KR20000008966A - 보호 테이프를 이용한 웨이퍼 절단 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 절단 방법(Wafer sawing method)에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 블레이드(Blade)의 회전으로 인하여 발생되는 웨이퍼의 파편과 같은 불순입자가 웨이퍼의 표면 위에 떨어져 웨이퍼의 표면을 손상시키는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 절단 방법에 관한 것이며, 이를 위하여 웨이퍼를 개개의 반도체 칩으로 절단하기 앞서 웨이퍼의 표면에 보호 테이프(Protect tape)를 접착하는 단계와 절단한 후 웨이퍼 표면의 보호 테이프를 제거하는 단계를 포함하는 웨이퍼 절단 방법을 개시하며, 이러한 방법에 따라 블레이드의 회전으로 인하여 비산되는 불순입자가 웨이퍼의 표면을 손상시키는 것을 방지하여 반도체 칩 패키지의 조립불량과 특성불량을 방지할 수 있으며, 불순입자를 제거하기 위한 종래의 부가적인 공정들을 제거하여 공정을 단순화함으로써 비용의 절감과 함께 공정 효율의 향상과 생산성의 향상 등을 도모할 수 있다.

Description

보호 테이프를 이용한 웨이퍼 절단 방법(Wafer sawing method using protect tape)
본 발명은 웨이퍼 절단 방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 블레이드의 회전으로 인하여 발생되는 웨이퍼의 파편이 웨이퍼의 표면 위에 떨어져 웨이퍼의 표면을 손상시키는 것을 방지할 수 있는 웨이퍼 절단 방법에 관한 것이다.
반도체 칩 패키지의 제조공정에 있어서, 전기적 특성 검사(EDS ; Electrical die sorting)가 완료된 웨이퍼를 각각의 개별 반도체 칩으로 분리하기 위한 공정을 웨이퍼 절단 공정이라 하며, 이러한 웨이퍼 절단 공정은 곧바로 리드프레임 위에 개개의 반도체 칩을 부착하는 공정인 다이 본딩 공정과 연결되는 것이 일반적이다.
도면을 참고로 하여 종래의 웨이퍼 절단 방법에 대하여 간략히 살펴보면 다음과 같다. 도 1은 종래의 웨이퍼 절단 공정을 나타낸 순서도이며, 도 2는 실제 웨이퍼(110)가 개개의 반도체 칩(120)으로 절단되는 모습을 나타낸 모식도이다. 도 1 및 도 2를 참고로 하여 설명한다.
소위 웨이퍼 가공 공정(Wafer Fabrication)이라 칭해지는 제조 공정을 통하여 각 반도체 칩(120)들이 웨이퍼(110)의 표면 위에 형성된다. 이러한 웨이퍼(110)를 각 반도체 칩(120)으로 절단하기 위하여 웨이퍼(110)의 하면에 마운트 테이프(30)를 접착시키며(10), 마운트 테이프(30)가 접착된 웨이퍼를 웨이퍼 링(118) 단위로 이송하여 절단하게 된다. 임의의 고정된 위치에서 회전하는 블레이드(152)가 절단기 몸체(154)에 결합된 구조의 절단기(150)가 있으며(20), 이러한 절단기(150) 밑으로 웨이퍼 링(118)이 수평방향으로 움직이면서 웨이퍼(110)가 개개의 반도체 칩(120)으로 절단되는 것이 일반적이다(30).
이와 같은 방법으로 웨이퍼를 절단하는 과정에서, 블레이드가 회전함에 따라 웨이퍼가 절단되면서 발생되는 실리콘 파편과 같은 불순입자가 웨이퍼의 표면 위로 떨어져 내릴 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 웨이퍼 절단 공정이 수행된 후에 실시되는 다이 본딩 공정에서, 분리된 각 반도체 칩을 리드프레임 위로 이송하기 위하여 표면을 콜렛(Collet)과 같은 흡착수단을 이용하게 되며, 이때 위와 같이 웨이퍼 절단 공정에서 떨어져 내린 불순입자에 의해 표면이 손상될 수 있다.
불순입자에 의해 표면이 손상된 반도체 칩이 다이 본딩 공정을 포함한 반도체 소자 조립 공정(Assembly process)을 통해 반도체 칩 패키지로 조립될 때, 표면의 보호층(Passivation layer)을 파괴하여 신뢰성 불량을 초래하고, 표면의 금속배선을 연결 또는 단절시켜서 전기적 특성 불량을 초래하는 등 결국 반도체 칩 패키지의 조립불량 및 특성불량으로 이어져 공정의 수율이 저하됨은 물론 생산성 향상에 막대한 지장을 가져올 수 있다.
이러한 불리한 점을 방지하기 위하여, 종래에는 웨이퍼 절단 공정 후에 세밀한 육안 검사 공정(Visual inspection)이 포함되고, 이에 더하여 불순입자를 집진하기 위한 흡입장치(Suction apparatus), 중성화를 위한 이온화장치(Ionizer), 비산되는 불순입자를 방지하기 위한 탈이온수(D. I. Water)의 수량의 증가 등이 필요하였다. 그러나, 이러한 부가적인 공정이 추가됨에 따라 공정의 효율이 현저히 낮아지고 비용의 증가를 가져오게 되었다.
본 발명의 목적은 웨이퍼의 표면을 보호하는 웨이퍼 절단 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼의 표면을 보호하는 보호 테이프를 이용하여 웨이퍼의 표면을 블레이드의 회전에 의해 발생되는 불순입자로부터 보호할 수 있는 웨이퍼 절단 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 웨이퍼 절단 공정을 나타낸 순서도,
도 2는 종래의 웨이퍼 절단 모습을 나타낸 모식도,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 절단 공정을 나타낸 순서도,
도 4a 내지 도 4d는 도 3의 절단 공정을 나타낸 공정단면도,
도 5a는 보호 테이프를 제거하는 방법의 일 예를 나타낸 모식도,
도 5b는 보호 테이프를 제거하는 방법의 다른 예를 나타낸 모식도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 설명>
110, 310, 410 : 웨이퍼 116, 316 : 스크라이빙 라인
118 : 웨이퍼 링 120, 320, 420 : 반도체 칩
130, 330, 430 : 마운트 테이프 150 : 절단기
152, 352 : 블레이드 154 : 절단기 몸체
312 : 웨이퍼의 표면 314 : 웨이퍼의 하면
322 : 본딩패드 360 : 불순입자
450 : 릴리즈 테이프 A : 공기의 흐름
이러한 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼를 개개의 반도체 칩으로 절단하는 방법에 있어서, 웨이퍼를 절단하기 전 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 접착하는 단계; 및 웨이퍼를 절단한 후 보호 테이프를 제거하는 단계;를 포함하며, 웨이퍼의 표면이 절단과정에서 발생되는 불순입자로부터 보호되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단 방법을 제공한다.
이하 도면을 참고로 하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 절단 공정을 나타낸 순서도이며, 도 4a 내지 도 4d는 도 3의 절단 공정을 순차적으로 나타낸 공정단면도이다. 도 3 내지 도 4d를 참고로 하여 본 발명의 일 실시예를 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 절단 공정은 복수개의 반도체 칩(320)이 형성된 웨이퍼의 하면(314)에 마운트 테이프(330)를 접착하는 단계(210)와, 웨이퍼의 표면(312)에 보호 테이프(340)를 접착하는 단계(220)와, 임의의 고정된 위치에서 절단기의 블레이드(352)를 회전시키는 단계(230)와, 웨이퍼(310)를 수평면상의 X-Y축을 따라 이동하여 개개의 반도체 칩(320)으로 절단하는 단계(240) 및 절단된 보호 테이프(340)를 웨이퍼의 표면(312)에서 제거하는 단계(250)를 포함한다.
이러한 공정을 공정단면도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본딩패드(322)를 포함하는 회로패턴(도시되지 않음)이 표면(312)에 형성된 개개의 반도체 칩(320)이 웨이퍼(310)에 형성되어 있으며, 각 반도체 칩(320)은 스크라이빙 라인(316)을 통해 구별되고, 웨이퍼의 하면(314)은 마운트 테이프(330)를 통해 접착되어 있다(도 4a). 마운트 테이프는 웨이퍼를 절단할 때 각각 분리된 반도체 칩이 추후 공정 - 예를 들어 다이 본딩 공정 - 까지 임시로 정렬시키기 위한 것이다.
위와 같은 웨이퍼(310)의 표면(312)에 보호 테이프(340)를 접착하며(도 4b), 보호 테이프(340)가 접착된 웨이퍼를 회전하는 블레이드(352)의 하부로 이동하여 스크라이빙 라인(316)을 따라 보호 테이프(340)와 웨이퍼(310)를 함께 절단한다(도 4c). 이때, 블레이드(352)에 의해 웨이퍼(310)가 절단되면서 발생되는 웨이퍼의 파편과 같은 불순입자들(360)들은 보호 테이프(340) 위로 떨어져 내리므로 웨이퍼의 표면(312)이 손상되지 않는다. 또한, 블레이드(352)의 폭은 웨이퍼(310)의 스크라이빙 라인(316)의 폭에 비하여 충분히 작게 형성되며, 웨이퍼의 이동되는 오차에 의해 웨이퍼가 손상되지 않을 정도로 충분한 여유를 두고 형성되는 것이 바람직하다.
블레이드에 의해 웨이퍼(310)가 각 반도체 칩(320)으로 모두 절단된 뒤에, 웨이퍼의 표면(312)에 접착되어 있던 보호 테이프(340)가 제거됨으로써 웨이퍼 절단 공정이 완료된다(도 4d).
이상과 같은 공정에 사용되는 보호 테이프는 다음과 같은 특징을 지녀야 한다. 웨이퍼 절단 공정에서 블레이드의 회전에 따른 마찰열이 발생할 수 있으며, 이를 감소시키기 위하여 탈이온수(D. I. Water)와 같은 세정액의 유량과 압력을 견딜 수 있는 접착력을 가져야 하며, 이에 더하여 블레이드가 웨이퍼를 절단하기에 앞서 각 반도체 칩의 위치가 인식될 수 있도록 높은 투명도를 가져야 한다.
이와 같은 특성을 가진 보호 테이프는 여러 가지 종류가 있을 수 있으나, 자외선 테이프(UV tape ; Ultraviolet tape ; 이하 "UV tape"라 한다)와 열경화성 테이프(Thermosetting tape) 등이 바람직하다.
이들 테이프들은 위와 같은 특성 외에도, UV tape의 경우 자외선을 조사(照射)함으로써 접착력이 낮아지는 특성이 있으며, 열경화성 테이프는 일정한 열을 가함으로써 역시 접착력이 낮아지는 특성이 있다. 이들 특성을 이용하면 보호 테이프를 웨이퍼의 표면에서 용이하게 분리할 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 위와 같이 접착력이 낮아진 보호 테이프를 웨이퍼의 표면에서 제거하는 공정을 나타낸 모식도이며, 도 5a 및 도 5b를 참고로 보호 테이프의 제거공정을 설명하면 다음과 같다.
도 5a는 릴리즈 테이프(450 ; Release tape)와 같은 또 하나의 접착 테이프를 이용하여 보호 테이프(440)를 제거하는 방법이다. 웨이퍼(410)가 개개의 반도체 칩(420)으로 모두 절단된 뒤에 보호 테이프(440)의 위로 다시 릴리즈 테이프(450)를 접착하며, 이후 릴리즈 테이프(450)를 웨이퍼의 표면(412)에서 벗겨내면 보호 테이프(440)가 함께 벗겨져 제겨되는 방법이다(도 5a). 이는 웨이퍼의 표면 - 즉 반도체 칩의 표면 - 과 형성되는 보호 테이프의 접착력이 낮아진 상태에서, 릴리즈 테이프와의 접착력이 상대적으로 강함에 따라 보호 테이프의 제거 공정이 수행되는 것이다.
도 5b는 웨이퍼의 표면(412)과 보호 테이프(440')의 사이에 공기를 불어넣어 보호 테이프(440')를 제거하는 방법이다. 웨이퍼(410)가 개개의 반도체 칩(420)으로 모두 절단된 뒤에 보호 테이프(440')와 웨이퍼의 표면(412) 사이로 화살표 A와 같은 방향에서 공기를 세게 불어넣어 웨이퍼의 표면(412)에서 전단력을 일으킴으로써 보호 테이프(440')를 제거하는 방법이다. 이는 역시 도 5a의 방법과 마찬가지로, 웨이퍼의 표면 - 즉 반도체 칩의 표면 - 과 형성되는 보호 테이프의 접착력이 낮아진 상태에서, 공기로 인한 전단력이 상대적으로 강함에 따라 보호 테이프의 제거 공정이 수행되는 것이다.
이상과 같은 웨이퍼 절단 방법을 통하면, 웨이퍼 표면이 비산되는 불순입자로 손상되는 것을 방지함과 동시에 종래와 같은 부가적 공정들 - 예를 들어, 육안 검사 공정(Visual inspection), 흡입장치(Suction apparatus), 이온화장치(Ionizer), 탈이온수(D. I. Water)의 수량증가 등 - 이 수행되지 않게 되어 공정의 효율을 향상할 수 있으며, 생산성 향상 및 비용 절감의 효과를 가져올 수 있다.
본 발명에 따른 웨이퍼 절단 방법은 웨이퍼를 개개의 반도체 칩으로 절단하기 앞서 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 접착하는 단계와 절단한 후 웨이퍼 표면의 보호 테이프를 제거하는 단계를 포함함으로써, 블레이드의 회전으로 인하여 비산되는 불순입자가 웨이퍼의 표면을 손상시키는 것을 방지할 수 있으며, 종래와 같은 부가적인 공정들을 제거함으로써 비용의 절감과 함께 공정 효율의 향상과 생산성의 향상 등을 도모할 수 있다.

Claims (8)

  1. 웨이퍼를 개개의 반도체 칩으로 절단하는 방법에 있어서,
    상기 웨이퍼를 절단하기 전 상기 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 접착하는 단계; 및
    상기 웨이퍼를 절단한 후 상기 보호 테이프를 제거하는 단계;
    를 포함하며, 상기 웨이퍼의 표면이 상기 절단과정에서 발생되는 불순입자로부터 보호되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼는 블레이드의 회전에 의하여 개개의 반도체 칩으로 절단되며, 상기 불순입자는 상기 블레이드의 회전에 의해 상기 웨이퍼가 절단되면서 발생되는 웨이퍼의 파편인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 웨이퍼의 표면에 접착되는 상기 보호 테이프는 상기 블레이드의 회전에 따른 마찰열을 감소시키는 세정액의 유량과 압력을 견딜 수 있는 접착력을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 보호 테이프는 상기 블레이드가 상기 웨이퍼를 절단하기에 앞서 각 반도체 칩의 위치가 인식될 수 있도록 투명도가 높은 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 보호 테이프는 자외선 테이프(UV tape)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단 방법.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 보호 테이프는 열경화성(Thermosetting) 테이프인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 보호 테이프를 제거하는 단계는 상기 절단된 보호 테이프의 위에 릴리즈(Release) 테이프를 접착한 후 상기 릴리즈 테이프와 상기 보호 테이프를 함께 제거하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 보호 테이프를 제거하는 단계는 상기 절단된 보호 테이프와 상기 절단된 반도체 칩 사이에 공기를 불어넣어 상기 보호 테이프를 제거하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 절단 방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100451950B1 (ko) * 2002-02-25 2004-10-08 삼성전자주식회사 이미지 센서 소자 웨이퍼 소잉 방법
KR100915259B1 (ko) * 2001-10-03 2009-09-03 닛토덴코 가부시키가이샤 보호테이프 접착방법 및 박리방법
US20130171755A1 (en) * 2011-12-30 2013-07-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of cutting light-emitting device chip wafer by using laser scribing

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100915259B1 (ko) * 2001-10-03 2009-09-03 닛토덴코 가부시키가이샤 보호테이프 접착방법 및 박리방법
KR100451950B1 (ko) * 2002-02-25 2004-10-08 삼성전자주식회사 이미지 센서 소자 웨이퍼 소잉 방법
US20130171755A1 (en) * 2011-12-30 2013-07-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of cutting light-emitting device chip wafer by using laser scribing
US9312431B2 (en) 2011-12-30 2016-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of cutting light-emitting device chip wafer by using laser scribing

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