JPS59168684A - 光半導体素子 - Google Patents
光半導体素子Info
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- JPS59168684A JPS59168684A JP58042567A JP4256783A JPS59168684A JP S59168684 A JPS59168684 A JP S59168684A JP 58042567 A JP58042567 A JP 58042567A JP 4256783 A JP4256783 A JP 4256783A JP S59168684 A JPS59168684 A JP S59168684A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光入力に応じて異なる光出力レベルをもつ光半
導体素子に関する。光信号によシ情報を伝達するシステ
ムにおいて光変調、光演算といった機能を果すだめに光
入力に応じて、光出力を制御する素子が今後増々重要と
なる。従来、光入力に応じて光出力を制御するために、
光検出素子。
導体素子に関する。光信号によシ情報を伝達するシステ
ムにおいて光変調、光演算といった機能を果すだめに光
入力に応じて、光出力を制御する素子が今後増々重要と
なる。従来、光入力に応じて光出力を制御するために、
光検出素子。
電気回路及び発光素子といった個別の素子を組合せ、光
信号を電気信号に変換した後再び光信号に変えるという
手段が一般に用いられていた。又、光−電気変換を行な
わないものとしては、不均一な電流分布を設けた光双安
定半導体レーザ等が研究段階にある。しかしながら、個
別の素子を絽合せる場合全体の回路が大きくなるという
欠点がある。又、光双安定半導体レーザはレーザ発振を
制御しているもので、簡便な発光ダイオード（ＬＥＤと
呼ぶ）の発光に対しては必ずしも有効ではない。
信号を電気信号に変換した後再び光信号に変えるという
手段が一般に用いられていた。又、光−電気変換を行な
わないものとしては、不均一な電流分布を設けた光双安
定半導体レーザ等が研究段階にある。しかしながら、個
別の素子を絽合せる場合全体の回路が大きくなるという
欠点がある。又、光双安定半導体レーザはレーザ発振を
制御しているもので、簡便な発光ダイオード（ＬＥＤと
呼ぶ）の発光に対しては必ずしも有効ではない。
本発明は、光入力に応じてレーザ光、自然発光にかかわ
らず光出力を制御する機能を一つの光半導体素子で実現
することを可能にするものである。
らず光出力を制御する機能を一つの光半導体素子で実現
することを可能にするものである。
即ち、化合物半導体からなる光半導体素子において、少
なくとも第１の導電型でバンドギャップエネルギー（以
下Ｅｇと呼ぶ）がＥ ｇ、＝Ｅ ｇヨの半導体Ｊ−と、
第１又は第２の導電型でＥ ｇ＝Ｂ ｇｔ （Ｅ ｇｔ
＜Ｅｇｌ）の半導体層と、第２の導電型でＥｇ＝Ｅｇ＊
（ｇｇｓ＞Ｅｇｓ ）かつ低キャリヤ濃度の半導体層と
、第２の導電型でＥｇ＝ｇｇ４−（Ｅｇ４＞Ｅｇｇ ）
かつ低キャリヤ濃度の半導体層と、第２の導電型でＥｇ
＝＝Ｅｇ。
なくとも第１の導電型でバンドギャップエネルギー（以
下Ｅｇと呼ぶ）がＥ ｇ、＝Ｅ ｇヨの半導体Ｊ−と、
第１又は第２の導電型でＥ ｇ＝Ｂ ｇｔ （Ｅ ｇｔ
＜Ｅｇｌ）の半導体層と、第２の導電型でＥｇ＝Ｅｇ＊
（ｇｇｓ＞Ｅｇｓ ）かつ低キャリヤ濃度の半導体層と
、第２の導電型でＥｇ＝ｇｇ４−（Ｅｇ４＞Ｅｇｇ ）
かつ低キャリヤ濃度の半導体層と、第２の導電型でＥｇ
＝＝Ｅｇ。
（Ｅｇｇ＞Ｅｇｓ ンが低キャリヤ濃度の半導体層が順
に形成され、上記Ｋｇ＝Ｅｇ＊の半導体層を主発光層と
し、上記Ｅｇ”Ｅｇ４の半導体層を主光吸収層とした構
造を備えていることを特徴とする光半導体素子である。
に形成され、上記Ｋｇ＝Ｅｇ＊の半導体層を主発光層と
し、上記Ｅｇ”Ｅｇ４の半導体層を主光吸収層とした構
造を備えていることを特徴とする光半導体素子である。
以下に図面を用いて本発明について詳細に説明する。
第１図は、本発明の光半導体素子の動作原理を説明する
ためのエネルギーバンドダイヤグラムを示している。バ
ンドギャップエネルギーＥｇ”Ｅｇｔのｎａ半導体層１
１、Ｅｇ＝Ｅｇ＊ （Ｅｇｓ＜Ｅｇｔ ）のＰ型半導体
層１２、Ｅｇ＝Ｅｇｓ （Ｅｇｓ ＞Ｅｇｓ ）の低濃
度Ｐ型半導体層１３、Ｅｇ”Ｅｇ４＜Ｅｇ４＞Ｅｇｓ）
の低濃度Ｐ型半導体層１４、Ｅｇ−”’ｇ＋＋ （Ｅｇ
ｓ ＞Ｅｇ−の低源ＫＰ型半導体層１５が順に形成され
ている。ここで半導体層１２のバンドギャップエネルギ
ーＥｇ、は、出力すべき光の波長λｏｕｔに合せておく
。又、半導体層１４のバンドギャップエネルギーＥｇ、
は、入力される光の波長λ１ｎに合せておく。第１図（
ａ）及びｔｂ）は共に素子に順方向電流を流した状態で
、（ａ）は光入力のない場合、（ｂｌは光入力のある場
合をそれぞれ示している。
ためのエネルギーバンドダイヤグラムを示している。バ
ンドギャップエネルギーＥｇ”Ｅｇｔのｎａ半導体層１
１、Ｅｇ＝Ｅｇ＊ （Ｅｇｓ＜Ｅｇｔ ）のＰ型半導体
層１２、Ｅｇ＝Ｅｇｓ （Ｅｇｓ ＞Ｅｇｓ ）の低濃
度Ｐ型半導体層１３、Ｅｇ”Ｅｇ４＜Ｅｇ４＞Ｅｇｓ）
の低濃度Ｐ型半導体層１４、Ｅｇ−”’ｇ＋＋ （Ｅｇ
ｓ ＞Ｅｇ−の低源ＫＰ型半導体層１５が順に形成され
ている。ここで半導体層１２のバンドギャップエネルギ
ーＥｇ、は、出力すべき光の波長λｏｕｔに合せておく
。又、半導体層１４のバンドギャップエネルギーＥｇ、
は、入力される光の波長λ１ｎに合せておく。第１図（
ａ）及びｔｂ）は共に素子に順方向電流を流した状態で
、（ａ）は光入力のない場合、（ｂｌは光入力のある場
合をそれぞれ示している。
まず、光入力のない場合について述べる。素子に順方向
に電流を流すと、電子と正孔はまず半導体層１２で再結
合し、波長λｏｕｔ の光を発する。
に電流を流すと、電子と正孔はまず半導体層１２で再結
合し、波長λｏｕｔ の光を発する。
電流をさらに増すと半導体層１２の電子７エルミレベル
が上昇し、次第に半導体層１３とのへテロバリヤーを越
えて流れる電子リーク電流が増大する。そのために第２
図の破線で示した様に素子に流す電流を増しても波長λ
ｏｕｔ の光出力は増加せず飽和する。
が上昇し、次第に半導体層１３とのへテロバリヤーを越
えて流れる電子リーク電流が増大する。そのために第２
図の破線で示した様に素子に流す電流を増しても波長λ
ｏｕｔ の光出力は増加せず飽和する。
次に、光入力のある場合について述べる。波長λ（λく
λｉｎ）の光を半導体層１５の例から入射させると、こ
の光は半導体層１４で吸収され、正孔−電子を生成する
。半導体層１４０Ｐ濃度は低くしであるので、光入力の
ない場合半導体層１４の正孔フェルミレベルは、価電子
帯から２００〜３００ｍｅｖ ｔＡ制帯内に入ったとこ
ろにある。ところが光を入射することによシ半導体層１
４の正孔濃度が増すと正孔フェルミレベルが価電子帯に
近づき、その結果、第１図（ｂｌに示した様に半導体層
１４の伝導帯が上昇する。そのために半導体層１２の電
子に対するバリヤが高くなる。入射する光の強度により
、バリヤの高さは１００〜２００ｍｅＶ ｆ化する。バ
リヤの高さが１００〜２００ｍｅＶ 高くなると、リー
ク電流が１／１０〜’／ｘ ｏ ｏに減る。従って、入
射光強度が犬、きい場合、素子に流す電流を増してもヘ
テロバリヤーを越えて流れるリーク電流は著しく抑えら
れるためｔｌＬ流に対し光出力は、第２図の実線に示し
だように増加してゆく。このように光入力の有無で素子
の電流−光出力特性は大きく異なる。従って電流値を一
定にして、光入力レベルを変えると光出力は＠３図に示
した様に変化し、低光入力では低光出力、高光入力で高
光出力となる。以上が本発明の動作原理の概略である。
λｉｎ）の光を半導体層１５の例から入射させると、こ
の光は半導体層１４で吸収され、正孔−電子を生成する
。半導体層１４０Ｐ濃度は低くしであるので、光入力の
ない場合半導体層１４の正孔フェルミレベルは、価電子
帯から２００〜３００ｍｅｖ ｔＡ制帯内に入ったとこ
ろにある。ところが光を入射することによシ半導体層１
４の正孔濃度が増すと正孔フェルミレベルが価電子帯に
近づき、その結果、第１図（ｂｌに示した様に半導体層
１４の伝導帯が上昇する。そのために半導体層１２の電
子に対するバリヤが高くなる。入射する光の強度により
、バリヤの高さは１００〜２００ｍｅＶ ｆ化する。バ
リヤの高さが１００〜２００ｍｅＶ 高くなると、リー
ク電流が１／１０〜’／ｘ ｏ ｏに減る。従って、入
射光強度が犬、きい場合、素子に流す電流を増してもヘ
テロバリヤーを越えて流れるリーク電流は著しく抑えら
れるためｔｌＬ流に対し光出力は、第２図の実線に示し
だように増加してゆく。このように光入力の有無で素子
の電流−光出力特性は大きく異なる。従って電流値を一
定にして、光入力レベルを変えると光出力は＠３図に示
した様に変化し、低光入力では低光出力、高光入力で高
光出力となる。以上が本発明の動作原理の概略である。
尚、低キャリヤ濃度半導体層のキャリヤ濃度が１０１８
ａＩＩ−５以上だと上述の作用・効果は期待できない。
ａＩＩ−５以上だと上述の作用・効果は期待できない。
ｌ Ｑ ”ａｔ−３台で効果が現われ、１０１７１３以
下になるとそれは顕著になる。
下になるとそれは顕著になる。
次に、実施例に沿って本発明をさらに詳しく述べる。第
４図（ａ）は、本発明の一実施例の光半導体素子の断面
構造を第４図（ｂ）は、エネルギーバンドダイヤグラム
を示している。第４図の実施例は自然発光（ＬＥＤ出力
）を制御する例でおる。Ｐ型ニー基板２１の上に第１の
Ｐ ｆｉｌ Ｉ ｎＧａＡａ Ｐ層２２（Ｅｇ＝＝ｉ、
ｉ ５ ｅＶ 、 Ｐ〜６Ｘ１０１６Ｃａｌ−３，厚さ
１μｍ ）、第２のＰ型Ｉ ｎＧ ａＡ ａ Ｐ層２３
（Ｅｇ＝１．１０ｅＶ、Ｐ〜ｌ Ｘ Ｉ Ｑ ”ａｘ
−’、厚さｏ、５ｐｍ）、第３のＰ型ＩｎＧａＡｉＰ層
２４ （Ｅｇ＝１．１５ ｅＶ、Ｐ〜６Ｘ１０１６ｃｒ
ｘ−３，厚さ０．２ＦＦｆｆ）、第４のＰ型ＩｎＧａＡ
ｓＰ層２５ （Ｅｇ＝０．９５ｅＶ、Ｐ〜５Ｘ１０”ｚ
−’、厚さ０．５ｐｍ）、ｎｕＩｎＰ層２６ （ｎ−２
Ｘ １０１８ｃｍ−’ 、 厚さ２μｍ）ｋ液相エピタ
キシャル法によム連続して形成する。ｎ型■一層２６の
表面ＫｃＶＤＫｊ：ｐＳｔ、、膜２７を形成した後、フ
ォトレジストによυノくターン形成し、直径２０〜４０
μｍ の円状にＳｔｏｗを除去する。続いて５ｉｎｔ膜
２７及びｎ型ＩｎＰ ２６上にＡｕＧｅＮｉを蒸着し、
Ｈｌ又はＮ９ 雰囲気中で熱処理しｎ型第１＝ミック
電極？８ｆ、形成する。次に、Ｐ型工鐙基板２１を研若
し約１ｊＯＯ／Ａｍの厚さにする。Ｐ型工鐙基板２１に
ＡｕＺｎを蒸着した後、フォトレジストによｌｎ型Ｉｎ
Ｐ２６表面のＳｔｏｗ膜２７のパターンに合わせて、Ａ
ｕ Ｚ ｎ 膜に直径約１２０μｍの円形パターンを
形成し、Ａ ｕ Ｚ ｎ膜を円状に除去し窓３０を形成
する。最後にＨ２又はＮ２中で熱処理することによｐＰ
型オーミック電極２９を形成する。
４図（ａ）は、本発明の一実施例の光半導体素子の断面
構造を第４図（ｂ）は、エネルギーバンドダイヤグラム
を示している。第４図の実施例は自然発光（ＬＥＤ出力
）を制御する例でおる。Ｐ型ニー基板２１の上に第１の
Ｐ ｆｉｌ Ｉ ｎＧａＡａ Ｐ層２２（Ｅｇ＝＝ｉ、
ｉ ５ ｅＶ 、 Ｐ〜６Ｘ１０１６Ｃａｌ−３，厚さ
１μｍ ）、第２のＰ型Ｉ ｎＧ ａＡ ａ Ｐ層２３
（Ｅｇ＝１．１０ｅＶ、Ｐ〜ｌ Ｘ Ｉ Ｑ ”ａｘ
−’、厚さｏ、５ｐｍ）、第３のＰ型ＩｎＧａＡｉＰ層
２４ （Ｅｇ＝１．１５ ｅＶ、Ｐ〜６Ｘ１０１６ｃｒ
ｘ−３，厚さ０．２ＦＦｆｆ）、第４のＰ型ＩｎＧａＡ
ｓＰ層２５ （Ｅｇ＝０．９５ｅＶ、Ｐ〜５Ｘ１０”ｚ
−’、厚さ０．５ｐｍ）、ｎｕＩｎＰ層２６ （ｎ−２
Ｘ １０１８ｃｍ−’ 、 厚さ２μｍ）ｋ液相エピタ
キシャル法によム連続して形成する。ｎ型■一層２６の
表面ＫｃＶＤＫｊ：ｐＳｔ、、膜２７を形成した後、フ
ォトレジストによυノくターン形成し、直径２０〜４０
μｍ の円状にＳｔｏｗを除去する。続いて５ｉｎｔ膜
２７及びｎ型ＩｎＰ ２６上にＡｕＧｅＮｉを蒸着し、
Ｈｌ又はＮ９ 雰囲気中で熱処理しｎ型第１＝ミック
電極？８ｆ、形成する。次に、Ｐ型工鐙基板２１を研若
し約１ｊＯＯ／Ａｍの厚さにする。Ｐ型工鐙基板２１に
ＡｕＺｎを蒸着した後、フォトレジストによｌｎ型Ｉｎ
Ｐ２６表面のＳｔｏｗ膜２７のパターンに合わせて、Ａ
ｕ Ｚ ｎ 膜に直径約１２０μｍの円形パターンを
形成し、Ａ ｕ Ｚ ｎ膜を円状に除去し窓３０を形成
する。最後にＨ２又はＮ２中で熱処理することによｐＰ
型オーミック電極２９を形成する。
この光半導体素子に順方向に電流を流すと、まず第４の
Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層２５で電子−正孔再結合が起こシ
波長約１．３μｍ（０，９５ｅＶ ）の光を発する。
Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層２５で電子−正孔再結合が起こシ
波長約１．３μｍ（０，９５ｅＶ ）の光を発する。
第１．第２及び第３のＰ型Ｉ ｎＧ ａＡ ｓ Ｐ層２
２ 、２３及び２４のＰ濃度がｌ Ｑ ”３−５オーダ
ーと低いため、第４のＰ −Ｉ ｎＧａＡｓＰ層２５の
電子に対するバリヤーは１００ｍｅＶ程ａ４＜、そのた
めに電流を増すとリーク電流が増大し、波長１．３μｍ
の光出力は電流数１０ｍＡで飽和する。ここで波長１０
６μｍの光を窓よシ入射すると、第２のＰ型ＩｎＧａＡ
ｓＰ層２３で吸収され正孔−電子を生成する。入射光強
度を増すとともに、第２のＰ型ＩｎＧａＡｓＰ層２３の
正孔濃度が増大し、正孔フェルミレベルが価電子帯に近
づき、第４のＰ型ＩｎＧａＡｓＰ層２５の電子に対する
バリヤが１００〜２００ｍｅＶ程度高くなる。
２ 、２３及び２４のＰ濃度がｌ Ｑ ”３−５オーダ
ーと低いため、第４のＰ −Ｉ ｎＧａＡｓＰ層２５の
電子に対するバリヤーは１００ｍｅＶ程ａ４＜、そのた
めに電流を増すとリーク電流が増大し、波長１．３μｍ
の光出力は電流数１０ｍＡで飽和する。ここで波長１０
６μｍの光を窓よシ入射すると、第２のＰ型ＩｎＧａＡ
ｓＰ層２３で吸収され正孔−電子を生成する。入射光強
度を増すとともに、第２のＰ型ＩｎＧａＡｓＰ層２３の
正孔濃度が増大し、正孔フェルミレベルが価電子帯に近
づき、第４のＰ型ＩｎＧａＡｓＰ層２５の電子に対する
バリヤが１００〜２００ｍｅＶ程度高くなる。
その結果、リーク電流が次第に減少し、第５図に示した
様に波長１．３μｍの光出力が増大する。このように本
実施例によｐ入力光のレベルに応じてＬＥＤ出力光を直
接制御することができた。
様に波長１．３μｍの光出力が増大する。このように本
実施例によｐ入力光のレベルに応じてＬＥＤ出力光を直
接制御することができた。
第６図は、本発明の別の実施例を示した図である。第６
図の実施例は第４図の実施例と異なシレーザ発振光を制
御する機能を有する。第４図の例とは異なシ、Ｓ１０．
膜２７は中敷ｐｍ程度のストライプ状に除去されておシ
、第４のＰ型ＩｎＧａＡａＰ層２５の厚みは０．２μｍ
程度としている。第７図に示した様に入力光のない場合
、リーク電流が大きいため発振しきい値が高く、入力光
を強くするとリーク電流が者しく減少するため、発振し
きい値は低くなる。従って、電流を一定にして入力光強
度を変えると、第８図に示した様に出力光強度が大きく
変化する。本実施例によシ、光入力レベルに応じてレー
ザ発振出力を直接制御することができた。第６図の例で
は、第１．第２及び第３のＰ型ＩｎＧａＡｓＰ層２２
、２３及び２４が素子全面に亘って設けられているが、
共振器方向の一部分にのみ設けるようにしても、同様の
光制御機能を実現することができる。この場合よシ小さ
い光入力レベルで出力光を制御することができる。
図の実施例は第４図の実施例と異なシレーザ発振光を制
御する機能を有する。第４図の例とは異なシ、Ｓ１０．
膜２７は中敷ｐｍ程度のストライプ状に除去されておシ
、第４のＰ型ＩｎＧａＡａＰ層２５の厚みは０．２μｍ
程度としている。第７図に示した様に入力光のない場合
、リーク電流が大きいため発振しきい値が高く、入力光
を強くするとリーク電流が者しく減少するため、発振し
きい値は低くなる。従って、電流を一定にして入力光強
度を変えると、第８図に示した様に出力光強度が大きく
変化する。本実施例によシ、光入力レベルに応じてレー
ザ発振出力を直接制御することができた。第６図の例で
は、第１．第２及び第３のＰ型ＩｎＧａＡｓＰ層２２
、２３及び２４が素子全面に亘って設けられているが、
共振器方向の一部分にのみ設けるようにしても、同様の
光制御機能を実現することができる。この場合よシ小さ
い光入力レベルで出力光を制御することができる。
以上の実施例では、発光波長が１．３μｍ入力波長が１
．０６μｍの場合について示してきたが、他の波長の場
合でも各層のＥｇやキャリヤ濃度、厚さを変えることに
より本発明を適用することができる。
．０６μｍの場合について示してきたが、他の波長の場
合でも各層のＥｇやキャリヤ濃度、厚さを変えることに
より本発明を適用することができる。
又、ＧａＡｓ／ＡＡＧａＡｓ＋ をはじめ他の化合物
半導体を用いた素子にも適用できる。さらに、各層の電
気的導電型が逆の場合も適用できる。
半導体を用いた素子にも適用できる。さらに、各層の電
気的導電型が逆の場合も適用できる。
以上詳しく述べてきた様に、本発明によｐ単一の素子で
、光入力に応じて、レーザ発振光、自然発光にかかわら
ず光出力レベルを直接制御することのできる光半導体素
子を得ることができた。
、光入力に応じて、レーザ発振光、自然発光にかかわら
ず光出力レベルを直接制御することのできる光半導体素
子を得ることができた。
第１図から第３図は本発明の動作原理を、第４図及び第
５図は本発明の第１の実施例を、第６図から第８図は本
発明の第２の実施例をそれぞれ示す図である。 図中、１１．２６はＥｇ：Ｅｇ、の第１導電型半導体層
、１２．２５はＥ ｇ ＝Ｅ ｇ ＊の第２導電型半導
体層、１３．２４はＥｇ＝Ｅｇｉの第２導電型半導体層
、１４゜２３はＥｇ”Ｅｇ４の第２導電型半導体層、１
５．２２はＥｇ＝Ｅｇｓの第２導電型半導体層をそれぞ
れ示している。 第 １１２１ 第２図 ０ ／ ２ Ｊ電流 （
θ、ｕ） 第 ３１２Ｕ Ｏ／ Ｚ ３ 元入力 （ａ、 （１） 第 ４［］ こｂ） 一→←−→←→祠−→− ２１ど２ ２３２４２５ ２／＞第５図 ｏｔｚ ３ 光へ力 （ａ、αジ 第４図 Ｑ 第７図 ０ ／ ２ ３し流 （０，ｕ
〕 第６図 ０ １ ２ ３ 光入力 （Ｑ、（１）
５図は本発明の第１の実施例を、第６図から第８図は本
発明の第２の実施例をそれぞれ示す図である。 図中、１１．２６はＥｇ：Ｅｇ、の第１導電型半導体層
、１２．２５はＥ ｇ ＝Ｅ ｇ ＊の第２導電型半導
体層、１３．２４はＥｇ＝Ｅｇｉの第２導電型半導体層
、１４゜２３はＥｇ”Ｅｇ４の第２導電型半導体層、１
５．２２はＥｇ＝Ｅｇｓの第２導電型半導体層をそれぞ
れ示している。 第 １１２１ 第２図 ０ ／ ２ Ｊ電流 （
θ、ｕ） 第 ３１２Ｕ Ｏ／ Ｚ ３ 元入力 （ａ、 （１） 第 ４［］ こｂ） 一→←−→←→祠−→− ２１ど２ ２３２４２５ ２／＞第５図 ｏｔｚ ３ 光へ力 （ａ、αジ 第４図 Ｑ 第７図 ０ ／ ２ ３し流 （０，ｕ
〕 第６図 ０ １ ２ ３ 光入力 （Ｑ、（１）
Claims (1)
- 化合物半導体からなる光半導体素子において、少なくと
も７；第１の導電型で、バンドギャップエネルギー（以
下Ｅｇと呼ぶ）がＥｇ＝Ｅｇｔの半導体層と第１又は第
２の導電型でＥｇ”Ｅｇｇ （Ｅｇｇ ＜Ｅ’ｇｔ）の
半導体層と、第２の導電型でＥ ｇ＝Ｅ ｇｓ （Ｅ
ｇｓ＞Ｅｇｓ）かつ低キャリヤ濃度の半導体層と、第２
の導電型でＥｇ＝Ｅｇ４（Ｅｇ＜＞Ｅｇｓ ）かつ、低
キャリヤ濃度の半導体層と、第２の導電型でＥｇ＝Ｅｇ
ｓ（Ｅｇｓ＞Ｅｇｏ ）かつ低キャリヤ濃度の半導体層
が順に形成され上記Ｅ ｇ＝＝Ｅ ｇ、の半導体層を主
発光層とし、上記Ｅｇ”Ｅｇ４の半導体層を主光吸収層
とした構造を備えていることを特徴とする光半導体素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042567A JPS59168684A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 光半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042567A JPS59168684A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 光半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59168684A true JPS59168684A (ja) | 1984-09-22 |
Family
ID=12639630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58042567A Pending JPS59168684A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 光半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59168684A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03127873A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 多波長発光素子 |
-
1983
- 1983-03-15 JP JP58042567A patent/JPS59168684A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03127873A (ja) * | 1989-10-13 | 1991-05-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 多波長発光素子 |
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