JPS59170032A - アセトフエノン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は小さな正の誘電異方性を有し、かつ低粘性の新
規な液晶物質に関する。

液晶表示素子及びそれを含有する液晶組成物挺は液晶物
質が持つ光学異方性及び誘電異方性を利用したもので、
その表示様式によってＴＮ型（ねじれネマチック型）、
Ｄｓ型（動的散乱型）、ゲスト・ホスト型、ＤＡＰ型な
ど各種の方式に分けられ、夫々の使用に適する液晶物質
は異る。

いずれの液晶物質も水分、空気、熱、光等に安定である
ことが必要であり、又、室温を中心として出来るだけ広
い温度範囲で液晶相を示すものが求められている。現在
のところ単一化合物ではこの様な条件を満たす物質はな
く、数種の液晶化合物や非液晶化合物を混合して得られ
る液晶組成物を実用に供している。

近年広い温度範囲（−２０ｒ〜８０Ｃ）において液晶相
を示し、かつ低粘性な液晶組成物が要求されている。透
明点の高い化合物、例えばＰ　−シアノテルフェニル等
は粘度が高く、実用に耐えない場合がある。本発明の化
合物は液晶組成物の湯度−粘度特性を改善するのに好適
に用いることができるものである。

本発明の化合物は一般式 （上式中Ｒは炭素数１〜１０を有するアルキル基又はア
ルコキシ基を示す） で表わされる４−〔トランス−４−（）ランス−４−Ｗ
換シクロヘキシル）シクロヘキシルクー２−フルオロア
セトフェノンで・ある。

このものは９０〜２００Ｃの範囲でネマチック液晶相を
示し、かつ低粘性（２０ｔ：で３２　ｅｐ程度）なので
広い温度範囲で液晶相を示す低粘性な液晶組成物を構成
する成分として有効なものである。

つぎに本発明の化合物の製造法を示す。

３−しトランス−４−〔トランス−４＝置換炭素中、塩
化アルミニウム存在下、塩化アセチルを反応させ、目的
の４−１トランス−４−（トランス−４−４を換シクロ
ヘキシル）シクロヘキシルクー２−フルオロアセトフエ
ノンヲ得ル。

以上を化学式で示すと次のようになる。

以下実施例により更に詳細に説明する。

実施例１４−〔トランス−４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）シクロ ヘキシルクー２−フルオロアセトフェ ノンの製造法 ３−〔トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル〕フルオロベンゼン５ｇを二
硫化炭素５０１ｎＩ！、に溶かし、塩化アルミニウム４
ｇを加え、攪拌しながら５Ｃ以下で塩化アセチル３ｇを
滴下した。温度を３５Ｃにあげ２時間攪拌後、冷塩酸を
加え、沈殿物を氷水で濾過洗浄した。アセトンとトルエ
ンの混合溶媒で再結晶１−で、目的の４−（トランス−
４−フロビルシクロヘキシル）シクロヘキシルクー２−
フルオロアセトフェノンを得た。

収邦１．Ｏｇ、収率１８９１．．結晶−ネブチツク点８
８〜９０ｔ？、ネマチック−透明点１９３Ｃを示した。

実施例２ 実施例１に準じた方法で以下の化合物についても製造し
た。

４−　（１−ランス−４−（トランス−４−ブナルアク
ロヘキシル）シクロヘキシルクー２−フルオロアセトフ
ェノン・　結晶−ネマチック点５０’５３．５ｔ？　、
ネマチック−透明点１２３Ｃを示し、た、 実施例３（使用例） Ｃ〜５２ｔｌ？を示した。しきい電圧は１６ｖ、飽和電
圧は２．２Ｖ、２０ｔ？での粘度（ま２３ｃｐであった
。

この液晶組成物９０重量部（（本発明の実施例１で示し
た、４−〔トランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルター２−フルオロアセト
フエ２フ１０重量部を加えた液晶組成物のネマチック−
透明、壱は６２Ｕになり、２０Ｃでの粘度は２４０ｐと
ほとんど変化しなかった。

本発明の化合物の添加により低粘性で高い透明点をもつ
液晶組成物を得ろことができた、以　　　　上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （υ一般式 （上式中凡は炭素数１〜１ｏを有するアルキル基又はア
   ルコキシ基を示す） で表わされる４−〔トランス−４−（トランス−４−！
   換シクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−フルオロア
   セトフェノンであるアセトフェノン誘導体。 （２）一般式 （上式中凡は炭素数１〜１ｏを有するアルキル基又はア
   ルコキシ基を示す） で表わされる４−（トランス−４−（トランス−４−を
   換シクロヘキシル）シクロヘキシルシー２フルオロアセ
   トフエノンであるアセトフェノン誘導体を少なくとも一
   種含有することを特徴とする液晶組成物。