JPS59171206A - マイクロ波回路装置 - Google Patents
マイクロ波回路装置Info
- Publication number
- JPS59171206A JPS59171206A JP4490683A JP4490683A JPS59171206A JP S59171206 A JPS59171206 A JP S59171206A JP 4490683 A JP4490683 A JP 4490683A JP 4490683 A JP4490683 A JP 4490683A JP S59171206 A JPS59171206 A JP S59171206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holes
- transistor
- conductor
- hole
- dielectric substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（はマイクロ波通信機に使用するトランジスタを
用いたＭＩＣ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ＩＣ）化高周波
増幅器に用いることができるマイクロ波回路装置に関す
るものである。
用いたＭＩＣ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ＩＣ）化高周波
増幅器に用いることができるマイクロ波回路装置に関す
るものである。
従来例の構成とその問題点
近年、マイクロ波帯の回路構成は誘電体基板上に回路を
形成したＭＩＣ回路が一般的に用いられ。
形成したＭＩＣ回路が一般的に用いられ。
るようになるとともに、これらか衛星放送用受信機など
の民生機器として用いられるようになった。
の民生機器として用いられるようになった。
そのためこれらの機器には性能たけでなく量産性能が請
求されるようになった。
求されるようになった。
以下図面を参照しなから従来のマイクロ波回路装置につ
いて説明する。まず、マイクロ波帯て増幅器を構成する
場合、第１図に示すようにトランジスタ４のエミッタ端
子６を接地し入出力回路には整合スタブ３．Ｇ′を付け
る方法がよく用いられている。なお、１．１’は直流阻
止コンデンサ、２゜２′は高周波チョーク、５はトラン
ジスタ４のベース端子、Ｔはそのコレクタ端子である。
いて説明する。まず、マイクロ波帯て増幅器を構成する
場合、第１図に示すようにトランジスタ４のエミッタ端
子６を接地し入出力回路には整合スタブ３．Ｇ′を付け
る方法がよく用いられている。なお、１．１’は直流阻
止コンデンサ、２゜２′は高周波チョーク、５はトラン
ジスタ４のベース端子、Ｔはそのコレクタ端子である。
捷だ、使用するトランジスタとしては、第２図（ａ）
＋ （ｂ）に示すようなセラミックパッケージ８の中に
トランジスタ素子を封入したノ・−メチククシー＝ル構
造のものが一般的である。なお、５はベース電極、６ａ
。
＋ （ｂ）に示すようなセラミックパッケージ８の中に
トランジスタ素子を封入したノ・−メチククシー＝ル構
造のものが一般的である。なお、５はベース電極、６ａ
。
δｂはエミッタ電極、７はコレクタ電極である。。
従来、第２図に示した構造のトランジスタを用いて増幅
器を形成するのに第３図（／こ示すようなＭＩＣ化構造
が使用されていた。同図（−）は要部斜視図である。な
お、１１ａ、１１ｂはマイクロストリップ線路、１２ａ
、１２ｂは誘電体、９は接地金属導体、１０ａ、１０ｂ
は接地金属導体９の突出部分である。第３図でトランジ
スタの入出力端子５および７は３れそｔし誘′小７体１
２ａ１および１２ｂ上に構成したマイク「ｌストリップ
線路１１ａおよび１１ｂに接続し、同しく接地端子６ｄ
および６ｂはそえしぞれ金属接地導体突出部１０ａおよ
び１０ｂに接続し７ている。ここて、ｌ−ランジスタの
接地端子をこのような金属突出部分を用いて接地する理
由は、トランジスタパッケージからできるだけ近傍で接
地電位を得るためである。
器を形成するのに第３図（／こ示すようなＭＩＣ化構造
が使用されていた。同図（−）は要部斜視図である。な
お、１１ａ、１１ｂはマイクロストリップ線路、１２ａ
、１２ｂは誘電体、９は接地金属導体、１０ａ、１０ｂ
は接地金属導体９の突出部分である。第３図でトランジ
スタの入出力端子５および７は３れそｔし誘′小７体１
２ａ１および１２ｂ上に構成したマイク「ｌストリップ
線路１１ａおよび１１ｂに接続し、同しく接地端子６ｄ
および６ｂはそえしぞれ金属接地導体突出部１０ａおよ
び１０ｂに接続し７ている。ここて、ｌ−ランジスタの
接地端子をこのような金属突出部分を用いて接地する理
由は、トランジスタパッケージからできるだけ近傍で接
地電位を得るためである。
し７かしながら、上記のような構成においては接地金属
導体が突出部分を有すること、誘電体基板か２部分から
成ること、ならびＩ／Ｃトランジスタの接地端子をはん
だ伺けしにくいことなどから、量産性に劣るという欠点
を有１〜でいた。
導体が突出部分を有すること、誘電体基板か２部分から
成ること、ならびＩ／Ｃトランジスタの接地端子をはん
だ伺けしにくいことなどから、量産性に劣るという欠点
を有１〜でいた。
発明の目的
本発明の目的（は、ＭＩＣ化トランジスタ増幅器全組立
でる場合において、簡単な構造によって昂産Ｖ１ユ能の
向上−を可能（にするマイクロ波回路装置を提供するこ
とである。
でる場合において、簡単な構造によって昂産Ｖ１ユ能の
向上−を可能（にするマイクロ波回路装置を提供するこ
とである。
発明の構成
本発明のマイクロ波回路装置は、トランジスタの２つの
端子を接地させるための２つの貫通穴を設けた誘電体基
板ヒに 、ｉｊＪ記貫通穴を結ぶ直線と１白交するよう
（でその両側にマイクロストリップ線路が設けられ、前
記貫通穴の周囲には導体を形成し、前記誘電体基板の残
りの一方の面には接地導体を形成し、前記貫通穴の内側
には導体を形成して前記貫通穴の周囲導体と内側導体と
に前記一方の面の接地導体を接続した構成の接地導体を
有し、前記ｌ・ランジスタは前記２つの貫通穴の中央に
設けら′ＦＬ１ぞの入出力端子ν」、そｒＬそれ前記２
つのマイクロストリップ線路に接続され、かつ前記ｌ・
ランジスタの接地端子は前記連通穴Ｑ′こ入るように折
り曲げて前記接地導体（ｌｒＣ接続した構造でＭＩＣ化
トランジスタ増幅器を構成すること（こより、特別な接
地金属導体を用いずにトランジスタ全確実Ｖこ接地する
ことかできるとともに、実装構造を簡単にし量産性に優
れたマイクロ波回路装置が実現できる。
端子を接地させるための２つの貫通穴を設けた誘電体基
板ヒに 、ｉｊＪ記貫通穴を結ぶ直線と１白交するよう
（でその両側にマイクロストリップ線路が設けられ、前
記貫通穴の周囲には導体を形成し、前記誘電体基板の残
りの一方の面には接地導体を形成し、前記貫通穴の内側
には導体を形成して前記貫通穴の周囲導体と内側導体と
に前記一方の面の接地導体を接続した構成の接地導体を
有し、前記ｌ・ランジスタは前記２つの貫通穴の中央に
設けら′ＦＬ１ぞの入出力端子ν」、そｒＬそれ前記２
つのマイクロストリップ線路に接続され、かつ前記ｌ・
ランジスタの接地端子は前記連通穴Ｑ′こ入るように折
り曲げて前記接地導体（ｌｒＣ接続した構造でＭＩＣ化
トランジスタ増幅器を構成すること（こより、特別な接
地金属導体を用いずにトランジスタ全確実Ｖこ接地する
ことかできるとともに、実装構造を簡単にし量産性に優
れたマイクロ波回路装置が実現できる。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。第４図〜第７図（伐木発明の一実施例（Ｆおけ
るマイクロ波回路装置を示すものである。第４図は誘電
体基板の構造を示しており、同図（＝）は斜視図、同図
（ｂ）はＡ −Ａ’断面図である。１３は誘電体基板、
１４ａ、１４．ｂ（はトランジスタの接地端子挿入のた
めの断１ｍが方形の貫通穴である６、第５図は第４図に
示した貫通穴付き誘電体基板十にマイクロストリップ線
路と接地導体を形成ｌ〜ゾこ要部ネ゛［視図である。１
５は裏面接地導体、１らａ。
明する。第４図〜第７図（伐木発明の一実施例（Ｆおけ
るマイクロ波回路装置を示すものである。第４図は誘電
体基板の構造を示しており、同図（＝）は斜視図、同図
（ｂ）はＡ −Ａ’断面図である。１３は誘電体基板、
１４ａ、１４．ｂ（はトランジスタの接地端子挿入のた
めの断１ｍが方形の貫通穴である６、第５図は第４図に
示した貫通穴付き誘電体基板十にマイクロストリップ線
路と接地導体を形成ｌ〜ゾこ要部ネ゛［視図である。１
５は裏面接地導体、１らａ。
１６ｂは貫通穴を通じて表面に形成した接地導体部分で
ある。第６図は、第５図に示し５だＭＩＣ基板に実装す
るトランジスタの構造である。同図で、６’ａ 、 ｅ
’ｂは第１図において接ｉ（ｊオペき電極６ａ。
ある。第６図は、第５図に示し５だＭＩＣ基板に実装す
るトランジスタの構造である。同図で、６’ａ 、 ｅ
’ｂは第１図において接ｉ（ｊオペき電極６ａ。
６ｂ忙パック゛−ジ８の近傍で、第５図に示しｆｃ接［
Ｉハ用貫］再穴に入るよう（・ζ拍り曲げたものである
。。
Ｉハ用貫］再穴に入るよう（・ζ拍り曲げたものである
。。
第７図は、第５図に示し／てＭＩＣ基板に第６図（〕て
示したｌ・ランシスタを：実装し、たＭＩＣ化マイクロ
波増幅器の要部であり、同図（−）は斜視図、同図（１
））はＤ−Ｄ’断面図である。１７ａ、１７ｂはｌ・ラ
ンジスタの接地端子と接地導体のはんん付は部分、１８
ａ、１８ｂはそれぞれｌ・ランシスタの入出力端子とマ
イクロス）・リップ線路とのはＸノと伺＋７ｊ＋部分で
ある。
示したｌ・ランシスタを：実装し、たＭＩＣ化マイクロ
波増幅器の要部であり、同図（−）は斜視図、同図（１
））はＤ−Ｄ’断面図である。１７ａ、１７ｂはｌ・ラ
ンジスタの接地端子と接地導体のはんん付は部分、１８
ａ、１８ｂはそれぞれｌ・ランシスタの入出力端子とマ
イクロス）・リップ線路とのはＸノと伺＋７ｊ＋部分で
ある。
以上のようげ一構成きれた本実施例のマイクロ波回路装
置−においては、第５図に示しプこ裏面の接地導体１５
か表面の接地導体１６ａ１および１ｅｙｂに電気的に接
続されており、この位置でトランジスタの接地端モを接
地することにより、トランジスタの接地端子に入る等制
約なインダクタンス成分を除去し、トランジスタを安定
に動作させることができる。−まだ、接地用貫通穴の大
きさをトランジスタの電極の形状に合わせることによっ
て、トランジスタの配置位置が明確になり、作り易くな
る。
置−においては、第５図に示しプこ裏面の接地導体１５
か表面の接地導体１６ａ１および１ｅｙｂに電気的に接
続されており、この位置でトランジスタの接地端モを接
地することにより、トランジスタの接地端子に入る等制
約なインダクタンス成分を除去し、トランジスタを安定
に動作させることができる。−まだ、接地用貫通穴の大
きさをトランジスタの電極の形状に合わせることによっ
て、トランジスタの配置位置が明確になり、作り易くな
る。
次に、本発明の他の実施例＾二図面を参照しながら説明
する。第８図および第９図Ｏ−よ本発明の他の実施例を
示すマイクロ波回路装置の要部図面である。第８図（→
（はその断面か円形の貫通穴１９ａお」：ひ１９ｂを設
けた誘電体基板の眉？ｉｔ図で、同図（ｂ）ばＥ−Ｅ物
１面図である。第９図（ａ）は、第８図に示した誘′１
（ｉ体基板１８に裏面接地導体２０．マイクロストリッ
プ線路２１ ａ 、２１ ｂおよび貫通穴１９ａ、、１
９ｂの周囲と内側に接地導体２２ａ。
する。第８図および第９図Ｏ−よ本発明の他の実施例を
示すマイクロ波回路装置の要部図面である。第８図（→
（はその断面か円形の貫通穴１９ａお」：ひ１９ｂを設
けた誘電体基板の眉？ｉｔ図で、同図（ｂ）ばＥ−Ｅ物
１面図である。第９図（ａ）は、第８図に示した誘′１
（ｉ体基板１８に裏面接地導体２０．マイクロストリッ
プ線路２１ ａ 、２１ ｂおよび貫通穴１９ａ、、１
９ｂの周囲と内側に接地導体２２ａ。
２２ｂ竹硬廿マトランシスタ８を実装しブこＭ Ｉ Ｃ
化マイクロ波回路の要部斜視図、同図（ｂ）ｉＩ′１Ｆ
−Ｆ′断面図である。なお、２３ａおよび２３１）は、
はんだ伺は部分である。さて、以上のように構成したマ
イクロ波回路装置は先に説明した実施例と同様にトラン
ジスタの接地端子をトランジスタパッケージ、即ちトラ
ンジスタ素子の近傍で接地することができるためトラ２
ジスタの動作か安定になることは明らかである。なお、
上の実施例においては誘電体基板の貫通穴の断面の形状
を円形にしたものであるが、これはこの形に限定さ扛る
ことはなく要はこれと同様な機能を果たせは良い。
化マイクロ波回路の要部斜視図、同図（ｂ）ｉＩ′１Ｆ
−Ｆ′断面図である。なお、２３ａおよび２３１）は、
はんだ伺は部分である。さて、以上のように構成したマ
イクロ波回路装置は先に説明した実施例と同様にトラン
ジスタの接地端子をトランジスタパッケージ、即ちトラ
ンジスタ素子の近傍で接地することができるためトラ２
ジスタの動作か安定になることは明らかである。なお、
上の実施例においては誘電体基板の貫通穴の断面の形状
を円形にしたものであるが、これはこの形に限定さ扛る
ことはなく要はこれと同様な機能を果たせは良い。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明はｌ・ランジス
タの２つの端子を接地さぜるための２つの貫通穴を設け
た誘電体基板上に、前記貫通穴を結ぶ直線と直交するよ
うにその両側にマイクロストリップ線路を設け、前記貫
通穴の周囲には導体を形成し、前記誘電体基板の残りの
一方の面には接地導体を形成し、前記貫通穴の内側には
導体を形成して前記貫通穴の周囲導体と内側導体とに前
記一方の面の接地導体を接続した構成の接地導体を崩し
、前記トランジスタは前記２つの貫通穴の中央に設けら
れ、その入出力端子はそれぞれ前記２つめマイクロスト
リップ線路に接続し、かつ前記ｌ・ラン／スタの接地端
子は前記貫通穴に挿入するように折り曲げて前記接地導
体に接続しブζ構造でＭＩＣ化トランジスタ増幅器を構
成しているので、特別な金属導体を用いずにトラ”ンジ
スタを確実に接地することができるととも（′Ｃ１その
実装構造も接地導体を基板上に形成することにより簡単
化され、かつトランジスタの接地端子を折り曲けて接地
相貫１ｊｌ穴に挿入することによりｌ・ランジスタを配
置する位置決めかし易いことから量産性能に優れたマイ
クロ波回路装置を得ることができる。
タの２つの端子を接地さぜるための２つの貫通穴を設け
た誘電体基板上に、前記貫通穴を結ぶ直線と直交するよ
うにその両側にマイクロストリップ線路を設け、前記貫
通穴の周囲には導体を形成し、前記誘電体基板の残りの
一方の面には接地導体を形成し、前記貫通穴の内側には
導体を形成して前記貫通穴の周囲導体と内側導体とに前
記一方の面の接地導体を接続した構成の接地導体を崩し
、前記トランジスタは前記２つの貫通穴の中央に設けら
れ、その入出力端子はそれぞれ前記２つめマイクロスト
リップ線路に接続し、かつ前記ｌ・ラン／スタの接地端
子は前記貫通穴に挿入するように折り曲げて前記接地導
体に接続しブζ構造でＭＩＣ化トランジスタ増幅器を構
成しているので、特別な金属導体を用いずにトラ”ンジ
スタを確実に接地することができるととも（′Ｃ１その
実装構造も接地導体を基板上に形成することにより簡単
化され、かつトランジスタの接地端子を折り曲けて接地
相貫１ｊｌ穴に挿入することによりｌ・ランジスタを配
置する位置決めかし易いことから量産性能に優れたマイ
クロ波回路装置を得ることができる。
第１図はトランジスタを用いたマイクロ波帯の増幅器の
−・般的な回路構成図、第２図（ａ） 、、 （ｂ）は
マイクロ波帯の一般的なハーメチックシール構造を１〜
だトランジスタの余［視図および裏面図、第３図−に）
１を従１むケＭＩＣ化ｌ・ランジスタ増幅器の要部斜視
図、同１又Ｃｂ）はその接地導体の外観斜視図、第４図
（ａ）は本発明の−、実施例に用いる誘電体基板の斜視
図、同図（埒はそのＡ−Ａ’断面図、第５図（ａ）は第
４図（Ｃ示した誘電体基板にマイクロストリソゲ線路と
接地４体とを設けたＭＩＣ基板の要部斜視図、同図（埒
はそのＢ −、−Ｂ’断面図、第６図（ａ）（は本発明
の一実施例に用いるトランジスタの接地すべき電極を直
角に折り曲げた構造を示す斜視図、同図（ｂ）はそのＣ
−Ｃ／断面図、第７図（ａ）は本発明の一実施例のマイ
クロ波回路装置の要部斜視図、同図（ｂ）はそのＤ−Ｄ
’断面図、第８図（ａ）は本発明の他の実施例の誘電体
基板の斜視図、同図（ｂ）はそのＥ−Ｅ’断面図、第９
図（→は本発明の他の実始例のマイクロ波回路装置の要
部斜視図、同図（ｂ）はそのＦ 、、−、Ｆ’断面図で
ある。 ５・・・・・・ベース端子、６’ａ 、 ６’ｂ・・・
・・・エミッタ端子、了・・・・コレクク端子、８・・
・・・川・ランジスタパノケー ジ、１１ａ、１１ｂ・
・・・・マイクロストりンブ彫泉路、１３・・・・・・
誘電体基板、１４ａ、１４ｂ・・・・・貫通穴、１５・
・・・・・裏面接地導体、１６ａ、１６ｂ・・・・・貫
通穴周囲と内側導体。 第１図 第２図 （α） 〜 、５ ６ｏＬ （ｂ） 第３図 （ａ、） 第４図 （０−） 第°図 ６あり ｌｂ’ ｌａ、′ 第７図 （αｐ 第８図 （α） １８？０ （ｂ）
−・般的な回路構成図、第２図（ａ） 、、 （ｂ）は
マイクロ波帯の一般的なハーメチックシール構造を１〜
だトランジスタの余［視図および裏面図、第３図−に）
１を従１むケＭＩＣ化ｌ・ランジスタ増幅器の要部斜視
図、同１又Ｃｂ）はその接地導体の外観斜視図、第４図
（ａ）は本発明の−、実施例に用いる誘電体基板の斜視
図、同図（埒はそのＡ−Ａ’断面図、第５図（ａ）は第
４図（Ｃ示した誘電体基板にマイクロストリソゲ線路と
接地４体とを設けたＭＩＣ基板の要部斜視図、同図（埒
はそのＢ −、−Ｂ’断面図、第６図（ａ）（は本発明
の一実施例に用いるトランジスタの接地すべき電極を直
角に折り曲げた構造を示す斜視図、同図（ｂ）はそのＣ
−Ｃ／断面図、第７図（ａ）は本発明の一実施例のマイ
クロ波回路装置の要部斜視図、同図（ｂ）はそのＤ−Ｄ
’断面図、第８図（ａ）は本発明の他の実施例の誘電体
基板の斜視図、同図（ｂ）はそのＥ−Ｅ’断面図、第９
図（→は本発明の他の実始例のマイクロ波回路装置の要
部斜視図、同図（ｂ）はそのＦ 、、−、Ｆ’断面図で
ある。 ５・・・・・・ベース端子、６’ａ 、 ６’ｂ・・・
・・・エミッタ端子、了・・・・コレクク端子、８・・
・・・川・ランジスタパノケー ジ、１１ａ、１１ｂ・
・・・・マイクロストりンブ彫泉路、１３・・・・・・
誘電体基板、１４ａ、１４ｂ・・・・・貫通穴、１５・
・・・・・裏面接地導体、１６ａ、１６ｂ・・・・・貫
通穴周囲と内側導体。 第１図 第２図 （α） 〜 、５ ６ｏＬ （ｂ） 第３図 （ａ、） 第４図 （０−） 第°図 ６あり ｌｂ’ ｌａ、′ 第７図 （αｐ 第８図 （α） １８？０ （ｂ）
Claims (1)
- １・５・ンジスタの２つの端子を接地させるための２つ
の貫通穴を設はプこ誘電体基板上に、前記貫通穴を結ぶ
直線と直交するようにその両１ｊｌｌｌにマイクロスト
リップ線路が設けられ、前記貫通穴の周囲には導体を形
成し、前記誘電体基板の残りの一方の面に（は接地導体
全形成し、前記貫通穴の内１．ＲＩＩ ＋ては導体全形
成して前記貫通穴の周囲導体と内１則導体と（（前記一
方の面の接地導体を接続した構成の接地導体を有し、前
言己トランジスタ（ｒｉ前記２′９の貫ｊｎ穴の中央部
に設けられ、その入出力端子はそノ］それ前記２つのマ
イクロストリップ線路に接続され、かつ前記トランジス
タの接地すべき端子（は前記貫通穴に入るようＶＣ折り
曲けて前記接地導体に接続し斤構造で、前記トラン・／
スタの設置位置か前記接地用貫通穴によって規定される
とともしこ、前記トランジスタの接地を前記トランジス
タ素子のごく近傍で行なうことを特徴とするマイクロ波
回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4490683A JPS59171206A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | マイクロ波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4490683A JPS59171206A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | マイクロ波回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59171206A true JPS59171206A (ja) | 1984-09-27 |
| JPH0122770B2 JPH0122770B2 (ja) | 1989-04-27 |
Family
ID=12704507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4490683A Granted JPS59171206A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | マイクロ波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59171206A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4853703A (en) * | 1986-03-17 | 1989-08-01 | Aisin Seiki Kabushikikaisha | Microstrip antenna with stripline and amplifier |
| JPH08167818A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Nec Corp | 高周波装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5046482U (ja) * | 1973-08-21 | 1975-05-09 | ||
| JPS5364549U (ja) * | 1976-11-02 | 1978-05-31 | ||
| JPS5811746A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 焼結用原料の混合・造粒方法及び装置 |
-
1983
- 1983-03-17 JP JP4490683A patent/JPS59171206A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5046482U (ja) * | 1973-08-21 | 1975-05-09 | ||
| JPS5364549U (ja) * | 1976-11-02 | 1978-05-31 | ||
| JPS5811746A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 焼結用原料の混合・造粒方法及び装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4853703A (en) * | 1986-03-17 | 1989-08-01 | Aisin Seiki Kabushikikaisha | Microstrip antenna with stripline and amplifier |
| JPH08167818A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Nec Corp | 高周波装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0122770B2 (ja) | 1989-04-27 |
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