JPS59159534A - 樹脂成形金型 - Google Patents
樹脂成形金型Info
- Publication number
- JPS59159534A JPS59159534A JP58033063A JP3306383A JPS59159534A JP S59159534 A JPS59159534 A JP S59159534A JP 58033063 A JP58033063 A JP 58033063A JP 3306383 A JP3306383 A JP 3306383A JP S59159534 A JPS59159534 A JP S59159534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- forces
- mold
- magnet
- leadframe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/12—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor with incorporated means for positioning inserts, e.g. labels
- B29C33/14—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor with incorporated means for positioning inserts, e.g. labels against the mould wall
- B29C33/16—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor with incorporated means for positioning inserts, e.g. labels against the mould wall using magnetic means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂成形金型に関する。
パワー半導体装置用のリードフレームとして提案される
ものである。電子回路の集積回路化が進む中でパワー半
導体製減もその用途を拡大している。さらに用途を拡大
し７て行くとき、その使いやすさが要求され、最近パワ
ー半導体装置の放熱板を絶縁することが広く行なわれて
来ている。この放熱板を絶縁する手段として樹脂モール
ド内部に絶縁性のセラミック板を設ける方法又は、放熱
板全体を樹脂でおおって絶縁する方法が提案されており
最近の傾向では後者の方が有力になって来ている。
ものである。電子回路の集積回路化が進む中でパワー半
導体製減もその用途を拡大している。さらに用途を拡大
し７て行くとき、その使いやすさが要求され、最近パワ
ー半導体装置の放熱板を絶縁することが広く行なわれて
来ている。この放熱板を絶縁する手段として樹脂モール
ド内部に絶縁性のセラミック板を設ける方法又は、放熱
板全体を樹脂でおおって絶縁する方法が提案されており
最近の傾向では後者の方が有力になって来ている。
しかしこの放熱板全体を樹脂でおおう方法は製法上の欠
点がある。すなわち絶縁性を向上させるために、放熱板
を完全におおうことが望ましいが、量産化されている樹
脂モールド半導体装置は、はとんどがトランスファーモ
ールドによる製法が適用されておシ、この製法では、完
全に放熱板をおおうことが非常にむずかしい。
点がある。すなわち絶縁性を向上させるために、放熱板
を完全におおうことが望ましいが、量産化されている樹
脂モールド半導体装置は、はとんどがトランスファーモ
ールドによる製法が適用されておシ、この製法では、完
全に放熱板をおおうことが非常にむずかしい。
トランファーモールド成形による製法は、チップが接着
配線されたリードフレームを成形型にはめこみ、加圧、
ゲル化した樹脂を形に注入成形する方法であるが、リー
ドフレームを成形型にしっかシと固定することが必要で
ある。特にパワー半導体装置においては、熱抵抗が重吸
ｆｒ、％性でアル１放熱板金体をおおう樹脂の厚さは、
正確に均一にコントロールされなければならすより確実
にリードフレームを固定することが重要となる。このよ
うに確実に固定するためには、リードフレームを数ケ所
押え固定することが必要で固定する部分のリードフレー
ム而には成形型が当たるため樹脂が付添しないことにな
る。従って、リードフレームを押える部分があわは、リ
ー ドフレームがむき出ｌ−７となり、そのため絶縁酊
■が低下することになる。特にリードフレームを強く固
定するには、上下又は左右からの押えが必要で、この上
、下又は左右からの押えにより生ずるリー ドフレーム
むき出し２部による絶縁耐量の低下は、その用途を非常
１／Ｃ狭＜ｌ−７ている。
配線されたリードフレームを成形型にはめこみ、加圧、
ゲル化した樹脂を形に注入成形する方法であるが、リー
ドフレームを成形型にしっかシと固定することが必要で
ある。特にパワー半導体装置においては、熱抵抗が重吸
ｆｒ、％性でアル１放熱板金体をおおう樹脂の厚さは、
正確に均一にコントロールされなければならすより確実
にリードフレームを固定することが重要となる。このよ
うに確実に固定するためには、リードフレームを数ケ所
押え固定することが必要で固定する部分のリードフレー
ム而には成形型が当たるため樹脂が付添しないことにな
る。従って、リードフレームを押える部分があわは、リ
ー ドフレームがむき出ｌ−７となり、そのため絶縁酊
■が低下することになる。特にリードフレームを強く固
定するには、上下又は左右からの押えが必要で、この上
、下又は左右からの押えにより生ずるリー ドフレーム
むき出し２部による絶縁耐量の低下は、その用途を非常
１／Ｃ狭＜ｌ−７ている。
本発明１ｄかかる欠点をなくす／εめに提案されたもの
である。すなわち、リードフレームの一部に強磁性体領
域を設け、モールド成形金型に設置された磁石により、
リードフレームを固定しリードフレームのむき出し部を
減らし良好な絶縁耐量を得ようとするものである。
である。すなわち、リードフレームの一部に強磁性体領
域を設け、モールド成形金型に設置された磁石により、
リードフレームを固定しリードフレームのむき出し部を
減らし良好な絶縁耐量を得ようとするものである。
以下図面により説明する。第１図は従来のリードフレー
ムによる絶縁型半導体装佑のモールド成形時の断面図で
ある。１はリードフレ−ム、２はリードフレームに半田
付されたチップ、３げワイーヤー、４．５はモールド成
形金型でそれぞれ下型と上型である。６はリードフレー
ムの位置精用を調整するためのビンである。７ａ、７ｂ
はリー ドフレームを成形金型が固定、押える部分を
示している。本図でリー ドフレームは７ａ、７ｂ部で
成形金型に押えら才Ｌ１ この都 位置が決めらｔｌ、
６のビンと合せて位１ｋ＜精度を出すことが出きる。し
かしｉｉ’ｉｉ述のとおり押え部はリードフレーム・が
霧出１−てし１うので絶縁１ｌｉｒ１′開が劣る。
ムによる絶縁型半導体装佑のモールド成形時の断面図で
ある。１はリードフレ−ム、２はリードフレームに半田
付されたチップ、３げワイーヤー、４．５はモールド成
形金型でそれぞれ下型と上型である。６はリードフレー
ムの位置精用を調整するためのビンである。７ａ、７ｂ
はリー ドフレームを成形金型が固定、押える部分を
示している。本図でリー ドフレームは７ａ、７ｂ部で
成形金型に押えら才Ｌ１ この都 位置が決めらｔｌ、
６のビンと合せて位１ｋ＜精度を出すことが出きる。し
かしｉｉ’ｉｉ述のとおり押え部はリードフレーム・が
霧出１−てし１うので絶縁１ｌｉｒ１′開が劣る。
第２図は従来の絶縁型半導体装置の取イマ１け図て矛）
る。８は取イマ１は台、９ｔ」第１図の７ｂ部に相当す
る露出したリー ドフレー ム部で絶縁耐量は９と８の
酌＠で決１す、大きな耐量を？！Ｓること幻、出きない
。
る。８は取イマ１は台、９ｔ」第１図の７ｂ部に相当す
る露出したリー ドフレー ム部で絶縁耐量は９と８の
酌＠で決１す、大きな耐量を？！Ｓること幻、出きない
。
第３図は本発明によるものである。１１は！１−ドフレ
ーム、１２はリードフレームに半［Ｂ付されたチップ、
１３はワイヤー、１４．５．５ゆモールド成形金型で下
型と、に型、１６ｉｆ、ｊリ−ドフレームの位１を精度
を調整するだめのビンで本発明による磁石を有（−２で
いる。１７ａはり一トフレームの一端を金型が押える部
分である。１８は１６に符合して設けられｊｉ’ｌｉ磁
ｔ１体拐料により構成さハたり一ドフレームの一部であ
る。このような構成によれけり一ドフレームの位仏台固
外４する部分は１７８部と磁力により固定される１６ａ
部の２り所となりリー ドフレームは安定して固定され
る。このようにすれＣ：リードフレームの側ｍ１又は、
下面が露１（′Ｉ−す−ることな〈従来のものに比べ絶
縁耐量が犬きくすぐれたものを供給することが出来る。
ーム、１２はリードフレームに半［Ｂ付されたチップ、
１３はワイヤー、１４．５．５ゆモールド成形金型で下
型と、に型、１６ｉｆ、ｊリ−ドフレームの位１を精度
を調整するだめのビンで本発明による磁石を有（−２で
いる。１７ａはり一トフレームの一端を金型が押える部
分である。１８は１６に符合して設けられｊｉ’ｌｉ磁
ｔ１体拐料により構成さハたり一ドフレームの一部であ
る。このような構成によれけり一ドフレームの位仏台固
外４する部分は１７８部と磁力により固定される１６ａ
部の２り所となりリー ドフレームは安定して固定され
る。このようにすれＣ：リードフレームの側ｍ１又は、
下面が露１（′Ｉ−す−ることな〈従来のものに比べ絶
縁耐量が犬きくすぐれたものを供給することが出来る。
又不発ヅ１の位１１↓台せビンに磁石を用いる方法と（
７でビン自体を磁石で形成Ｊることも可能であるが、ビ
ン内部几磁石イーうめ込むこと、さらｖｌ、磁石で構成
ずＺ）ことが現実的′″Ｃを）す、その実行が容易であ
る。
７でビン自体を磁石で形成Ｊることも可能であるが、ビ
ン内部几磁石イーうめ込むこと、さらｖｌ、磁石で構成
ずＺ）ことが現実的′″Ｃを）す、その実行が容易であ
る。
第１図（ｒＪ従来の方法によるモールド成形断面図、第
２図はイガ来のブ〕法による中導体丼償の取伺図、第３
図は不発１ν１によるモールド成形断面図である。 なお図Ｖこおいて】・・・・・・リー ドフレーム、２
・・・・・・リー ドル、−ムＷ１へ山イ」さム、たチ
・１プ、３・・・・・・ワイヤー、４．５・・・・・・
モールド成形金型（でそれぞれ下型と上型、６・・・・
・リー ドフレームの位Ｉη精度を調整するガニめのビ
ン、７ａ、７ｂ・・・・・・リードフレームを成形金型
が固定、押える部分、８・・・・・・取利は台、９・・
・・・・露出しタリードフレーム部、１１・・・・・・
リードフレーム、１２・・・・・・リードフレームに半
田伺゛されたチップ、１３・・・・・・ワイヤー、１４
．１５・・・・モールド成形金型で下型と上型、Ｊ６・
・・・・・リ−ドフレ＝−ムのＧ７１置棺１６′を調整
する斤Ｖ）のビン、１７ａ・・・・・・リードフし・−
ムの一端を成形金型が押える部分、１８・・・・・・１
６に符合して設けられ強磁性体材料により構成さ＃’し
たリードフレームの一部である。 ′叉ヒ′・１−′” 手 ｌ 図 痕２ 図范８ 区 １６３−
２図はイガ来のブ〕法による中導体丼償の取伺図、第３
図は不発１ν１によるモールド成形断面図である。 なお図Ｖこおいて】・・・・・・リー ドフレーム、２
・・・・・・リー ドル、−ムＷ１へ山イ」さム、たチ
・１プ、３・・・・・・ワイヤー、４．５・・・・・・
モールド成形金型（でそれぞれ下型と上型、６・・・・
・リー ドフレームの位Ｉη精度を調整するガニめのビ
ン、７ａ、７ｂ・・・・・・リードフレームを成形金型
が固定、押える部分、８・・・・・・取利は台、９・・
・・・・露出しタリードフレーム部、１１・・・・・・
リードフレーム、１２・・・・・・リードフレームに半
田伺゛されたチップ、１３・・・・・・ワイヤー、１４
．１５・・・・モールド成形金型で下型と上型、Ｊ６・
・・・・・リ−ドフレ＝−ムのＧ７１置棺１６′を調整
する斤Ｖ）のビン、１７ａ・・・・・・リードフし・−
ムの一端を成形金型が押える部分、１８・・・・・・１
６に符合して設けられ強磁性体材料により構成さ＃’し
たリードフレームの一部である。 ′叉ヒ′・１−′” 手 ｌ 図 痕２ 図范８ 区 １６３−
Claims (1)
- 樹脂成形金型において部分的に磁石を配備したことを特
徴とする樹脂成形金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58033063A JPS59159534A (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 樹脂成形金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58033063A JPS59159534A (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 樹脂成形金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59159534A true JPS59159534A (ja) | 1984-09-10 |
Family
ID=12376271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58033063A Pending JPS59159534A (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 樹脂成形金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59159534A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6263112U (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-20 | ||
| JPS63250846A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | 面付実装用ｌｓｉプラスチツクパツケ−ジとその製造方法 |
| EP0312049A2 (en) * | 1987-10-13 | 1989-04-19 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Mold apparatus for producing a synthetic resin molded article |
-
1983
- 1983-03-01 JP JP58033063A patent/JPS59159534A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6263112U (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-20 | ||
| JPS63250846A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | 面付実装用ｌｓｉプラスチツクパツケ−ジとその製造方法 |
| EP0312049A2 (en) * | 1987-10-13 | 1989-04-19 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Mold apparatus for producing a synthetic resin molded article |
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