑の付着やベレットの汚染を防止し、歩留りを向上させ
ることができる。
ープ等が不要である上に、切断時のウニノ・およびベレ
ットの回路素子形成面は凍結層で覆われているので、切
屑の付着やベレットの汚染を防止し、歩留りを向上させ
ることができる。
第1図は本発明のウェハ切断方法を実施するための装置
の概略的部分断面図、第2図はウニノ・を切断してベレ
ットに分離する状態を示す断面図。 第3図はベレットの加熱解凍の例を示す概略的断面図で
ある。 1・・・ベース、2・・・吸着ヘッド、3・・・真空吸
引路。 4・・・ウニ・・支持板、5・・・凍結層、6・・・ウ
ェハ、6a・・・ベレット、7・・・グイシングツ−1
8・・・切断部、9・・・電子レンジ(加熱解凍手段)
、10・・・高周波加熱源、11・・・モ〜り、12・
・・回転支持板。 \ M〜
の概略的部分断面図、第2図はウニノ・を切断してベレ
ットに分離する状態を示す断面図。 第3図はベレットの加熱解凍の例を示す概略的断面図で
ある。 1・・・ベース、2・・・吸着ヘッド、3・・・真空吸
引路。 4・・・ウニ・・支持板、5・・・凍結層、6・・・ウ
ェハ、6a・・・ベレット、7・・・グイシングツ−1
8・・・切断部、9・・・電子レンジ(加熱解凍手段)
、10・・・高周波加熱源、11・・・モ〜り、12・
・・回転支持板。 \ M〜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 ウェハを切断してペレットに分離する方法におい
て、ウェハな水まだは冷媒により凍結させた状態で切断
した後、解凍してペレットに分離することを特徴とする
ウニノ・切断方法。 2、 ウニノ・の下面側の凍結層な残して、ウニノ・お
よびその上面側の凍結層な完全切断することを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のウニノ・切断方法つ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57125785A JPS5917264A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | ウエハ切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57125785A JPS5917264A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | ウエハ切断方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5917264A true JPS5917264A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14918793
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57125785A Pending JPS5917264A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | ウエハ切断方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5917264A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198402A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-07 | Rion Co Ltd | 可干渉光による変位検出装置 |
US4883775A (en) * | 1986-12-17 | 1989-11-28 | Fujitsu Limited | Process for cleaning and protecting semiconductor substrates |
EP0802416A2 (en) * | 1996-04-19 | 1997-10-22 | Seiko Instruments R&D Center Inc. | Manufacturing method of semiconductor acceleration sensor |
US7462312B2 (en) | 2004-06-07 | 2008-12-09 | Fujitsu Limited | Method of fabricating element having microstructure |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57125785A patent/JPS5917264A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198402A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-07 | Rion Co Ltd | 可干渉光による変位検出装置 |
US4883775A (en) * | 1986-12-17 | 1989-11-28 | Fujitsu Limited | Process for cleaning and protecting semiconductor substrates |
EP0802416A2 (en) * | 1996-04-19 | 1997-10-22 | Seiko Instruments R&D Center Inc. | Manufacturing method of semiconductor acceleration sensor |
EP0802416A3 (en) * | 1996-04-19 | 1999-01-27 | Seiko Instruments R&D Center Inc. | Manufacturing method of semiconductor acceleration sensor |
US7462312B2 (en) | 2004-06-07 | 2008-12-09 | Fujitsu Limited | Method of fabricating element having microstructure |
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